JPS59141205A - ソレノイドの駆動回路 - Google Patents

ソレノイドの駆動回路

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Publication number
JPS59141205A
JPS59141205A JP58015635A JP1563583A JPS59141205A JP S59141205 A JPS59141205 A JP S59141205A JP 58015635 A JP58015635 A JP 58015635A JP 1563583 A JP1563583 A JP 1563583A JP S59141205 A JPS59141205 A JP S59141205A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
solenoid
circuit
bias current
transistors
Prior art date
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Pending
Application number
JP58015635A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Kawasaki
一範 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58015635A priority Critical patent/JPS59141205A/ja
Publication of JPS59141205A publication Critical patent/JPS59141205A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00Magnets
    • H01F7/06Electromagnets; Actuators including electromagnets
    • H01F7/08Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
    • H01F7/18Circuit arrangements for obtaining desired operating characteristics, e.g. for slow operation, for sequential energisation of windings, for high-speed energisation of windings
    • H01F7/1872Bistable or bidirectional current devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Relay Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ソレノイドに双方向の電流を供給するだめの
駆動回路に関するものである。
2 ページ 従来例の構成とその問題点 一般に、各種のソレノイドを往復運動させるために、第
2図に示すようにソレノイド5QL−2に双方向の電流
を供給する必要があるが、その手段としてトランジスタ
Q1−2〜Q4−2よりなるトランジスタ・ブリッヂ回
路が用いられる。前記トランジスタ・ブリッヂ回路のト
ランジスタ群をシーケンシャルにスイッチ動作させるた
めに、前記トラジスタ群にバイアス電流を供給するドラ
イブ回路が必要となる。従来は前記ドライブ回路にに、
集積回路■C1−1,IC2−2よりなる相補型MO8
1、FET回洛や、オープンコレクタ型トランジスター
トランジスタ論理回路(以下TTL回路という)を用い
ており、ソレノイドの駆動回路が複雑で構成部品点数も
多く高価格となる欠点があった。
発明の目的 本発明針記の欠点を解消するものであり、ソレノイドの
駆動回路の簡略化と信頼性の向上を可能にすることを目
的とするものである。
発明の構成 3ぺ゛ 前記目的を達成するため本発明は、PNP型。
NPN型の相補型トランジスタ群によるトランジスタ・
ブリッヂ回路を基本構成とし、前記相補型トランジスタ
群のうち一方のトランジスタのバイアス電流を、相対す
る他方の相補型トランジスタのコレクタあるいはエミッ
タから供給するようにし、相対する相補型トランジスタ
のコレクタ間あるいはエミッタ間にソレノイドを直列に
挿入する構成とすることにより、トランジスタ・ブリッ
ヂ回路にバイアス電流を供給するドライブ回路を大巾に
簡略化することが可能となり、かつ、インダクティプな
ソレノイドの電流スイッチング動作に共々う誘導性起電
圧により、トランジスタのスイッチング速度の向上が可
能となる。さらに、相補型トランジスタのコレクタ間あ
るいはエミッタ間に抵抗を直列に挿入した構成にするこ
とにより、ソレノイドに流れる電流を任意に設定するこ
とが可能となり、かつ、相補型トランジスタへの直流電
源からの過大電流の流入が防止されるため、相補型トラ
ンジスタの保護も可能となっている。
実施例の説明 以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す、ソレノイド駆動回路
の回路図である。第2図に示すように、QlとQ4.Q
2とQ3は各々相補型トランジスタで、抵抗R1がトラ
ンジスタ01と04のコレクタ間に直列に挿入され、抵
抗R2がトランジスタQ2とQ3のコレクタ間に直列に
挿入されている。トランジスタQ1と02のエミッタは
直流電源Eのマイナス側に接続され、トランジスタQ3
と04のエミッタがEのプラス側に接続されている。ソ
レノイドSQLは、トランジスタ03と04のコレクタ
間に直列に挿入され、トランジスタ群のスイッチ動作に
伴ないソレノイドSQLに双方向の電流が流れる。トラ
ンジスタQ3 のベースとトランジスタQ1のコレクタ
間には、バイアス電流供給回路RB2が直列に挿入され
、トランジスタQ4のベースとトランジスタQ2 のコ
レクタ間にもバイアス電流供給回路RB1 が直列接続
されているoトランジスタ1と02のベースには、各々
バイアス電流を供給6 ページ・ するドライブ回路DC1とDC2が接続され、トランジ
スタQ1とQ2は、信号源S1と82によってスイッチ
動作を行なう。トランジスタQ1.Q2.Q3.Q4の
コレクタとエミッタ間には、各々ダイオードD1゜D2
.D3.D4が接続されており、トランジスタの保護を
行なう。ここでバイアス電流供給回路RB1゜Rb2は
それぞれ抵抗もしくは抵抗とコンデンサの並列回路であ
る。
以下、回路動作の説明を行なう。信号源S1によってト
ランジスタQ1  がスイッチ”ON”状態で、信号源
S2によってトランジスタQ2がスイッチ” OF F
 ”状態とすれば、トランジスタQ3にはバイアス電流
供給回路RB2からバイアス電流が供給されるためトラ
ンジスタQ3はスイッチ“08M状態となる。一方、上
記のようにトランジスタQ2はスイッチ”OFF”、ト
ランジスタQ3はスイッチ“ON”状態であるから、ト
ランジスタQ4にはバイアス電流が流れずトランジスタ
Q4はスイッチ“OFF″の状態である。したがって、
ソレノイドSQLには、直流電源Eからトランジス6 
ベージ タQ3.ソレノイドSQL 、抵抗R1,トランジスタ
Q1  を通り直流電源Eに流れ込む経路で電流が流れ
る。次に、信号源S1と82の状態が変化して、トラン
ジスタQ1  がスイッチ”OFF”、)ランジスタQ
2 がスイッチ“ON”状態に反転したとすれば、トラ
ンジスタQ4はバイアス電流供給回路RB1によってバ
イアスされ、トランジスタQ4はスイッチ“ON″状態
となり、トランジスタQ1が“OFF”、)ランジスタ
Q4がON”状態であるからトランジスタQ3はバイア
スされなくなり、トランジスタQ3はスイッチ“OFF
″となる。したがって、電流が直流電源Eから、トラン
ジスタQ4.ソレノイドSQL 、抵抗R2トランジス
タQ2.直流電源Eの順で流れることになる・この場合
、バイアス電流供給回路RB2の回路構成を抵抗とコン
デンサの並列回路とすることによって、トランジスタQ
3のベースに逆方向バイアスを印加することができ、ト
ランジスタQ3がスイッチ″’OFF″に変化する時間
を短縮することが可能である。同様に、バイアス電流供
給回路RB1の回7ペご譬 路構成を抵抗とコンデンサの並列回路とすることによっ
てトランジスタQ4がスイッチ°’OFF”に変化する
時間を短縮できる。又、信号源S1と82によって、ト
ランジスタ01と02をスイッチ“OFF”状態にすれ
ば、トランジスタQ3と04はバイアスされずにスイッ
チ” OF F”となり、ソレノイドSQLには電流が
流れなくなる。以上のように信号源S1と82によって
トランジスタQ1.Q2のスイッチ状態を変えることに
より、ソレノイドSQLに双方向の電流を流したり、電
流をしゃ断したりすることができる0 以上の実施例の他に各トランジスタのエミッタとコレク
タの接続をすべて逆にし、直流電源のプラスとマイナス
を逆にしても全く同様の動作となる0 発明の効果 前記のように本発明は、相補型トランジスタを用いたト
ランジスタ・ブリッヂ回路を構成する、一方のトランジ
スタのバイアス電流を、相対する他方の相補型トランジ
スタのコレクタあるいはエミッタから供給する構成のた
め、トランジスタ・ブリッヂ回路をドライブする回路を
大巾に簡略化することが可能となり、さらに相補型トラ
ンジスタのコレクタ間あるいはエミッタ間に抵抗を直列
に挿入する構成のために、ソレノイドの駆動電流を任意
に設定できるとともに、相補型トランジスタへの過大電
流の流入を防止しトランジスタの保護と信頼性の向上も
可能にしている。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示すソレノイドの駆動回
路の回路図、第2図は従来例を示す回路図である。 Ql、Q2・・・・・・NPN型トランジスタ、Q3.
Q4・・・・・・PNP型トランジスタ、5OL−・−
・・・ソレノイド、RB   RB  ・・・・・・バ
イアス電流供給回路、R1,R2112 ・・・・・・抵抗、DCl、DC2・・・・・・ドライ
ブ回路、E・・・・・・直流電源、Dl、D2.D3.
D4・・・・・・グイオートミS1.S2・・・・・・
信号源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)相補型トランジスタ素子の対を直列に接続したス
    イッチ素子群を、直流電源に並列接続したトランジスタ
    ・ブリッヂ回路を設け、前記相補型トランジスタ素子群
    の相対するコレクタ間に二端子のソレノイドを直列に挿
    入し、前記相補型トランジスタ素子群の一方のトランジ
    スタ素子のバイアス電流を他方の相補型トランジスタ素
    子群のエミッタもしくはコレクタから供給するようにな
    したソレノイドの駆動回路。 項記載のソレノイドの駆動回路。
JP58015635A 1983-02-01 1983-02-01 ソレノイドの駆動回路 Pending JPS59141205A (ja)

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JP58015635A JPS59141205A (ja) 1983-02-01 1983-02-01 ソレノイドの駆動回路

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JP58015635A JPS59141205A (ja) 1983-02-01 1983-02-01 ソレノイドの駆動回路

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JPS59141205A true JPS59141205A (ja) 1984-08-13

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JP58015635A Pending JPS59141205A (ja) 1983-02-01 1983-02-01 ソレノイドの駆動回路

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