JPS5914131A - 磁気テ−プ転写装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は強磁性薄膜を非磁性基体に設けて構成した磁気
テープをマスタテープとして用い、かつ転写バイアス磁
界をテープ面に傾斜してマスタテープの磁化困難軸方向
に印加することにより、同じ抗磁力を有するテープへの
転写、あるいは従来に比して低い抗磁力を有するマスタ
テープからの転写を可能にした磁気接触転写装置に関す
るものである。

捷ず、第１図以下を用いて従来の代表的な転写方式につ
いて説明する。第１図は一括巻取り転写方式の概略の構
成図を示すものである。記録済マスクテープの供給リー
ル２およびスレーブテープの供給リール４よりそれぞれ
記録済マスクテープ１および未記録のスレーブテープ３
が導出され、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。

次に両テープは固定ガイドポスト９の摺動面に一定角度
巻付けられ、続いてその状態でキャプスタン６に一定角
巻付けられた後、巻取りリール１０上に共に巻取られる
。巻取リール１０は支点１１を中心に回転可能なアーム
１２上に設けられ、ばね８の付勢力によって常に巻取り
−ル１０−にに巻かれた両テープ６の最外周がキャプス
タン６に圧接し、巻かれた両テープ６は巻かれるにした
がって転写バイアス発生器７の中に入るように構成され
ている。巻取られた後、巻取リールは低スピードで回転
しその間に転写バイアス発生器７から転写ノ（イアスを
テープの長手方向に印加して、マスクテープ上の信号が
スレーブテープ上に転写されることになる。続いて両テ
ープは高速でそれぞれの供給ＩＪ　−−ル２および４上
に巻戻される０第２図は転写バイアス発生器の概略の構
成図を示すものである。励磁コイル１３に電流を流して
珪素鋼板を積層した磁心１４およびこれと対向する磁心
１５との間に磁界１６を発生せしめ、巻取られた両テー
プ６の長手方向に磁界を印加する。

つ甘り第３図において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれテープの
長手方向、幅方向、厚み方向を示すものであるが転写バ
イアス磁界１６は矢印の示すように、主としてテープ長
手方向に加えられる。

このようにして、マスタテープ１の磁性層１７の磁化２
０から発生する信号磁界１９によってスレーブテープ３
の磁性層１８が磁化され、マスタデーブーにの信号がス
レーブテープへ転写される。

上述の方式で転写した代表的な転写特性を示すと第４図
のようになる。

ここでスレーブテープは抗磁力’ＨＣが６７０ｏｅ、Ｂ
ｒは１４７０　ｇａｕｓｓのＣＯ系酸酸化鉄テープ用い
た０ −４にマスタテープからスレーブテープ上に信号を転写
する場合、マスタテープの抗磁力は、スレーブテープの
抗磁力の約２５〜３倍必要とされる。第４図は上述のス
レーブテープに対して、１５００ｏｅおよび２０００ｏ
ｅの抗磁力を有するマスクテープを用い転写特性を測定
したものである。この時のへ、ドテープの相対スピ一ド
は５、８　ｍ　／　ｓｅｃ　　てあり、記録波長は約１
μｍの信号を使用した。

１６００ｏｅ　　の抗磁力のマスクテープの場合、転写
バイアス磁界強度を増加するにつれ、転写出力レベル２
１は次第に増大し、マスタテープ上の磁化が転写バイア
ス磁界によって消去され、マスタテープ出力レベル２３
が低下し始める近傍で最大となり、その後、マスクテー
プ出力の減少とともに減衰する。

これに対して、２０００　ｏｅ　の抗磁力のマスクテー
プの場合には、特性２４のごとく転写バイアス磁界にて
消去されにくいため、転写バイアスに対して２２の特性
のように、大幅な転写出力を得ることができる。

以」二のように良質な信号を得るためには、スレーブテ
ープの抗磁力に対してマスタテープのＨｃは極めて大き
なものとなる０ 上記の例では２０００ｏｅの場合、スレーブテープの約
３倍となっている。

寸たＨａが１００００ｅ　　前後の合金粉末テープある
いは強磁性薄膜形テープなどをビデオ用テープとして試
作されており、これらをスレーブテープとした場合のマ
スタテープは約３０００００以上の抗磁力が必要とされ
ることになる。前述の１６００ｏｅと２００００ｅのマ
スタテープはＦｅ　−ｃｏ系合金粉末の微粒子を塗布し
たものであるが、塗布形テープで３０００　ｏｅの抗磁
力を達成することは極めて困難であり、現時点では開発
の見通しが立たない状態にある。また、強磁性薄膜形テ
ープでも従来の転写方式を用いれば同様なことが言える
。

本発明はこの点に鑑み、強磁性金属薄膜テープの膜厚方
向の磁気特性の変化および膜厚方向に転写バイアスを印
加することによる反磁界を利用し同一抗磁力を有するテ
ープ間の転写および比較的小さな抗磁力を有するマスク
テープから、スレーブテープへ信号を転写できるように
したものであるＯ 本発明に用いるマスタテープは、蒸着、スパッタ、メッ
キなどの手段により、ポリエチレンテレフタレートポリ
イミド、ポリアミド系の有機物質などのフィルムあるい
は他の非磁性基板上にＧｏ。

Ｇｏ−Ｏｒ　、　Ｇｏ−Ｎｉ等の強磁性薄膜を形成し、
テープ状にスリットしたものである。１以下はテープ状
のものについて説明するがシート状の媒体の転写に関し
ても同様である。

以下には斜め蒸着法によって作成した強磁性金属薄膜テ
ープを例にとって述べる。斜め蒸着法は基板面に対して
蒸着する原子を入射角を持たせて蒸着せしめるものであ
る０蒸着したグレインは一般に柱状構造を示しており、
蒸着面と傾いた状態に形成される。

しかしこの柱状の軸の方向が磁気的容易軸方向になるわ
けではなく、磁性体が薄膜であることによって静磁エネ
ルギーを最小ならしむる反磁界を発生し、柱状の軸方向
からずれて、より面内に近付いた方向をむくことになる
。これが以下に示す第６図中のθ。方向である。

次に第６図以下を用い、本発明の原理について説明する
。

簡単のため一軸磁気異方性を持つ単磁区粒子の回転モデ
ルを用いて説明する。第５図に示すように非磁性の基板
２６上の強磁性金属薄膜２５０面内の一方向をＸ軸３０
、膜面に対して垂直方向を２軸３１にとり、Ｘ、２面内
で磁界２７０強度ＨとそれがＸ軸となす角度ψを可変す
る場合、エネルギーＥは下式で表現される。

Ｅ＝ＭＨ（Ｏ５（ψ−θ。−θ）＋ＫｄＳｘｎ　ψ＋Ｃ
ｕ５ｘｎθなおＫｄは反磁界による異方性定数で２πＭ
２　に等しい。また磁化容易軸方向とＸ軸とのなす角度
をθ。とじた。Ｋｕは一軸異方性定数である。

この時磁化Ｖは上式のエネルギーを最小にする状態で安
定し、磁化容易軸方向２９とθなる角度で安定する。

上記説明を第６図のベクトル図を用いてモデル的に説明
する。簡単のために、θ。−〇　とし１ｉＦｌ化Ｍ０３
２がＸ軸方向（ここでは磁化客員軸と一致する。）を向
いていたとする。これに対して磁界Ｈ４３３をψなる角
度で印加すると磁化は上述したごとく、３４の方向を向
き、再びＨｌを取りされば３２の位置に戻りＸ軸方向を
むくことになる。

またＸ方向に一度磁化したＭＯを反転さすためにはψは
９０°以上である必要がある。

まず磁界Ｈ２３５とＨ３３６を９００以上の角度ψで印
加した場合を考える。磁界強度の弱いＨ２３６の場合に
は磁化は３９のベクトルで示すように若干磁界方向をむ
くが磁界を零にすれば再びＸ軸方向におちつく。

しかし磁界強度の充分大きなＨ３３６の場合にはベクト
ル３７の位置まで回転し、磁界Ｈ３を零にすれば磁化は
３８で示す位置におちつき元の３２から３８に反転する
。したがって磁化はＭｏから−Ｍｏ　に反転したことに
なる。次に磁界の方向を２方向に加えたＨ４４０を大き
くした場合には磁化のベクトルは磁界を加えている間は
４１の方向を向くが、磁界を除去するともとのＸ軸方向
の３２の位置にもどる。

以上のことをＭ−Ｈ曲線にて判りやすいように説明する
と第７図のようになる０ 第７図４２および４３はそれぞれ単磁区粒子の磁化容易
軸方向（ψ−〇０＋１８０°）および磁化困難軸方向（
ψ−９０°）に磁界Ｈを加えた時のそれぞれの方向の磁
化量Ｍを表わしたものであり、これは５ｔｏｒｎｅｒ　
−ｗｏｒｆａｒｔｈ　モデルとして知られている。すな
わち４２は磁界を加え、次いで反転磁界を加えて、除去
するまでｏ−ａ−ｂ　−ｄ−ｅ　−ｆ−ｑ−ｈ−ｊ−に
のＭ−Ｈカーブを示し、４３はｏ−ｂ−ｄ　−ｂ−ｏ　
−ｈ−ｊ　−ｈ−ｏ　となる。これより判ることは４２
は磁界を取り除いた後でも磁界方向に完全に磁化してい
ることであり、４３は磁界方向に対して全く磁化してい
ないことを意味している。したがって４２は転写バイア
ス磁界の作用のもとにテープ上から発生する信号磁界に
よって、できるだけ多くの残留磁化が必要とされるスレ
ーブテープとしての特性として適している〇一方４３は
強い転写バイアス磁界に対しても信号磁化が消去されな
いことがマスクテープの特性として適している。

したがって転写磁界はできるだけマスクテープに対して
は磁化困難軸方向へ、スレーブテープに対しては磁化容
易軸方向へ印加することが望ましい。実際のテープの場
合には、単磁区粒子の集合体と考えられるから、前述の
ような理想的な角型性の良いＭ−Ｈプーフ゛ゝ　は得ら
れずなまった形となる。

また本発明ではテープの厚み方向の上記の磁気異方性を
利用している。これは面内の磁気異方性とは大幅に異な
り、後述するように、膜厚方向への磁界の角度によって
著しい磁気特性が変化する性質と薄膜であることによっ
て膜厚方向への磁化から生ずる４πＭＳ相当の反磁界に
より膜内の実効磁界が減少する効果を利用したものであ
る。

したがって第７図では磁化困難軸方向の印加磁界Ｈが増
加し次いで反転磁界が加えられて、除去されるにつれて
４３のｏ−ｃ−ｄ−ｃ−ｏ−ｉ−ｊ　−１−〇のりれき
をたどる。このように、膜厚方向には強い反磁界が作用
するため、飽和磁化Ｍｓの犬なるマスタテープに対して
は、マスクテープ上の信号が面内の場合よりさらに消え
にくくなる。

本発明は上記特性および斜め蒸着による強磁性金属薄膜
の強い磁気異方性を利用し、た有効な転写装置を提供し
ようとするものである０ 次に本発明に用いる斜め蒸着テープについて、さらに詳
細に第８図以下を用いて説明する。

第８図は斜め蒸着テープを製造する蒸着装置の構造の一
部を示すものである。基板となるベースフィルム４５は
搬送用のガイドロール４７を経て回転するキャン４６上
に一定角度巻きついた状態で走行し、ガイドロール４９
を経て巻きとられる。

この場合、キャン４６の鏡面状に仕上げた表面にベース
フィルム４６が密接し、かつキャン４６の内部に具備し
た冷却装置によって有効に冷却され、ベースフィルム４
６が熱損傷するのを防止している。斜め蒸着法によるテ
ープは基板に対して斜めに蒸着原子の蒸着流を衝突させ
蒸着して得られるものである。

この−例として、ＣＯあるいはＣＯ系合金などの強磁性
金属の蒸発源５２に電子ビーム５３を電子銃６１から照
射し、蒸発源５２を瞬時的に蒸発せしめて、その蒸気流
を例えば５４の位置においては法線ｎ１に対しθ１の角
度で入射せしめ、丑だ基板４５がさらに進んだ５５の位
置では、その位置の法線ｎ２に対してθ２の角度で入射
せしめる。この時θ１〉θ２　となり、基板４５がキャ
ン４６にそって移動するにつれて連続的に入射角が小さ
くなる。壕だ４８は入射角を制御するマスクである。

したがって、上述の方法で得られた蒸着層の長手方向に
対する破断面を走査形電子顕微鏡で観察すると第９図の
ようになる。

つ捷り基板４５との境界近傍ではかなり傾斜しているが
、次第に立った状態にコラム６６が形成される。次に以
上の製造方法によって試作したテープの緒特性について
説明する○ 第１ｏ図Ａは試作テープ６７の長手方向をＸ軸方向に、
幅方向を紙面と垂直な方向に配置した状態、したがって
テープ厚みの方向はｙ軸に配置し、外部磁場Ｈをテープ
面に斜めに印加して、振動試料形の磁気特性測定装置Ｖ
ＳＭを用いて、磁気特性を測定する時の配置を示したも
のである。

第１０図Ｂは第１０図Ａの配置でテープ面に対する角度
ψを変えて得られたＢ−Ｈ線であり、例えば５８，５９
．６０はそれぞれψの値が００゜−４６°、９０°　の
時の曲線である。第１０図Ｂから判かるように角度によ
って抗磁力Ｈｃが変化しており、また同時に角型比Ｂｒ
／Ｂｍも変化している。ＨｃおよびＢｒ／８ｍを上記方
法によって測定し、ψに対する変化を表わすと第１１図
のようになる。これより判かるように一例を示すとＨＣ
はψが００では１００００ｅ、Ｏｏを中心にして正方向
は角度を増すにつれて増大し＋８０°〜＋９００の間で
極大値を持つ。また負方向では角度とともに増大し一６
ｏＯ近傍で最大値となり、次に一７３°近傍で極小値と
なって再び角度を増すと増大する特性曲線６１が得られ
た。

一方Ｂｒ／Ｂｍは＋２００の角度で最大となり、〜７３
°近傍で極小となる６２の特性曲線が得られた。

以上の磁気特性は、前述したごとく蒸着テープのコラム
のかたむきで決定されるのではなく、薄膜であることに
よって静磁エネルギーを最小ならしむる反磁界によって
、コラムの軸からずれ、より面内に近づいた方向で決定
している。

すなわち、この方向が磁化困難軸方向を示す第１１図の
一７３°近傍における極小点を示し、面内から２ｏ０程
度磁化容易軸方向が傾むいている。

同時に磁化容易軸方向を示す角型比Ｂ　ｒ　／　Ｂｍの
最大値も＋２０°方向となり良く一致している。

次に本発明の接触転写の原理について、第１２図および
第１３図を用いて説明する。

第１２図人に示すように斜め蒸着による強磁性金属薄膜
６４を基板６６上に形成したマスタテープと磁性層６７
と基板６６とからなるスレーブテープを用い強磁性薄膜
上に記録された信号磁化６８から発生する６９によって
スレーブテープの磁性層６７を磁化する場合を考える。

この状態に、後述するようにマスタテープが消去されに
くい方向ψ。に転写バイアス磁界７０を印加する。この
場合第１２図Ｂに示すように信号磁界７１と転写バイア
ス磁界７２との合成による実効磁界がスレーブテープ上
に加わり、前述の原理にしたがってスレーブテープ上の
磁化７４が反転された時、マスタテープ上の信号磁界７
１によって磁化され、第１３図に示すように７６の信号
磁化が得られる。当然ながらマスタテープとして要求さ
れる特性としてはマスクテープ上に記録された信号が、
充分高いレベルの転写バイアス磁界によって消去されず
、常に強い信号磁界を発生していることである。

以下に本発明者が発見したマスタテープ上の信号磁界（
外部磁界、この場合は転写バイアス磁界に相当する。）
の強度と印加磁界方向による影響について第１４図を用
い説明する。

第１４図はあらかじめ、Ｂ３＝７０００ｑａｕ８Ｂ　１
ＨＣ＝１００００ｅの斜め蒸着テープを長手方向に充分
大きな直流磁界により飽和まで出仕した時の最大残留磁
束密度Ｂｒｏと、この状態のテープに反転磁界の印加方
向（テープ長手方向に対する角度ψ）と強度を変えて加
え、その後の残留磁束密度Ｂｒψとの比Ｂｒψ／Ｂｒψ
の変化を測定したものであるＯ 該反転磁界強度を６００ｏｓ　、　Ｉ　Ｋｏｅ　、　１
．５Ｋｏｅ　。

２　Ｋｏｅ　、　２．５　Ｋｏｅ　、　３　Ｋｏｅと変
えて測定した。

第１２図より判かるように比較的磁界強度の小さい場合
には、磁界印加方向ψに対してＢｒψ／Ｂｒ。

はなだらかに変化するが、磁界強度が大きくなるにつれ
て急峻に変化することが判明した。前述のごとく、この
テープサンプルではＨＣが極小になる磁界印加方向は一
７３°であり６３の一点鎖線で示す角度である。

本来、この方向に磁界を印加した時が最も消去されにく
いと考えられるが、実際には９０°−８０゜が最も消去
されにくい方向になっている。

これは薄膜のため膜厚方向に強い反磁界が発生し蒸着膜
内部の実効的な磁界が減少するためと考えられる。その
ため、該反磁界による効果と蒸着膜の磁化容易軸方向に
反転磁界を加える効果とによって例えばＩ　Ｋ　ｏｅ　
の転写バイアスでは＋８６゜〜−６０°の領域に消去さ
れにくい角度が発生している。

次に本発明の具体一実施例について説明する。

第１５図は前述した斜め蒸着したテープを用い同一のテ
ープ間で接触転写する場合のマスクテープ７６の磁化容
易軸方向７８とスレーブテープ７７の磁化容易軸方向７
９との位置関係を示したものである。以上のごとくそれ
ぞれテープ長手方向に対して→−θと−θの角度で勾配
の符合が異なる。

第１５図のごとく両テープを接触せしめ、転写バイアス
磁界をテープ厚み方向から、テープ長手方向に対して例
えばψ−−６６°の角度で印加した〇この角度はスレー
ブテープに対してはψ−＋６６゜に相当する。スレーブ
テープの動作点は第１１図のψ−＋６５°におけるカー
ブ上にあり、ＨＣ＝　１４００　ｏｅ　Ｂｒ７８ｍ　＝
　０．６　　となる。したがって、一般に磁場転写では
、良質の信号を得るにはスレーブテープのＨａの１．６
倍程度の転写バイアス磁界が必要とされるので、上記実
施例の場合には２１００　ｏｅ程度の転写バイアス磁界
が用いられる。この場合マスタテープ上の信号は転写バ
イアス磁界によって第１４図からも明らかなように−１
，５ｄＢ　の劣化程度であり、実用上問題なく良質の画
像信号が得られた。

次に第１６図および第１７図を用いて本発明の磁気テー
プ転写装置の具体一実施例に関して説明する。

第１６図は磁気テープの概略の構成図を示したものであ
る。記録済マスタテープの供給リール８０およびスレー
ブテープの供給り一ル８２よりそれぞれ記録済マスタテ
ープ８４および未記録のスレーブテープ８５が導出され
、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。次に両テー
プはそれぞれテンションアーム８６および８７を経て固
定ガイドポスト９０に一定角度巻きつけられて密接し、
続いて転写磁界発生器９２で転写磁界を印加する。

ここでマスクテープ上の信号がスレーブテープ上に転写
されることになる。

次に上記マスタナ−ブ８４とスレーブテープ８５は固定
のガイドポスト９１とそれぞれのテンションアーム８９
および８９を経て該マスタテープ用巻取リール８１およ
びスレーブテープ巻取リール８３上にそれぞれ巻き取ら
れ、転写が完了するＯ 第１７図は転写磁界発生器９２の構成を示したものであ
る。

記録済マスクテープ８４と未記録のスレーブテープ８５
の磁性層を密接した状態で第一の磁極９４をガラス９６
でモールドした摺動部材９７に一定角度巻きつけ走行せ
しめる。またこの摺動部は該両テープをさらに密接する
と同時に転写磁界を印加できる効果を持たしむるもので
ある。さらに該テープを介して第一の磁極９４に対向し
た第二の磁極９３を、さらに第二の磁極９３に励磁用巻
線９６を設ける。この励磁用巻線９６には転写バイアス
電流を流して励磁せしめて磁界を発生せしめ、さらに第
一の磁極９４を磁化することによって第一の磁極の近傍
に強い転写磁界９８を発生せしめる。

そこで第１７図に示したごとく傾斜した摺動面において
該密接した両テープは第一磁極９７の近傍で該両テープ
の面に対し傾斜した方向に転写磁界を受け、前述した原
理にもとづいてマスクテープ上の信号がスレーブテープ
上に転写するものである○第一の磁極としては飽和磁化
の高く、磁化率の大なるパーマロイ、センダスト、各種
アモルファスなどの金属磁性材料が適しているがフェラ
イト磁性材料でも適用できる。

また第一の磁極９４の幅ｔは、第二の磁極から発生する
磁界によって磁化され、この磁化された第一の磁極から
発生する磁界が、スレーブテープのベースの厚みを介し
てスレーブテープの磁性層全充分磁化できる強さになる
よう設計し、その範囲ではできるだけ狭い方が良好であ
る０１例としてスレーブテープとしてベースフィルム厚
が約１０μｍ、その上に０．１６μｍのＣ〇−旧の磁性
層を形成したもの、第一の磁極として１０μｍ厚のセン
ダストを用いたＯこの場合、センダストの第一の磁極の
先端から約１０μｍ離れたスレーブテープの磁性層には
、センダストの第一の磁極を飽和まで磁化した時、セン
ダストの飽和磁束度密は約８０００　ｇａｕｓｓとすれ
ば、この約■の値２了００　ｇａｕｄｓ　　の磁界を発
生し得る○したがって第二の磁極に巻かれた励磁巻線へ
流す電流によって最適な転写バイアス磁界を選定できる
ものである。

またさらにマスタテープとスレーブテーブノ組合せによ
って犬なる転写バイアスが必要な場合には、第一の磁極
の幅ｔと第一の磁極からの距離を選ぶことによって適合
できるものである。

一方第二の磁極はＭｎ　−Ｚｎ系のフェライト磁性材を
もって構成し、第一の磁極と対向する面積を充分広くす
ることによりマスクテープが消磁されるような強い磁界
が発生するのを防止している。

なお第二の磁極の材料としては、その他のフェライト材
、金属磁性材料も用いることができる。

また第一の磁極をモールドあるいは被覆する材料として
は耐摩耗性のある非磁性フェライト、セラミック材など
の非磁性物質は全て適用できる。

また該両テープに加わる磁界の方向は第一の磁極をモー
ルドした摺動部の傾斜で容易に決定でき、極めて容易に
満足する転写磁界強度および方向を決定できるものであ
る。

上述した磁気テープ転写装置を用いて同一テープ間で転
写したところ、実用上極めて良好な画像信号が得られた
。

以上のごとく、同一デープ間でもマスクテープの磁化容
易軸方向とスレーブテープの磁化容易軸とテープ長手方
向となす勾配の正負の符合が異なるように配置し、転写
バイアス磁界を所定の角度と強度を設定することによっ
て、接触転写が可能になるものである。

上記実施例は同一チルプ間の例であるが、もちろん、ス
レーブテープとしてさほにＨｃが小さく、動作点におけ
るＢｒ７８ｍの大きなテープを用いることが望ましい。

またスレーブテープとしてｒ　−Ｆｅ２Ｏ３、ＣｒＯ２
。

ｃｏ−酸化鉄、その仙台金粉末など塗布型テープを用い
る場合も同様に転写可能であり、この場合には次のよう
な特徴がある。前述したように本発明に用いた強磁性金
属薄膜テープの場合、膜厚方向からの反磁界は最大４π
ＭＢであり７０００〜１００００　ｏｓ　１　これに対
して塗布型では１０００〜５０００ｏｅである。したが
って前者をマスタテープとして、後者をスレーブテープ
に用いることによって各テープ内部での実効磁界に差を
生じせしめて、有効な転写を可能にすることができるも
のである。

またスレーブテープとしてＧｏ　−Ｏｒ等の垂直記録媒
体を用いる場合には、スレーブテープの磁化容易軸は膜
面に垂直のため動作点におけるＢｒ７８ｍは極めて良好
に選定可能であり、第１４図にも示したようにマスタテ
ープが最も消去されにくい９０°方向の転写バイアス磁
界を用いることによって良質の信号を得ることができる
ものである。

以上のように転写バイアス磁界の方向と強度はスレーブ
テープによって異なるが、例えば最近の高密度記録用と
してＧｏ酸化鉄、　ＣｒＯ２、Ｆｅ系合金などテープの
Ｈｃは５６０〜１４ＱＯＯｅ　であり、また斜め蒸着テ
ープのＨｃは７ｏ○〜１０００ｏｅなどである。

したがってＨｃの小さなテープ例えば６６０００程度の
Ｇｏ酸化鉄テープに転写するためには、その１．５倍の
転写バイアス磁界強度は約８５０ｏｅが適当であり、こ
の場合、印加磁界方向は＋８６゜〜−４８°が最適であ
った。一方、蒸着テープの場合第１１図のごと＜　Ｈｃ
が角度ψによって変化するが動作点において、スレーブ
テープのＨｃ＝　１５００　ｏｅの場合には、２．３　
Ｋ　ｏｅの転写バイアス磁界強度と一６０°〜＋８６°
　が実験的に良質の画質を得るのに適していた。

すなわちマスクテープの磁化困難軸方向を中心にして正
方向には＋２００負方向には一２５°の範囲の方向に転
写バイアス磁界を印加することによって、マスクテープ
の信号の劣化が−２〜−３ｄＢ以内にとどまり実用可能
な範囲内で使用できることが判った。

また、転写バイアス磁界の方向を磁化困難軸方向（ここ
では−７３°）から＋８６°の範囲に選んだ場合には１
５Ｋｏｅｉ度の極めて大きな転写ノ（イアス磁界強度に
対しても、第１４図における４ＫｏｅＦｌ別時のカーブ
と同じ特性が得られてマスクテープ上の信号はほとんど
消去されないことも同時に判明した。

したがって、この範囲の転写バイアス磁界を利用するこ
とにより、さらに良質な信号が得られるものである。

以上のように本発明によれば同一テープあるいはＨｃの
比較的小さなテープからの接触転写が可能となる。また
転写バイアス磁界の方向をマスクテープの磁化困難軸方
向に対して正方向に＋２００負方向に一２５°範囲内に
選ぶことにより、マスクテープ上の信号がほとんど消去
されない状態で使用でき、良質の転写出力を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

一第１図は転写装置の概略構成を示す平面図、第２図は
転写バイアス磁界発生器の概略構成平面図、第３図は転
写の原理を示す斜視図、第４図は従来の転写特性図、第
６図および第６図は強磁性金属薄膜テープの原理図、第
７図は強磁性金属薄膜テープのＭ−Ｈ特性図、第８図は
斜め蒸着テープ製造装置の構成図、第９図は斜め蒸着テ
ープの断面を模式的に示す図、第１０図人は斜め蒸着テ
ープの厚み方向に対する測定方法を示す図、Ｂは同斜め
蒸着テープの特性図、第１１図は斜め蒸着テープのＨａ
およびＢｒ７８ｍの特性図、第１２図人。 Ｂおよび第１３図は本発明の接触転写の原理図、第１４
図は本発明の転写バイアス磁界方向と強度に対するマス
タテープの特性図、第１６図は本発明の接触転写の原理
図、第１６図は本発明の磁気テープ転写装置の概略図、
第１７図は本発明の転写磁界発生器の構成図である。 ８４　・・・マスタテープ、８５・・・・スレーブテー
プ、９２・・・・・・転写バイアス発生器、９３・・　
・第二の磁極、９４・　・・第一の磁極、９６・・・励
磁用巻線。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第　２１ 第３図 第４図 ス レ ヱ゛ 東ス写バイアスｉＬ４．（蛍膚（１１メｙ＋’ＪＬ）第
８図 、５２ 第９図 第１０図 り 第１１図 ザ（側） 第１２図 ７０ 第１４図 μ卓五値界方向（カ 第１５図 第１６図 第１７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 中央部が突出したテープ摺動面を有する非磁性材よりな
   る摺動部材の前記中央部を外した位置に第１の磁極を埋
   設せしめ、信号記録済みのマスターテープと未記録のス
   レーブテープを互の磁性面を互に対向せしめた状態で前
   記摺動面に沿って走行せしめ、前記摺動面上を走行する
   前記両テープを介して前記第１の磁極に対向するように
   励磁用巻線の設けられた第２の磁極を配設し、その第２
   の磁極から発生された磁束を、前記両テープの磁性面と
   傾斜し、マスターテープの磁化困難軸方向に印加するこ
   とを特徴とした磁気テープ転写装置。