JPS59150584A - 半導体ウエハの超音波洗浄方法 - Google Patents

半導体ウエハの超音波洗浄方法

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JPS59150584A
JPS59150584A JP2276783A JP2276783A JPS59150584A JP S59150584 A JPS59150584 A JP S59150584A JP 2276783 A JP2276783 A JP 2276783A JP 2276783 A JP2276783 A JP 2276783A JP S59150584 A JPS59150584 A JP S59150584A
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JP
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cleaning
ultrasonic
cleaning liquid
cleaned
wafer
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JP2276783A
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春男 天田
精一 山田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超音波洗浄方法およびその装置に関する。
周知のように超音波洗浄方法は機械加工部品。
ガラス加工部品等、種々の分野で使用されている。
しかし、従来の超音波洗浄装置では、洗浄槽中の洗浄液
に超音波振動を与え、その超音波振動した洗浄液中に被
洗浄物を入れ、洗浄する方法が主流を占めている。
しかし、この方法では下記のような難点があることが本
発明者の検討の結果判明した。すなわち従来方法は、超
音波力により、被洗浄物から除去された異物が、洗浄液
中に存在する。このため除去された異物が被洗浄物に再
作用し、激しく衝突した場合には被洗浄物にダメージを
与えたり、除去された洗浄液中の異物が被洗浄物に再付
着した場合には汚染となるため、高清浄度を要求する洗
浄法としては不向きである。
したがって、本発明の目的は被洗浄物にダメージを与え
ることなく高清浄度に被洗浄物を洗浄することかできる
超音波洗浄方法およびその装置を提供することにある。
以下、実施例によって本発明を説明する。
図面は本発明の一実施例による半導体薄膜(ウェハ)の
両面を洗浄する超音波洗浄装置の要部を示す原理的断面
図である。被洗浄物であるウェハ1は駆動プーリ2およ
び3個の従動プーリ3に掛けられた丸ベルト4上に載り
、駆動プーリ2の回転によって搬送される。駆動プーリ
2はモータ5によって回転する。また、前記丸ベルト移
動域には洗浄部が設けられている。この洗浄部にはウェ
ハ1の移動方向に沿って噴流式洗浄液供給機構6を有す
る洗浄Aステーション7と洗浄Bステージ舊ン8が配設
されている。前記噴流式洗浄液供給機構6には丸ベルト
4を挾んで上下に止揚動子9および下振動子10が配設
されている。また、これら振動子9,10は超音波発振
電源部11によって超音波発振するようになっている。
また、前記両振動子9,10は各部に設けた流孔12か
らフィルタ13を通って清浄となった洗浄液14が噴き
出すようになっている。そして、ウエノ・1は丸ベルト
4によって移動する際、洗浄Aステーション7および洗
浄Bステーション8で流孔12から噴出される洗浄91
4によって両面(上下面)および周面を勢いよく洗浄さ
れる。この際、洗浄液14は上・下振動子9,10によ
って一定の周波数で超音波振動し、洗浄効果を高めるよ
うになっている。また、洗浄Aステーション7と洗浄B
ステーション8ではそれぞれ異なる周波数で超音波振動
するようになっている。周波数が低いと異物径の大きな
ものが洗浄除去でき、周波数が高くなるに従って異物径
の小さなものが洗浄除去できる。そこで、洗浄Aステー
ション7では低い周波数、たとえば28KH2で振動さ
せ、洗浄Bステーション8では高い周波数、たとえば4
00〜800KHzで振動させる。
一方、洗浄に関与した洗浄液は排出機構の漏斗状の排液
カバー15で集められ、排出口16から外部に排出され
るようになっている。
次に超音波洗浄法について説明する。被洗浄物であるウ
ェハ1が丸ベルト4上にセットされると、モータ5によ
り丸ベルト4が回転し、ウェハ1が洗浄Aステーション
7に搬送されセットされる。
ウェハ1が洗浄Aステーション7にセットされると、前
述のごとくフィルタ13によって清浄化され、かつ超音
波振動する洗浄液14がウェハ1両面に供給され、噴流
力および超音波力により、ウェハ1両面が同時に洗浄さ
れる。
洗浄Aステージ1ン7では低い領域の超音波周波数を作
用させウニ八両面の大きい付着異物を除去する。
洗浄Aステーション7での洗浄が完了すると再びウェハ
1は丸ベルト4により、洗浄Bステーション8に搬送さ
れセットされる。
洗浄Bステーシコン8では、前述洗浄Aステー・シロン
7同様にウェハ1両面が洗浄される。洗浄Bステーショ
ン8では、洗浄Aステーション7より高い周波数の超音
波を作用させ洗浄Aステーション7では除去出来なかっ
た微小付着異物を除去する。
このように本発明によれば、超音波振動によ−・てウェ
ハを洗浄する場合、振動数の異なる2つの洗浄ステージ
目ンで洗浄を行なうことから、小さな異物から大きな異
物布をも洗浄除去することができる。また、洗浄液は噴
流で常に清浄なものが供給され、ウェハ1から脱離した
異物は再びウェハ1に接触することなく排出される。こ
の結果、脱離した異物が激しくウェハ1に衝突すること
はないのでウェハ表面にダメージを受けることはない。
また、異物の再付着も防止できることから、高清浄度の
洗浄が行なえるようになる。また、本発明では、洗浄液
の噴流式供給9周波数の異なる超音波洗浄によることか
ら、洗浄時間が短縮される。さらに、本発明装置は機構
が簡素であることから装置の小型化も図れる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。すなわち、
洗浄ステーションをさらに多くしたり、同一洗浄ステー
ションにおいても、側方等振動方向を交差させたりする
ことによって、さらに洗浄効果の増大を図るようにして
もよい。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例による超音波洗浄装置の要部を
示す概略的断面図である。 1・・・ウェハ、4・・・丸ベルト、6・・・噴流式洗
浄液供給機構、7・・・洗浄Aステーション、8・・・
洗浄Bステーション、9・・・上根動子、10・・・下
振動子、11・・・超音波発振電源部、13・・・フィ
ルタ、14・・・洗浄液、15・・・排液カバー、16
・・・排出口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、移動する被洗浄物に対して複数の方向から超音波振
    動させた洗浄液を供給して作用させ、被洗浄物を超音波
    洗浄することを特徴とする超音波洗浄方法。 2、前記超音波振動の周波数は被洗浄物の移動方向に沿
    って各領域で異なっていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の超音波洗浄方法。 3、被洗浄物を移動させる搬送機構と、前記移動する被
    洗浄物に対して複数の方向から超音波振動子によって振
    動させられる清浄な洗浄液を供給する少なくとも1つの
    噴流式洗浄液供給機構と、前記洗浄に関与した洗浄液を
    排出する排出機構と、を有することを特徴とする超音波
    洗浄装置。 4、前記噴流式洗浄液供給機構は複数配設されかつ各洗
    浄液供給機構の超音波振動子は噴流式洗浄液供給機構毎
    に異なることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
    超音波洗浄装置。
JP2276783A 1983-02-16 1983-02-16 半導体ウエハの超音波洗浄方法 Granted JPS59150584A (ja)

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