JPS59155157A - Icモジユ−ル - Google Patents
Icモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS59155157A JPS59155157A JP58028513A JP2851383A JPS59155157A JP S59155157 A JPS59155157 A JP S59155157A JP 58028513 A JP58028513 A JP 58028513A JP 2851383 A JP2851383 A JP 2851383A JP S59155157 A JPS59155157 A JP S59155157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cap
- temperature
- chips
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の朽する技術分野]
この発8Aは、ICモジュールの冷却に胸する。
[従来技術とその問題点コ
従来、ICモジュール冷却には、基板忙ヒートシンクと
してアルミフィンを取り付けていたが最近のように、電
子機器の小型化が進むともはや、アルミフィンを設ける
スペースに限界が生じ、さらに過渡特性が間νqになる
と、基板の裏から熱を逃がす時間的余裕もなくなってく
る。また温度分布もかなHOが存在し、最高温度の抑制
に限度がある。
してアルミフィンを取り付けていたが最近のように、電
子機器の小型化が進むともはや、アルミフィンを設ける
スペースに限界が生じ、さらに過渡特性が間νqになる
と、基板の裏から熱を逃がす時間的余裕もなくなってく
る。また温度分布もかなHOが存在し、最高温度の抑制
に限度がある。
[発明の目的]
この発明は、上述した従来の冷却方法を改良したもので
、短時間如発生熱を分散させ、効率の良い冷却と蓄熱の
できるICモジュールを提供することを目的とする。
、短時間如発生熱を分散させ、効率の良い冷却と蓄熱の
できるICモジュールを提供することを目的とする。
[発明の概要]
本発明を実施例に基づいて説明する。図は本発明の実施
例で、基板1にICチップ2が塔載され、その上からキ
ャップ3がかぶされている。キャップ3と基板1は気密
を保ちながらシールされている。基板1とキャップ3か
らなる空間部を棒状の良熱導体4で連結している。
例で、基板1にICチップ2が塔載され、その上からキ
ャップ3がかぶされている。キャップ3と基板1は気密
を保ちながらシールされている。基板1とキャップ3か
らなる空間部を棒状の良熱導体4で連結している。
[発明の効果コ
ICチップの発熱量が犬であった場合、その近傍の基板
面温度は急激に上昇し、他の基板面とに大きな温度差を
生じる。また一般に基板周辺は比較的温度が低く、キャ
ップは基板周辺にシールiれるので、キャップの温度は
比較的低い。
面温度は急激に上昇し、他の基板面とに大きな温度差を
生じる。また一般に基板周辺は比較的温度が低く、キャ
ップは基板周辺にシールiれるので、キャップの温度は
比較的低い。
本発明によれば、基板畠―部と比較的温度の低いキャッ
プとを良熱伝導体で連結するので、基板温度の均一化が
促進され、最高温度上昇が抑制されて、容易な技術で冷
却効果が増大し、消波温度特性にも十分対応できる。
プとを良熱伝導体で連結するので、基板温度の均一化が
促進され、最高温度上昇が抑制されて、容易な技術で冷
却効果が増大し、消波温度特性にも十分対応できる。
[発明の笑施例コ
図に本発明の実施例を示す。基板1とICチップ2とキ
ャップ3とから成るICモジスールに、ICチップ2の
近傍の基板面とキャップ3とを棒状の良熱伝導体4で連
結している。、伝導体4とキャップ3の接着、さらに基
板1との接着は良熱伝導性エポキシを用いている。その
ため、チップ2から発止した熱は短時間で、キャップ3
に到達でき、同時に温度分布を均一圧することができて
、蓄熱と冷却の両方に効果がある。
ャップ3とから成るICモジスールに、ICチップ2の
近傍の基板面とキャップ3とを棒状の良熱伝導体4で連
結している。、伝導体4とキャップ3の接着、さらに基
板1との接着は良熱伝導性エポキシを用いている。その
ため、チップ2から発止した熱は短時間で、キャップ3
に到達でき、同時に温度分布を均一圧することができて
、蓄熱と冷却の両方に効果がある。
1・・・基板、2・・・ICチップ、3・・・キャップ
4・・・棒状良熱伝導性体。
4・・・棒状良熱伝導性体。
ム J ム 2
Claims (1)
- 基板と、仁の基板に塔載されたICチップとこのチップ
をおおい、前記基板に密着されたキャップとから成るI
Cモジュールにおいて、前記チップ塔載基板面とその基
板に対向する前記キャップ面とを、前記キャップの周辺
における前記チップ塔載基板との接触部以外において、
棒状の良熱伝導体で?結したことを特徴とするICモジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028513A JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Icモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028513A JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Icモジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155157A true JPS59155157A (ja) | 1984-09-04 |
| JPH0430185B2 JPH0430185B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=12250760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028513A Granted JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Icモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155157A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248551A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
| JP2007273726A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体素子パッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531563U (ja) * | 1976-06-23 | 1978-01-09 |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP58028513A patent/JPS59155157A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531563U (ja) * | 1976-06-23 | 1978-01-09 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248551A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
| JP2007273726A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体素子パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430185B2 (ja) | 1992-05-21 |
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