JPS59138033A - 酸化物陰極構体 - Google Patents
酸化物陰極構体Info
- Publication number
- JPS59138033A JPS59138033A JP58010487A JP1048783A JPS59138033A JP S59138033 A JPS59138033 A JP S59138033A JP 58010487 A JP58010487 A JP 58010487A JP 1048783 A JP1048783 A JP 1048783A JP S59138033 A JPS59138033 A JP S59138033A
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- JP
- Japan
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- base metal
- crystal grain
- weight
- reducing agent
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化物陰極構体に係り、特に安定した管特性を
要求されるカラーブラウン管などに使用して好適な長寿
命かつ高性能の酸化物陰極構体に関するものである。
要求されるカラーブラウン管などに使用して好適な長寿
命かつ高性能の酸化物陰極構体に関するものである。
現在、一般的に使用されている酸化物陰極構体の一例を
第１図により説明すると、ニッケル（Ｎｉ）−クロム（
Ｃｒ）合金からなる陰極スリーブ（１）の先端に主とし
てＮｉよりなる基体金属（２）が固着され、この基体金
属（２）の頂面にはバリウム（Ｂａ） 、ストロンチウ
ム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の三元系炭酸塩（Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＣＯＢを塗布、真空中で加熱分解して
（Ｂａ 、 Ｓｒ 、Ｃａ）Ｏとなった電子放射物質（
３）が形成され、かつ陰極スリーブ（１）内にはヒータ
（４）が配設されている。
第１図により説明すると、ニッケル（Ｎｉ）−クロム（
Ｃｒ）合金からなる陰極スリーブ（１）の先端に主とし
てＮｉよりなる基体金属（２）が固着され、この基体金
属（２）の頂面にはバリウム（Ｂａ） 、ストロンチウ
ム（Ｓｒ） 、カルシウム（Ｃａ）の三元系炭酸塩（Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＣＯＢを塗布、真空中で加熱分解して
（Ｂａ 、 Ｓｒ 、Ｃａ）Ｏとなった電子放射物質（
３）が形成され、かつ陰極スリーブ（１）内にはヒータ
（４）が配設されている。
この様な酸化物陰極構体において、基体金属（２）とし
て純Ｎｉを用いると、電子放射物質（３）中の電子放射
の原因となる遊離Ｂａｉ形成する反応が十分に進行しな
いため、その結果、十分な電子放射が確保できない。そ
の対策としてＮｉ中に還元剤としてマグネシウム（Ｍｇ
） ｅ硅素（Ｓｔ） 、タングステン（Ｗ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ） 、ハフニウム（Ｉ（ｆ）などの元素を微
量、単独または二種以上添加しているのが現状である。
て純Ｎｉを用いると、電子放射物質（３）中の電子放射
の原因となる遊離Ｂａｉ形成する反応が十分に進行しな
いため、その結果、十分な電子放射が確保できない。そ
の対策としてＮｉ中に還元剤としてマグネシウム（Ｍｇ
） ｅ硅素（Ｓｔ） 、タングステン（Ｗ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ） 、ハフニウム（Ｉ（ｆ）などの元素を微
量、単独または二種以上添加しているのが現状である。
これら還元剤のうち、ｚｒおよびＨｆは比較的結晶粒界
に偏析し易く、遊離Ｂａの生成反応において還元剤の供
給が結晶粒界を介して進行する傾向にあり、結晶粒界が
反応のサイト（場所）となることが知られている。従っ
てこのような微量の還元剤を含有する主としてＮｉより
なる基体金属（２）においては適度に結晶粒径が小さく
、結晶粒界の割合が制御されていることが望ましい。
に偏析し易く、遊離Ｂａの生成反応において還元剤の供
給が結晶粒界を介して進行する傾向にあり、結晶粒界が
反応のサイト（場所）となることが知られている。従っ
てこのような微量の還元剤を含有する主としてＮｉより
なる基体金属（２）においては適度に結晶粒径が小さく
、結晶粒界の割合が制御されていることが望ましい。
しかしながら、上述のような微量の還元剤を含有する主
としてＮｉよりなる基体金属（２）により形成した酸化
物陰極構体をカラーブラウン管に組み込み、排気、炭酸
塩分解、封止、ゲッタフラッシュ。
としてＮｉよりなる基体金属（２）により形成した酸化
物陰極構体をカラーブラウン管に組み込み、排気、炭酸
塩分解、封止、ゲッタフラッシュ。
活性化等の通常の製造工程を経た後、基体金属（２）を
取り出し、その断面を観察すると、結晶粒が粗大化して
いることがわかった。これは炭酸塩分解及び活性化の工
程において基体金属（２）が９００〜１１００℃に加熱
されるためであるが、これら工程はカラーブラウン管の
製造工程上声けられない工程である。従ってこのような
加熱工程、更にはカラーブラウン管の動作中にも結晶粒
の成長による粗大化を起こさない基体金属を使用した酸
化物陰極構体の開発が要望されているのが現状である。
取り出し、その断面を観察すると、結晶粒が粗大化して
いることがわかった。これは炭酸塩分解及び活性化の工
程において基体金属（２）が９００〜１１００℃に加熱
されるためであるが、これら工程はカラーブラウン管の
製造工程上声けられない工程である。従ってこのような
加熱工程、更にはカラーブラウン管の動作中にも結晶粒
の成長による粗大化を起こさない基体金属を使用した酸
化物陰極構体の開発が要望されているのが現状である。
本発明は前述した要望に鑑みなされたものであり、９０
０〜１１００℃の加熱によっても結晶粒の成長による粗
大化を起こすことのない基体金属を使用することにより
、特に安定した管特性を要求されるカラーブラウン管な
どに使用して好適な長寿命かつ高性能の酸化物陰極構体
を提供すること全目的としている。
０〜１１００℃の加熱によっても結晶粒の成長による粗
大化を起こすことのない基体金属を使用することにより
、特に安定した管特性を要求されるカラーブラウン管な
どに使用して好適な長寿命かつ高性能の酸化物陰極構体
を提供すること全目的としている。
即ち、本発明Ｖｉ電子放射物質が頂面に塗布形成された
微量の還元剤を含有する主としてニッケルよりなる基体
金属を少くとも具備する酸化物陰極構体において、基体
金属がランタン、イツ） ＩＪウムの少なくとも１つを
０．１重量％乃至２重量％およびハフニウム、ジルコニ
ウムの少なくとも１つを０．１重量％乃至２重量％含有
していることを特徴とする酸化物陰極構体である。
微量の還元剤を含有する主としてニッケルよりなる基体
金属を少くとも具備する酸化物陰極構体において、基体
金属がランタン、イツ） ＩＪウムの少なくとも１つを
０．１重量％乃至２重量％およびハフニウム、ジルコニ
ウムの少なくとも１つを０．１重量％乃至２重量％含有
していることを特徴とする酸化物陰極構体である。
本発明者らは酸化物陰極構体に関する研究の中で基体金
属に微量添加する還元剤の特性および得られた基体金属
の各種物性などについて詳細に調べた結果、第１にＭｇ
、ＷなどＮｉ中にある程度固溶限を有する還元剤全添加
した基体金属では、はぼ純Ｎｔと同じように加熱により
結晶粒は成長する。
属に微量添加する還元剤の特性および得られた基体金属
の各種物性などについて詳細に調べた結果、第１にＭｇ
、ＷなどＮｉ中にある程度固溶限を有する還元剤全添加
した基体金属では、はぼ純Ｎｔと同じように加熱により
結晶粒は成長する。
第２にＺｒ 、Ｈｆのように遊離Ｂａの生成反応におい
て、基体金属の結晶粒界を供給および反応のサイト（場
所）とするとされている還元剤を含有する基体金属にお
いては、ある温度以上の加熱処理で急激に結晶粒の成長
を起すこと、これはＺｒ 、Ｈｆが結晶粒界に偏析する
ことにより粒界移動を抑制するが、ある温度以上では急
激にＮｉ中への固溶度を増すため、粒界移動の抑制効果
がなくなるためであること、第３にＬａあるいはＹを添
加した基体金属では高温で加熱処理してもあまり結晶粒
の成長を起こさないこと。そして、これはＬ１２あるい
はＹが高温でもＮｉ中にほとんど固溶限を持たず、Ｎｉ
との金属間化合物として基体金属中に分散析出している
ためであることを発見し、本発明を完成させた。
て、基体金属の結晶粒界を供給および反応のサイト（場
所）とするとされている還元剤を含有する基体金属にお
いては、ある温度以上の加熱処理で急激に結晶粒の成長
を起すこと、これはＺｒ 、Ｈｆが結晶粒界に偏析する
ことにより粒界移動を抑制するが、ある温度以上では急
激にＮｉ中への固溶度を増すため、粒界移動の抑制効果
がなくなるためであること、第３にＬａあるいはＹを添
加した基体金属では高温で加熱処理してもあまり結晶粒
の成長を起こさないこと。そして、これはＬ１２あるい
はＹが高温でもＮｉ中にほとんど固溶限を持たず、Ｎｉ
との金属間化合物として基体金属中に分散析出している
ためであることを発見し、本発明を完成させた。
以下図面によυ本発明に使用する基体金属を詳細に説明
する。
する。
先ず、第２図は基体金属を乾水素雰囲気中で各１０分間
加熱処理した時の処理温度と、リニア・インターセプト
法（ｔｉｎｅａｒ １ｎｔｅｒ ｃｅｐｔ法）によって
求めた基体金属の平均の結晶粒径との関係を示した図で
ある。即ち、曲線（２カは従来の基体金属として広く用
いられている０、０３重量％のＳｔと０，０６重量％の
Ｍｇヲ含むＮｉ合金を加熱処理した結果を示し、曲線（
２りは０．３５重量ｔ１６ｔ７ｊＺ ｒを含む本発明の
実験用のＮｉ合金を加熱した結果を示し、曲線（ハ）は
０．５４重量％のＬａを含む本発明の実験用のＮｉ合金
を加熱処理した結果を示す。々おとれら３種の合金は還
元剤の添加量を原子チに変換すれば、０．２０〜０，２
３原子チとなり、はぼ同量の還元剤を含有しており、添
加還元剤の種類の差による変化を示していることになる
。また基体金属は、いずれも真空溶解法によ９作製し、
同一の焼鈍、圧延工程を経て１５０μｍの板厚１で圧延
した材料を使用した。
加熱処理した時の処理温度と、リニア・インターセプト
法（ｔｉｎｅａｒ １ｎｔｅｒ ｃｅｐｔ法）によって
求めた基体金属の平均の結晶粒径との関係を示した図で
ある。即ち、曲線（２カは従来の基体金属として広く用
いられている０、０３重量％のＳｔと０，０６重量％の
Ｍｇヲ含むＮｉ合金を加熱処理した結果を示し、曲線（
２りは０．３５重量ｔ１６ｔ７ｊＺ ｒを含む本発明の
実験用のＮｉ合金を加熱した結果を示し、曲線（ハ）は
０．５４重量％のＬａを含む本発明の実験用のＮｉ合金
を加熱処理した結果を示す。々おとれら３種の合金は還
元剤の添加量を原子チに変換すれば、０．２０〜０，２
３原子チとなり、はぼ同量の還元剤を含有しており、添
加還元剤の種類の差による変化を示していることになる
。また基体金属は、いずれも真空溶解法によ９作製し、
同一の焼鈍、圧延工程を経て１５０μｍの板厚１で圧延
した材料を使用した。
この第２図を見て明らかなことは、第１にＭｇ ｔＳｔ
を含む基体金属は比較的低温で結晶粒の成長を起こす
こと、第２にＺｒ単独ではＭｇ 、Ｓ ｉを含む場合に
は結晶粒が粗大化している１０００℃位迄は結晶粒の成
長が抑制されているものの、それより高い温度では結晶
粒の成長が起こること、第３にＬａｄ添加した時はＺｒ
添加で結晶粒の成長が起こる温度でも結晶粒の成長が著
しく抑制されていることを示す。なおＨｆを用いた場合
はＺｒと、またＹ’（Ｈ用いた場合はＬａとほぼ同様の
結果が得られた。
を含む基体金属は比較的低温で結晶粒の成長を起こす
こと、第２にＺｒ単独ではＭｇ 、Ｓ ｉを含む場合に
は結晶粒が粗大化している１０００℃位迄は結晶粒の成
長が抑制されているものの、それより高い温度では結晶
粒の成長が起こること、第３にＬａｄ添加した時はＺｒ
添加で結晶粒の成長が起こる温度でも結晶粒の成長が著
しく抑制されていることを示す。なおＨｆを用いた場合
はＺｒと、またＹ’（Ｈ用いた場合はＬａとほぼ同様の
結果が得られた。
次の第３図に示す曲１ｆｓ（２４）は乾水素雰囲気中で
各１０分加熱処理した時のＬａの添加量と基体金属の平
均結晶粒径との関係を示す。測定点Ｃ３１） ０３３及
び（至）はＬａの添加量を０．１５重量％、 ０．２６
重量％および０．５４重量％と変えた基体金属を１２０
０℃の温度で処理した場合の結果を示す。この第３図の
結果よりＬａの添加量を変えることにより所望の結晶粒
径に制御できることがわかる。
各１０分加熱処理した時のＬａの添加量と基体金属の平
均結晶粒径との関係を示す。測定点Ｃ３１） ０３３及
び（至）はＬａの添加量を０．１５重量％、 ０．２６
重量％および０．５４重量％と変えた基体金属を１２０
０℃の温度で処理した場合の結果を示す。この第３図の
結果よりＬａの添加量を変えることにより所望の結晶粒
径に制御できることがわかる。
このようにＬａあるいはＹの様に高温でもＮｉへの固溶
限がなく、高温でも安定な金属間化合物として析出、分
散する元素を添加することにより、高温の処理を受けて
もほとんど結晶粒成長を起こさない基体金属を得ること
ができ、Ｚｒ、Ｈｆのように遊離Ｂａの生成反応におい
て、主として結晶粒界を供給および反応のサイトとする
還元剤を含む基体金属の安定した使用を可能とし、Ｚｒ
、Ｈｆの特性を最大限に利用できる効果がある。
限がなく、高温でも安定な金属間化合物として析出、分
散する元素を添加することにより、高温の処理を受けて
もほとんど結晶粒成長を起こさない基体金属を得ること
ができ、Ｚｒ、Ｈｆのように遊離Ｂａの生成反応におい
て、主として結晶粒界を供給および反応のサイトとする
還元剤を含む基体金属の安定した使用を可能とし、Ｚｒ
、Ｈｆの特性を最大限に利用できる効果がある。
また本発明の別の効果としては、ＬａあるいはＹの添加
により従来の基体金属に比較し、結晶粒径を小さくでき
るので抗張力、伸び、熱疲労特性において優れた基体金
属を得ることが可能となり、基体金属の板厚を薄くした
超連動型の酸化物陰極に適用しても好結果が得られるこ
とである。
により従来の基体金属に比較し、結晶粒径を小さくでき
るので抗張力、伸び、熱疲労特性において優れた基体金
属を得ることが可能となり、基体金属の板厚を薄くした
超連動型の酸化物陰極に適用しても好結果が得られるこ
とである。
更に本発明の別の効果としては、電子放射物質と基体金
属の接触界面において、結晶粒界の露出部を中心に、い
わゆる中間層物質が基体金属内部にむかって形成される
が、このようなサイトが多数形成されることにより、ア
たかも電子放射物質が基体金属中に多数板をおろしたよ
う力構造と々υピーリングに対しても好都合である。
属の接触界面において、結晶粒界の露出部を中心に、い
わゆる中間層物質が基体金属内部にむかって形成される
が、このようなサイトが多数形成されることにより、ア
たかも電子放射物質が基体金属中に多数板をおろしたよ
う力構造と々υピーリングに対しても好都合である。
なおＬａあるいはＹは還元剤としても好適な元素である
が、本発明においては、ＬａあるいはＹは積 ゛極
的に還元剤としての機能を有する必要はなく、実際にも
本発明に係る酸化物陰極構体では基体金属の結晶粒径が
小さいため全体に占める結晶粒界の割合が増し、還元剤
の移動に際し、粒界拡散が支配的な状態にあるので、圧
倒的に粒界拡散係数の大きなＨｆあるいはＺｒがこの粒
界全通して表面に供給されることになｐ、Ｂａ生成反応
にはＨｆあるいはＺｒがほとんど寄与することになる。
が、本発明においては、ＬａあるいはＹは積 ゛極
的に還元剤としての機能を有する必要はなく、実際にも
本発明に係る酸化物陰極構体では基体金属の結晶粒径が
小さいため全体に占める結晶粒界の割合が増し、還元剤
の移動に際し、粒界拡散が支配的な状態にあるので、圧
倒的に粒界拡散係数の大きなＨｆあるいはＺｒがこの粒
界全通して表面に供給されることになｐ、Ｂａ生成反応
にはＨｆあるいはＺｒがほとんど寄与することになる。
次に本発明の一実施例について述べる。
ＬＡ’ｔ ０．２６重量％ 、 Ｚｒ ｆｒ：０．１３
重量％含むＮｉ基の基体金属を真空溶解法により作製し
、その後、圧延、焼鈍など通常の工程を経て、厚さ１０
０μｍ１直径１．３鯛の円板に打ち抜き、陰極スリーブ
の先端に溶接し、表面に電子放射物質を塗布したのちカ
ラーブラウン管の電子銃に組込む。次に排気、炭酸塩の
分解、封止、ゲッタフラッシュ、活性化等の通常の工程
を経て強制寿命試験を行なった。オた比較量としてＺｒ
のみを０．１３重量％含むＮｉ基の基体金属を真空溶解
し、上述した工程と同様な工程を経てカラーブラウン管
を作製し、同様に強制寿命試験を行なった。
重量％含むＮｉ基の基体金属を真空溶解法により作製し
、その後、圧延、焼鈍など通常の工程を経て、厚さ１０
０μｍ１直径１．３鯛の円板に打ち抜き、陰極スリーブ
の先端に溶接し、表面に電子放射物質を塗布したのちカ
ラーブラウン管の電子銃に組込む。次に排気、炭酸塩の
分解、封止、ゲッタフラッシュ、活性化等の通常の工程
を経て強制寿命試験を行なった。オた比較量としてＺｒ
のみを０．１３重量％含むＮｉ基の基体金属を真空溶解
し、上述した工程と同様な工程を経てカラーブラウン管
を作製し、同様に強制寿命試験を行なった。
この比較試験におけるエミッション残存率と試験時間の
関係を第４図に示す。
関係を第４図に示す。
図において、曲線（４Ｉ）ｉＩｌ、ｚｒのみを含むもの
、曲線（４っけＺｒとＬａを含む場合の結果である。即
ち、本実施例のものが比較量に比べて優れた特性を示す
ことがわかる。また基体金属の変形に基づく陰極とこの
陰極に対設するグリッド間隔の変化を調べるため、試験
時間３０００時間におけるカットオフ電圧の変動値を測
定したところ比較量の方が約３−大きく、変形に対して
も本実施例の方が優れていることがわかった。
、曲線（４っけＺｒとＬａを含む場合の結果である。即
ち、本実施例のものが比較量に比べて優れた特性を示す
ことがわかる。また基体金属の変形に基づく陰極とこの
陰極に対設するグリッド間隔の変化を調べるため、試験
時間３０００時間におけるカットオフ電圧の変動値を測
定したところ比較量の方が約３−大きく、変形に対して
も本実施例の方が優れていることがわかった。
更に炭酸塩分解の前後および寿命試験後において、基体
金属の平均結晶粒径を測定したところ、比較量では炭酸
塩分解前に既に結晶粒が粗大化し、基体金属の断面で貫
通粒界が認められたのに対し本実施例では寿命試験後に
おいても約４０μｍと炭酸塩分解前とほぼ同じ粒径を示
した。
金属の平均結晶粒径を測定したところ、比較量では炭酸
塩分解前に既に結晶粒が粗大化し、基体金属の断面で貫
通粒界が認められたのに対し本実施例では寿命試験後に
おいても約４０μｍと炭酸塩分解前とほぼ同じ粒径を示
した。
なお本実施例では添加したＬａは０．２６重量％である
が、添加する元素はＹでも同様の効果を得ることができ
、Ｌａ、Ｙ の少なくとも一つを０．０５重量％以上２
．０重量％以下含有することが望ましい。
が、添加する元素はＹでも同様の効果を得ることができ
、Ｌａ、Ｙ の少なくとも一つを０．０５重量％以上２
．０重量％以下含有することが望ましい。
これは０．０５重量％未満では十分力結晶粒成長抑制効
果が得られず、また２、０重量％を超えても抑制効果は
ほぼ飽和し、それ以上の効果は期待できないからである
。また本実施例において添加したＺｒは０．１３重量％
であるが、添加する元素はＨｆでも同様の効果を得るこ
とができ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくとも一つ’ｅ ０．０５
重量％以上、２．０重量％以下含有することが望ましい
。これは０．０５重量％未満では十分な還元能力が期待
できず、また２、０重量％を超えると、それ以上の電子
放射能力の向上は期待できず、むしろ電子放射物質の消
耗を早めるだけであるからである。
果が得られず、また２、０重量％を超えても抑制効果は
ほぼ飽和し、それ以上の効果は期待できないからである
。また本実施例において添加したＺｒは０．１３重量％
であるが、添加する元素はＨｆでも同様の効果を得るこ
とができ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくとも一つ’ｅ ０．０５
重量％以上、２．０重量％以下含有することが望ましい
。これは０．０５重量％未満では十分な還元能力が期待
できず、また２、０重量％を超えると、それ以上の電子
放射能力の向上は期待できず、むしろ電子放射物質の消
耗を早めるだけであるからである。
なお、本実施例では、基体金属の作製に真空溶解−圧延
の組み合わせを使用したが、粉末冶金−圧延の組み合わ
せなど、工程に圧延が含まれる場合、添加元素の総量が
１重量ｑ６を超えると、加工性にしばしば難点を生じる
が、この様な場合、溶湯急冷法を採用することによシ、
この問題は容易に解決されるものである。
の組み合わせを使用したが、粉末冶金−圧延の組み合わ
せなど、工程に圧延が含まれる場合、添加元素の総量が
１重量ｑ６を超えると、加工性にしばしば難点を生じる
が、この様な場合、溶湯急冷法を採用することによシ、
この問題は容易に解決されるものである。
上述のように本発明は基体金属にＬａあるいはＹの少な
くとも一つを添加することにより、基体金属の結晶粒径
を制御し遊離Ｂａの生成反応において主に結晶粒界を供
給および反応のサイトとする還元剤であるＺｒ、Ｈｆｆ
、含む基体金属の安定した使用を可能とし、Ｚｒ、Ｈｆ
の特性を最大限に引き出すことができ、かつ強度的にも
優れ、更にはビーリングにも強い長寿命かつ高性能の酸
化物陰極構体を得ることができるのでその工業的価値は
極めて大である。
くとも一つを添加することにより、基体金属の結晶粒径
を制御し遊離Ｂａの生成反応において主に結晶粒界を供
給および反応のサイトとする還元剤であるＺｒ、Ｈｆｆ
、含む基体金属の安定した使用を可能とし、Ｚｒ、Ｈｆ
の特性を最大限に引き出すことができ、かつ強度的にも
優れ、更にはビーリングにも強い長寿命かつ高性能の酸
化物陰極構体を得ることができるのでその工業的価値は
極めて大である。
第１図は連動型の酸化物陰極構体の一例を示す要部断面
図、第２図はＳｉとＭｇを含む従来のＮ１合金、基体金
属にＺｒを含む本発明の実験用のＮｉ合金、基体金属に
Ｌａを含む本発明の実験用のＮｉ合金からなる基体金属
を乾水素雰囲気中で各１０分間加熱処理した時の処理温
度と結晶粒径との関係を対比して示す曲線図、第３図は
Ｌａの添加量を変化させた時の基体金属の平均結晶粒径
の変化を示す曲線図、第４図は従来の基体金属と本発明
の一実施例の酸化物陰極構体をカラーブラウン管に組み
込み寿命試験を行なった時の寿命試験時間とエミッショ
ン残存率を対比して示す曲線図である。 １・・・陰極スリーブ ２・・・基体金属３・・・電
子放射物質 ４・・・ヒータ代理人 弁理士 井
上 −男 第 １ 図 乃埋ｔｌＪｊ−ｔ°ｃ＞ − 第、３図 Ｌ６添４（重重５１１’） − 第 ｔ 図 Ａ侘菖腔賭間（ｈｒ） −
図、第２図はＳｉとＭｇを含む従来のＮ１合金、基体金
属にＺｒを含む本発明の実験用のＮｉ合金、基体金属に
Ｌａを含む本発明の実験用のＮｉ合金からなる基体金属
を乾水素雰囲気中で各１０分間加熱処理した時の処理温
度と結晶粒径との関係を対比して示す曲線図、第３図は
Ｌａの添加量を変化させた時の基体金属の平均結晶粒径
の変化を示す曲線図、第４図は従来の基体金属と本発明
の一実施例の酸化物陰極構体をカラーブラウン管に組み
込み寿命試験を行なった時の寿命試験時間とエミッショ
ン残存率を対比して示す曲線図である。 １・・・陰極スリーブ ２・・・基体金属３・・・電
子放射物質 ４・・・ヒータ代理人 弁理士 井
上 −男 第 １ 図 乃埋ｔｌＪｊ−ｔ°ｃ＞ − 第、３図 Ｌ６添４（重重５１１’） − 第 ｔ 図 Ａ侘菖腔賭間（ｈｒ） −
Claims (1)
- 電子放射物質が頂面に塗布形成され友微量の還元剤を含
有する主としてニッケルよりなる基体金属を少くとも具
備する酸化物陰極構体において、前記基体金属がランタ
ン、イツトリウムの少なくとも１つｔ ０．１重量チ乃
至２重量％、およびハフニウム、ジルコニウムの少なく
とも１つを０１重量％乃至２重量％含有していることを
特徴とする酸化物陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58010487A JPS59138033A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 酸化物陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58010487A JPS59138033A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 酸化物陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59138033A true JPS59138033A (ja) | 1984-08-08 |
Family
ID=11751523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58010487A Pending JPS59138033A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | 酸化物陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59138033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0210805A2 (en) | 1985-07-19 | 1987-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube |
| US4864187A (en) * | 1985-05-25 | 1989-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube and manufacturing method thereof |
-
1983
- 1983-01-27 JP JP58010487A patent/JPS59138033A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864187A (en) * | 1985-05-25 | 1989-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube and manufacturing method thereof |
| EP0210805A2 (en) | 1985-07-19 | 1987-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube |
| US4797593A (en) * | 1985-07-19 | 1989-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cathode for electron tube |
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