JPS59140768A - 二次元電荷像読取り装置の製造方法 - Google Patents
二次元電荷像読取り装置の製造方法Info
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- JPS59140768A JPS59140768A JP59003348A JP334884A JPS59140768A JP S59140768 A JPS59140768 A JP S59140768A JP 59003348 A JP59003348 A JP 59003348A JP 334884 A JP334884 A JP 334884A JP S59140768 A JPS59140768 A JP S59140768A
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- JP
- Japan
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- thin film
- conductor
- conductor plate
- charge image
- narrow
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/0629—Square array
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/092—Adapting interconnections, e.g. making engineering charges, repairing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は導体板堆積のアレーから成る二次元画像の読
ウリ装置に関するものである。堆積された導体板はその
一つの平坦面にリーク抵抗を備える増幅器が設けられ、
導体板の一つの狭い面とリーク抵抗を設けた平坦面の一
部は導電材料の薄い膜で覆われている。更に導体板の一
方の平坦面にはその狭い面に平行にみそが設けられてい
る。
ウリ装置に関するものである。堆積された導体板はその
一つの平坦面にリーク抵抗を備える増幅器が設けられ、
導体板の一つの狭い面とリーク抵抗を設けた平坦面の一
部は導電材料の薄い膜で覆われている。更に導体板の一
方の平坦面にはその狭い面に平行にみそが設けられてい
る。
導体板の電極にはそれぞれ一つの接続可能の増幅器例え
ば二重ゲー)MOSFETが所属し、こJれらの増幅器
はみぞ長さ方向に並べて配置される。結合導線は電極と
それぞれの増幅器の間で少くとも近似的に等しい長ざで
ある。主制御導線は電極に対して反対側の狭い面の上に
列方向に設けられ同じ列に属する増幅器制御導線を互に
導電的に結合する。導体板の接地線は導体板の外で接地
母線に結ばれている。
ば二重ゲー)MOSFETが所属し、こJれらの増幅器
はみぞ長さ方向に並べて配置される。結合導線は電極と
それぞれの増幅器の間で少くとも近似的に等しい長ざで
ある。主制御導線は電極に対して反対側の狭い面の上に
列方向に設けられ同じ列に属する増幅器制御導線を互に
導電的に結合する。導体板の接地線は導体板の外で接地
母線に結ばれている。
この装置の製作に当っては一般に導体板の共通平坦面に
設けられた結合導線と制御導線の外信帯線、接地線なら
びにリーク抵抗が薄膜技術(二上って製作される。その
ためには導体板の狭い面とそれに続く平坦面に導電材料
の薄膜を全面的に設ける。この薄膜は蒸着特にスパッタ
リングによって作ると有利である。次いで結合導線、制
御導線、信号線、接地線ならびにリーク抵抗を公知のリ
ングラフィ技術により薄膜の不要部分を除去することに
よって作る。狭い面の薄膜を個々の電極に分割するには
例えば鋸を使用する。写真技術によって薄膜から個々の
電極を作り出すことも可能である。
設けられた結合導線と制御導線の外信帯線、接地線なら
びにリーク抵抗が薄膜技術(二上って製作される。その
ためには導体板の狭い面とそれに続く平坦面に導電材料
の薄膜を全面的に設ける。この薄膜は蒸着特にスパッタ
リングによって作ると有利である。次いで結合導線、制
御導線、信号線、接地線ならびにリーク抵抗を公知のリ
ングラフィ技術により薄膜の不要部分を除去することに
よって作る。狭い面の薄膜を個々の電極に分割するには
例えば鋸を使用する。写真技術によって薄膜から個々の
電極を作り出すことも可能である。
この発明の目的は上記の製法を改良して特に導体板の狭
い面の電極が簡単に製作されるようにすることである。
い面の電極が簡単に製作されるようにすることである。
この目的は特許請求の範面第1項に特徴として挙げた方
法によって達成される。この方法により多数特に数百に
及ぶ導体板の狭い面と平坦面の薄膜を個別電極に分割す
ることができる。従ってこの発明の方法により導体板の
狭い面に多数の電極が作られそれによって電荷像の分解
度を高くしてμm領域の断片を作ることができる。更に
薄膜を個々の電極に分割する際個々の素子への導体板の
清潔な分割を妨げる破片の発生がない。
法によって達成される。この方法により多数特に数百に
及ぶ導体板の狭い面と平坦面の薄膜を個別電極に分割す
ることができる。従ってこの発明の方法により導体板の
狭い面に多数の電極が作られそれによって電荷像の分解
度を高くしてμm領域の断片を作ることができる。更に
薄膜を個々の電極に分割する際個々の素子への導体板の
清潔な分割を妨げる破片の発生がない。
図面を参照してこの発明の詳細な説明する。図面には平
坦面14に既にデバイスが設けられている導体板10の
堆積2が示はれている。この堆積から二次元電荷像の読
取り装置用のモジュールが構成される。堆積2は多数例
えば100個の積重ね導体板10を含み、各導体板の一
つの平坦面14には接続可能の増幅器11が設けられ、
各増幅器にリーク抵抗21が所属している。導体板10
の一つの狭い面16とそれに続く平坦面14の一部に導
電材料の薄膜15が設けられている。狭い面16のそれ
に続く平坦面14との交線は導体板10の外縁端となっ
ている。平坦面14の薄膜15は例えば数羽幅であシ総
での結合導線20と総てのリーク抵抗21を並列に接続
する。導体板10を重ねる際各導体板間に間隔箔19を
はさむ。この箔は回転メーターからひだとして二つの導
体板の間に配置される。その後レーザー23を導体板堆
積の狭い面16の上で移動させ、その際レーザー光ビー
ム25の方向とレーザー23の移動方向27の間に鋭角
29が保たれるようにする。このように導体板の狭い面
16上を動くレーザー23によシこの面と平坦面14の
薄膜15が個々の電極8に分割され、これらの電極は外
縁端を越える結合を作る。
坦面14に既にデバイスが設けられている導体板10の
堆積2が示はれている。この堆積から二次元電荷像の読
取り装置用のモジュールが構成される。堆積2は多数例
えば100個の積重ね導体板10を含み、各導体板の一
つの平坦面14には接続可能の増幅器11が設けられ、
各増幅器にリーク抵抗21が所属している。導体板10
の一つの狭い面16とそれに続く平坦面14の一部に導
電材料の薄膜15が設けられている。狭い面16のそれ
に続く平坦面14との交線は導体板10の外縁端となっ
ている。平坦面14の薄膜15は例えば数羽幅であシ総
での結合導線20と総てのリーク抵抗21を並列に接続
する。導体板10を重ねる際各導体板間に間隔箔19を
はさむ。この箔は回転メーターからひだとして二つの導
体板の間に配置される。その後レーザー23を導体板堆
積の狭い面16の上で移動させ、その際レーザー光ビー
ム25の方向とレーザー23の移動方向27の間に鋭角
29が保たれるようにする。このように導体板の狭い面
16上を動くレーザー23によシこの面と平坦面14の
薄膜15が個々の電極8に分割され、これらの電極は外
縁端を越える結合を作る。
この方法により外縁端を越えて電気接続を形成すること
ができる。これによって隆起部のない結合個所が得られ
る。この隆起は例えば必要に応じて後から電極8に接着
されるポリフッ化ビニリデン(PVDF )の薄膜の感
度を著しく低下させる。
ができる。これによって隆起部のない結合個所が得られ
る。この隆起は例えば必要に応じて後から電極8に接着
されるポリフッ化ビニリデン(PVDF )の薄膜の感
度を著しく低下させる。
更にこの方法によれば導体板10の狭い面16上に多数
の電極8を作り、それによって電荷像の分解度を高くす
ることができる。
の電極8を作り、それによって電荷像の分解度を高くす
ることができる。
図面はこの発明の方法によって作られる電荷像読取り装
置を示すもので2は導体板10の堆積、11は接続可能
の増幅器、21はリーク抵抗、15は導電材料の薄膜、
23はレーザーである。
置を示すもので2は導体板10の堆積、11は接続可能
の増幅器、21はリーク抵抗、15は導電材料の薄膜、
23はレーザーである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)堆積された導体板(10)の狭い面(16)玉を導
かれるレーザー光ビーム(25)によってこの狭い面と
平坦面(14)の薄い膜(工5)が個々の電極(8)に
分割きれることを特徴とする平坦面の一つ(14)にリ
ーク抵抗(21)を持つ接続可能の増幅器が設けられ、
狭い面(16)とそれに続く平坦面(14)の一部に導
電材料の薄い膜(15)が設けられている導体板(10
)の堆積のアレーを使用して二次元電荷像を読み取る装
置の製造方法。 2)レーザー光ビーム(25)の方向とレーザー(23
)の運動方向が鋭角(29)で交ることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の方法。 3)導体板(lO)を積み重ねる際6導体板の間に間隔
箔(19)をはさむことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE33008310 | 1983-01-12 | ||
| DE19833300831 DE3300831A1 (de) | 1982-06-28 | 1983-01-12 | Verfahren zum herstellen einer vorrichtung zur auslese eines zweidimensionalen ladungsbildes mit einem array |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59140768A true JPS59140768A (ja) | 1984-08-13 |
Family
ID=6188134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003348A Pending JPS59140768A (ja) | 1983-01-12 | 1984-01-11 | 二次元電荷像読取り装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4521667A (ja) |
| EP (1) | EP0117921B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59140768A (ja) |
| DE (1) | DE3370182D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4785161A (en) * | 1986-07-21 | 1988-11-15 | Control Data Corporation | Laser machining for producing very small parts |
| JP3697829B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2005-09-21 | ブラザー工業株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS496469A (ja) * | 1972-02-23 | 1974-01-21 | ||
| JPS5512254B2 (ja) * | 1973-07-03 | 1980-03-31 | ||
| GB1530783A (en) * | 1976-01-30 | 1978-11-01 | Emi Ltd | Ultra-sonic pickup device |
| JPS6043235B2 (ja) * | 1980-05-28 | 1985-09-27 | 松下電工株式会社 | 金属箔シ−トの加工法 |
-
1983
- 1983-12-23 EP EP83113079A patent/EP0117921B1/de not_active Expired
- 1983-12-23 DE DE8383113079T patent/DE3370182D1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-01-05 US US06/568,479 patent/US4521667A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-01-11 JP JP59003348A patent/JPS59140768A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0117921A2 (de) | 1984-09-12 |
| DE3370182D1 (en) | 1987-04-16 |
| US4521667A (en) | 1985-06-04 |
| EP0117921B1 (de) | 1987-03-11 |
| EP0117921A3 (en) | 1984-10-24 |
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