JPS59145778A - 光化学蒸着装置 - Google Patents
光化学蒸着装置Info
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- JPS59145778A JPS59145778A JP1877883A JP1877883A JPS59145778A JP S59145778 A JPS59145778 A JP S59145778A JP 1877883 A JP1877883 A JP 1877883A JP 1877883 A JP1877883 A JP 1877883A JP S59145778 A JPS59145778 A JP S59145778A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学反応生成物を基板上に蒸漕させる装置に
関するものである。
関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽ＳＬ池などに使用
されるアモルファスンリコンの蒸着膜の形成方法が研究
されている。１だ、他方で一各ｍσ′・絶縁膜や保ＦＩ
ｔｉ！膜の形成にも蒸着方法が利用１ね、用途によって
は種々の蒸着方法が提案てれているが、このなかで４光
化学反応を利用した光化学蒸着装置は被膜形成速度が著
Ｌ〈早く、大面積部分にも均一な被膜を形成できるなど
の利点を有Ｌ１最近特に注目を集めている。
されるアモルファスンリコンの蒸着膜の形成方法が研究
されている。１だ、他方で一各ｍσ′・絶縁膜や保ＦＩ
ｔｉ！膜の形成にも蒸着方法が利用１ね、用途によって
は種々の蒸着方法が提案てれているが、このなかで４光
化学反応を利用した光化学蒸着装置は被膜形成速度が著
Ｌ〈早く、大面積部分にも均一な被膜を形成できるなど
の利点を有Ｌ１最近特に注目を集めている。
従来の光化学反応を利用した化学蒸着方法は、紫外猫を
よく透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外力）ら、紫外線ラングで旨該ガスを
光化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめ
るものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、
反応生成物が容器の内壁にも蒸着してＬｌい、紫外線の
透過を大きく阻害する欠点かあることが分った。
よく透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外力）ら、紫外線ラングで旨該ガスを
光化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめ
るものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、
反応生成物が容器の内壁にも蒸着してＬｌい、紫外線の
透過を大きく阻害する欠点かあることが分った。
そこで、光度応性ガスの通路であり、かつ基板が配置さ
れる反応空間と、この光反応性ガスに光化学反応を生起
せしめる紫外線全グラズマ放電により発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲み、プラズマと基板との間に隔
壁金膜けない、いわゆる放′眠内蔵型光化学蒸着装置が
研究開発をハ２ている。
れる反応空間と、この光反応性ガスに光化学反応を生起
せしめる紫外線全グラズマ放電により発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲み、プラズマと基板との間に隔
壁金膜けない、いわゆる放′眠内蔵型光化学蒸着装置が
研究開発をハ２ている。
ところで蒸着膜の形成速度は紫外線量が多いほど速くな
り、そして発生する紫外線量は電極への入力電力に比例
する。従って蒸着ｊ漠の形成速度向上の要Ｎ？、 ７１
１−ら［極への入力電力が大きくさ引るが、したし陰極
の電流密度が大きくなると陰極が横傷を受け、著しく劣
化する問題点があり、入力知力を大さくすることには限
界力・あった。
り、そして発生する紫外線量は電極への入力電力に比例
する。従って蒸着ｊ漠の形成速度向上の要Ｎ？、 ７１
１−ら［極への入力電力が大きくさ引るが、したし陰極
の電流密度が大きくなると陰極が横傷を受け、著しく劣
化する問題点があり、入力知力を大さくすることには限
界力・あった。
そして、この放電内蔵型ブＣ化学蒸着装置は基板を底部
に配置し、放電用電極を放電空間に同けて水平方向に配
役Ｌ１ プラズマを水平力向に発生させていた。Ｌカ・
Ｌ電極間で放を烙するプラズマは王として放電方向に対
して直角方向に拡散し１この拡散したプラズマが下方に
配置芒れた基板の蒸着膜に損傷を与える恐わがあり、こ
れを防止するためにはプラズマ中のイオンや電子の平均
自由行租工り遠い位置に基板を置く必要がある。そして
一方では、基板に照射でれる紫外線強度を大きくして効
寓を上げるために基板をできるだけ光源部に近づけなけ
ればならない。従ってイオンや電子の平均自由行程エリ
遠い位置に基板を騰いたのでは効率が低下し、十分な蒸
着膜形成速度を得ることができない不具合があった。
に配置し、放電用電極を放電空間に同けて水平方向に配
役Ｌ１ プラズマを水平力向に発生させていた。Ｌカ・
Ｌ電極間で放を烙するプラズマは王として放電方向に対
して直角方向に拡散し１この拡散したプラズマが下方に
配置芒れた基板の蒸着膜に損傷を与える恐わがあり、こ
れを防止するためにはプラズマ中のイオンや電子の平均
自由行租工り遠い位置に基板を置く必要がある。そして
一方では、基板に照射でれる紫外線強度を大きくして効
寓を上げるために基板をできるだけ光源部に近づけなけ
ればならない。従ってイオンや電子の平均自由行程エリ
遠い位置に基板を騰いたのでは効率が低下し、十分な蒸
着膜形成速度を得ることができない不具合があった。
そこで本発明はこれらの春情に力為んがみてなされたも
のであり、簡単な構成で大電力を入力すること全可能と
し、かつプラズマの基板力量への拡散を防止して基板を
光源部に接近させることを可能として効率よく蒸着膜を
形成できる放′ｔＩＬ内蔵型の元化学蒸層装置Ｉｖを提
供することを目的とする。
のであり、簡単な構成で大電力を入力すること全可能と
し、かつプラズマの基板力量への拡散を防止して基板を
光源部に接近させることを可能として効率よく蒸着膜を
形成できる放′ｔＩＬ内蔵型の元化学蒸層装置Ｉｖを提
供することを目的とする。
そしてその構成は、被処理である基板が配置される反応
空間と、光反応性ガスに光化学反応を生起せしめる紫外
線をプラズマ放電にエリ発生させる放電空間とを同一容
器で取り囲み、放′観を間の基板に近い側の容器側壁に
複数個の陰極を円周状に、基板に遠い（ｉｌ＋の放電空
間の中心に陽極をそ力ぞ名配設し、円錐状にプラズマ放
電させることを特徴とする。
空間と、光反応性ガスに光化学反応を生起せしめる紫外
線をプラズマ放電にエリ発生させる放電空間とを同一容
器で取り囲み、放′観を間の基板に近い側の容器側壁に
複数個の陰極を円周状に、基板に遠い（ｉｌ＋の放電空
間の中心に陽極をそ力ぞ名配設し、円錐状にプラズマ放
電させることを特徴とする。
以下に図面に示す実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
容器１は略円筒状であ會′〕、側壁下一方には放電用ガ
スと光反応性ガスが供給される供給孔１１か、上あの側
壁にはこれらのガスが排出はね、る祠゛出孔１２が設け
られ、頂部にはヒーター′？：内肘した試別支持具１３
が配設嘔れている。そして図示略Ｃ）開閉口より出し入
ねされる被処理ｌ物である基＄２４が試料支持具１３圭
に支持されるがこの下部の空間が反応空間５を構成して
いる。この反応空１０１５の下方がプラズマ放電か行れ
る放電空間３であり、内空１ｕ３３ 、５の間にはｈ英
ガラスなどの隔壁は設けられていない。そして容器１の
底面中央には半球状の大きな陽極６が配設され、雨空曲
３．５の坊界に相当する容器１の側壁にけに・数の陰棲
７カ・円周状に配設埒ねでいる。こ力らの陰４Ｎ７Ｈタ
ングステンａｆ密にコイル状に巻回したものを再度粗く
コイル状に巻回【−たものであり、電子放射を良好にす
るためにペースト状のアルカリ土類金属酸化物が塗布感
ねでいる。
スと光反応性ガスが供給される供給孔１１か、上あの側
壁にはこれらのガスが排出はね、る祠゛出孔１２が設け
られ、頂部にはヒーター′？：内肘した試別支持具１３
が配設嘔れている。そして図示略Ｃ）開閉口より出し入
ねされる被処理ｌ物である基＄２４が試料支持具１３圭
に支持されるがこの下部の空間が反応空間５を構成して
いる。この反応空１０１５の下方がプラズマ放電か行れ
る放電空間３であり、内空１ｕ３３ 、５の間にはｈ英
ガラスなどの隔壁は設けられていない。そして容器１の
底面中央には半球状の大きな陽極６が配設され、雨空曲
３．５の坊界に相当する容器１の側壁にけに・数の陰棲
７カ・円周状に配設埒ねでいる。こ力らの陰４Ｎ７Ｈタ
ングステンａｆ密にコイル状に巻回したものを再度粗く
コイル状に巻回【−たものであり、電子放射を良好にす
るためにペースト状のアルカリ土類金属酸化物が塗布感
ねでいる。
而して両Ｗ、ｆｆ１６．７間に電圧を印加すると手直方
向に円錐状にプラズマ放電か行ね、発生した紫外線は上
方の基板４に照射されるが、この装置を用いた蒸着例を
示すと、反応空間５に流１す光イヒ学反応ガスの構成は
、キャリアーガスとしてアルゴン５ ｍｎＨｇ、光増感
剤として７３＼＠ ３ｘ １０ ｔａｎｋ−ｋｇ、分解
蒸着用ガスとして四水素化辻素０ 、３ ｍｍ’Ｈｇの
混合ガス力・ら成り、放電用ガスとして８宵冨進のアル
ボ７、！ｌ：２Ｘ１０闘１（ｇの水銀の混合ガスを供給
する。
向に円錐状にプラズマ放電か行ね、発生した紫外線は上
方の基板４に照射されるが、この装置を用いた蒸着例を
示すと、反応空間５に流１す光イヒ学反応ガスの構成は
、キャリアーガスとしてアルゴン５ ｍｎＨｇ、光増感
剤として７３＼＠ ３ｘ １０ ｔａｎｋ−ｋｇ、分解
蒸着用ガスとして四水素化辻素０ 、３ ｍｍ’Ｈｇの
混合ガス力・ら成り、放電用ガスとして８宵冨進のアル
ボ７、！ｌ：２Ｘ１０闘１（ｇの水銀の混合ガスを供給
する。
基板４は約１５０℃に加熱されたアルミナ板であり、電
圧１００ｖ寛流１６Ａで放を空間３に放電させるとアル
ゴンと水銀の放ｉｌＬη為らＣ）紫外縁で四水素化９ｍ
が光分解し、アモルファスの珪素が基板４上に蒸着はわ
Ｚ・。
圧１００ｖ寛流１６Ａで放を空間３に放電させるとアル
ゴンと水銀の放ｉｌＬη為らＣ）紫外縁で四水素化９ｍ
が光分解し、アモルファスの珪素が基板４上に蒸着はわ
Ｚ・。
７！：お、他の実施例として放電空間３を上方にし、基
板４を下方に配置してもよい。
板４を下方に配置してもよい。
ここで貫要なことは多数の１奪極７が同一円周状に配役
されてプラズマ放電が垂直方向に円錐状で行ねることで
ある。従って大電力を入力はせても陰偽７が多数個η為
ら成っているため１憔極７の市−流９Ｍ度が過大になら
ず、損４％を受けることがないので大葉の紫外線を発生
させることができる。そしてプラズマは放電方向に対し
て直角方向、卸ち水平方向に拡散するが、基板４か配＋
ｔａわでいる上方にはほとんど拡散せず、基板４を放電
空間３に近接プせてもプラズマのイオンや電子によって
蒸着膜が損傷されることがない。ぼた、陰＠Ａ’ｔが円
周状となっているので紫外）糊はその円周Ｐ９をガリ過
し、陰極７により妨げられることがない。次に、紫外線
の発生ｔはプラズマの厚さが大きいほど大ために、基板
４が配置さｈている上方力・ら坪、ると両電極６，７間
距離がプラズマの厚さとなり、従来の水平方向に放電す
るものに比べてプラズマが厚く、このため下方に向けて
照射される紫外Ｍｌｌ）が多くなる。従って、大電力を
入力することが可能であり、かつ基板４を放電空間３に
近接して配置することが可能であるので大葉の紫外線が
基板４に有効に照射で台、蒸着膜形成速度を著しく大き
くすることができる。
されてプラズマ放電が垂直方向に円錐状で行ねることで
ある。従って大電力を入力はせても陰偽７が多数個η為
ら成っているため１憔極７の市−流９Ｍ度が過大になら
ず、損４％を受けることがないので大葉の紫外線を発生
させることができる。そしてプラズマは放電方向に対し
て直角方向、卸ち水平方向に拡散するが、基板４か配＋
ｔａわでいる上方にはほとんど拡散せず、基板４を放電
空間３に近接プせてもプラズマのイオンや電子によって
蒸着膜が損傷されることがない。ぼた、陰＠Ａ’ｔが円
周状となっているので紫外）糊はその円周Ｐ９をガリ過
し、陰極７により妨げられることがない。次に、紫外線
の発生ｔはプラズマの厚さが大きいほど大ために、基板
４が配置さｈている上方力・ら坪、ると両電極６，７間
距離がプラズマの厚さとなり、従来の水平方向に放電す
るものに比べてプラズマが厚く、このため下方に向けて
照射される紫外Ｍｌｌ）が多くなる。従って、大電力を
入力することが可能であり、かつ基板４を放電空間３に
近接して配置することが可能であるので大葉の紫外線が
基板４に有効に照射で台、蒸着膜形成速度を著しく大き
くすることができる。
以上四明したように、本発明は放電空間の基板に近い１
−リの容器側壁ＫＷ数個の陰極を１周状に、基板に遠い
側の放電空間の中心に陽極をそれぞれ配設したので、簡
ｑＬな構成で大電力を入力することが可能とｊす、かつ
プラズマの基板方向への拡散を防止Ｌ″′Ｃ基板全基板
全光接部させることが可能となるので、動量よ〈蒸着膜
を形成できる放電内蔵型の光化学蒸眉装置を提供するこ
とができる６、
−リの容器側壁ＫＷ数個の陰極を１周状に、基板に遠い
側の放電空間の中心に陽極をそれぞれ配設したので、簡
ｑＬな構成で大電力を入力することが可能とｊす、かつ
プラズマの基板方向への拡散を防止Ｌ″′Ｃ基板全基板
全光接部させることが可能となるので、動量よ〈蒸着膜
を形成できる放電内蔵型の光化学蒸眉装置を提供するこ
とができる６、
筆１図（社）本発明＠雄側の縦断面図、第２図は同じく
横断面図Ｔ″ある。 １・・・容器 ３・・・放電空間 ４・・・基板５・・
・反応空間 ６・・・陽砂 ７・・・陰極出願人 ラン
第１ｉ機株式会仕 代理人 弁理士 田庁、寅之助 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５１３年 特許 願第 １８７７８号２、発明の名
称 光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏 名（名称）ククオ電機株式会社 代表者 湯 不 大 蔵 ４、代理人 ６ 補正により増加する発明の数７ｋＬ８ 補正の内容 別紙の遍９ 明Ｍ ＩＩ第６頁１７？’Ｔ目１７）ｒ［Ｅ１００Ｖ１
１ｆ流１６ＡＪ？「電圧６０Ｖ電流２０Ａ」に訂正する
。 以上
横断面図Ｔ″ある。 １・・・容器 ３・・・放電空間 ４・・・基板５・・
・反応空間 ６・・・陽砂 ７・・・陰極出願人 ラン
第１ｉ機株式会仕 代理人 弁理士 田庁、寅之助 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５１３年 特許 願第 １８７７８号２、発明の名
称 光化学蒸着装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏 名（名称）ククオ電機株式会社 代表者 湯 不 大 蔵 ４、代理人 ６ 補正により増加する発明の数７ｋＬ８ 補正の内容 別紙の遍９ 明Ｍ ＩＩ第６頁１７？’Ｔ目１７）ｒ［Ｅ１００Ｖ１
１ｆ流１６ＡＪ？「電圧６０Ｖ電流２０Ａ」に訂正する
。 以上
Claims (1)
- 被処理物である基板か配置される反応空間と、光反応性
ガスに光化学反応を生起せしめる紫外線をプラズマ放電
により発生はせる放電空間とを同−容器でＪ＄３２９囲
み、放電空間の基板に近い側の容器イρｉ壁に俤数個の
陰極を内周状に、基板に遠い側の放電空間の中心に陽極
をそわぞれ配設り１日錐状にグ２ズマ放電甥せることを
特徴とする光化学蒸沸装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1877883A JPS59145778A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
| US06/566,790 US4525381A (en) | 1983-02-09 | 1983-12-29 | Photochemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1877883A JPS59145778A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145778A true JPS59145778A (ja) | 1984-08-21 |
| JPS6150152B2 JPS6150152B2 (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=11981088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1877883A Granted JPS59145778A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145778A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156281A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159016A (en) * | 1981-03-26 | 1982-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of amorphous silicon film |
| JPS58176923A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Jeol Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS59126500A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-07-21 | ユニリ−バ−・ナ−ムロ−ゼ・ベンノ−トシヤ−プ | 洗剤組成物 |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP1877883A patent/JPS59145778A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159016A (en) * | 1981-03-26 | 1982-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of amorphous silicon film |
| JPS58176923A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Jeol Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS59126500A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-07-21 | ユニリ−バ−・ナ−ムロ−ゼ・ベンノ−トシヤ−プ | 洗剤組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156281A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150152B2 (ja) | 1986-11-01 |
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