JPS59147441A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS59147441A JPS59147441A JP58021010A JP2101083A JPS59147441A JP S59147441 A JPS59147441 A JP S59147441A JP 58021010 A JP58021010 A JP 58021010A JP 2101083 A JP2101083 A JP 2101083A JP S59147441 A JPS59147441 A JP S59147441A
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（、） 発明の技術分野
本発明は液相エピタキシャル成長方法の改良に関する。
（１）） 技術の１ｉＪ景
赤外線レーザ素子の形成用材料としては、一般に鉛−錫
一テルル（ｐｂｉ−、８ｎｘＴｏ）のようにエネルギー
ギャップの狭い化合物半導体結晶が用いられている。こ
のような結晶を素子形成に都合が良いように大面積で、
しかも薄層の状態で得るよう７にするには、比較的大面
積の単結晶が得やすいテルル他船（ＰｂＴｅ ）の単結
晶基板上にＰｂ１−！８ｎＸＴｅの結晶層を液相エビク
キシャル成長方法にて形成する方法がとられている。
一テルル（ｐｂｉ−、８ｎｘＴｏ）のようにエネルギー
ギャップの狭い化合物半導体結晶が用いられている。こ
のような結晶を素子形成に都合が良いように大面積で、
しかも薄層の状態で得るよう７にするには、比較的大面
積の単結晶が得やすいテルル他船（ＰｂＴｅ ）の単結
晶基板上にＰｂ１−！８ｎＸＴｅの結晶層を液相エビク
キシャル成長方法にて形成する方法がとられている。
（０） 従来技術と間粗点
このようなＰｂ１−．８ｎｘＴｏのエピタキシャル層を
ＰｂＴｅの基板上に液相エピタキシャル成長方法を用い
て形成する従来の方法について第１図、第２図、第３図
を用いながら説明する。
ＰｂＴｅの基板上に液相エピタキシャル成長方法を用い
て形成する従来の方法について第１図、第２図、第３図
を用いながら説明する。
まず第１図に示すように直方体形状のカーボンよりなる
支持台１に凹所２，３，４．５を設け、該凹１１５ｒ２
にＰｂＴｅの基板６をまた凹所３，４．５内に１ｊＰｂ
Ｔｅのタミー用薄板７，８．９を埋設する。−１該支持
台１上をスライドして移動し、直方体形状のカーボンよ
シなるスライド部材１０には貫通礼状の液だめ１１ 、
１２．１３を設け、液だめｌｌ内には基板上に形成すべ
き第１層のノ（ツ７ア層形成用拐刺０利ｂｌ 、 ５ｎ
ｘＴｅの材料１４を、液だめ１２内には第２層の活性層
形成用相粕のＰｂ１−ｘ、Ｓｎｘ朗 犬々Ｘ値の値が所望の値になるように鉛（ｐｂ）、錫（
８ｎ）、テルル（Ｔｅ）をそれぞれ秤匍して充填する。
支持台１に凹所２，３，４．５を設け、該凹１１５ｒ２
にＰｂＴｅの基板６をまた凹所３，４．５内に１ｊＰｂ
Ｔｅのタミー用薄板７，８．９を埋設する。−１該支持
台１上をスライドして移動し、直方体形状のカーボンよ
シなるスライド部材１０には貫通礼状の液だめ１１ 、
１２．１３を設け、液だめｌｌ内には基板上に形成すべ
き第１層のノ（ツ７ア層形成用拐刺０利ｂｌ 、 ５ｎ
ｘＴｅの材料１４を、液だめ１２内には第２層の活性層
形成用相粕のＰｂ１−ｘ、Ｓｎｘ朗 犬々Ｘ値の値が所望の値になるように鉛（ｐｂ）、錫（
８ｎ）、テルル（Ｔｅ）をそれぞれ秤匍して充填する。
その後支持台１とスライド部材１０とよりなる液相エピ
タキシャル成長用治共を水素（Ｈ２）カス雰囲気の反応
愉中に挿入し、該反応愉を加熱炉にて加熱する１、 その後スライド部材１０を矢印Ａ方向に移動させて、液
だめ１１をタミー薄板７上に、液だめ１２をグミー勤板
８上に、液だめ１３をタミー薄板９上に設置して、それ
ぞれの液だめ内の溶液中にタミー縛板中の成分を飽和さ
せる。第２図はこのように：／６＃中にタミー薄板中の
成分を飽和させる状りを示している。
タキシャル成長用治共を水素（Ｈ２）カス雰囲気の反応
愉中に挿入し、該反応愉を加熱炉にて加熱する１、 その後スライド部材１０を矢印Ａ方向に移動させて、液
だめ１１をタミー薄板７上に、液だめ１２をグミー勤板
８上に、液だめ１３をタミー薄板９上に設置して、それ
ぞれの液だめ内の溶液中にタミー縛板中の成分を飽和さ
せる。第２図はこのように：／６＃中にタミー薄板中の
成分を飽和させる状りを示している。
次にスライド部材１０を更に矢印Ａ方向に移動させて第
３図に示すように液だめ１．１ 、１２ 、１３内の溶
液をスライド部材１上に保って加熱炉の温度を低下せし
めて該溶液を過冷却の状態に保つ。この過冷却の状態は
液だめ内の飽和溶液が融点以下の温度に保たれているが
、まだ溶液から結晶が析出しない状態を示している。
３図に示すように液だめ１．１ 、１２ 、１３内の溶
液をスライド部材１上に保って加熱炉の温度を低下せし
めて該溶液を過冷却の状態に保つ。この過冷却の状態は
液だめ内の飽和溶液が融点以下の温度に保たれているが
、まだ溶液から結晶が析出しない状態を示している。
このようにした後、更にスライド部材１０を矢印へ方向
に移動させ基板６上に液だめ１１を設置して第１層のパ
ン７ア層のＰｂ１−ｘ ８ｎＸＴｅのエピタキシャル層
を形成する。次いで更にスライド部材１０を矢印Ａ方向
に移動させ、基板６上に液だめ１２を設置して第２層の
活性層のＰｂ１−ｘＳｎｘＴｅのエピタキシャル層を形
成する。次いで更にスライド部材１０を矢印Ａ方向に移
動させ、基板６上に液だめ１３を設置して第３に＋７）
に閉Ｉじ込め層のＰｂ１−エ５ｎｘＴｅのエピタキシャ
ル層を形成している。
に移動させ基板６上に液だめ１１を設置して第１層のパ
ン７ア層のＰｂ１−ｘ ８ｎＸＴｅのエピタキシャル層
を形成する。次いで更にスライド部材１０を矢印Ａ方向
に移動させ、基板６上に液だめ１２を設置して第２層の
活性層のＰｂ１−ｘＳｎｘＴｅのエピタキシャル層を形
成する。次いで更にスライド部材１０を矢印Ａ方向に移
動させ、基板６上に液だめ１３を設置して第３に＋７）
に閉Ｉじ込め層のＰｂ１−エ５ｎｘＴｅのエピタキシャ
ル層を形成している。
このように基板上に溶液を過冷却状態にしてからエピタ
キシャル成長すると基板とバッファ層との結晶界面や、
それぞれの結晶層の界面が平坦になり、このようにして
Ｉし成した材料を用いて素子を；し１祝すれば素子の特
性が向上するとされている。
キシャル成長すると基板とバッファ層との結晶界面や、
それぞれの結晶層の界面が平坦になり、このようにして
Ｉし成した材料を用いて素子を；し１祝すれば素子の特
性が向上するとされている。
ところで従来このようにに４液を過冷却の状態に保つの
は、加熱炉の温度を制御して行っていたか５このような
方法では溶液が過冷却状態を保っているか否かが判然と
せず、したがって形成されるエピタキシャル層の結晶界
ｉｆ＋ｉが平坦な状態を星しない欠点を生じている。
は、加熱炉の温度を制御して行っていたか５このような
方法では溶液が過冷却状態を保っているか否かが判然と
せず、したがって形成されるエピタキシャル層の結晶界
ｉｆ＋ｉが平坦な状態を星しない欠点を生じている。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、液だめ内の溶液が過冷
却状態になっているか否かを検出する方法を有し、もっ
て形成されるエピタキシャル層の成長界面が平坦な状飴
となるようにした新規な液相エピタキシャル成長方法の
提供を目的とするものである。
却状態になっているか否かを検出する方法を有し、もっ
て形成されるエピタキシャル層の成長界面が平坦な状飴
となるようにした新規な液相エピタキシャル成長方法の
提供を目的とするものである。
（ｅ） 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明の液相エピタキシャ
ル成長方法は、支持台に基板とダミー用薄板とを埋設し
、該支持台上を移動するスライド部材の液だめ内には基
板上に形成すべきエピタキシャル層形成桐料を収容し、
該エヒタキ／ヤル層形成材料を溶融後、該溶液にダミー
薄板中の成分を飽和させた後、基板上にユビクキシャル
層ヲ形成する液相エヒク片シャル成長方法において、前
記液だめ内の溶液を基板上に接触させる前に、当該溶液
中に冷却状態検知手段を浸漬し、その表面への結晶析出
の有無から冷却状態を確認するようにしたことを特徴と
するものである。
ル成長方法は、支持台に基板とダミー用薄板とを埋設し
、該支持台上を移動するスライド部材の液だめ内には基
板上に形成すべきエピタキシャル層形成桐料を収容し、
該エヒタキ／ヤル層形成材料を溶融後、該溶液にダミー
薄板中の成分を飽和させた後、基板上にユビクキシャル
層ヲ形成する液相エヒク片シャル成長方法において、前
記液だめ内の溶液を基板上に接触させる前に、当該溶液
中に冷却状態検知手段を浸漬し、その表面への結晶析出
の有無から冷却状態を確認するようにしたことを特徴と
するものである。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図曲全用いながらｉｌｌ細
に説明する。
に説明する。
第４図、第５図、第６図は本発明の液相エピタキシャル
成長方法の一実施例を説明するためのエピタキシャル成
長治具の断面図で、第７図は本発明の液相エピタキシャ
ル成長方法に用いる加熱炉の温度フロフィールを示す曲
線である。
成長方法の一実施例を説明するためのエピタキシャル成
長治具の断面図で、第７図は本発明の液相エピタキシャ
ル成長方法に用いる加熱炉の温度フロフィールを示す曲
線である。
まず第４図に示すように本発明の方法に用いる液相エピ
タキシャル成長治具においては、スライド部材２１を挾
むようにして石英よりなるスライド棒２２が設けられて
おり、該スライド棒２２には満を切ってカーボン片２３
、２４ 、２５が設置されている。そしてこれらのカ
ーボン片２３ 、２４ 、２５はスライド部材２１に設
けた液だめ２６ 、２７ 、２１’１内忙入り込むよう
になっている。そして液だめ２６内にはバッファ層形成
用のＰｔ）１−ｘＳｎＸＴｅの材料２９を、液だめ２７
内には活性層形成用のＰｂＩ−ｘａｎｘＴｅの材Ｐ１３
ｏを、液だめ２８内には閉じ込め層形成用のｐｂｌ−ｘ
ＩｌｌｎｘＴｏの桐ト１３１をそれぞれ充填する。
タキシャル成長治具においては、スライド部材２１を挾
むようにして石英よりなるスライド棒２２が設けられて
おり、該スライド棒２２には満を切ってカーボン片２３
、２４ 、２５が設置されている。そしてこれらのカ
ーボン片２３ 、２４ 、２５はスライド部材２１に設
けた液だめ２６ 、２７ 、２１’１内忙入り込むよう
になっている。そして液だめ２６内にはバッファ層形成
用のＰｔ）１−ｘＳｎＸＴｅの材料２９を、液だめ２７
内には活性層形成用のＰｂＩ−ｘａｎｘＴｅの材Ｐ１３
ｏを、液だめ２８内には閉じ込め層形成用のｐｂｌ−ｘ
ＩｌｌｎｘＴｏの桐ト１３１をそれぞれ充填する。
一方支持台３２に設けた凹所３３にはＰ’ｂＴｅの基板
３４を、凹所３５にはタミー用薄板３６を。
３４を、凹所３５にはタミー用薄板３６を。
凹所３７にはタミー用薄板３８を、凹所３９にはダミー
用ん＆４０をそれぞれ埋設゛する。
用ん＆４０をそれぞれ埋設゛する。
このようにしてスライド部材２１と支持台３２よりなる
エヒクキシャル成長治具をＨ２カス雰囲気中の反応物中
に挿入し、その後反応袈を例えば金（Ａ１＝）等を蒸上
したカラスにて形成した透明な加熱炉にて加熱して第６
図のＴ１の温良に加熱炉の温良を虚部する。
エヒクキシャル成長治具をＨ２カス雰囲気中の反応物中
に挿入し、その後反応袈を例えば金（Ａ１＝）等を蒸上
したカラスにて形成した透明な加熱炉にて加熱して第６
図のＴ１の温良に加熱炉の温良を虚部する。
そして第４図の如くタミー麺板３６上ＫＭだめ−薄枦４
０上に液だめ２Ｂを＠置した状態にしてそれぞれの液だ
め内の溶液にそれぞれのダミー薄板の成分を飽和させる
。
０上に液だめ２Ｂを＠置した状態にしてそれぞれの液だ
め内の溶液にそれぞれのダミー薄板の成分を飽和させる
。
次にスライド部材を矢印へ方回に移動させ、第５図に示
すように液だめ２（ｉ 、 ２７ 、２８をそれぞれの
タミー助＆３６ 、３８ 、４０上の位置から移動させ
て支持台３２上に設置したのち、加熱炉の温世な第６図
のＴ２の温度にして１９＋定時間保ち、液ため２６ 、
２７ 、２８内の溶１２９ 、３０ 、 ：Ｈを過冷却
状態に伯；つ。この時液だめ２６内の溶液が過冷却状態
をヘニリているかるかを、スライド４４Ｓ２２を矢印Ｂ
方向に回転して、スライド棒２２に設けたカーボン片２
３にＰｈ１−ｘ ５ｎｘＴｅの結晶が析出するが否かで
判定する。すなわち透明々加ガ＼炉を通して観察しカー
ボン片２３に結晶が析出していない状態のとき液だめ２
６内の溶液が過冷却状態となってオリ、この時スライド
棒２２を回転してカーボン片２３を溶液２９内に没前し
たのち、スライド部材２１を矢印Ａ方向に移動させ、基
板３４上に液だめ２６を設置して基＆３４上に第１勝の
）〈７７７層のエヒタ片シャル層を形成する。
すように液だめ２（ｉ 、 ２７ 、２８をそれぞれの
タミー助＆３６ 、３８ 、４０上の位置から移動させ
て支持台３２上に設置したのち、加熱炉の温世な第６図
のＴ２の温度にして１９＋定時間保ち、液ため２６ 、
２７ 、２８内の溶１２９ 、３０ 、 ：Ｈを過冷却
状態に伯；つ。この時液だめ２６内の溶液が過冷却状態
をヘニリているかるかを、スライド４４Ｓ２２を矢印Ｂ
方向に回転して、スライド棒２２に設けたカーボン片２
３にＰｈ１−ｘ ５ｎｘＴｅの結晶が析出するが否かで
判定する。すなわち透明々加ガ＼炉を通して観察しカー
ボン片２３に結晶が析出していない状態のとき液だめ２
６内の溶液が過冷却状態となってオリ、この時スライド
棒２２を回転してカーボン片２３を溶液２９内に没前し
たのち、スライド部材２１を矢印Ａ方向に移動させ、基
板３４上に液だめ２６を設置して基＆３４上に第１勝の
）〈７７７層のエヒタ片シャル層を形成する。
ξこでカーボン片２３に結晶が析出すると加熱炉の温度
、を低下し為きて溶敢２９が過冷却状態となっていない
のでｙ！に温度をＴｌの状桝まで上昇させ溶液をＴ２よ
り高い温度の過冷却状態とする。
、を低下し為きて溶敢２９が過冷却状態となっていない
のでｙ！に温度をＴｌの状桝まで上昇させ溶液をＴ２よ
り高い温度の過冷却状態とする。
このようにして温度Ｔ１での過冷却状態が保たれるまで
上記の操作を繰り返す。
上記の操作を繰り返す。
次に第１％のエヒクキシャル成長が終了すれば第４図の
位置にスライド都拐を移動させ、杓び加熱炉の温良をＴ
ｌの温度まで上列・させ１名液だめ２６ 、２７ 、２
８の溶液にダミー用島＆３６ 、３８ 、４０中の成の
を飽和させる。
位置にスライド都拐を移動させ、杓び加熱炉の温良をＴ
ｌの温度まで上列・させ１名液だめ２６ 、２７ 、２
８の溶液にダミー用島＆３６ 、３８ 、４０中の成の
を飽和させる。
その後スライド部材を移動させて第６図の状態にし、加
■−炉の温抜をＴ３の温度まで低）させ。
■−炉の温抜をＴ３の温度まで低）させ。
准だめ２７内の溶液３０を過冷却の状訪にする。
この耐液３０の状態も前述したようにスライド棒２２を
回転することでカーホン片２４にｐｂ １−Ｘ８ｎｘＴ
ｅの結晶が析出するか否かで検査する。そしてカーボン
片２４上に結晶が析出しないときは溶液が過冷却状態に
なっているので更にスライド部材を移動させて、基板３
４上に液ため２７を設置して第２層の活性層をエヒタキ
シャル成長させる。
回転することでカーホン片２４にｐｂ １−Ｘ８ｎｘＴ
ｅの結晶が析出するか否かで検査する。そしてカーボン
片２４上に結晶が析出しないときは溶液が過冷却状態に
なっているので更にスライド部材を移動させて、基板３
４上に液ため２７を設置して第２層の活性層をエヒタキ
シャル成長させる。
次いでカーボン片２４に結晶が析出すると溶液 −
が過冷却状となっていないので更にｆＡＩ！ＬをＴｌの
状態に加熱して再びｆｔＡ良を低）させ溶液の過冷却状
態を悔める。
が過冷却状となっていないので更にｆＡＩ！ＬをＴｌの
状態に加熱して再びｆｔＡ良を低）させ溶液の過冷却状
態を悔める。
次いで更にスライド部材を第４図の状態にもどして加熱
炉の温度をＴｌの温良寸で上昇させ、溶液２９ 、３０
、３１にタミー薄板３６ 、３８ 、４０の成分を飽
和させる。
炉の温度をＴｌの温良寸で上昇させ、溶液２９ 、３０
、３１にタミー薄板３６ 、３８ 、４０の成分を飽
和させる。
その後図示していないが液だめ２８を基板３４とダミー
用薄板３６０四にくるようにスライドさせ、過熱炉の温
度を低）させ液だめ２８内の溶液３１を過冷却の状態に
す求。この溶液３１の状態も前述したようにスライド棒
２２を回転することでカーボン片２５にＰｂ１−Ｘ５ｎ
ｘＴｅの結晶が析出するか否かで検査する。そしてカー
ボン片２５上に結晶が析出しないときは、溶液が過冷却
状となつているのでｙｌにスライド部材を棒動させ、基
板３４上に液だめ２８を設匝して第３層の閉じ込め層を
エピタキシャル成長させる。
用薄板３６０四にくるようにスライドさせ、過熱炉の温
度を低）させ液だめ２８内の溶液３１を過冷却の状態に
す求。この溶液３１の状態も前述したようにスライド棒
２２を回転することでカーボン片２５にＰｂ１−Ｘ５ｎ
ｘＴｅの結晶が析出するか否かで検査する。そしてカー
ボン片２５上に結晶が析出しないときは、溶液が過冷却
状となつているのでｙｌにスライド部材を棒動させ、基
板３４上に液だめ２８を設匝して第３層の閉じ込め層を
エピタキシャル成長させる。
次いでカーボン片２５に結節が析出すると溶液が過冷却
状態となっていないので更に′ＭＡ度をＴ１の状糾に加
熱して再び溶液の温度を低）させ、溶液の過冷却状態と
なるのを仇め、過冷却状態となった時点で基板上にエピ
タキシャル層を形成する。
状態となっていないので更に′ＭＡ度をＴ１の状糾に加
熱して再び溶液の温度を低）させ、溶液の過冷却状態と
なるのを仇め、過冷却状態となった時点で基板上にエピ
タキシャル層を形成する。
（Ｆり発明の効果
以上述べたように本発明の方法によれば基板上にエピタ
キシャル成長すべき溶液が過冷却の状態になっているか
否かを検知してからエピタキシャル成長できるので、常
に過冷却状態でエピタキシャル層が形成され、そのため
エピタキシャル成長した結晶層界面が平坦な状態となり
、このような材料を用いて素子を形成すれば、素子形成
の歩積がｒｈ１上する利点を生じる。
キシャル成長すべき溶液が過冷却の状態になっているか
否かを検知してからエピタキシャル成長できるので、常
に過冷却状態でエピタキシャル層が形成され、そのため
エピタキシャル成長した結晶層界面が平坦な状態となり
、このような材料を用いて素子を形成すれば、素子形成
の歩積がｒｈ１上する利点を生じる。
第１図より第３図までは従来の液相エピタキシャル成長
力法の１程を示す断面図、第４図より第６図までは本発
明の液相エピタキシャル成長方法の工程を示す断面図、
第７図は本発明の方法に用いる加熱炉のｉ！１ｉｌｆｆ
１．７０フイルを示す図である。 図Ｉにおいてｌ、３２け支持台、２，３，４，５，３３
゜３５ 、３７．３９け凹＃ｒ、Ｌ３４はＰｂＴｅ ４
：板、 ７ 。 ８．９，３６，３８．４０はダミー薄板、１０．２１は
スライド部材、 １１ 、１２ 、１３ 、２６ 、
２７ 、２８は液だめ、 １４，１５，１６．２９，
３０．３１はＰｂ １ 、５ｎｘＴｅの相粕、 ２２は
スライド棒、２３，２４．２５はカーボン片を示す。
力法の１程を示す断面図、第４図より第６図までは本発
明の液相エピタキシャル成長方法の工程を示す断面図、
第７図は本発明の方法に用いる加熱炉のｉ！１ｉｌｆｆ
１．７０フイルを示す図である。 図Ｉにおいてｌ、３２け支持台、２，３，４，５，３３
゜３５ 、３７．３９け凹＃ｒ、Ｌ３４はＰｂＴｅ ４
：板、 ７ 。 ８．９，３６，３８．４０はダミー薄板、１０．２１は
スライド部材、 １１ 、１２ 、１３ 、２６ 、
２７ 、２８は液だめ、 １４，１５，１６．２９，
３０．３１はＰｂ １ 、５ｎｘＴｅの相粕、 ２２は
スライド棒、２３，２４．２５はカーボン片を示す。
Claims (1)
- 支持台に基板とダミー用薄板とを埋設し、該支持台上を
移動するスライド部材の液だめ内には基板上に形成すべ
きエピタキシャル層形成材料を収容し、該エピタキシャ
ル層形成材料を溶融後、該溶液にダミー薄板中の成分を
飽和させた後、基板上にエピタキシャル層を形成する液
相エピタキシャル１戊長方法において、前記液だめ内の
溶液を基板上に接触させる前に、当該溶液中に冷却状態
検知手段を浸漬し、その表面への結晶析出の有無から冷
却状態を確認するようにしたことを特徴とする液相エピ
タキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021010A JPS59147441A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021010A JPS59147441A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147441A true JPS59147441A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12043089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58021010A Pending JPS59147441A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147441A (ja) |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58021010A patent/JPS59147441A/ja active Pending
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