JPS59128548A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS59128548A JPS59128548A JP512283A JP512283A JPS59128548A JP S59128548 A JPS59128548 A JP S59128548A JP 512283 A JP512283 A JP 512283A JP 512283 A JP512283 A JP 512283A JP S59128548 A JPS59128548 A JP S59128548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- intermediate layer
- photoconductive
- lower alkyl
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は支持体とセレン系光導電層との間に光導電性中
間層を有する鞠；子写真感光体に関する。
間層を有する鞠；子写真感光体に関する。
導電性支持体上に、絶縁性樹脂結着剤中に分散質として
無機又は有機微粒子を分散した中間層とその上にセレン
系光導電層を設けた電子写真感光体が知られている。こ
のような層構造からなる電子写真感光体において中間層
の目的は支持体と光導電層間の接着性向上及び電気特性
の向上である。中間層は結着剤中に分散する粒子の種類
によって一般に低抵抗中間層及び光導電性中間層の２種
に大別される。前者の例としては分散質としてカーボン
を用いたもの（特開昭４９−１２６３３９号公報）ヤ金
属又はカルコゲン化合物を用いたもの（特公昭５４−３
６８５９号公報）があシ、また後者の例としてはフタロ
シアニンを用いたもの（特公昭、ｉ ４−１２６７１号
公報）がある。しかし前者の中間層では分散条件によっ
ては感光体の帯電特性、残留電位等の電気特性が大きく
変動する。従って分散条件の制御が課題である。一方、
後者の中間層でも分散質がフタロシアニン顔料である場
合、電気特性、特に残留電位が繰返し使用時に変動する
という欠点がある。なお上記区分には属さないその他の
中間層として分散質を用いずに非結晶性樹月旨単独よシ
なるもの（特開昭５３−１０３７４２号公報）が知られ
ているが、この中間層の目的はその上に設けられた光導
を層における結晶化抑制効果を意図したもので、上記２
柿の中間層とは異なっている。
無機又は有機微粒子を分散した中間層とその上にセレン
系光導電層を設けた電子写真感光体が知られている。こ
のような層構造からなる電子写真感光体において中間層
の目的は支持体と光導電層間の接着性向上及び電気特性
の向上である。中間層は結着剤中に分散する粒子の種類
によって一般に低抵抗中間層及び光導電性中間層の２種
に大別される。前者の例としては分散質としてカーボン
を用いたもの（特開昭４９−１２６３３９号公報）ヤ金
属又はカルコゲン化合物を用いたもの（特公昭５４−３
６８５９号公報）があシ、また後者の例としてはフタロ
シアニンを用いたもの（特公昭、ｉ ４−１２６７１号
公報）がある。しかし前者の中間層では分散条件によっ
ては感光体の帯電特性、残留電位等の電気特性が大きく
変動する。従って分散条件の制御が課題である。一方、
後者の中間層でも分散質がフタロシアニン顔料である場
合、電気特性、特に残留電位が繰返し使用時に変動する
という欠点がある。なお上記区分には属さないその他の
中間層として分散質を用いずに非結晶性樹月旨単独よシ
なるもの（特開昭５３−１０３７４２号公報）が知られ
ているが、この中間層の目的はその上に設けられた光導
を層における結晶化抑制効果を意図したもので、上記２
柿の中間層とは異なっている。
本発明の目的は中ＩＬｉＪ層に用いられる分散粒子の分
散条件や繰返し使用においても電気特性が女定で、しか
も中間層によるｗｉ感効果、結晶化抑制効果及び＋＆着
性向上による可撓性向上効果を併せ持つ上、優れた電子
写真特性を有する電子写真感光体を提供することである
。
散条件や繰返し使用においても電気特性が女定で、しか
も中間層によるｗｉ感効果、結晶化抑制効果及び＋＆着
性向上による可撓性向上効果を併せ持つ上、優れた電子
写真特性を有する電子写真感光体を提供することである
。
即ち、本発明は導電性支持体上に、有機顔料の微細粒子
を絶縁性樹脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上
にセレン、セレン合金又はセレン化合物よりなる光導電
層とを設けた電子写真感光体において、前記有機顔料が
一般式（ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香環、インド−ルミ１カルバゾール環、ベンゾフラン環
などのへテロ環又はそれらの置換体、Ａｒ１はベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどの
へテロ環又はそれらの置換体、Ａｒ、及びＡｒ３はベン
ゼン環、ナフタレン環などの芳香環又はそれらの置換体
、Ｒ１及びＲ８は水素、低級アルキル基、フェニル基又
はその置換体、Ｒ１は低級アルキル基、カルゼキシル基
又はそ、のエステル）を表わす。〕 で示されるジスアゾ顔料であることを特徴とするもので
ある。
を絶縁性樹脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上
にセレン、セレン合金又はセレン化合物よりなる光導電
層とを設けた電子写真感光体において、前記有機顔料が
一般式（ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香環、インド−ルミ１カルバゾール環、ベンゾフラン環
などのへテロ環又はそれらの置換体、Ａｒ１はベンゼン
環、ナフタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどの
へテロ環又はそれらの置換体、Ａｒ、及びＡｒ３はベン
ゼン環、ナフタレン環などの芳香環又はそれらの置換体
、Ｒ１及びＲ８は水素、低級アルキル基、フェニル基又
はその置換体、Ｒ１は低級アルキル基、カルゼキシル基
又はそ、のエステル）を表わす。〕 で示されるジスアゾ顔料であることを特徴とするもので
ある。
Ｘの芳香環またはへテロ環における置換基としては例え
ばハロゲンがＡｒ、の芳香環またはへテロ環あるいはＡ
ｒ２またはＡｒ３の芳香環における置換基としては低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン、ニトロ基、
シアノ基、カルゼキシル基、ジアルキルアミノ基などが
挙げられる。またＲ１またはＲ８のフェニル基における
置換基としては例えばハロゲンが挙げられる。
ばハロゲンがＡｒ、の芳香環またはへテロ環あるいはＡ
ｒ２またはＡｒ３の芳香環における置換基としては低級
アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン、ニトロ基、
シアノ基、カルゼキシル基、ジアルキルアミノ基などが
挙げられる。またＲ１またはＲ８のフェニル基における
置換基としては例えばハロゲンが挙げられる。
本発明はこのように導電性支持体、中間層及び光導電層
を有する電子写真感光体の中間層における分散質として
前記一般式で示されるジスアゾ顔料を用いたものである
。
を有する電子写真感光体の中間層における分散質として
前記一般式で示されるジスアゾ顔料を用いたものである
。
導電性支持体としては例えばＡＩ 、 Ｎｉ 、ステン
レススチール等の金属又は金属酸化物よシなる板； Ａ
ｌ 、 Ｐｄ 、 Ａｕ等の金属をコートした合成紙、
プラスチックフィルム等の絶縁性シート；高分子４Ｍア
ンモニウム塩、ボリスチ【／ンスルホン酸塩等の導電性
物質を含浸した紙又は布等が使用される。
レススチール等の金属又は金属酸化物よシなる板； Ａ
ｌ 、 Ｐｄ 、 Ａｕ等の金属をコートした合成紙、
プラスチックフィルム等の絶縁性シート；高分子４Ｍア
ンモニウム塩、ボリスチ【／ンスルホン酸塩等の導電性
物質を含浸した紙又は布等が使用される。
中間層は絶縁性樹脂及び前記一般式のジスアゾ顔料を主
成分として構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ブ
チラール樹脂、ポリエステル等が挙げられるが、中でも
ポリエステル及びブチラール樹脂は特に良好な結果を与
える。またこれら樹脂の固有の特性を補なう目的で２椋
以上の絶縁性樹脂を用いることも可能である。一方、ジ
スアゾ顔料の具体例としては下記のものが埜げられるｇ （以下余白） 以上のようなジスアゾ顔料は公知の方法、例えば特開昭
４７−３７５４３号公報に記載の方法に準じて容易に製
造することができる。
成分として構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ブ
チラール樹脂、ポリエステル等が挙げられるが、中でも
ポリエステル及びブチラール樹脂は特に良好な結果を与
える。またこれら樹脂の固有の特性を補なう目的で２椋
以上の絶縁性樹脂を用いることも可能である。一方、ジ
スアゾ顔料の具体例としては下記のものが埜げられるｇ （以下余白） 以上のようなジスアゾ顔料は公知の方法、例えば特開昭
４７−３７５４３号公報に記載の方法に準じて容易に製
造することができる。
こうして得られるジスアゾ顔料の絶縁性樹脂への分散量
は１〜５０孤量チが適当である。分散量が前記範囲より
多過ぎると、接着性が低下し、その結果、可撓性向上効
果が損なわれ、また少な過ぎると、残留電位の増加を招
く。中間層の厚さは５μ以下が適当で、好ましくは１〜
３μである。なお本発明の中間層には以上の２成分の他
、各種特性の向上及び安定化を計るために、他の分散質
を添加してもよい。
は１〜５０孤量チが適当である。分散量が前記範囲より
多過ぎると、接着性が低下し、その結果、可撓性向上効
果が損なわれ、また少な過ぎると、残留電位の増加を招
く。中間層の厚さは５μ以下が適当で、好ましくは１〜
３μである。なお本発明の中間層には以上の２成分の他
、各種特性の向上及び安定化を計るために、他の分散質
を添加してもよい。
光導電層はセレン、セレン合金又はセレン化合物から構
成される。セレン合金又はセレン化合物としては５ｅＴ
ｅ 、 Ａｓ２Ｓｅ２ 、５ｅ−Ｂｉ金合金５ｅ−ｓｂ
金合金が埜げられる。光導電層の厚さはｉｏｏμ以下が
適当で、好ましくは１０〜７０μである。
成される。セレン合金又はセレン化合物としては５ｅＴ
ｅ 、 Ａｓ２Ｓｅ２ 、５ｅ−Ｂｉ金合金５ｅ−ｓｂ
金合金が埜げられる。光導電層の厚さはｉｏｏμ以下が
適当で、好ましくは１０〜７０μである。
本発明の感光体を作るには心電性支持体上に前記ジスア
ゾ顔料を分散した絶縁性樹脂溶液を系布乾燥して中間層
を形成し、その上にセレン、セレン合金又はセレン化合
物を蒸着して光導電層を形成すればよい。
ゾ顔料を分散した絶縁性樹脂溶液を系布乾燥して中間層
を形成し、その上にセレン、セレン合金又はセレン化合
物を蒸着して光導電層を形成すればよい。
以下に本発明を実施例によって説明する０実施例１
ブチラール樹脂（ユニオンカーバイド社製ＸＹＨＬ）４
ｉｆｉ一部をガラスポット中でテトラヒドロンラン１１
重量部に溶解し、ついでこの中に化合物陰１のジスアゾ
顔料１型余部及びステンレススチールゼールを加え、７
２時間ミリングしだ。得られた分散液にテトラヒドロフ
ラン３４重量部を加え、中間層形成液を調製した。
ｉｆｉ一部をガラスポット中でテトラヒドロンラン１１
重量部に溶解し、ついでこの中に化合物陰１のジスアゾ
顔料１型余部及びステンレススチールゼールを加え、７
２時間ミリングしだ。得られた分散液にテトラヒドロフ
ラン３４重量部を加え、中間層形成液を調製した。
次にこの液をステンレススチール（ＳＵＳ３０４）製支
持体上に乾燥後の厚さが１μになるよう塗布し、１００
℃で１時間乾燥して中間層を形成し、更にその上にセレ
ンを真空蒸着して厚さ６０μの無定形セレンよシなる光
導匍：層、を形成することにより、電子写真感光体を作
製した。
持体上に乾燥後の厚さが１μになるよう塗布し、１００
℃で１時間乾燥して中間層を形成し、更にその上にセレ
ンを真空蒸着して厚さ６０μの無定形セレンよシなる光
導匍：層、を形成することにより、電子写真感光体を作
製した。
比較のため、中間層形成液として前記ブチラール樹脂１
重−ｉｔ部をテトラヒドロフラン９重量部に溶解した溶
液を用いた他は同様にして電子写真感光体を作製した。
重−ｉｔ部をテトラヒドロフラン９重量部に溶解した溶
液を用いた他は同様にして電子写真感光体を作製した。
次に以上の２種の感光体について電子写真特性をテスト
し、下表の結果を得た。
し、下表の結果を得た。
注）Ｖｘ：サンプル表面に５ＫＶのコロナ放電を２０秒
間行なった時の表面電位。
間行なった時の表面電位。
ｐ、ｐ ： Ｖｏ／′Ｖｌの値（Ｖｏは２０秒間暗減衰
させた時の底面電位）。
させた時の底面電位）。
Ｅ３Ａ ：暗減衰の後、タングステンランプによシ表面
照度が２０ ｌｕｘになるよう光照射し、底面電位がＶ
２Ｏ号になる に徹する露光量。
照度が２０ ｌｕｘになるよう光照射し、底面電位がＶ
２Ｏ号になる に徹する露光量。
■Ｒ：光照射を２０秒間行なった後の表面電位。
この表から判るように本発明の感光体におけるジスアゾ
顔料を分散した中間層の効果は明らかで、特に残留電位
の低下に著しい効果が認められる。
顔料を分散した中間層の効果は明らかで、特に残留電位
の低下に著しい効果が認められる。
実施例２
ぼりエステル（デュポン社製ポリエステルアドヘシブ）
９重量部をガラスポット中でテトラヒドロフラン２３重
量部に溶解し、この中に化合物陽ｌのジスアゾ顔料１重
拐１部及び実施例１ト同システンレススチールゼールを
加エテ７２時間ミリングした。得られた分散液に更にテ
トラヒドロフラン６３重量部を加えて中間層形成液を調
製した。次にこの液を実施例１と同じ支持体上に乾燥後
の厚さが３μとなるよう塗布し、１００℃で１時間乾燥
して中間層を形成し、更にその上にＴｏ含含有貴重重量
の５ｅ−Ｔｅ合金を真空蒸着して厚さ６０μの非晶質Ｓ
ｅ −Ｔｅよりなる光導電ｊ−を形成することにより電
子写真感光体を作製した。
９重量部をガラスポット中でテトラヒドロフラン２３重
量部に溶解し、この中に化合物陽ｌのジスアゾ顔料１重
拐１部及び実施例１ト同システンレススチールゼールを
加エテ７２時間ミリングした。得られた分散液に更にテ
トラヒドロフラン６３重量部を加えて中間層形成液を調
製した。次にこの液を実施例１と同じ支持体上に乾燥後
の厚さが３μとなるよう塗布し、１００℃で１時間乾燥
して中間層を形成し、更にその上にＴｏ含含有貴重重量
の５ｅ−Ｔｅ合金を真空蒸着して厚さ６０μの非晶質Ｓ
ｅ −Ｔｅよりなる光導電ｊ−を形成することにより電
子写真感光体を作製した。
比較のため中間層形成液中の前記ジスアゾ顔料の代りに
β−銅フタロシアニンを用いた他は同様にして電子写真
感光体を作製した。
β−銅フタロシアニンを用いた他は同様にして電子写真
感光体を作製した。
次にこれら感光体を市販の電子写真複写機にセットし、
繰返し使用テストを行なったところ、比較品では初期の
残留電位２０Ｖがｌｌ０Ｖと約９０Ｖ増加したのに対し
、本発明品では残留電位の変動は贋、られなかった。
繰返し使用テストを行なったところ、比較品では初期の
残留電位２０Ｖがｌｌ０Ｖと約９０Ｖ増加したのに対し
、本発明品では残留電位の変動は贋、られなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に、有機顔料の微細粒子を絶縁性樹
脂中に分散せしめてなる中間層と更にその上にセレン、
セレン合金又はセレン化合物よシなる光導電層とを設け
た電子写真感光体において、前記有機顔料が一般式 （ここでＸはベンゼン環、ナフタレン 環などの芳香環、インドール環、カル バゾール猿、ベンゾフラン環などのへ テロ環又はそれらの置換体、Ａｒ１はベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどのへテロ環
又はそ れらの置換体、Ａｒ２及びＡｒ３はベンゼン環、ナフタ
レン猿カどの芳香環又は それらの置換体、Ｒ１及びＲ３は水素、低級アルキル基
、フェニル基又はその置 換体、Ｒ２は低級アルキル基、カルゼキシル基又はその
エステル）を表わす。〕で示されるジスアゾ顔料である
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP512283A JPS59128548A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP512283A JPS59128548A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128548A true JPS59128548A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11602507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP512283A Pending JPS59128548A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120527U (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP512283A patent/JPS59128548A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120527U (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-04 |
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