JPH0430185B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0430185B2 JPH0430185B2 JP58028513A JP2851383A JPH0430185B2 JP H0430185 B2 JPH0430185 B2 JP H0430185B2 JP 58028513 A JP58028513 A JP 58028513A JP 2851383 A JP2851383 A JP 2851383A JP H0430185 B2 JPH0430185 B2 JP H0430185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- cap
- chips
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、複数の半導体チツプを基板に搭載し
たICモジユールに関する。
たICモジユールに関する。
（従来の技術）
従来、ICモジユールの冷却には、基板にヒー
トシンクとしてアルミの冷却フインを取付けてい
るものが一般的である。しかし、最近のように電
子機器の小型化が進むともはや、冷却フインを設
けるスペースに限界が生じ、さらに過渡特性が問
題になると、基板の裏から熱を逃がす時間的余裕
もなくなつてくる。
トシンクとしてアルミの冷却フインを取付けてい
るものが一般的である。しかし、最近のように電
子機器の小型化が進むともはや、冷却フインを設
けるスペースに限界が生じ、さらに過渡特性が問
題になると、基板の裏から熱を逃がす時間的余裕
もなくなつてくる。
また、温度分布にもかなり偏りが存在し、最高
温度の抑制に限度がある。
温度の抑制に限度がある。
またさらに、近年の高密度化により、ICモジ
ユール内に許容温度範囲の異なるICチツプを高
密度に隣接して配置した場合には、隣接チツプ同
士の熱的影響が問題となる。つまり、高温チツプ
から低温のチツプへ基板を介して熱が伝わり、低
温のチツプが温度上昇して許容温度範囲を越える
虞が生じるのである。
ユール内に許容温度範囲の異なるICチツプを高
密度に隣接して配置した場合には、隣接チツプ同
士の熱的影響が問題となる。つまり、高温チツプ
から低温のチツプへ基板を介して熱が伝わり、低
温のチツプが温度上昇して許容温度範囲を越える
虞が生じるのである。
（発明が解決しようとする課題）
以上のようにICモジユールでは、従来の冷却
フイン方式では高密度化に適さず、また、温度分
布の偏り、あるいは隣接チツプ同士の熱的影響が
問題となつている。
フイン方式では高密度化に適さず、また、温度分
布の偏り、あるいは隣接チツプ同士の熱的影響が
問題となつている。
本発明は上記問題点を考慮してなされたもの
で、温度分布の偏りがなく、また、隣接チツプ同
士の熱的影響影響を抑制し、小型・高密度化に適
したICモジユールを提供することを目的とする。
で、温度分布の偏りがなく、また、隣接チツプ同
士の熱的影響影響を抑制し、小型・高密度化に適
したICモジユールを提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のICモジユールは、基板と、この基板
に搭載される複数の半導体チツプと、この半導体
チツプを覆うごとく前記基板に気密に取着された
キヤツプと、前記複数の半導体チツプの周辺近傍
でかつ互いのチツプの間に配設され、前記半導体
チツプが搭載される基板面とこの基板面に対向す
る前記キヤツプ面とを熱的に接続する良熱伝導体
とを具備することを特徴としている。
に搭載される複数の半導体チツプと、この半導体
チツプを覆うごとく前記基板に気密に取着された
キヤツプと、前記複数の半導体チツプの周辺近傍
でかつ互いのチツプの間に配設され、前記半導体
チツプが搭載される基板面とこの基板面に対向す
る前記キヤツプ面とを熱的に接続する良熱伝導体
とを具備することを特徴としている。
（作用）
上記のように構成されたICモジユールによれ
ば、従来のように大型のアルミの冷却フイン等を
用いることなく、キヤツプに熱を伝えて冷却する
ことができるので小型化に適する。
ば、従来のように大型のアルミの冷却フイン等を
用いることなく、キヤツプに熱を伝えて冷却する
ことができるので小型化に適する。
また、任意のチツプの発熱量が大であつた場
合、その近傍の基板面温度は急激に上昇し、他の
基板面とに大きな温度差を生じる。一般に基板周
辺は比較的温度が低く、キヤツプは基板周辺にシ
ールされて取着されているので、キヤツプの温度
は低い。このように温度の低いキヤツプに基板の
高温部からの熱を良熱伝導体にて伝え、キヤツプ
で放熱するので冷却効率も高くなる。
合、その近傍の基板面温度は急激に上昇し、他の
基板面とに大きな温度差を生じる。一般に基板周
辺は比較的温度が低く、キヤツプは基板周辺にシ
ールされて取着されているので、キヤツプの温度
は低い。このように温度の低いキヤツプに基板の
高温部からの熱を良熱伝導体にて伝え、キヤツプ
で放熱するので冷却効率も高くなる。
またさらに、許容温度範囲の異なるチツプ同士
が隣接して配置されている場合でも、隣接チツプ
の間に良熱伝導体が配置されており、高温のチツ
プから基板を介して低温のチツプへ伝わる熱を、
良熱伝導体にてキヤツプへ逃がすことができる。
したがつて、隣接チツプ同士で熱の影響を及ぼし
合うことが防止できる。
が隣接して配置されている場合でも、隣接チツプ
の間に良熱伝導体が配置されており、高温のチツ
プから基板を介して低温のチツプへ伝わる熱を、
良熱伝導体にてキヤツプへ逃がすことができる。
したがつて、隣接チツプ同士で熱の影響を及ぼし
合うことが防止できる。
（実施例）
以下図面を参照して、本発明の一実施例につい
て説明する。
て説明する。
基板１上には、複数の半導体チツプ２が搭載さ
れ、それらチツプを覆うようにキヤツプ３が基板
１の周縁部に気密を保つようにシールされて取着
されている。一方、複数の半導体チツプ３の各々
の周辺近傍でかつ互いのチツプの間に配設され、
半導体チツプが搭載される基板面とこの基板面に
対向するキヤツプ面とを熱的に接続する良熱伝導
体４が設けられている。これら良熱伝導体４と基
板１およびキヤツプ３との接続には良熱伝導性の
エポキシ系の接着剤等が用いられている。また、
良熱伝導体は、例えば柱状あるいは板状等のよう
に形状がシンプルなもので良く、加工および取付
けは極めて簡単に行える。
れ、それらチツプを覆うようにキヤツプ３が基板
１の周縁部に気密を保つようにシールされて取着
されている。一方、複数の半導体チツプ３の各々
の周辺近傍でかつ互いのチツプの間に配設され、
半導体チツプが搭載される基板面とこの基板面に
対向するキヤツプ面とを熱的に接続する良熱伝導
体４が設けられている。これら良熱伝導体４と基
板１およびキヤツプ３との接続には良熱伝導性の
エポキシ系の接着剤等が用いられている。また、
良熱伝導体は、例えば柱状あるいは板状等のよう
に形状がシンプルなもので良く、加工および取付
けは極めて簡単に行える。
このように構成された本発明のICモジユール
によれば、チツプ１で発生した熱は基板１に伝わ
り、チツプ１の周辺部に配置された良熱伝導体４
を通して短時間でキヤツプ３に到達できる。この
キヤツプ３は基板１の低温部たる周縁部に取着さ
れているため、キヤツプ３の温度は低く効率の良
い冷却が行える。
によれば、チツプ１で発生した熱は基板１に伝わ
り、チツプ１の周辺部に配置された良熱伝導体４
を通して短時間でキヤツプ３に到達できる。この
キヤツプ３は基板１の低温部たる周縁部に取着さ
れているため、キヤツプ３の温度は低く効率の良
い冷却が行える。
また、チツプ１の周辺部の高温となる基板１か
ら良熱伝導体４を通してキヤツプ３に熱を伝える
ため基板１の温度の均一化が達成される。
ら良熱伝導体４を通してキヤツプ３に熱を伝える
ため基板１の温度の均一化が達成される。
また、許容温度範囲の異なるチツプ１同士が隣
接して配置されている場合でも、隣接チツプの間
に良熱伝導体４が配置されており、高温のチツプ
から基板１を介して低温のチツプへ伝わる熱を、
良熱伝導体４にてキヤツプ３へ逃がすことができ
る。隣接チツプの高温チツプと低温チツプとの温
度差が大きい場合は、高温チツプの周辺の基板が
低温チツプの温度より高くなる場合が生じる。そ
の場合、本発明の良熱伝導体４を設けなければ低
温チツプに基板１から熱が伝達され、低温チツプ
が許容温度を越えるに至る虞がある。本発明のよ
うに良熱伝導体４を設けたものでは、高温チツプ
周辺の基板１からキヤツプ３に熱を伝えるので低
温チツプに及ぼされる熱的影響を極めて小さくす
ることができる。
接して配置されている場合でも、隣接チツプの間
に良熱伝導体４が配置されており、高温のチツプ
から基板１を介して低温のチツプへ伝わる熱を、
良熱伝導体４にてキヤツプ３へ逃がすことができ
る。隣接チツプの高温チツプと低温チツプとの温
度差が大きい場合は、高温チツプの周辺の基板が
低温チツプの温度より高くなる場合が生じる。そ
の場合、本発明の良熱伝導体４を設けなければ低
温チツプに基板１から熱が伝達され、低温チツプ
が許容温度を越えるに至る虞がある。本発明のよ
うに良熱伝導体４を設けたものでは、高温チツプ
周辺の基板１からキヤツプ３に熱を伝えるので低
温チツプに及ぼされる熱的影響を極めて小さくす
ることができる。
したがつて、隣接チツプ同士で熱の影響を及ぼ
し合うことが防止できる。
し合うことが防止できる。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明のICモジユール
によれば、チツプの発熱を基板に伝え、それによ
り高温となる基板部分から良熱伝導体を介して低
温のキヤツプに放熱するため、簡単な構成で冷却
効率が向上する。また、複数のチツプ間に良熱伝
導体が配置されているのでチツプ相互間で及ぼさ
れる熱的影響を極めて低く抑えることができる。
によれば、チツプの発熱を基板に伝え、それによ
り高温となる基板部分から良熱伝導体を介して低
温のキヤツプに放熱するため、簡単な構成で冷却
効率が向上する。また、複数のチツプ間に良熱伝
導体が配置されているのでチツプ相互間で及ぼさ
れる熱的影響を極めて低く抑えることができる。
図面は、本発明のICモジユールの一実施例を
示す概略断面図である。 １……基板、２……半導体チツプ（チツプ）、
３……キヤツプ、４……良熱伝導体。
示す概略断面図である。 １……基板、２……半導体チツプ（チツプ）、
３……キヤツプ、４……良熱伝導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 この基板に搭載される複数の半導体チツプと、
この半導体チツプを覆うごとく前記基板に気密に
取着されたキヤツプと、 前記複数の半導体チツプの周辺近傍でかつ互い
のチツプの間に配設され、前記半導体チツプが搭
載される基板面とこの基板面に対向する前記キヤ
ツプ面とを熱的に接続する良熱伝導体と、 を具備することを特徴とするICモジユール。 ２ 前記良熱伝導体と前記基板およびキヤツプと
の接続を良熱伝導体の接着剤にて接着することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のICモジ
ユール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028513A JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Ｉｃモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58028513A JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Ｉｃモジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155157A JPS59155157A (ja) | 1984-09-04 |
| JPH0430185B2 true JPH0430185B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=12250760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028513A Granted JPS59155157A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | Ｉｃモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155157A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248551A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
| JP4745104B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 半導体素子パッケージ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576834Y2 (ja) * | 1976-06-23 | 1982-02-09 |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP58028513A patent/JPS59155157A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155157A (ja) | 1984-09-04 |
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