JPS59143320A - パタ−ン化された導電性層を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化された導電性層を
形成する方法に関し、特に、半導体集積回路装置の配線
層を形成する場合に適用して好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層は、種々の理由でＡ１層、
Ａｌ−５＋金合金、ＡＩ−Ｃｕ合金層、ＣｕＲなとの金
属層でなるのを普通としている。

このような半導体集積回路装置の配線層を形成するにつ
き、従来は、半導体基板上に絶縁層を形成している絶縁
性基板上に、パターン化されるべきＡ１層、Ａｌ−８ｉ
合金層、ＡＩ　−ＣＵ合金層、００層などの金属層を形
成し、次に、その金属層上にパターン化されたフォトレ
ジストによるマスク層を形成し、然る後、パターン化さ
れるべき金属層に対する、上記マスク層をマスクとした
化学エツチングをすることによって、パターン化された
金属層を、配線層として形成するのを普通としていた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
せられるべき金属層に対する、パターン化されたマスク
層をマスクとした化学エツチングをする工程において、
パターン化された金属層が、側方からエツチングされた
もの即ち所謂サイドエツチングされたものとして得られ
るのを余儀なくされる。

このため、パターン化された金属層が、マスク層のパタ
ーンよりもサイドエッチされた量だけ、−周り小さなパ
ターンを有するものとじて形成される。

ところで、パターン化された金属層は、マスク層のパタ
ーンと同じパターンで１ｑられるのが望ましい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れた金属層の所期のパターンと同じパターンに形成し胃
くだけで、パターン化された金属層を、所期のパターン
を有するものとして形成することが出来るからである。

黙しながら、パターン化された金属層が、マスク層のパ
ターンよりもサイドエツチングされた量だけ、−周り小
さなパターンを有するものとして形成されても、上述し
た化学エツチングを行う工程において、サイドエツチン
グされる量が、予測されていれば、マスク層を、予測さ
れているサイドエツチングされる量を見込んで、形成せ
んとするパターン化された金属層の所期のパターンより
も−周り大きなパターンに、予め形成しておくことによ
り、パターン化された金属層を、所期のパターンを有す
るものとじて形成することが出来る。

黙しながら、上述した従来の方法による場合、上述した
化学エツチングをする工程において、上述したサイドエ
ツチングされる量を予測するのが極めて困難であった。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
た金属層を、所期のパターンを有するものとして、再現
性良く、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であ
る、などの欠点を有していた。

よって本発明は、上述した欠点のない新規なパターン化
された導電性層を形成する方法を提案せんとするもので
ある。

本発明者などは、第１図Ａに示すような、例えば、シリ
コンでなる半導体基板１上に例えば酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ２）でなる絶縁層２を形成している絶縁性基板３を予
め用意し、そして、その絶縁性基板３の絶縁層２上に、
第１図Ｂに示すように、パターン化されるべき金１ｒｉ
ｌｉＪ４Ａと、その金属層４Ａとは異なる材料でなるパ
ターン化されるべき導電性層４Ｂとを、それ自体は公知
の方法にＪ：って、それらの順とは逆の順に、積層して
形成し、次に、そのパターン化されるべき金属層４△十
に、第１図Ｃに示すＪ：うに、パターン化された例えば
フォトレジストでなるマスク層５を、金属層４　Ａ　Ｊ
二にフォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層
に対するフォトマスクを用いた露光、続く現像をなすと
いう、それ自体は公知の方法によって形成し、このよう
にして、絶縁性基板３上にパターン化されるべき金属層
４Ａと、その金ｆｆ１層４Ａとは異なる材ｒ３ｔでなる
パターン化されるべき導電性層４Ｂとが、それらの順と
は逆の順に積層して形成され、その金属層４Ａ上にパタ
ーン化されたマスク層５が形成されている基板体６を得
た。

この場合、金属層４Ａは、配線層となり得るＡ１層、Ａ
ｌ−８上合金層、Ａｌ−Ｃｕ合金層、０１１層などとし
得る。

また、導電性層４Ｂは、Ｍｏ　ｓｉ　ｌ　、Ｎｉ　Ｓ＋
　、ｐｔ　ｓ＋などでなる金属−シリコン合金層、Ｍｏ
　、Ｗ、Ｔｉ　、Ｔａ　、Ｎｉ　、Ｐｔなどでなる高融
点金属層、導電性の賦与された多結晶Ｓｉ、非晶質８１
などの非単結晶８１層などとし得る。

そして、上述した基板体６を、第２図に示すように、酸
性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１を収容して
いる槽１２内に、金属層４Ａが略々垂直面上に延長する
ように、浸漬させ、また、その槽１２内に、例えば白金
でなる電極１３を、基板体６の金属ｍ４Ａと対向するよ
うに、浸漬させ、そして、基板体６におけるパターン化
されるべき金ｆｆ層４Ａを、マスク層５によってマスク
されていない領域において、直流型ｍ１４の正極側に接
続し、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続
して、金属層４Ａに対する、マスク層５をマスクとし、
且つ酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１を用
いた電解エツチングをなした。

但し、この場合、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電
解液１１を、金属層／ＩＡがＡ１層でなり、また、導電
ｔ’１層４Ｂが、ＭＯ３ｔｔ層、Ｎｉ　Ｓｔ層、ｐｔ３
ｉ層、ＭＯ層、Ｗ層、ｌ’−ｉ層、ｌａ層、Ｎｉ層、Ｐ
ｔ１ｌ、多結晶Ｓｉ層、及び非晶質３ｉ層中の何れか１
つでなる揚台、５０〜８５％濃度の燐酸を溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、５０〜８５％濃度の
燐酸の１５〜２０容聞部と、３０〜６０％濃度の硝酸の
１〜４容量部とを溶質の主体としている水溶液でなる酸
性水溶液、５０〜８５％濃麿の燐酸の１５〜２０容量部
と、３０〜６０％濃度の硝酸の１〜／Ｉ容帛部と、７０
〜１００％濃度の酢酸の１〜４容量部とを溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、５〜４０％濃磨の塩
酸を溶質の主体としている水溶液でなる酸性水溶液、１
０〜５０％濃ｍの水酸化カリウムを溶質の主体としてい
る水溶液でなるアルカリ性水溶液、及び１０〜５０％濃
度の水酸化ナトリウムを溶質の主体としている水溶液で
なるアルカリ性水溶液中の何れか１つとした。

また、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１を
、金属層４ＡがＡｌ−３ｉ合金層でなり、また、導電性
層４Ｂが、ＭＯ８ｔ＋層、Ｎｉ　３ｉ層、ＰｔＳｉ層、
ＭＯＭ、Ｗ層、Ｔｉ層、Ｔａ層、Ｎｉ層、ｐｔ層、多結
晶３ｉ層、及び非晶質３ｉ層中の何れか１つでなる場合
、５０〜８５％濃度の燐酸を溶質の主体としている水溶
液でなる酸性水溶液、５０〜８５％濃度の燐酸の１５〜
２０容量部と、３０〜６０％濃度の硝酸の１〜４容量部
とを溶質の主体としている水溶液でなる酸性水溶液、及
び５０〜８５％濃度の燐酸の１５〜２０容量部と、３０
〜６０濶度の硝酸の１〜４容吊部と、７０〜１００％漠
度の１〜４容量部とを溶質の主体としている水溶液でな
る酸性水溶液中の何れか１つとした。

さらに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１
を、金属層４ＡがＡＩ−ＣＬＩ合金層でなり、また、導
電性層４Ｂが、ＭＯ８ｆｔ層、Ｎｉ　Ｓｔ層、ＰｔＳｉ
層、ＭＯ層、Ｗ層、Ｔ１層、Ｔａ層、Ｎｉ層、ｐｔ層、
多結晶５１１Ｍ、及び非晶質３ｉ層中の何れか１つでな
る場合、５０〜８５％濃度の燐酸を溶質の主体としてい
る水溶液でなる酸性水溶液、５０〜８５％濃度の燐酸の
１５〜２０容量部と、３０〜６０％淵廓の硝酸の１〜４
容量部とを溶質の主体としている水溶液でなる酸性水溶
液、及び５０〜８５％濃度の燐酸の１５〜２０容吊部と
、３０〜６０％濃度の硝酸の１〜４容囚部と、７０〜１
００％濃度の酢酸の１〜４容焔部とを溶質の主体として
いる水溶液でなる酸性水溶液中の何れか１つとした。

なおさらに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液
１１を、金属層４ＡがＣｕ層でなり、また、導電性層４
Ｂが、ＰｔＳｉ層、Ｗ層、Ｔｉ層、ｐｔ層、多結晶Ｓｉ
層、及び非晶質３ｉ層中の何れか１つでなる場合、４０
〜９６％濃度の硫酸を溶質の主体としている水溶液でな
る酸性水溶液とした。

然るときは、金属層４Ａのマスク層５によつエマスフさ
れていない領域が陽極として作用し、また、電極１３が
陰極として作用して、金属層４Ａが、マスク層５によっ
てマスクされていない領域において、第３図Ａに示すエ
ツチングされていない状態から、第３図Ｂで一般的に示
すような、表面からエツチングされつつある状態を経て
、第３図Ｃで一般的に示すように、全厚さに亘ってエツ
チングされて、パターン化された金属層７Ａが、マスク
層５下に形成されることを確認するに到った。但し、こ
の場合、電極１３を白金でなるものとした。

また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、パ
ターン化されるべき金属層４Ａと電極１３との間に接続
している直流型８１１４を直流定電流源とし、そして金
属層４Ａの、マス６り層５によってマスクされていない
領域と、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電圧計
１５を用いて測定しながら行った。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧■（ボルト）の
関係が、第４図に示すように、時点１ａまでの間におい
ては、電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上界するが、時点
ｔ８から電圧Ｖが急激に大になるものとして得られた。

さらに、本発明者などは、上述した時間ｔに対する電圧
■の関係と、金属層４Ａの、マスク層５によってマスク
されていない領域のエツチングの状態とを調べた結束、
電圧Ｖが時間１と共に僅かづつ上昇している時点１ａま
での間においては、金属層４Ａの、マスク層５によって
マスクされていない領域が、時間【と共に表面からエツ
チングされるが、時点１ａに達すれば、金属層４Ａの、
マスク層５によってマスクされていない領域が、その全
厚さに亘ってエツチングされ、第３図Ｃで一般的に示す
ように、パターン化された金属層７Ａが得られているこ
とを確認するに到った。

なおさらに、本発明者などは、上述した電解エツチング
を、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点１ｔＡ即ち
金属層４△の、マスク層５によってマスクされていない
領域が、その全厚さにＤってエツチングされる時点まで
行って、上述したパターン化された金属層７Ａを形成す
る場合、そのパターン化された金属層７Ａは、一般に、
その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にあ
るものとして示されているように、サイドエツチングさ
れたものとして得られていることを確認するに到った。

また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、パ
ターン化されるべき金属層４Ａと電極１３との間に接続
している直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてその
直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れる電流１（
ｍＡ）を、電流計１６を用いて測定しながら行った。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流■（ｍＡ）の関
係が、第５図に示すように、時点ｔａ′までの間におい
ては、電流■が時間ｔと共に僅かづつ減少するが、時点
ｔａ′から電流■が急激に小になるものとして得られた
。

さらに、本発明者などは、上述した時間ｔに対する電流
■の関係と、金属層４Ａの、マスク層５によってマスク
されていない領域のエツチングの状態とを調べた結果、
電流Ｉが時間ｔと共に僅かづつ減少している時点ｔａ′
までの間においては、金属層４Ａの、マスク層５によっ
てマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面からエ
ツチングされるが、時点ｔａ′に達すれば、金属層４Ａ
の、マスク層５によってマスクされていない領域が、そ
の全厚さに亘ってエツチングされ、第３図Ｃで一般的に
示すように、パターン化された金属層７Ａが得られてい
ることを確認するに到った。

なおさらに、本発明者などは、上述した電解エツチング
を、上述した電流Ｉが、急激に小になる時点ｔａ′即ち
金属層４Ａの、マスク層５によってマスクされていない
領域が、その全厚さに亘ってエツチングされる時点まで
行って、上述したパターン化された金属層７Ａを形成す
る場合、そのパターン化された金Ｒｍ　７　Ａは、一般
に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側
にあるものとして示されているように、サイドエツチン
グされたものとして得られていることをｉｆｆ！するに
到った。

また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、電
解液１１の温度Ｔ（’Ｃ）を一定温度Ｔｅ（’Ｃ）とし
て、直流電源１４から基板体６における金属層４Ａ１及
び電極１３を通って、電解液１１に流れる電流Ｉを変え
、従って、金属層４Ａに流れる電流の密度Ｊ　（ｍＡ／
ｃｍ’　）を変えて、直流電源１４が直流低電流源であ
る場合、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点１ａま
で、また、直流電源１４が直流定電圧源である場合、上
述した電流■が、急激に小になる時点ｔａ′まで、即ち
金属層４Ａの、マスク層５によってマスクされていない
領域が、その全厚さに亘ってエツチングされる時点まで
行って、上述したパターン化された金属層７Ａを形成し
、そして、その金属層７Ａがサイドエツチングされてい
る吊即ちサイドエツチングＭＹ（μｍ）を測定した。

然るときは、電解液１１の温度Ｔ（’Ｃ）をパラメータ
とする電流密度Ｊに対する上述したサイドエツチングｆ
ｆ１Ｙの関係が、一般に、第６図に示すように１９られ
た。

なお、第６図に示されている温度Ｔ１、及びＴ２は、Ｔ
Ｉ＜７７なる関係を有する。

よって、第６図に示す測定結果から、電解液１１の温度
Ｔを一定温度Ｔｅ　　（℃）とした場合、電流密度Ｊを
大とすれば、上述したサイドエツチングｆｉＹが小にな
ることを確認するに到った。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエツチングＩＹ
が小となるものとして得られるのは、電流密！＋１１ｔ
Ｊを大とすれば、金属層４Ａと電極１３との間の電界強
度が、主として、金属層４Ａと電極１３とを結ぶ方向に
関し、伯の方向に比し格段的に強くなり、このため、金
ｆｆ１ｌＩＡのマスク層５によってマスクされていない
領域が厚さ方向にエツチングされる速度と、面方向にエ
ツチングされる速度との比が大になるからであることも
確認するに到った。

さらに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ｍＡ／Ｃｍ’
　）とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上
述したサイドエツチングｆｆ１Ｙが小になることを確認
するに到った。

なおさらに、上述したサイドエツチング量Ｙを同じ値で
得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば、これに
応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確認するに到
った。

また、第６図に示す測定結果から、上述したサイドエツ
チング量Ｙの値が零になるときの、電解液１１の渇１１
ｆｆＴ（’Ｃ）に対する電流密度Ｊの関係が、第７Ａ図
に示すように、温度Ｔ１及びＴ２である場合において、
電流密度ＪがそれぞれＪｌ及びＪｌの値で得られること
、及び上述したように、電解液１１の温度Ｔを一定とし
た場合、電流密度Ｊを大とすれば、上述したサイドエツ
チングｆｉＹが小になることから、上述した電解エツチ
ングを、電解液１１の温度Ｔを一定温度Ｔｅ　　（’Ｃ
）にし、また電流密２Ｊを、Ｔｅ＝ａ　−Ｊｅ＋ｂ ・・・・・・・・・・・・・・・　（１ａ　）ａ　−（
（Ｔ２−ＴＩ　）／（Ｊ、−Ｊｌ　））×　（１±　０
．１） ・・・・・・・・・・・・・・・　（１ｈ　）ｂ　　−
（（ＴＩ　　Ｊｌ　　　ＴＩ　　Ｊｌ　　）／　（Ｊｌ
−Ｊｌ　　））ｘ（１±　０．１） ・・・・・・・・・・・・　（１Ｃ） で与えられる電流密度Ｊｅ　　（ｍ　Ａ／ｃｍ’　）以
上の電流密度にして行えば、上述したパターン化された
金属層７Ａが、第８図に示すように、上述したサイドエ
ツチングｆＪＩ　Ｙが略々零であるものとして形成され
ることもＩｎするに到った。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密叶Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ　　（ｍ　Ａ／ｃ
ｍ’　）とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば
、上述したサイドエツチング量Ｙが小になることから、
上述した電解エツチングを、電流密度Ｊを一定電流密度
Ｊｅ（ｍ　Ａ／ｃｎ＋’　）にし、また電解液１１の温
度Ｔを、 Ｔｅ　＝ａ　−Ｊｅ　＋ｂ ・・・・・・・・・・・・・・・（２ａ）ａ　−（（Ｔ
Ｉ　　ＴＩ　）／　（ＪフーＪ１））×（１±０．１） ・・・・・・・・・・・・・・・（２ｂ）Ｅ）＝（（Ｔ
Ｉ　　Ｊｌ　　　ＴＩ　　Ｊｌ　　＞／（ＪフーＪＩ）
）×（１±０．１） ・・・・・・・・・・・・（２Ｃ） で与えられる温度Ｔｅ（’Ｃ）以下の温度にして行えば
、上述したパターン化された金属層７Ａが、第８図に示
すように、上述したサイドエツチング量Ｙが略々零であ
るものとして形成されることも確認するに到った。

以上で、絶縁性基板３上に、導電性層４Ｂ上に積層して
形成された金属層４Ａに対する、マスク層５をマスクと
した電解エツチングを行なうによって、金属層４Ａから
、一般的に、第３図Ｃに示すように、パターン化された
金属層７八が形成されることが明らかとなったが、この
ようにパターン化された金属層７Ａが形成されるとき、
導電性層４Ｂが露呈して電解液１１に触れる。

しかしながら、導電性層／ｌが金属層４Ａとは異なる材
料でなるので、その材料を、金属層４Ａと電解液１１と
の兼合で、前述で例示したように、適当に選定すれば、
導電性層４Ｂが電解液１１に触れても、導電性層４Ｂは
実質的にエツチングされない。

従って、上述したようにパターン化された金属層７Ａが
形成されるとき、導電性層４Ｂは、絶縁性基板３上に、
実質的にエツチングされないで残っている。

本発明者などは、上述したように、パターン化された金
属層７Ａが形成されるときに、導電性Ｎ４Ｂが絶縁性基
板３上にエツチングされないで残っているため、パター
ン化された金属層７△が形成されるときに、金属層４Δ
の一部が、一般的に、第３図Ｃに符号８を付して点線図
示しているように、導電性層４Ｂの露呈している領域上
に、アイランド状に薄く残らんとしても、そのアイラン
ド８が、導電性Ｆ２４Ｂを介し、次で、金属層４Δの直
流電源１４に一端に連結されている部９（第２図参照の
こと）を介して、直流電源１４の一端に、電気的に連結
されているので、アイランド８が電解エツチングされ、
従って、パターン化された金属層７Ａを、導電性層４Ｂ
が露呈する領域トに上述したアイランド８を実質的に残
すことなしに、形成することができることを確認するに
到った。

また、本発明者などは、上述したようにパターン化され
た金属層７Ａを形成して後、導電性ｆｆ１４Ｂに対する
マスク層５またはパターン化された金属層７Ａをマスク
とした、上述した電解エツチング以外の、それ自体は公
知の種々のエツチング、例えばリアクティブイオンエツ
チング、プラズマエツチングなどのドライエツチング、
さらにはエツチング液を用いたウェットエツチングを行
えば、第９図及び第１０図に示すＪ：うに、導電性１４
Ｂから、パターン化された導電性層７Ｂが、パターン化
された金属層７Ａ下に形成され、そして、この場合、導
電性層４Ｂを十分簿い厚さにしておけば、エツチングが
ウェットエツチングであっても、パターン化された導電
性層７Ｂが、殆んどサイドエツチングされていないもの
として得られることをＩＯするに到った。

さらに、本発明者などは、上述したようにパターン化さ
れた導電性層７Ｂを形成すれば、絶縁性基板３上に、パ
ターン化された金属層７Ａと、パターン化された導電性
層７Ｂとがそれらの順とは逆にｆＦｉ層されている、目
的としたパターン化された導電性層１０が形成されるが
、そのパターン化された導電性層１０が、半導体集積回
路装置の配線層として好適であることも確認するに到っ
た。

また、本発明者などは、上述したようにパターン化され
た導電性層７Ｂを形成すれば、上述したパターン化され
た金属層７Ａを形成する■−乙〇− 程において、導電性層４Ｂ上に、上述した金属層４Ａに
よるアイランド８が残っても、導電性層４Ｂがエツチン
グされることによって、それと共に除去されることも確
認するに到った。

よって、本発明者などは、特許請求の範囲に記載してい
る発明を、本発明による発明として提案するに到った。

以上で、本発明によるパターン化された導電性層を形成
する方法が明らかとなった。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべき金属層に対する、パターン化されたマスク層をマ
スクとした電解エツチングをする工程において、形成さ
れるパターン化された金属層のサイドエツチングＭＹを
、第６図で上述したところから明らかなように、電解液
の温度Ｔと電流密度Ｊとによって、予測することができ
、またパターン化されるべき導電性層に対する、パター
ン化されたマスク層またはパターン化された金属層７Ａ
をマスクとしたエツチングをする工程において、形成さ
れるバタ７４− ン化された導電性層を、サイドエツチングの殆んどない
ものとして形成することができるので、目的とするパタ
ーン化された導電性層のサイドエツチング量を、電解液
の温度と電流密度とによって、予測することができる。

このため、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法によれば、パターン化されるべき金属層上に
パターン化されたマスク層を形成する工程において、そ
のパターン化されたマスクを、予測されるサイドエツチ
ング吊Ｙを見込んで形成することにより、パターン化さ
れた導電性層を、所期のパターンを有するものとして、
再現性良く、微細に、高精度に、容易に形成することが
出来る、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化された導電性層を形成す
る方法ににれば、上述した金属層に対する電解エツチン
グをする工程において、その電解エツチングを、電解液
の温度Ｔを一定温度Ｔｅ（℃）にし、電流密度Ｊを、上
述した（１ａ）〜（１Ｃ）式で与えられる電流密度Ｊｅ
　　（ｍ　Ａ／ａｍ’　）以上の電流密度にして行えば
、または、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ｍＡ／Ｃ「
）にし、電解液の温度Ｔを、上述した（２ａ）〜（２Ｃ
）式で与えられる温度Ｔｅ（’Ｃ）以下の温度にして行
えば、パターン化された金属層が、サイドエツチングＭ
Ｙが略々零であるものとして形成され、また、上述した
導電性層に対するエツチングをする工程において、パタ
ーン化された導電性層を、殆んどサイドエツチングされ
ないものとして形成することができる。

このため、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法によれば、パターン化されたマスク層を形成
する工程において、そのマスク層を、形成せんとするパ
ターン化された導電性層の所期のパターンと同じパター
ンに形成し、また、上述した電解エツチングの工程にお
いて、電解液の温度Ｔを一定温度丁ｅとするとき、電流
密度Ｊを上述した（１ａ）〜（１Ｃ）式で与えられる電
流密度Ｊｅ以上の電流密度にし、または、電流密度、Ｊ
を一定電流密度Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述
した（２ａ）〜（２Ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の
温ｍにすることによって、パターン化された導電性層を
、所期のパターンを有するものとして、再現性良く、微
細に、高精度に、容易に形成することができるという特
徴を有する。

さらに、本発明によるパターン化された導電性層を形成
する方法によれば、上述した金属層に対する電解エツチ
ングを、直流電源として直流定電流源を用いて行なう場
合、その電解エツチングをする工程における、その電解
エツチングの終了時点が、陽極としてのパターン化され
るべき金属層と、これに対する陰極電極との間の電圧が
急激に大になる時点に対応しているので、上述した電解
エツチングを、陽極としてのパターン化されるべき金属
層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大に
なる時点まで行うことによって、パターン化された金属
層を、所期のパターンを有するものとして、より再現性
良く、微細に、高精度に、容易に形成することができる
。

なおさらに、本発明によるパターン化された導電性層を
形成する方法によれば、上述した金属層に対する電解エ
ツチングを、直流電源として直流定電流源を用いて行な
う場合、上述した、陽極としてのパターン化されるべき
金属層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に
大になる時点は、これを、種々の電圧検出器によって、
容易に検出し得、また、その電圧検出器の出力によって
、陽極としての金属層と、これに対する陰極電極との間
に接続している直流定電流源をオフにしたり、直流定電
流源と、陽極としての金属層または陰極電極との間の線
路を切断したりするという簡易な手段によって、上述し
た電解エツチングを、陽極としてのパターン化されるべ
き金属層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激
に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させることが
できる。

また、本発明によるパターン化された導電性層を形成す
る方法によれば、上述した金属層に対する電解エツチン
グを、直流電源として直流定電圧源を用いて行なう場合
、その電解エツチングをする工程における、その電解エ
ツチングの終了時点が、直流定電圧源から、陽極として
のパターン化されるべき金属層を通って流れる電流が急
激に小になる時点に対応しているので、上述した電解エ
ツチングを、直流定電圧源から、陽極としてのパターン
化されるべき金属層を通って流れる電流が急激に小にな
る時点まで行うことによって、パターン化された金属層
を、所期のパターンを有するものとして、より再現性良
く、微細に、高精度に、容易に形成することができる。

なおさらに、本発明によるパターン化された導電性層を
形成する方法によれば、」二連した金属層に対する電解
エツチングを、直流電源として直流定電圧源を用いて行
なう場合、直流定電圧源から、上述した陽極としてのパ
ターン化されるべき金属層を通って流れる電流が急激に
小になる時点は、これを、種々の電流検出器によって、
容易に検出し得、また、その電流検出器の出力によって
、陽極としての金属層と、これに対する陰Ｉ！ｉ電極と
の間に接続している直流定電圧源をオフにしたり、直流
定電圧源と、陽極としての金属層または陰極電極との間
の線路を切断したりするという簡易な手段によって、上
述した電解エツチングを、直流定電圧源から、陽極とし
てのパターン化されるべき金属層を通って流れる電流が
急激に小になる時点で、直ちに且つ容易に終了させるこ
とができる。

従って、本発明によるパターン化された導電性層を形成
する方法によれば、上述した本発明の特徴を、確実、容
易に発揮することができる、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化された導電性層を形成す
る方法によれば、上述した金属層に対して電解エツチン
グする工程において、その電解エツチングを、絶縁性基
板上にパターン化されるべき導電性層を有している状態
で行うので、金属層に対して電解エツチングする工程に
おいて、金属層が、絶縁性基板上に、パターン化される
べきを導電性層上において、アイランド状に残らんとし
ても、それが電解エツチングされ、また、たとえ、金属
層に対して電解エツチングする工程において、金属層が
、絶縁性基板上に、パターン化されるべきｉ９導電性４
Ｂ上において、アイランド状に残ったとしても、それが
、パターン化されるべき導電性層に対してエツチングす
る工程において、導電性層がエツチングされることにＪ
：つて、絶縁性基板上から除去される。

このため、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法によれば、パターン化された導電性層を、明
瞭、明確に形成することができる、という特徴を有する
。

さらに、本発明によるパターン化された導電性層を形成
する方法によって形成される、パターン化された導電性
層は、配線層として機能する。

従って、本発明は、これを、半導体集積回路装置の配線
層を形成する場合に適用して、極めて好適である、とい
う特徴を有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１−１Ａ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。但し、この場
合、基板１を、表面積が約４０．０　　ａｍ’　のシリ
コンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリコン
（Ｓｔ　Ｏ＋　）でなるものとした。

然して、絶縁性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述
したと同様に、パターン化されるべき金属層４Ａと、パ
ターン化されるべき導電性層４Ｂとを、それらの順とは
逆の順に積層して形成した。但し、この場合、金属層４
Δを蒸着によって、１μｍの厚さを有するＡ１層でなる
ものとして形成した。

また、導電性層４Ｂを、それ自体は公知の種々の方法に
よって、金属層／１．　Ａに比し十分薄い厚さを有する
ＭＯ８ｉ＋　、Ｍｆ　Ｓ！　、ｐｊＳｆ　。

Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｐｔ、多結晶Ｓｉ、及び
非晶質３ｉ中から選ばれた１つでなる層として形成した
。

次に、Ａ１層でなる金属層／ＩＡ上に、第１図Ｃで上述
したと同様に、パターン化されたマスク層５を形成した
。

但し、この場合、マスク層５を、Ａ１層でなる金属層４
Ａ上に、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジス
ト層に対するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理
をなすことによって、フォトレジストでなるものとして
形成した。

このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、絶縁性
基板３上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４
△と、パターン化されるべき１＠導電性４Ｂとが、それ
らの順とは逆の順に積層して形成され、そのＡ１層でな
る金属層４Ａ上に、パターン化されたマスク層５が形成
されている基板体６を（ｑた。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、８５％
濃度の燐酸液でなる燐酸のみを溶質とした水溶液でなる
電解液１１を収容している槽１２内に、金属層４Ａが、
略々垂直面上に延長するように浸漬させ、また、その槽
１２内に、白金でなる電極１３を、基板体６の金属層４
Ａと対向するように浸漬させ、然して、基板体６におけ
るパターン化されるべき金属層４Ａを、マスク層５によ
ってマスクされていない領域において、直流定電流源で
なる直流電源１４の正極側に接続し、また、電極１３を
、直流電源１４の負極側に接続して、金属層４Ａに対す
る、上述した燐酸を溶質としている水溶液でなる電解液
１１を用いた電解エツチングを、金属層４Ａ及び電極１
３間の電圧Ｖが急激に大になる時点までなし、パターン
化された金属層７Ａを得た。

この場合、電解液１１の温度を２０．０℃とし、また電
解液１１に通ずる電流を５０．０　ｍＡとし、従って、
Ａ１層でなる金属層４Ａに通ずる電流密度を、１．２５
　　（−５０，０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）　　Ｉｎ
Ａ／ｃｍ’　とした。

然るときは、第８図で上述したど同様に、パターン化さ
れたＡ１層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

次に、導電性ｍ／ｌｌｌに対する、上述したマスク層５
またはパターン化された金属１１７Ａをマスクとする、
導電ｆ１層４Ｂの面に対して垂直な方向からのドライエ
ツヂングをなし、パターン化された導電性層７Ｂを得た
。

然るときは、第９図及び第１０図で上ｊボしたと同様に
、パターン化された導電性層７Ｂが、殆んどサイドエツ
チングされていないものとして得られた。

また、上述したように、パターン化された金属層７Ａ及
びパターン化された導電性層７Ｂが得られたことにより
、絶縁性基板３上に、第９図及び第１０図で上述したと
同様に、パターン化された金属層７Ａと、パターン化さ
れた導電性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層され
ている、目的とするパターン化された導電性層１０が、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

実施例１−１Ｂ 上述した本発明の実施例１−−ＩＡの場合における、金
属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直
流電１１１１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電
解エツチングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通っ
て流れる電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたこと
を除いては、上述した本発明の実施例１−１への場合と
同様の工程をとって、パターン化されたＡ１層でなる金
属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性ｆｆ１７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電ｔ／ｌ［７Ｆ３とがそれらの
順とは逆の順に積層されている、目的とするパターン化
された導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零で
あるものとして形成された。

実施例１−２Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層
４Ａと、パターン化されるべき上述した実施例１−１へ
の場合と同様の導電性層４Ｂとがそれらの順とは逆の順
に積層して形成され、その金属層４Ａ上にパターン化さ
れたマスク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用い
る電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でな
る燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と
を溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いて
は、上述した本発明の実施例１−１への場合と同様の電
解エツチングを、上述した本発明の実施例１の場合と同
様になして、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａ
を得た。

ただし、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし
、また電解液１１に通ずる電流値を２４０．０１１１　
Ａとし、Ａ１層でなる金属層４Ａに通ずる電流密度を６
．０　（＝　２４０．Ｏｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）　
ｍＡ／Ｃｌ１１’　とした。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−Ｉへの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
△とパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例１−２Ｂ 上述した本発明の実施例１−２Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、Ａ１層でなる金属層４Ａ
を通って流れる電流■が、急激に小になる時点までなし
たことを除いては、上述した本発明の実施例１−２Ａの
場合と同様の工程をとって、パターン化されたＡ１層で
なる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−２Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性［１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例１−３Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上に、パターン化されるべきＡ１層でなる金属
１４Ａと、パターン化されるべき上述した実施例１−１
への場合と同様の導電性層４Ｂとがそれらの順とは逆の
順に積層して形成され、そのＡ１層でなる金属層４△上
にパターン化されたマスク層５が形成されている基板体
６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用い
る電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でな
る燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と
、９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質と
した水溶液でなるものに変更したことを除いては、上述
した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解エツチ
ングを、上述した本発明の実施例１−１Δの場合と同様
になして、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａを
得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１への場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金Ｒ層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例１−３Ｂ 上述した本発明の実施例１−３への場合にお（プる、金
属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直
流電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エ
ツチングを、直流定電圧源から、Ａ１層でなる金１ｍＦ
ｙ１．Ａを通って流れる電流Ｉが、急激に小になる時点
までなしたことを除いては、」一連した本発明の実施例
１−３への場合と同様の工程をとって、パターン化され
たＡ１層でなる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−３Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
ザイドエツヂングｍが略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層／ＩＢに対して、」〕述した本発明の実
施例１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、−に連
した本発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化
された導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Δ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したようにｊｑられたこ
とにより、絶縁性基板３−１−に、パターン化された金
属１７Ａとパターン化された導電ｆ１層７Ｂとがそれら
の順とは逆の順に積層されている、目的とするパターン
化された導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零
であるものとして形成された。

実施例１−７１Ａ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４Ａと、
パターン化されるべき導電性１４Ｂとがそれらの順とは
逆の順に形成され、その金属層４Ａ上にパターン化され
たマスク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用い
る電解液１１を、５〜４０％濃度の塩酸（ＨＣＩ　）を
溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては
、上述した本発明の実施例１−１への場合と同様の電解
エツチングを、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合
系同様になして、パターン化されたＡ１層でなる金属層
７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を２００．０　ｍＡとし、
従ってＡ１層でなる金属層４Δに通ずる電流密度を、５
．０（＝　２００．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　　）ｍ
Ａ／　ｃｍ’　とした。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１への場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７△が、
サイドエツチング量が略々零であるものどじて形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Δの場合と同様のパターン化された
１ｊ導電性７Ｂを１１だ。

然るときは、パターン化された金属ｉ７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
、により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層
７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例１−４Ｂ 上述した本発明の実施例１−４への場合における、金属
層／ＩＡに対して電解エツチングを行う工程で用いる直
流電源１／Ｉを、直流定電圧源とし、これに応じて電解
エツチングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って
流れる電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを
除いては、上述した本発明の実施例１−／ＩＡの場合と
同様の工程をとって、パターン化されたＡ１層でなる金
属層７Δを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−４への場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Δが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように１ｑられたこ
とにより、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層
７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的と覆るパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチングｍが略々零である
・ｂのとして形成された。

実施例１−５へ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上に、パターン化されるべきＡ１層でなる金属層４Ａと
、パターン化されるべき上述した実施例１−１Ａの場合
と同様の導電性層／Ｉ１３どがそれらの順とは逆の順に
積層して形成され、その金属層４Ａ上にパターン化され
たマスク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合にお（）
る、金属層４Ａに対する電解エツチングを行う■稈で用
いる電解液１１を、１０〜５０％濃度の水酸化カリウム
（Ｋ　Ｏｌ−１）を溶質とした水溶液でなるものに変更
したことを除いては、上述した本発明の実施例１−１Ａ
の場合と同様の電解エツチングを、上述した本発明の実
施例１−１への場合と同様になして、パターン化された
Ａ１層でなる金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を１６０．０　ｍＡとし、
従ってアルミニウム層４に通ずる電流密度を、４，０（
＝　１６０．０ｍ　Ａ／４０．Ｏｃｎ＋’　）　　ｍＡ
／　ｃｍ’　とした。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１△の場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂ＠得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例１−５Ｂ 上述した本発明の実施例１−５Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れ
る電流■が、急激に小になる時点までな、したことを除
いては、上述した本発明の実施例１−５Ａの場合と同様
の工程をとって、パターン化されたＡ１層でなる金属層
７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−５Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合とＪｕｌ様のパターン化さ
れた導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７［３とがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例１−６Ａ 上述した実施例１−１への揚台と同様の絶縁性基板３上
に、パターン化されるべきＡ１層でなる金属層４Ａと、
パターン化されるべき上述した実施例１−１Ａの場合と
同様の導電性層４１３とがそれらの順とは逆の順に積層
して形成され、その金属層４Ａ上にパターン化されたマ
スク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−１への場合における
、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用い
る電解液１１を、１０〜５０％濃度の水酸化ナトリウム
（Ｎａ　ＯＨ）を溶質とした水溶液でなるものに変更し
たことを除いては、上述した本発明の実施例１−１Ａの
場合と同様の電解エツチングを、」一連した本発明の実
施例１−１への場合と同様になして、パターン化された
Ａｌ１ｇでなる金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を１８０．ＯｍＡとし、従
ってアルミニウム層４に通ずる電流密度を、４．５（＝
　１８０．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｎ＋’　）　　ＩＩＩ
Ａ／　ｃｎ＋’　とした。

然るときは、上述した本発明による実施例１−１Ａの場
合と同様に、パターン化された金属層７Ａが、サイドエ
ツチング量が略々零であるものとして形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例１−６Ｂ 上述した本発明の実施例１−６への場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れ
る電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例１−６Ａの場合と同様の
■稈をとって、パターン化されたＡ１層でなる金属層７
△を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−６Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属１７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例２−１△ 上述した本発明の実施例１−１八における基板体６の金
属層４△を、Ａｌ−３上合金層に変更したことを除いて
は、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の基
板体６を得た。

次に、Ａｌ−３上合金層でなる金属層４Ａに対し、上述
した本発明の実施例１−１への場合と同様の電解エツチ
ングを、上述した本発明の実施例１−１への場合と同様
になして、パターン化されたＡｌ−３上合金層でなる金
属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−１△の場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８１合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７△及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例２−１Ｂ 上述した本発明の実施例２−１への場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４△を通って流れ
る電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の
工程をとって、パターン化されたＡ１−８上合金層でな
る金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−１への場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８１合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例２−２Ａ 上述した本発明の実施例２−１Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる電解
液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でなる燐酸
と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸とを溶質
とした水溶液でなるものに変更したことを除いては、上
述した本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の電解エツ
チングを、上述した本発明の実施例２−１への場合と同
様になして、パターン化されたＡｌ−８上合金層でなる
金属層７△を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８上合金層でなる金
属層７Δが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁ｆ１１基板３上に、パターン化された金属
層７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順
とは逆の順に積層されている、目的とするパターン化さ
れた導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例２−２Ｂ 上述した本発明の実施例２−２Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れ
る電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例２−２への場合と同様の
工程をとって、パターン化されたΔ１−３ｉ合金層でな
る金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−２への場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
）り電性層７Ｂを１ｑた。

然るときは、パターン化された金属層７Δ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３−１に、パターン化された金属層
７△とパターン化されたｉ＃電性層７Ｂとがそれらの順
どは逆の順に積層されている、目的とするパターン化さ
れた導電性層１０が、サイドエツチング（Ｈが略々零で
あるものとして形成された。

実施例２−３Δ 上述した本発明の実施例２−１への場合における、金属
Ｆ、□ｉ　４　Ａに対して電解エツチングを行う工程で
用いる電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部
でなる燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝
酸と、９６％淵度の酢酸液の１容石部でなる酢酸とを溶
質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては、
上述した本発明の実施例２−１への場合と同様の電解エ
ツチングを、上述した本発明の実施例２−１への場合と
同様になして、パターン化されたＡｌ−３ｉ合金層でな
る金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−１への場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性１ｉ５７Ｂとがそれらの順
とは逆の順に積層されている、目的とするパターン化さ
れた導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例２−３Ｂ 上述した本発明の実施例２−３への場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れ
る電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例２−３への場合と同様の
工程をとって、パターン化されたΔ１−８ｉ合金層でな
る金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−３への場合と
同様に、パターン化された△１−８ｉ合金層でなる金属
層７Ａが、１ナイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属＠７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金ｆｉ層
７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例３−１Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａにおける基板体６の金
属層４Ａを、Ａｌ−Ｃｕ合金層に変更したことを除いて
は、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の基
板体６を得た。

次に、ＡＩ−ＣＩＪ合金層でなる金属層４Ａに対し、上
述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解エツ
チングを、上述した本発明の実施例１−１への場合と同
様になして、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でなる
金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を２４０．０ｍＡとし、従
ってＡｌ−Ｃｕ合金層でなる金属層４Ａに通ずる電流密
度を、６．０（−２４０，０ｍ　Ａ／４０．Ｏｃｍ’　
）　ｍ　Ａ／ｃｎ＋’　とした。

しかるときは、上述した本発明の実施例１＝１への場合
と同様に、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性１１７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７１３とがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例３−１Ｂ ６３− 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合における、金１
１１１４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる
直流電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解
エツチングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って
流れる電流■が、急激に小になる時点までなしたことを
除いては、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同
様の■稈をとって、パターン化されたＡ１−Ａ１合金層
でなる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−ＣＵ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属［７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述した６４− ように得られたことにより、絶縁性基板３上に、パター
ン化された金属層７Δとパターン化された導電性層７Ｂ
とがそれらの順とは逆の順に積層されている、目的とす
るパターン化された導電性層１０が、サイドエツチング
量が略々零であるものとして形成された。

実施例３−２Ａ 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合における、金属
層／ＩＡに対して電解エツチングを行う工程で用いる電
解液１１を、８５％漠度の燐酸液の１６容量部でなる燐
酸と、６０％漠度の硝酸液の１容量部でなる硝酸とを溶
質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては、
上述した本発明の実施例３−１への場合と同様の電解エ
ツチングを、上述した本発明の実施例３−ＩＡの場合と
同様になして、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でな
る金属層７Δを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−ＣＵ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属ＦＷ７Ａ及びパター
ン化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこ
とにより、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層
７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例３−２Ｂ 上述した本発明の実施例３−２Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを通って流れ
る電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例３−２への場合と同様の
工程をとって、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でな
る金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−２への場合と
同様に、Ａｌ−Ｃ１１合金層でなる金属層７Ａが、サイ
ドエツチング量が銘々零であるものとして形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−ＩＡの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
にＪ：す、絶縁子１基板３上に、パターン化された金属
層７Ａとパターン化されたＳ電性層７Ｂとがそれらの順
とは逆の順に積層されている、目的とするパターン化さ
れた導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例３−３Ａ 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合における、金属
層４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用いる電解
液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でなる燐酸
と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、９６
％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質とした水
溶液でなるものに変更したことを除いては、上述した本
発明の実施例３−１への場合と同様の電解エツチングを
、上述した本発明の実施例３−ＩＡの場合と同様になし
て、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でなる金Ｒ層７
Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−１への場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−ＣＵ合金層でなる金
属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１への場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７△及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例３−３Ｂ 上述した本発明の実施例３−３への場合における、金属
層４Ａに対して行う工程で用いる直流型［１４を、直流
定電圧源とし、これに応じて電解エツチングを、直流定
電圧源から、金属層４Ａを通って流れる電流Ｉが、急激
に小になる時点までなしたことを除いては、上述した本
発明の実施例３−３Ａの場合と同様の工程をとって、パ
ターン化されたＡＩ　Ｃ１１合金層でなる金属層７Ａを
得た。

然るときは、上ｊホした本発明の実施例３−３への場合
と同様に、Ａｌ−Ｃｕ合金層でなる金属層７Ａが、サイ
ドエツチング量が略々零であるものとして形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性ＦＢ７Ｂが、上述したように得られたこ
とにより、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層
７Ａとパターン化された導電性■７Ｂとがそれらの順と
は逆の順に積層されている、目的とするパターン化され
た導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例４Ａ 上述した実施例１−１Δの場合と同様の絶縁性基板３上
に、パターン化されるべきＣＩＪ層でなる金属層４Ａと
、Ｐｔ　Ｓｉ　、Ｗ、Ｔｔ　、ｐｔ、多結晶３ｉ及び非
晶質３ｉ中から選ばれた１つでなる導電性層／ＩＢとが
、それらの順とは逆の順【こ積層して形成され、その金
属層４Ａ十にパターン化されたマスク層５が形成されて
いる基板体６を（ｑた。

次に、上述した本発明の実施例１−１への場合における
、金属１１４Ａに対して電解エツチングを行う工程で用
いる電解′ａ１１を、４０〜５９％濶度の硫酸を溶質と
した水溶液でなるものに変更したことを除いては、上述
した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解エツチ
ングを、上述した本発明の実施例１−１への場合と同様
になして、パターン化されたＣｕＢ１″なる金属層７Ａ
を得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を１６０．ＯｖａＡとし、
従ってＣｕ層でなる金属層４Ａに通ずる電流密度を、４
．０　（＝　１６０．０ｍＡ／　１１０．ＱＣ（Ｉ＋’
　　）ＩｌｌＡｌｏ「　とじた。

７１− 然るときは、上述した本発明の実施例１−１への場合と
同様に、パターン化されたＣｕ層でなる金属層７Ａが、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明の実施例
１−１Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及びパターン
化された導電性層７Ｂが、上述したように得られたこと
により、絶縁性基板３上に、パターン化された金属層７
Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆の順に積層されている、目的とするパターン化された
導電性層１０が、サイドエツチング量が略々零であるも
のとして形成された。

実施例４Ｂ 上述した本発明の実施例４Ａの場合における、金属層４
Ａに対して電解エツチングを行う工程７２− で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、これに応
じて電解エツチングを、直流定電圧源から、金属層４Ａ
を通って流れる電流ｌが、急激に小になる時点までなし
たことを除いては、上述した本発明の実施例４Ａの場合
と同様の工程をとって、パターン化されたＣｔ＋層でな
る金属層７Δを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例４の場合と同様に
、パターン化されたＣｕ層でなる金属層７Ａが、サイド
エツチング量が略々零であるものとして形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、−に連した本発明の実施
例１−１への場合と同様のエツチングを行い、上述した
本発明の実施例１−１Ａの場合と同様のパターン化され
た導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化された金ＩＦｆｉＰ７Δ及びパ
ターン化された導電性層７Ｂが、上述したように１９ら
れたことにより、絶縁性基板３」−に、パターン化され
た金属層７Ａとパターン化された導電性層７Ｂとがそれ
らの順とは逆の順に積層されている、目的とするパター
ン化された導電性層１０が、サイドエツチング量が略々
零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ、Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
導電性層を形成する方法の説明に供する、パターン化さ
れるべき金属層上に、パターン化されたマスク層を形成
する順次の工程における、路線的断面図である。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べき金属層に対する電解エツチングによって、パターン
化された金属層を形成する工程を示す、路線図である。 第３図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べき金属層に対する電解エツチングによって、パターン
化された金属層を形成する■稈における、路線的断面図
である。 第４図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、直流定電流源でな
る直流電源を用いたパターン化されるべき金属層に対す
る電解エツチングによって、パターン化された金属層を
形成する■稈における、時間ｔ　（分）に対する、基板
体における陽極としての金属層と、これに対する陰極電
極との間の電圧Ｖ（ボルト）の関係を示す図である。 第５図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、直流定電圧源でな
る直流電源を用いたパターン化されるべき金属層に対す
る電解エツチングによって、パターン化された金属層を
形成する工程における、時間ｔ　（分）に対する、直流
定電圧源から、基板体における陽極としての金属層を通
って流れる電流１（ｎ＋Ａ）の関係を示す図である。 第６図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べき金属層に対する電解エツチングによって、パターン
化された金属層を形成する工程における、電解液の温度
Ｔ（’Ｃ）をパラメータとした、電流密度Ｊ　（ｆｆ１
Ａ／ｃｍ’　）に対する、本発明によって形成されるパ
ターン化された金属層のサイドエツチングＭＹ（μｍ）
の関係を示す図である。 第７図は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べき金属層に対する電解エツチングによって、パターン
化された金属層を形成する工程における、本発明によっ
て形成されるパターン化された金属層のサイドエツチン
グｆｉＹが零となるときの、電解液の温度Ｔ（’Ｃ）に
対する、電流密度Ｊ　（ＩＩＩ　Ａ１０１１１’　）の
関係を示す図である。 第８図は、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法の説明に供する、パターン化されるべき金属
層に対する電解エツチングによって形成された、パター
ン化された金属層の一例を示す路線的断面図である。 第９図は、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法の説明に供する、パターン化されるべき導電
性層に対するエツチングによって、パターン化された導
電性層を形成する工程を示す、路線的断面図である。 第１０図は、同様に、本発明によるパターン化された導
電性層を形成する方法の説明に供する、パターン化され
るべき導電性層に対するエツチングによって、パターン
化された導電性層を形成する工程を示す、路線的断面図
である。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・絶縁層３・・・・・・・・・・・・
・・・絶縁性基板４Ａ・・・・・・・・・・・・パター
ン化されるべき金属層 ４Ｂ・・・・・・川・・・パターン化されるべき導電性
層 ５・・・・・・・・・・・・・・・パターン化されたマ
スク層６・・・・・・・・・・・・・・・基板体７Ａ・
・・・・・・・・・・・パターン化された金属層７Ｂ・
・・・・・・・・・・・パターン化された導電性層１０
・・・・・・・・・・・・・・・パターン化された導電
性層１１・・・・・・・・・・・・・・・電解液１２・
・・・・・・・・・・・・・・槽１３・・・・・・・・
・・・・・・・電極１４・・・・・・・・・・・・・・
・直流電源１５・・・・・・・・・・・・・・・電圧計
１６・・・・・・・・・・・・・・・電流計出願人　　
東京電気化学工業株式会社 ７９− 第１図 第８図 第９図 第１０ス

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁ｆｌ′基板上に、パターン化されるべき金属層
   と、該金属層とは異なる材Ｆ１でなるパターン化される
   べき導電性層とを、それらの順とは逆の順に積層して形
   成し、次に、上記金属層上にパターン化されたマスク層
   を形成し、次に、上記金属層に対する、上記マスク層を
   マスクとした電解エツチングを行うことによって、上記
   金属層から、パターン化された金属層を形成し、然る優
   、上記導電性層に対する、上記マスク層または上記パタ
   ーン化された金属層をマスクとした上記電解エツチング
   以外の他のエツチングを行うことによって、上記導電性
   層から、パターン化された導電性層を形成し、よって、
   上記絶縁性基板上に、パターン化された金属層と、パタ
   ーン化された導電性層とがそれらの順とは逆の順に積層
   されているパターン化された導電性層を形成することを
   特徴とするパターン化された導電性層を形成する方法。 ２、絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層と、該
   金属層とは異なる材料でなるパターン化されるべき導電
   性層とを、それらの順とは逆の順に積層して形成し、次
   に、上記金属層上にパターン化されたマスク層を形成し
   、次に、上記金属層に対する、上記マスク層をマスクと
   した電解エツチングを、上記金属層を陽極とし、該陽極
   としての金属層とこれに対する陰極電極との間に直流定
   電流源を接続して、上記陽極としての金属層と上記陰極
   電極との門の電圧が、急激に大になる時点まで行うこと
   によって、上記金属層から、パターン化された金属層を
   形成し、然る後、上記導電性層に対する、上記マスク層
   または上記パターン化された金属層をマスクとした上記
   電解エツチング以外の他のエツチングを行うことによっ
   て、上記導電性層から、パターン化された導電性層を形
   成し、よって、上記絶縁性基板上に、パターン化された
   金属層と、パターン化された導電性層とがそれらの順と
   は逆の順に積層されているパターン化された導電性層を
   形成することを特徴とするパターン化された導電性層を
   形成する方法。 ３、絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層と、該
   金属層とは異なる材料でなるパターン化されるべき導電
   性層とを、それらの順とは逆の順に積層して形成し、次
   に、上記金属層上にパターン化されたマスク層を形成し
   、次に、上記金属層に対する、上記マスク層をマスクと
   した電解エツチングを、上記金属層を陽極とし、該陽極
   としての金属層とこれに対する陰極電極との間に直流定
   電圧源を接続して、上記直流定電圧源から上記陽極とし
   ての金属層を通って流れる電流が、急激に小になる時点
   まで行うことによって、上記金属層から、パターン化さ
   れた金属層を形成し、然る後、上記導電性層に対する、
   上記マスク層または上記パターン化された金属層をマス
   クとした−に記″ｆｆｉ解エツチング以外の伯のエツチ
   ングを行うことによって、上記導電性層から、パターン
   化された導電性層を形成し、よって、上記絶縁性基板上
   に、パターン化された金属層と、パターン化された導電
   性層とがそれらの順とは逆の順に積層されているパター
   ン化された導電性層を形成することを特徴とするパター
   ン化された導電性層を形成する方法。