JPH0864566A - 半導体ウエハ洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハ洗浄装置Info
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- JPH0864566A JPH0864566A JP19858794A JP19858794A JPH0864566A JP H0864566 A JPH0864566 A JP H0864566A JP 19858794 A JP19858794 A JP 19858794A JP 19858794 A JP19858794 A JP 19858794A JP H0864566 A JPH0864566 A JP H0864566A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの洗浄が効果的になされるとと
もに洗浄むらが生じない半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
と。 【構成】 保持部９に保持された複数の半導体ウエハ１
を洗浄液４中に浸漬し半導体ウエハ１表面に付着してい
る汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保
持部９を振動させる振動手段７を設けた。
もに洗浄むらが生じない半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
と。 【構成】 保持部９に保持された複数の半導体ウエハ１
を洗浄液４中に浸漬し半導体ウエハ１表面に付着してい
る汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保
持部９を振動させる振動手段７を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ洗浄装
置に関し、特に洗浄液中の半導体ウエハを振動させる振
動手段に関するものである。
置に関し、特に洗浄液中の半導体ウエハを振動させる振
動手段に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９はこの種の従来の半導体ウエハ洗浄
装置の概略構成を示す断面図である。図において、１は
半導体ウエハ、２は半導体ウエハ１を保持するための保
持部、３は処理槽、４は処理槽３に入れられた半導体ウ
エハ１の洗浄液で一般的に純水やアンモニア過酸化水素
水溶液等が用いられる。５は処理槽３の底側に接して高
周波発振する振動子部５ａを有する高周波発振装置であ
る。
装置の概略構成を示す断面図である。図において、１は
半導体ウエハ、２は半導体ウエハ１を保持するための保
持部、３は処理槽、４は処理槽３に入れられた半導体ウ
エハ１の洗浄液で一般的に純水やアンモニア過酸化水素
水溶液等が用いられる。５は処理槽３の底側に接して高
周波発振する振動子部５ａを有する高周波発振装置であ
る。
【０００３】このような構成の従来の半導体ウエハ洗浄
装置は、半導体ウエハ１複数が所定間隔で並列に保持部
２に保持されて処理槽３内の洗浄液４に浸漬される。洗
浄液４には高周波発振装置５の作動によって高周波振動
の加速度が与えられているので、洗浄液４と接している
半導体ウエハ表面の洗浄が効果的に行われるものであ
る。
装置は、半導体ウエハ１複数が所定間隔で並列に保持部
２に保持されて処理槽３内の洗浄液４に浸漬される。洗
浄液４には高周波発振装置５の作動によって高周波振動
の加速度が与えられているので、洗浄液４と接している
半導体ウエハ表面の洗浄が効果的に行われるものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハ洗
浄装置は以上のように構成されているので、洗浄液４に
対し、高周波振動の加速度を与えているため、半導体ウ
エハ１と振動子部５ａの距離が離れると洗浄効果が減少
する。よって、必要とする高周波振動以上の発振が必要
になる。また、振動子部５ａの取付位置によって振動の
方向性が決まってしまう、即ち洗浄の方向が限定され
る。さらに、８００ＫＨｚ以上の高周波振動では、振動
波の指向性が強いため、半導体ウエハ面内で洗浄むらが
生じる。即ち、半導体ウエハ表面上の凹凸のくぼみに振
動が伝わらないなどの問題点があった。
浄装置は以上のように構成されているので、洗浄液４に
対し、高周波振動の加速度を与えているため、半導体ウ
エハ１と振動子部５ａの距離が離れると洗浄効果が減少
する。よって、必要とする高周波振動以上の発振が必要
になる。また、振動子部５ａの取付位置によって振動の
方向性が決まってしまう、即ち洗浄の方向が限定され
る。さらに、８００ＫＨｚ以上の高周波振動では、振動
波の指向性が強いため、半導体ウエハ面内で洗浄むらが
生じる。即ち、半導体ウエハ表面上の凹凸のくぼみに振
動が伝わらないなどの問題点があった。
【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたもので、洗浄が効果的になされるとと
もに洗浄むらが生じない半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
るためになされたもので、洗浄が効果的になされるとと
もに洗浄むらが生じない半導体ウエハ洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体ウエハ洗浄装置は、保持部に保持された複数の
半導体ウエハを処理槽の洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ
表面に付着している汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄
装置において、保持部を振動させる振動手段を設けたも
のである。
の半導体ウエハ洗浄装置は、保持部に保持された複数の
半導体ウエハを処理槽の洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ
表面に付着している汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄
装置において、保持部を振動させる振動手段を設けたも
のである。
【０００７】また、請求項２の半導体ウエハ洗浄装置
は、請求項１において、振動手段は高周波で振動する高
周波振動装置としたものである。
は、請求項１において、振動手段は高周波で振動する高
周波振動装置としたものである。
【０００８】また、請求項３の半導体ウエハ洗浄装置
は、請求項１において、振動手段はピストン運動によっ
て保持部に上下振動を伝搬するピストン振動発生装置と
したものである。
は、請求項１において、振動手段はピストン運動によっ
て保持部に上下振動を伝搬するピストン振動発生装置と
したものである。
【０００９】また、請求項４の半導体ウエハ洗浄装置
は、請求項１において、振動手段は、円板状でなり軸心
をはずれた位置に突出した係合ピンを有する回転板と、
係合ピンと係合し回転板の回転により移動する係合ピン
の円軌道を保持部に伝搬する保持棒とで形成された回転
振動発生装置としたものである。
は、請求項１において、振動手段は、円板状でなり軸心
をはずれた位置に突出した係合ピンを有する回転板と、
係合ピンと係合し回転板の回転により移動する係合ピン
の円軌道を保持部に伝搬する保持棒とで形成された回転
振動発生装置としたものである。
【００１０】また、請求項５の半導体ウエハ洗浄装置
は、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の
洗浄液中に浸漬し上記半導体ウエハ表面に付着している
汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、上記
保持部を振動させる振動手段と、上記処理槽を介して上
記洗浄液を振動させる液振動手段とを設けたものであ
る。
は、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の
洗浄液中に浸漬し上記半導体ウエハ表面に付着している
汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、上記
保持部を振動させる振動手段と、上記処理槽を介して上
記洗浄液を振動させる液振動手段とを設けたものであ
る。
【００１１】また、請求項６の半導体ウエハ洗浄装置
は、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の
洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染
物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を
振動させる振動手段と、保持部に半導体ウエハを回転さ
せる回転手段を設けたものである。
は、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の
洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染
物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を
振動させる振動手段と、保持部に半導体ウエハを回転さ
せる回転手段を設けたものである。
【００１２】また、請求項７の半導体ウエハ洗浄装置
は、洗浄液に高周波振動を与えながら噴射させる機構を
備え、保持部にほぼ水平に保持された半導体ウエハの表
面に洗浄液を噴射して表面の洗浄をする半導体ウエハ洗
浄装置において、保持部を振動させ半導体ウエハを加速
度運動させる振動手段を設けたものである。
は、洗浄液に高周波振動を与えながら噴射させる機構を
備え、保持部にほぼ水平に保持された半導体ウエハの表
面に洗浄液を噴射して表面の洗浄をする半導体ウエハ洗
浄装置において、保持部を振動させ半導体ウエハを加速
度運動させる振動手段を設けたものである。
【００１３】また、請求項８の半導体ウエハ洗浄装置
は、請求項１，５〜７のいずれかにおいて、洗浄液は４
℃以下の純水としたものである。
は、請求項１，５〜７のいずれかにおいて、洗浄液は４
℃以下の純水としたものである。
【００１４】
【作用】この発明における半導体ウエハ洗浄装置の振動
手段は、半導体ウエハを保持している保持部を介して半
導体ウエハを洗浄液中で振動させるため、振動の減衰な
く半導体ウエハを加速度運動させ半導体ウエハ表面に大
きい流体抵抗力を生じさせる。
手段は、半導体ウエハを保持している保持部を介して半
導体ウエハを洗浄液中で振動させるため、振動の減衰な
く半導体ウエハを加速度運動させ半導体ウエハ表面に大
きい流体抵抗力を生じさせる。
【００１５】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置の高周波振動装置は、半導体ウエハを保持する保持
部を介して半導体ウエハを洗浄液中で高周波振動させる
ため、高周波振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され半
導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力を生じさせる。
装置の高周波振動装置は、半導体ウエハを保持する保持
部を介して半導体ウエハを洗浄液中で高周波振動させる
ため、高周波振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され半
導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力を生じさせる。
【００１６】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置のピストン振動発生装置は、半導体ウエハを保持す
る保持部を介して半導体ウエハを洗浄液中でピストン状
に上下振動させるため、上下振動が減衰なく半導体ウエ
ハに伝搬され半導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力を生
じさせる。
装置のピストン振動発生装置は、半導体ウエハを保持す
る保持部を介して半導体ウエハを洗浄液中でピストン状
に上下振動させるため、上下振動が減衰なく半導体ウエ
ハに伝搬され半導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力を生
じさせる。
【００１７】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置の回転振動発生装置は、半導体ウエハを保持する保
持部を介して半導体ウエハを洗浄液中で円軌道に沿った
回転移動の振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され、半
導体ウエハ表面の全方向に大きい流体抵抗力を生じさせ
る。
装置の回転振動発生装置は、半導体ウエハを保持する保
持部を介して半導体ウエハを洗浄液中で円軌道に沿った
回転移動の振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され、半
導体ウエハ表面の全方向に大きい流体抵抗力を生じさせ
る。
【００１８】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置の液振動手段は、洗浄液を振動させることにより、
半導体ウエハ自身の直接振動に加え半導体ウエハ表面に
より大きな流体抵抗力を生じさせる。
装置の液振動手段は、洗浄液を振動させることにより、
半導体ウエハ自身の直接振動に加え半導体ウエハ表面に
より大きな流体抵抗力を生じさせる。
【００１９】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置の保持部の回転手段は、振動中の半導体ウエハを洗
浄液中で半導体ウエハ自身を回転させるため、半導体ウ
エハ表面に全方向性の振動を与えることになり洗浄効果
を向上させる。
装置の保持部の回転手段は、振動中の半導体ウエハを洗
浄液中で半導体ウエハ自身を回転させるため、半導体ウ
エハ表面に全方向性の振動を与えることになり洗浄効果
を向上させる。
【００２０】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置の振動手段は、一枚毎に洗浄液を高周波振動させ噴
射して半導体ウエハの表面洗浄をする際に、保持部を振
動させ半導体ウエハ自身を加速度運動させる。
装置の振動手段は、一枚毎に洗浄液を高周波振動させ噴
射して半導体ウエハの表面洗浄をする際に、保持部を振
動させ半導体ウエハ自身を加速度運動させる。
【００２１】また、この発明における半導体ウエハ洗浄
装置は、洗浄液に４℃以下の純水を用いたことにより洗
浄する半導体ウエハ表面に対する流体抵抗力が大きくな
る。
装置は、洗浄液に４℃以下の純水を用いたことにより洗
浄する半導体ウエハ表面に対する流体抵抗力が大きくな
る。
【００２２】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１における半導体ウエハ
洗浄装置の概略構成を示す断面図、図２は図１における
線ＩＩ−ＩＩに沿った側面図である。図において、１，
３，４は従来と同様でありその説明は省略する。６は半
導体ウエハ１を支える支持部、７は振動手段で高周波振
動を発生する高周波振動装置、８は支持部６と高周波振
動装置７間に介在し支持部６に高周波振動を伝搬する保
持棒で６と７で、支持部６とともに保持部９が形成され
る。
する。図１はこの発明の実施例１における半導体ウエハ
洗浄装置の概略構成を示す断面図、図２は図１における
線ＩＩ−ＩＩに沿った側面図である。図において、１，
３，４は従来と同様でありその説明は省略する。６は半
導体ウエハ１を支える支持部、７は振動手段で高周波振
動を発生する高周波振動装置、８は支持部６と高周波振
動装置７間に介在し支持部６に高周波振動を伝搬する保
持棒で６と７で、支持部６とともに保持部９が形成され
る。
【００２３】次に動作について説明する。半導体ウエハ
１複数が所定間隔で並列に支持部６に保持されて処理槽
３内の洗浄液４に浸漬される。この状態で高周波振動装
置７を作動し高周波振動を発生させ保持棒８を介して支
持部６に高周波振動を伝搬する。これにより支持部６に
保持された半導体ウエハ１に高周波振動を与える。この
ように半導体ウエハ１自身が高周波振動しているので、
従来のように振動源から距離による振動の減衰が無く、
また、同時に半導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力が得
られ、高い洗浄効果を得ることができる。
１複数が所定間隔で並列に支持部６に保持されて処理槽
３内の洗浄液４に浸漬される。この状態で高周波振動装
置７を作動し高周波振動を発生させ保持棒８を介して支
持部６に高周波振動を伝搬する。これにより支持部６に
保持された半導体ウエハ１に高周波振動を与える。この
ように半導体ウエハ１自身が高周波振動しているので、
従来のように振動源から距離による振動の減衰が無く、
また、同時に半導体ウエハ表面に大きい流体抵抗力が得
られ、高い洗浄効果を得ることができる。
【００２４】実施例２．なお、実施例１では振動手段を
高周波振動装置としたものを示したが、実施例２として
図３に示すように例えばエンジンまたはエアー等で駆動
され、上下に振幅運動するピストン１０を備えたピスト
ン振動発生装置１１を振動手段とし、ピストン１０の上
下振幅運動を保持部９に伝搬し、支持部６に保持された
半導体ウエハ１を上下振幅運動させるようにしても、実
施例１と同様の効果が得られる。
高周波振動装置としたものを示したが、実施例２として
図３に示すように例えばエンジンまたはエアー等で駆動
され、上下に振幅運動するピストン１０を備えたピスト
ン振動発生装置１１を振動手段とし、ピストン１０の上
下振幅運動を保持部９に伝搬し、支持部６に保持された
半導体ウエハ１を上下振幅運動させるようにしても、実
施例１と同様の効果が得られる。
【００２５】実施例３．以下、この発明の実施例３を図
について説明する。図４はこの発明の実施例３における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，６は図１と同様でありその説
明は省略する。１２は軸１２ａを要して回転し係合ピン
１２ｂに円軌道を与える回転板、１３は一方が係合ピン
１２ｂと係合し他方が支持部６に連結された保持棒で、
これら１２，１３で回転振動発生装置１４を形成する。
について説明する。図４はこの発明の実施例３における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，６は図１と同様でありその説
明は省略する。１２は軸１２ａを要して回転し係合ピン
１２ｂに円軌道を与える回転板、１３は一方が係合ピン
１２ｂと係合し他方が支持部６に連結された保持棒で、
これら１２，１３で回転振動発生装置１４を形成する。
【００２６】次に動作について説明する。半導体ウエハ
１複数が所定間隔で並列に支持部６に保持されて処理槽
３内の洗浄液４に浸漬される。この状態で軸１２ａが４
個同等に回転し回転板１２が回転する。これにより係合
ピン１２ｂは円軌道で移動し係合している保持棒１３も
同じ軌道を移動する。さらに保持棒１３に連結されてい
る支持部６が移動し保持された半導体ウエハ１に円運動
にともなう振動を与え半導体ウエハ１の表面にあらゆる
方向より大きい流体抵抗が得られ汚染物除去能力が上が
る。
１複数が所定間隔で並列に支持部６に保持されて処理槽
３内の洗浄液４に浸漬される。この状態で軸１２ａが４
個同等に回転し回転板１２が回転する。これにより係合
ピン１２ｂは円軌道で移動し係合している保持棒１３も
同じ軌道を移動する。さらに保持棒１３に連結されてい
る支持部６が移動し保持された半導体ウエハ１に円運動
にともなう振動を与え半導体ウエハ１の表面にあらゆる
方向より大きい流体抵抗が得られ汚染物除去能力が上が
る。
【００２７】実施例４．以下、この発明の実施例４を図
について説明する。図５はこの発明の実施例４における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，６〜８は図１と同様でありそ
の説明は省略する。１５は処理槽３の底部側に設けられ
処理槽３を介して洗浄液４に高周波振動を与える液振動
手段の高周波振動部である。この構成によれば半導体ウ
エハ１自体の高周波振動に加えて洗浄液４が高周波振動
するため、半導体ウエハ１の表面により大きな流体抵抗
力を与えることができ洗浄効果が向上する。なお、この
場合両高周波は洗浄むらを生じさせないよう異なった位
相にしておくことが望ましい。また、この構成は実施例
２に適用しても同等の効果が得られる。
について説明する。図５はこの発明の実施例４における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，６〜８は図１と同様でありそ
の説明は省略する。１５は処理槽３の底部側に設けられ
処理槽３を介して洗浄液４に高周波振動を与える液振動
手段の高周波振動部である。この構成によれば半導体ウ
エハ１自体の高周波振動に加えて洗浄液４が高周波振動
するため、半導体ウエハ１の表面により大きな流体抵抗
力を与えることができ洗浄効果が向上する。なお、この
場合両高周波は洗浄むらを生じさせないよう異なった位
相にしておくことが望ましい。また、この構成は実施例
２に適用しても同等の効果が得られる。
【００２８】実施例５．以下、この発明の実施例５を図
について説明する。図６はこの発明の実施例５における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，７は図１と同様でありその説
明は省略する。１６は半導体ウエハを支持しかつ、図示
してないがベルト駆動などで回転可能に取り付けられて
いる回転手段の回転保持部、１７は回転保持部１６と高
周波振動装置７間に介在し回転保持部１６を保持してい
る保持棒である。
について説明する。図６はこの発明の実施例５における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
図において、１，３，４，７は図１と同様でありその説
明は省略する。１６は半導体ウエハを支持しかつ、図示
してないがベルト駆動などで回転可能に取り付けられて
いる回転手段の回転保持部、１７は回転保持部１６と高
周波振動装置７間に介在し回転保持部１６を保持してい
る保持棒である。
【００２９】次に動作について説明する。半導体ウエハ
１複数枚が回転保持部１６に保持されて処理槽３内の洗
浄液４に浸漬される。この状態で高周波振動装置７が作
動し保持棒１７および回転保持部１６を介して半導体ウ
エハ１に高周波振動を伝搬する。また、これと同時に図
示してない例えばベルト駆動装置が作動し図示してない
ベルトを介して回転保持部１６を回転させると、回転保
持部１６と外周を接している半導体ウエハ１が回転する
ものである。このように半導体ウエハ１を高周波振動の
上下方向の振幅運動に対し、自身を回転させることによ
って、半導体ウエハ表面の汚染物に対しあらゆる方向性
の振動を与えることになり汚染物除去能力が上がる。
１複数枚が回転保持部１６に保持されて処理槽３内の洗
浄液４に浸漬される。この状態で高周波振動装置７が作
動し保持棒１７および回転保持部１６を介して半導体ウ
エハ１に高周波振動を伝搬する。また、これと同時に図
示してない例えばベルト駆動装置が作動し図示してない
ベルトを介して回転保持部１６を回転させると、回転保
持部１６と外周を接している半導体ウエハ１が回転する
ものである。このように半導体ウエハ１を高周波振動の
上下方向の振幅運動に対し、自身を回転させることによ
って、半導体ウエハ表面の汚染物に対しあらゆる方向性
の振動を与えることになり汚染物除去能力が上がる。
【００３０】実施例６．以下、この発明の実施例６を図
について説明する。図７はこの発明の実施例６における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す斜視図である。
１８は枚葉式（１枚毎に処理される方式）で処理される
半導体ウエハ、１９はセットピン１９ａを有する保持
部、２０は振動手段で高周波振動を発生する高周波振動
装置、２１は保持部１９と高周波振動装置２０間に介在
し高周波振動を伝搬する保持棒、２２は洗浄液２３に高
周波振動を与えかつ、洗浄液２３を半導体ウエハ１８に
噴射する機構（メガソスクラブ機構）（図示してない）
を備えたスプレノズルである。
について説明する。図７はこの発明の実施例６における
半導体ウエハ洗浄装置の概略構成を示す斜視図である。
１８は枚葉式（１枚毎に処理される方式）で処理される
半導体ウエハ、１９はセットピン１９ａを有する保持
部、２０は振動手段で高周波振動を発生する高周波振動
装置、２１は保持部１９と高周波振動装置２０間に介在
し高周波振動を伝搬する保持棒、２２は洗浄液２３に高
周波振動を与えかつ、洗浄液２３を半導体ウエハ１８に
噴射する機構（メガソスクラブ機構）（図示してない）
を備えたスプレノズルである。
【００３１】次に動作について説明する。保持部１９に
半導体ウエハ１８をセットする。この状態で高周波振動
装置２０を作動させることにより高周波振動は保持棒２
１、保持部１９を介して半導体ウエハ１８に伝搬され
る。半導体ウエハ１８に高周波振動を与えた状態でスプ
レノズル２２により洗浄液２３を半導体ウエハ１８に噴
射する。なお、この時スプレノズル２２を半導体ウエハ
表面内に均一に移動させる。このように高周波振動の洗
浄液２３を噴射するスプレノズル２２と半導体ウエハ１
８自身を高周波振動させる高周波振動装置２０を組み合
わせたことにより、洗浄効果がより高まる。また、この
場合枚葉式（１枚毎の処理）であるため対象物（半導体
ウエハ，保持部等）の質量を低減でき半導体ウエハに対
する加速度（洗浄力）が高まる。
半導体ウエハ１８をセットする。この状態で高周波振動
装置２０を作動させることにより高周波振動は保持棒２
１、保持部１９を介して半導体ウエハ１８に伝搬され
る。半導体ウエハ１８に高周波振動を与えた状態でスプ
レノズル２２により洗浄液２３を半導体ウエハ１８に噴
射する。なお、この時スプレノズル２２を半導体ウエハ
表面内に均一に移動させる。このように高周波振動の洗
浄液２３を噴射するスプレノズル２２と半導体ウエハ１
８自身を高周波振動させる高周波振動装置２０を組み合
わせたことにより、洗浄効果がより高まる。また、この
場合枚葉式（１枚毎の処理）であるため対象物（半導体
ウエハ，保持部等）の質量を低減でき半導体ウエハに対
する加速度（洗浄力）が高まる。
【００３２】ここで実施例１〜６について従来と比較し
た洗浄メカニズムの説明を行う。従来例として液振動
（メガソニック）が周波数ｆ＝８００ＫＨｚ，振幅Ａ＝
０．１μｍとした場合にその流体速度Ｖは、 Ｖ＝Ａω＝Ａ２πｆ＝０.１×１０-6・２π・８００×
１０3＝０.５ｍ/ｓｅｃ となる。従来の液振動（メガソニック）による洗浄では
図８−（Ａ）に示すように半導体ウエハ表面に近くなる
（ｈが小さくなる）ほど高周波振動による液運動速度が
小さくなる。この発明における洗浄によれば半導体ウエ
ハ自身を振動させるため表面の汚染物自体が振動による
速度を直接受け、汚染物と洗浄液との相対速度が大き
い。図８−（Ｂ）は半導体ウエハ表面に近くなる（ｈが
小さくなる）ほど半導体ウエハの高周波振動による液の
相対運動速度が大きくなることを示している。このこと
は相対運動は剪断応力として下記式で示されこれが大き
くなれば洗浄力が大きくなることである。τ＝μＶ／ｈ
（単位；Ｎ／ｍ2＝Ｐａ）となる。 Ｖ；流体速度 ｈ；距離 μ；粘度（流体の種類と温度
圧力によって決まる） また、パーティクル状汚染物（球と仮定）の受ける外力
（流体抵抗力）または洗浄力は Ｄ＝ＣD・ρ／２・Ｖ2・π／４・ｄ2 ＣD；抗力係数，ρ；液体密度，ｄ；球の直径 従って、外力（洗浄力）を大きくするにはρまたはμを
大きくする方法もある。例えば洗浄液を通常使用してい
る定温（２０℃程度）の純水より４℃又は４℃以下の純
水にすればρまたはμが大きくなるためその効果が顕著
にでる。即ち実施例１〜６で洗浄液に純水相当の液で純
水より比重および粘度が大きい液体を選定すればより効
果的である。
た洗浄メカニズムの説明を行う。従来例として液振動
（メガソニック）が周波数ｆ＝８００ＫＨｚ，振幅Ａ＝
０．１μｍとした場合にその流体速度Ｖは、 Ｖ＝Ａω＝Ａ２πｆ＝０.１×１０-6・２π・８００×
１０3＝０.５ｍ/ｓｅｃ となる。従来の液振動（メガソニック）による洗浄では
図８−（Ａ）に示すように半導体ウエハ表面に近くなる
（ｈが小さくなる）ほど高周波振動による液運動速度が
小さくなる。この発明における洗浄によれば半導体ウエ
ハ自身を振動させるため表面の汚染物自体が振動による
速度を直接受け、汚染物と洗浄液との相対速度が大き
い。図８−（Ｂ）は半導体ウエハ表面に近くなる（ｈが
小さくなる）ほど半導体ウエハの高周波振動による液の
相対運動速度が大きくなることを示している。このこと
は相対運動は剪断応力として下記式で示されこれが大き
くなれば洗浄力が大きくなることである。τ＝μＶ／ｈ
（単位；Ｎ／ｍ2＝Ｐａ）となる。 Ｖ；流体速度 ｈ；距離 μ；粘度（流体の種類と温度
圧力によって決まる） また、パーティクル状汚染物（球と仮定）の受ける外力
（流体抵抗力）または洗浄力は Ｄ＝ＣD・ρ／２・Ｖ2・π／４・ｄ2 ＣD；抗力係数，ρ；液体密度，ｄ；球の直径 従って、外力（洗浄力）を大きくするにはρまたはμを
大きくする方法もある。例えば洗浄液を通常使用してい
る定温（２０℃程度）の純水より４℃又は４℃以下の純
水にすればρまたはμが大きくなるためその効果が顕著
にでる。即ち実施例１〜６で洗浄液に純水相当の液で純
水より比重および粘度が大きい液体を選定すればより効
果的である。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽
の洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚
染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部
を振動させる振動手段を設けたので、半導体ウエハ表面
に高い流体抵抗力を生じさせ効果的に洗浄できる半導体
ウエハ洗浄装置が得られる効果がある。
れば、保持部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽
の洗浄液中に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚
染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部
を振動させる振動手段を設けたので、半導体ウエハ表面
に高い流体抵抗力を生じさせ効果的に洗浄できる半導体
ウエハ洗浄装置が得られる効果がある。
【００３４】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、振動手段は高周波で振動する高周波振動
装置としたので、高周波振動が減衰なく半導体ウエハに
伝搬され半導体ウエハ表面に大きい洗浄力を生じさせ
る。
項１において、振動手段は高周波で振動する高周波振動
装置としたので、高周波振動が減衰なく半導体ウエハに
伝搬され半導体ウエハ表面に大きい洗浄力を生じさせ
る。
【００３５】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１において、振動手段は機械的ピストン運動によって
保持部に上下振動を伝搬するピストン振動発生装置とし
たので、上下振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され半
導体ウエハ表面に大きい洗浄力を生じさせる。
項１において、振動手段は機械的ピストン運動によって
保持部に上下振動を伝搬するピストン振動発生装置とし
たので、上下振動が減衰なく半導体ウエハに伝搬され半
導体ウエハ表面に大きい洗浄力を生じさせる。
【００３６】また、この発明の請求項４によれば、請求
項１において、振動手段は、円板状でなり軸心をはずれ
た位置に突出した係合ピンを有する回転板と、係合ピン
と係合し回転板の回転により移動する係合ピンの円軌道
を保持部に伝搬する保持棒とで形成された回転振動発生
装置としたので円軌道に沿った回転移動の振動が半導体
ウエハに伝搬され半導体ウエハ表面の全方向に大きい洗
浄力を生じさせる。
項１において、振動手段は、円板状でなり軸心をはずれ
た位置に突出した係合ピンを有する回転板と、係合ピン
と係合し回転板の回転により移動する係合ピンの円軌道
を保持部に伝搬する保持棒とで形成された回転振動発生
装置としたので円軌道に沿った回転移動の振動が半導体
ウエハに伝搬され半導体ウエハ表面の全方向に大きい洗
浄力を生じさせる。
【００３７】また、この発明の請求項５によれば、保持
部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の洗浄液中
に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染物を除去
する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を振動させ
る振動手段と、処理槽を介して洗浄液を振動させる液振
動手段とを設けたので、半導体ウエハ自身の振動に加え
洗浄液が振動し、半導体ウエハ表面により大きい洗浄力
を生じさせる。
部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の洗浄液中
に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染物を除去
する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を振動させ
る振動手段と、処理槽を介して洗浄液を振動させる液振
動手段とを設けたので、半導体ウエハ自身の振動に加え
洗浄液が振動し、半導体ウエハ表面により大きい洗浄力
を生じさせる。
【００３８】また、この発明の請求項６によれば、保持
部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の洗浄液中
に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染物を除去
する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を振動させ
る振動手段と、保持部に半導体ウエハを回転させる回転
手段を設けたので半導体ウエハ表面に全方向性の振動を
与え洗浄効果が向上する。
部に保持された複数の半導体ウエハを処理槽の洗浄液中
に浸漬し半導体ウエハ表面に付着している汚染物を除去
する半導体ウエハ洗浄装置において、保持部を振動させ
る振動手段と、保持部に半導体ウエハを回転させる回転
手段を設けたので半導体ウエハ表面に全方向性の振動を
与え洗浄効果が向上する。
【００３９】また、この発明の請求項７によれば、洗浄
液に高周波振動を与えながら噴射させる機構を備え、保
持部にほぼ水平に保持された半導体ウエハの表面に洗浄
液を噴射して表面の洗浄をする半導体ウエハ洗浄装置に
おいて、保持部を振動させ半導体ウエハを加速度運動さ
せる振動手段を設けたので、半導体ウエハ自身も加速度
運動をして半導体ウエハ表面の洗浄力が大きくなる。
液に高周波振動を与えながら噴射させる機構を備え、保
持部にほぼ水平に保持された半導体ウエハの表面に洗浄
液を噴射して表面の洗浄をする半導体ウエハ洗浄装置に
おいて、保持部を振動させ半導体ウエハを加速度運動さ
せる振動手段を設けたので、半導体ウエハ自身も加速度
運動をして半導体ウエハ表面の洗浄力が大きくなる。
【００４０】また、この発明の請求項８によれば、請求
項１，５〜７のいずれかにおいて、洗浄液は４℃以下の
純水としたので、半導体ウエハ表面に対する流体抵抗力
が大きくなり洗浄力を向上させる。
項１，５〜７のいずれかにおいて、洗浄液は４℃以下の
純水としたので、半導体ウエハ表面に対する流体抵抗力
が大きくなり洗浄力を向上させる。
【図１】 この発明の実施例１における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】 図１における線ＩＩ−ＩＩに沿った側面図で
ある。
ある。
【図３】 この発明の実施例２における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施例３における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】 この発明の実施例４における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図６】 この発明の実施例５における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】 この発明の実施例６における半導体ウエハ洗
浄装置の概略構成を示す断面図である。
浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】 洗浄メカニズムについての説明図で（Ａ）に
従来の場合を（Ｂ）にこの発明の場合を示す。
従来の場合を（Ｂ）にこの発明の場合を示す。
【図９】 従来の半導体ウエハ洗浄装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ 半導体ウエハ、３ 処理槽、４ 洗浄液、７ 高周
波振動装置（振動手段）、９ 保持部、１１ ピストン
振動発生装置（振動手段）、１２ 回転板、１２ｂ 係
合ピン、１３ 保持棒、１４ 回転振動発生装置（振動
手段）、１５ 高周波振動部（液振動手段）、１６ 回
転保持部（回転手段）、１８ 半導体ウエハ、１９ 保
持部、２０ 高周波振動装置（振動手段）、２２ 高周
波振動部付スプレノズル、２３ 高周波振動状態で噴射
する洗浄液。
波振動装置（振動手段）、９ 保持部、１１ ピストン
振動発生装置（振動手段）、１２ 回転板、１２ｂ 係
合ピン、１３ 保持棒、１４ 回転振動発生装置（振動
手段）、１５ 高周波振動部（液振動手段）、１６ 回
転保持部（回転手段）、１８ 半導体ウエハ、１９ 保
持部、２０ 高周波振動装置（振動手段）、２２ 高周
波振動部付スプレノズル、２３ 高周波振動状態で噴射
する洗浄液。
Claims (8)
- 【請求項１】 保持部に保持された複数の半導体ウエハ
を処理槽の洗浄液中に浸漬し上記半導体ウエハ表面に付
着している汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置にお
いて、上記保持部を振動させる振動手段を備えたことを
特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項２】 振動手段は高周波で振動する高周波振動
装置であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウ
エハ洗浄装置。 - 【請求項３】 振動手段はピストン運動によって保持部
に上下振動を伝搬するピストン振動発生装置であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項４】 振動手段は、円板状でなり軸心をはずれ
た位置に突出した係合ピンを有する回転板と、上記係合
ピンと係合し上記回転板の回転により移動する上記係合
ピンの円軌道を保持部に伝搬する保持棒とで形成された
回転振動発生装置であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項５】 保持部に保持された複数の半導体ウエハ
を処理槽の洗浄液中に浸漬し上記半導体ウエハ表面に付
着している汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置にお
いて、上記保持部を振動させる振動手段と、上記処理槽
を介して上記洗浄液を振動させる液振動手段とを備えた
ことを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項６】 保持部に保持された複数の半導体ウエハ
を処理槽の洗浄液中に浸漬し上記半導体ウエハ表面に付
着している汚染物を除去する半導体ウエハ洗浄装置にお
いて、上記保持部を振動させる振動手段と、上記保持部
に上記半導体ウエハを回転させる回転手段を備えている
ことを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項７】 洗浄液に高周波振動を与えながら噴射さ
せる機構を備え、保持部にほぼ水平に保持された半導体
ウエハの表面に上記洗浄液を噴射して上記表面の洗浄を
する半導体ウエハ洗浄装置において、上記保持部を振動
させ上記半導体ウエハを加速度運動させる振動手段を備
えていることを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。 - 【請求項８】 洗浄液は４℃以下の純水であることを特
徴とする請求項１，５〜７のいずれかに記載の半導体ウ
エハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19858794A JPH0864566A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19858794A JPH0864566A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864566A true JPH0864566A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16393667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19858794A Pending JPH0864566A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 半導体ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864566A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US7416611B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| JP2012061505A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Showa Kogyo:Kk | 離型剤スプレーカセットの洗浄装置及びそれを用いた離型剤スプレーカセットの洗浄方法 |
| WO2023066406A1 (zh) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置 |
| CN118543596A (zh) * | 2023-02-24 | 2024-08-27 | 日本发条株式会社 | 一种清洗工件的方法和装置 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP19858794A patent/JPH0864566A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US7416611B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| JP2012061505A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Showa Kogyo:Kk | 離型剤スプレーカセットの洗浄装置及びそれを用いた離型剤スプレーカセットの洗浄方法 |
| WO2023066406A1 (zh) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置 |
| CN118543596A (zh) * | 2023-02-24 | 2024-08-27 | 日本发条株式会社 | 一种清洗工件的方法和装置 |
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