JPS59148580A - 自励式インバ−タの過負荷保護回路 - Google Patents
自励式インバ−タの過負荷保護回路Info
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- JPS59148580A JPS59148580A JP58020136A JP2013683A JPS59148580A JP S59148580 A JPS59148580 A JP S59148580A JP 58020136 A JP58020136 A JP 58020136A JP 2013683 A JP2013683 A JP 2013683A JP S59148580 A JPS59148580 A JP S59148580A
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- oscillation
- inverter
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
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- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、自励式インバータにおける過負荷保護回路に
関する。
関する。
自励式インバータは、スイッチングレギュレータ等を構
成する際の主要回路で、ブロッキング発振回路、ロイヤ
ー回路、あるいはロイヤー回路の一変形であるジエンセ
ン回路等がある。
成する際の主要回路で、ブロッキング発振回路、ロイヤ
ー回路、あるいはロイヤー回路の一変形であるジエンセ
ン回路等がある。
自動式インバータを用いたスイッチングレギュレータ（
ＤＣ−ＤＣコンバータ〉は、出力゛電圧か安定化される
わけではないが、効率よく電圧変換をした場合とか、入
力と出力を電気的に絶綻、したいとき等に用いられる。
ＤＣ−ＤＣコンバータ〉は、出力゛電圧か安定化される
わけではないが、効率よく電圧変換をした場合とか、入
力と出力を電気的に絶綻、したいとき等に用いられる。
ジエンセン回路を利用したＤＣ−ＤＣコンバータの従来
例を第１図に示す。ジエンセン回路は、通常のヒステリ
シス特性のコアを用いる出カドランスＴ２と、角型ヒス
テリシス特性のコアを用いるトランジスタＱ１ 、Ｑ２
駆動用のトランスＴ１との２個のトランスを用いるもの
である。出カドランスＴ２の二次側にはダイオードＤ１
．．Ｄ２及びコンデンサＣ１よりなる整流平滑回路が接
続され、それに負ｖｉＲＬが接続される。トランジスタ
Ｑｌ 、Ｑ２のベースにはベースバイアス抵抗［で１を
通−）てベースバイアス電流が流れるため、パワーオン
とともに交互にオン・オフ（発振）し、トランスＴ２の
二次側に変圧出力をもたらす。このような自励式インバ
ータを用いた回路で過負荷保護、負荷の短絡保護を行な
おうとすると、従来技術では負荷ＲＬに直列にヒユーズ
Ｆを１Φ入づる偶成が採られていた。しかし、ヒユーズ
ににる過負荷保護の場合は、溶断スピードが遅いため、
ヒユーズが溶断する前にトランジスタＱ１ 、Ｑ２が破
壊するケースが多く、保護回路の役目を果たさない場合
があった。
例を第１図に示す。ジエンセン回路は、通常のヒステリ
シス特性のコアを用いる出カドランスＴ２と、角型ヒス
テリシス特性のコアを用いるトランジスタＱ１ 、Ｑ２
駆動用のトランスＴ１との２個のトランスを用いるもの
である。出カドランスＴ２の二次側にはダイオードＤ１
．．Ｄ２及びコンデンサＣ１よりなる整流平滑回路が接
続され、それに負ｖｉＲＬが接続される。トランジスタ
Ｑｌ 、Ｑ２のベースにはベースバイアス抵抗［で１を
通−）てベースバイアス電流が流れるため、パワーオン
とともに交互にオン・オフ（発振）し、トランスＴ２の
二次側に変圧出力をもたらす。このような自励式インバ
ータを用いた回路で過負荷保護、負荷の短絡保護を行な
おうとすると、従来技術では負荷ＲＬに直列にヒユーズ
Ｆを１Φ入づる偶成が採られていた。しかし、ヒユーズ
ににる過負荷保護の場合は、溶断スピードが遅いため、
ヒユーズが溶断する前にトランジスタＱ１ 、Ｑ２が破
壊するケースが多く、保護回路の役目を果たさない場合
があった。
これは、自励式インバータの場合、負荷短絡あるいは過
大負荷になった場合、発振トランジスタＱ１．Ｑ２を駆
動する（−ランスＴ１の駆動能力に限界かあるため、自
動的に発振が停止し、１ヘランジスタには直流電流が流
れつづける。このため１〜ランジスタでの電力損失が過
大となり、発熱のために破損してしまうからである。ま
た、たとえトランジスタが破損されなくても、ヒユーズ
は溶断してしまうので、その都度、ヒユーズを交換しな
ければならないことになる。
大負荷になった場合、発振トランジスタＱ１．Ｑ２を駆
動する（−ランスＴ１の駆動能力に限界かあるため、自
動的に発振が停止し、１ヘランジスタには直流電流が流
れつづける。このため１〜ランジスタでの電力損失が過
大となり、発熱のために破損してしまうからである。ま
た、たとえトランジスタが破損されなくても、ヒユーズ
は溶断してしまうので、その都度、ヒユーズを交換しな
ければならないことになる。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、小型でかつ簡単な回路構成で、負荷短絡時や過負荷時
に、負荷は勿論のことインバータ等を構成づる部品をも
確実に保護しうるような、自動式インバータの過負荷保
護回路を提供することにある。
、小型でかつ簡単な回路構成で、負荷短絡時や過負荷時
に、負荷は勿論のことインバータ等を構成づる部品をも
確実に保護しうるような、自動式インバータの過負荷保
護回路を提供することにある。
自助式インバータでは発振トランジスタのベース回路に
ベースバイアス抵抗が設けられ、］・ランジスタを充分
導通させるようになって′いる。
ベースバイアス抵抗が設けられ、］・ランジスタを充分
導通させるようになって′いる。
特にこのベースバイアス抵抗はインバータを起動させる
際には不可欠で、一旦発振が開始されたならば無くても
発振は安定に継続する。その意味で、このベースバイア
ス抵抗は起動用抵抗とも呼ばれる。
際には不可欠で、一旦発振が開始されたならば無くても
発振は安定に継続する。その意味で、このベースバイア
ス抵抗は起動用抵抗とも呼ばれる。
さて、従来の回路においては、上記のように負荷短絡時
あるいは過負荷時に、トランスＴ１の駆動能力に限界が
あるためトランジスタがドライブ不足となって発振停止
し、該トランジスタに直流電流が流れつづけるのである
が、このよう１．７： ’ｊｊｌ態を１８り原因はベー
スバイアス抵抗Ｒ１が挿入されているためである。つま
りベースバイアス抵抗Ｒ１に流れる電流が、トランジス
タＱＴ 、Ｑ２の電流増幅率１）（８され、それか１〜
ランシスタＱ１ 、Ｑ２に流れることになる。
あるいは過負荷時に、トランスＴ１の駆動能力に限界が
あるためトランジスタがドライブ不足となって発振停止
し、該トランジスタに直流電流が流れつづけるのである
が、このよう１．７： ’ｊｊｌ態を１８り原因はベー
スバイアス抵抗Ｒ１が挿入されているためである。つま
りベースバイアス抵抗Ｒ１に流れる電流が、トランジス
タＱＴ 、Ｑ２の電流増幅率１）（８され、それか１〜
ランシスタＱ１ 、Ｑ２に流れることになる。
（Ｊとんどの場合１〜ランシスタＱ１，０２の１１はバ
ランスがどれでいないので、ｈ の大きいトランジスタ
で発熱が大となる。従って、ベースバイアス抵抗を外し
てしまえばよいのであるか、ベースバイアス抵抗を外し
てしまってはインバータを起動てぎないという相反づる
問題がある。
ランスがどれでいないので、ｈ の大きいトランジスタ
で発熱が大となる。従って、ベースバイアス抵抗を外し
てしまえばよいのであるか、ベースバイアス抵抗を外し
てしまってはインバータを起動てぎないという相反づる
問題がある。
本発明はこのような問題点を解析し、上記目的を達成す
べく種々検討した結果案出されたちのである。
べく種々検討した結果案出されたちのである。
以下、図面に基づき本発明について更に訂しく説明する
。第２図は本発明の一実施例を示１回路図であり、自助
式インバータとしてジエンセン回路を用いた例である。
。第２図は本発明の一実施例を示１回路図であり、自助
式インバータとしてジエンセン回路を用いた例である。
ジエンセン回路部分並びにその出力回路部分はベースパ
イアス回路を除いて従来のものと同じであってよい。第
１図に示した従来回路と対応する部分には同一符号を付
し、それらについての記載は重複するため省略する。第
１図に示した従来技術と顕著に贅なる点は、二次側にヒ
ユーズを挿入する必要がないこと、発振トランジスタの
ベース回路に過負荷保護回路２が接続されていることで
ある。
イアス回路を除いて従来のものと同じであってよい。第
１図に示した従来回路と対応する部分には同一符号を付
し、それらについての記載は重複するため省略する。第
１図に示した従来技術と顕著に贅なる点は、二次側にヒ
ユーズを挿入する必要がないこと、発振トランジスタの
ベース回路に過負荷保護回路２が接続されていることで
ある。
さて、過負荷保護回路２１ａ、ジエンセン回路］を構成
する発振１ヘランジスタＱｌ 、 Ｑ２’のべ〜スハイ
アス抵抗Ｒ１に直列に接続され電源＋側から流入するベ
ースバイアス電流を制御する制御用１−ランジスタＱ３
と、電源Ｆに対して並列に挿入される時定数回路３と、
該時定数回路３の出力と基準電圧とを比較してパワーオ
ン後一定期間パルスを出力し、前記制御用トランジスタ
Ｑ３を駆動する電圧比較部４とを備えている。
する発振１ヘランジスタＱｌ 、 Ｑ２’のべ〜スハイ
アス抵抗Ｒ１に直列に接続され電源＋側から流入するベ
ースバイアス電流を制御する制御用１−ランジスタＱ３
と、電源Ｆに対して並列に挿入される時定数回路３と、
該時定数回路３の出力と基準電圧とを比較してパワーオ
ン後一定期間パルスを出力し、前記制御用トランジスタ
Ｑ３を駆動する電圧比較部４とを備えている。
時定数回路３は、抵抗Ｒ２と＝１ンテンザｃ２との直列
回路と該コンデンサＣ２に並列に接続されｌ、二抵抗Ｒ
３とからなり、パワーオン後、Ｒ２どＣ２どてθこまる
一定の時定数で］ンデン＋ｊＣ２の端子電圧〈Ａ点の電
位）が上昇するように）ｔ１成されている。電圧比較部
４は、電圧比較用トランジスタＱ４と、該１〜ランジス
タＱ４のベースと前記Ａ点どの間に接続したツェナータ
イオードＺＤと、ｌ−ランシスタＱ４のコレクタ出力を
反転し前記制御Ｉ Ｉｆｆ ｉ−ランジスタＱ３を駆動
づる１〜ランジスタＱ５とからなる。
回路と該コンデンサＣ２に並列に接続されｌ、二抵抗Ｒ
３とからなり、パワーオン後、Ｒ２どＣ２どてθこまる
一定の時定数で］ンデン＋ｊＣ２の端子電圧〈Ａ点の電
位）が上昇するように）ｔ１成されている。電圧比較部
４は、電圧比較用トランジスタＱ４と、該１〜ランジス
タＱ４のベースと前記Ａ点どの間に接続したツェナータ
イオードＺＤと、ｌ−ランシスタＱ４のコレクタ出力を
反転し前記制御Ｉ Ｉｆｆ ｉ−ランジスタＱ３を駆動
づる１〜ランジスタＱ５とからなる。
本回路は、第３図に示１ようなタンミングで動作する。
まずパワーオン直後、コンデンサＣ２に充電電流か流れ
、その端子電圧（Ａ点の電位）は徐々に上昇していく。
、その端子電圧（Ａ点の電位）は徐々に上昇していく。
しかし、ツェナーダイΔ−ドＺＤは導通μず、従ってト
ランジスタＱ４ｉまオフ、トランジスタＱ５は逆にオン
、イれ故、制御用１〜ランジスタＱ３もオンとなり、発
振１〜ランジスタＱｉ 、Ｃ２のベース回路に電源から
トランジスタＱ３．ベースバイアス抵抗Ｒ１を通ってペ
ースバスアス電流Ｉが流れる。
ランジスタＱ４ｉまオフ、トランジスタＱ５は逆にオン
、イれ故、制御用１〜ランジスタＱ３もオンとなり、発
振１〜ランジスタＱｉ 、Ｃ２のベース回路に電源から
トランジスタＱ３．ベースバイアス抵抗Ｒ１を通ってペ
ースバスアス電流Ｉが流れる。
コンデンサＣ２の端子電圧（Ａ点の電位）は史に上昇し
、やがて時間ｔが経過した段階でツェナータイオード７
Ｄをオンさせることのできる電位に達すると、ツェナー
タイオードＺＤがオンして電圧比較用トランジスタＱ４
がオンし、逆に１〜ランジスタＱ５はオフして制御用ト
ランジスタＱ３もオフする。そのため、ベースバイアス
電流Ｉは零となる。つまり、パワーオン直後７３日う〜
定時間［の間だけベースバイアス電流Ｉ（起動電流）が
発振１ヘランジスタＱ１ 、 Ｃ２に流れるのである。
、やがて時間ｔが経過した段階でツェナータイオード７
Ｄをオンさせることのできる電位に達すると、ツェナー
タイオードＺＤがオンして電圧比較用トランジスタＱ４
がオンし、逆に１〜ランジスタＱ５はオフして制御用ト
ランジスタＱ３もオフする。そのため、ベースバイアス
電流Ｉは零となる。つまり、パワーオン直後７３日う〜
定時間［の間だけベースバイアス電流Ｉ（起動電流）が
発振１ヘランジスタＱ１ 、 Ｃ２に流れるのである。
この起動電流によって・ジエンレン回路は起動され、自
励発振が生じる。−０自励発１月か生じた後は、バイア
ス電流Ｉが零になっても発振は継続するので負荷ＲＬに
は必要な重力を供給しつづけることができる。
励発振が生じる。−０自励発１月か生じた後は、バイア
ス電流Ｉが零になっても発振は継続するので負荷ＲＬに
は必要な重力を供給しつづけることができる。
次に、負荷短絡事故等が生じて過負荷になったとすると
、（羊来同様、発振１−ランジスタＱ１゜Ｃ２を駆動づ
るトランスＴ１の駆動能力に限界があるため、発振Ｉ〜
ランジスタＱ１．Ｑ’２は自動的に発振が停止する。し
かし、従来技術と顕著に異なる点は、このときベースバ
イアス抵抗ス１（こけ電流か流れないということである
。つＪ、す、パ「ノーオン直後の”ｔ”なる期間のみし
か制御用トランジスタＱ３はオンせず、それ以降はず−
）とオフしつづけるため、ベースバイアス電流１１ｊ羽
のままだからである。このため、発振か停止しても発振
トランジスタに＋１極く僅かな電流しが）Ａコれず、ｉ
−ランジスタが破損する虞］ユ全くない。この状態は過
負荷状態が解除され、正常な状態に戻っても継続する。
、（羊来同様、発振１−ランジスタＱ１゜Ｃ２を駆動づ
るトランスＴ１の駆動能力に限界があるため、発振Ｉ〜
ランジスタＱ１．Ｑ’２は自動的に発振が停止する。し
かし、従来技術と顕著に異なる点は、このときベースバ
イアス抵抗ス１（こけ電流か流れないということである
。つＪ、す、パ「ノーオン直後の”ｔ”なる期間のみし
か制御用トランジスタＱ３はオンせず、それ以降はず−
）とオフしつづけるため、ベースバイアス電流１１ｊ羽
のままだからである。このため、発振か停止しても発振
トランジスタに＋１極く僅かな電流しが）Ａコれず、ｉ
−ランジスタが破損する虞］ユ全くない。この状態は過
負荷状態が解除され、正常な状態に戻っても継続する。
再起動させる場合には、−口電源からの入力をオフにし
、再投入づればよい。なあ、起す」用電流１が流れる期
間ＩＬＪｌｌｉ’ｌ定数回路３の時定数及びツＪナータ
ヂＡ−ドＺＤのツェナー電圧の選定にＪ：つて起動に適
した時間幅に設定づることができる。
、再投入づればよい。なあ、起す」用電流１が流れる期
間ＩＬＪｌｌｉ’ｌ定数回路３の時定数及びツＪナータ
ヂＡ−ドＺＤのツェナー電圧の選定にＪ：つて起動に適
した時間幅に設定づることができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す回路図である。この
実施例は自助式インバータとしてブロッキング発振回路
を用いたものである。過負荷保護回路２は第２図に示し
たものと全く同様であってよい。動作も同じであるから
対応する ４部分に同一符号を付し、それらに゛ついて
の記載は省略づる。
実施例は自助式インバータとしてブロッキング発振回路
を用いたものである。過負荷保護回路２は第２図に示し
たものと全く同様であってよい。動作も同じであるから
対応する ４部分に同一符号を付し、それらに゛ついて
の記載は省略づる。
本発明は上記実施例の他［）イヤー発振回路を利用した
自励式インバータ等にも適用することができる。
自励式インバータ等にも適用することができる。
本発明は上記にように構成した自助式インバータの過負
荷保護回路であるから、小型でかつ簡！１１な回路構成
で、負ｖ？Ｊ短絡時や過負荷時に確実に作動し、負荷は
勿論のことインバータ等を偶成する部品を破損させるこ
となくそれらを完全に保護することができ、過負荷状態
を解眸した後、再１夏電源を投入すれは直ちに起動でき
、部品交換の必要なく非常に保守が容易となるし、また
本発明の過負荷保護回路は一次−二次を完全に分離する
ことができ、しかもフォトカプラやパルス１〜ランス等
の信号伝送素子を使用することなく一次側（入力側）に
遮断機能をもたせているので信頼性は非常に高いなど、
すぐれた効果を有するものである。
荷保護回路であるから、小型でかつ簡！１１な回路構成
で、負ｖ？Ｊ短絡時や過負荷時に確実に作動し、負荷は
勿論のことインバータ等を偶成する部品を破損させるこ
となくそれらを完全に保護することができ、過負荷状態
を解眸した後、再１夏電源を投入すれは直ちに起動でき
、部品交換の必要なく非常に保守が容易となるし、また
本発明の過負荷保護回路は一次−二次を完全に分離する
ことができ、しかもフォトカプラやパルス１〜ランス等
の信号伝送素子を使用することなく一次側（入力側）に
遮断機能をもたせているので信頼性は非常に高いなど、
すぐれた効果を有するものである。
第１図は従来技術を示す回路図、第２図は本升明の一実
施例を示づ回路図、第３図はその動作のタイミングヂャ
ート、第４図は本発明の他の実り作例を示づ回路図であ
る。 １ シ１ンセン回路、２・過負荷保護回路、３・・時定
シシ回路、４・・・電ｑ−比較部、０１，０２発振１〜
ランシスタ、Ｑ３・ａｉ制御用ｌヘランジスタ、Ｒ１・
・ヘ−スバイーｊ′ス抵抗。 ゼ■許出願人 富士電気化学株式会ン」代 １ψ
人 尾 股 行 紐間
茂 児 供回
荒 木 友之助 手続補正外（自発） 昭和５８年４月２５日 ］、事件の表示 昭和５８５１ 特許願第２０１３６号 ２、発明の名称 自励式インバータの過負荷保護回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所（居所）東京都港区新橋５丁目３６番１１号氏名銘
称） 富士電気化学株式会社 ４、 代 理 人 〒１０４ 電話東京（１３（５４３）（１０３６番（代表）５、補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明、及び図面３゜（５，補正の
内容 （１）明細白組５ Ｆ１第４行、第６行、および第７行
に、それぞれ［１１１とあるを、ｌＩ’ｈ（、ｊに訂正
する。 （２） 図面、第１図及び第２図をてれそ゛れ別紙の
とおり補正する。
施例を示づ回路図、第３図はその動作のタイミングヂャ
ート、第４図は本発明の他の実り作例を示づ回路図であ
る。 １ シ１ンセン回路、２・過負荷保護回路、３・・時定
シシ回路、４・・・電ｑ−比較部、０１，０２発振１〜
ランシスタ、Ｑ３・ａｉ制御用ｌヘランジスタ、Ｒ１・
・ヘ−スバイーｊ′ス抵抗。 ゼ■許出願人 富士電気化学株式会ン」代 １ψ
人 尾 股 行 紐間
茂 児 供回
荒 木 友之助 手続補正外（自発） 昭和５８年４月２５日 ］、事件の表示 昭和５８５１ 特許願第２０１３６号 ２、発明の名称 自励式インバータの過負荷保護回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所（居所）東京都港区新橋５丁目３６番１１号氏名銘
称） 富士電気化学株式会社 ４、 代 理 人 〒１０４ 電話東京（１３（５４３）（１０３６番（代表）５、補
正の対象 明細書の発明の詳細な説明、及び図面３゜（５，補正の
内容 （１）明細白組５ Ｆ１第４行、第６行、および第７行
に、それぞれ［１１１とあるを、ｌＩ’ｈ（、ｊに訂正
する。 （２） 図面、第１図及び第２図をてれそ゛れ別紙の
とおり補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１−ランジスタとトランスとの組合せにより自励発振
づる形式のインバータの過負荷保護回路であって、 インバータを構成する発振１〜ランジスタのベースバイ
アス抵抗に直列に挿入した制御用トランジスタと： 電源に対して並列に挿入される時定数回路と；該時定数
回路の出力と基準電圧とを比較してパワーオン後一定期
間パルスを出力し、前記制御用１−ランジスタを駆動す
る電圧比較部と；を備え、パワーオン直後、一定期間の
み発振トランジスタにバイアス電流を供給してインバー
タを起動するようにしたことを特徴とする自動式インバ
ータの過負荷保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020136A JPS59148580A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 自励式インバ−タの過負荷保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020136A JPS59148580A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 自励式インバ−タの過負荷保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148580A true JPS59148580A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12018713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020136A Pending JPS59148580A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | 自励式インバ−タの過負荷保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189174A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Works Ltd | インバ−タ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51133728A (en) * | 1975-05-15 | 1976-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic switch |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58020136A patent/JPS59148580A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51133728A (en) * | 1975-05-15 | 1976-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic switch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189174A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Works Ltd | インバ−タ装置 |
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