JPS5914337U - 電力用半導体装置 - Google Patents

電力用半導体装置

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JPS5914337U
JPS5914337U JP1982109651U JP10965182U JPS5914337U JP S5914337 U JPS5914337 U JP S5914337U JP 1982109651 U JP1982109651 U JP 1982109651U JP 10965182 U JP10965182 U JP 10965182U JP S5914337 U JPS5914337 U JP S5914337U
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JP
Japan
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semiconductor pellet
temperature compensating
compensating plate
semiconductor
power semiconductor
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Pending
Application number
JP1982109651U
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Inventor
敏夫 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS5914337U publication Critical patent/JPS5914337U/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の構成を示す断面図、第２図
はこの考案に係る半導体装置の一実施例の□断面図、第
３図および第４図はそれぞれこの考案の他の実施例の断
面図である。 １０・・・半導体ペレット、１２．４０．５０゜６０・
・・温度補償板、１４・・・カソード用電極、１６゜１
Ｂ、　　４２．　４４・・・傾斜端面、２０・・・ゲー
トリード、４６．４８・・・絶縁被覆層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 少なくともアノード、ゲートおよびカソードを有する半
    導体素子から成る半導体ペレットと、この半導体ペレッ
    トのアノードと電気的に接続されると共にこの半導体ペ
    レットを載置固着した導電性の温度補償板と、この温度
    補償板が接続された面とは反対側の前記半導体ペレット
    面に離間して設けたゲート電極用リードおよびカソード
    電極とを具え、前記温度補償板の端面部に傾斜面を形成
    し、前記半導体ペレット面の周縁部から前記温度補償板
    の端面部まで電気絶縁層で被覆したことを特徴とする電
    力用半導体装置。
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