JPS5916156A - 光学的メモリ媒体 - Google Patents
光学的メモリ媒体Info
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- JPS5916156A JPS5916156A JP57126404A JP12640482A JPS5916156A JP S5916156 A JPS5916156 A JP S5916156A JP 57126404 A JP57126404 A JP 57126404A JP 12640482 A JP12640482 A JP 12640482A JP S5916156 A JPS5916156 A JP S5916156A
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- Japan
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- layer
- thin film
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- optical memory
- memory medium
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的に情報を記録、再生する光学的メモリ装
置に適用して有効な高感度の光学的メモリ媒体に関する
ものである。
置に適用して有効な高感度の光学的メモリ媒体に関する
ものである。
従来、この種の光学的メモリ媒体としては、ガラスまた
はプラスチック基体上に記録層として例えばＢｉ 、
Ｔｏなどの金属薄膜層または有機色素薄膜層を形成し、
集束レーザ光による溶融蒸発を原理とした凹部（ビット
）を形成して情報を記録する方式のものが使用されてき
た。しかしながら。
はプラスチック基体上に記録層として例えばＢｉ 、
Ｔｏなどの金属薄膜層または有機色素薄膜層を形成し、
集束レーザ光による溶融蒸発を原理とした凹部（ビット
）を形成して情報を記録する方式のものが使用されてき
た。しかしながら。
このよう力金属薄膜記録層は一般に反射率が高く。
例えばＢｉの場合可視光では約６５％に達すること、お
よび溶融点が比較的高く、例えばＢｉで２７１°Ｃ，Ｔ
ｏで４５０’Ｃであることが原因となり、記録感度が低
く、そのため記録するのに大出力のレーザ装置が必要で
あった。一方、有機色素薄膜記録層は一般に反射率が低
く、低熱伝導率であり溶融点が比較的低いため、相対的
に高感度となり、したがって低い出力レーザにより記録
しうる特長を有しているが、多くの金属薄膜の場合と同
様にレーザビーム照射で生成されだ凹部の周辺部の形状
がき゛ざぎざ状または摺鉢形になり易く、情報再生時に
おける記号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を低下させるという欠
点があった。
よび溶融点が比較的高く、例えばＢｉで２７１°Ｃ，Ｔ
ｏで４５０’Ｃであることが原因となり、記録感度が低
く、そのため記録するのに大出力のレーザ装置が必要で
あった。一方、有機色素薄膜記録層は一般に反射率が低
く、低熱伝導率であり溶融点が比較的低いため、相対的
に高感度となり、したがって低い出力レーザにより記録
しうる特長を有しているが、多くの金属薄膜の場合と同
様にレーザビーム照射で生成されだ凹部の周辺部の形状
がき゛ざぎざ状または摺鉢形になり易く、情報再生時に
おける記号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を低下させるという欠
点があった。
本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は従来技術の欠点を解消した高感度の光学的メ
モリ媒体を提供することにある。
その目的は従来技術の欠点を解消した高感度の光学的メ
モリ媒体を提供することにある。
本発明の光学的メモリ媒体はあらかじめ反射膜層が形成
されたガラスまたはプラスチック基体上に交互に積層状
に形成された薄膜低融点合金層および色素薄膜記録層で
構成され、かつ最外層部が色素薄膜記録層からなり、レ
ーザビームを照射することによりこの色素薄膜記録層お
よび薄膜低融点合金層の積層部に同時に凹部を形成する
ことにより、情報を記録し、かつ情報を再生し得るもの
であり、本発明の特長は低いエネルギー密度のレーザー
ビームで高いＳ／Ｎ比の情報記録再生が得られることに
ある。すなわち、レーザビーム照射で上記低融点合金層
が溶融蒸発した際、この溶融部は表面張力により凝集、
収縮して凹部の周辺部が円形状になり易い性質を利用す
ることにより。
されたガラスまたはプラスチック基体上に交互に積層状
に形成された薄膜低融点合金層および色素薄膜記録層で
構成され、かつ最外層部が色素薄膜記録層からなり、レ
ーザビームを照射することによりこの色素薄膜記録層お
よび薄膜低融点合金層の積層部に同時に凹部を形成する
ことにより、情報を記録し、かつ情報を再生し得るもの
であり、本発明の特長は低いエネルギー密度のレーザー
ビームで高いＳ／Ｎ比の情報記録再生が得られることに
ある。すなわち、レーザビーム照射で上記低融点合金層
が溶融蒸発した際、この溶融部は表面張力により凝集、
収縮して凹部の周辺部が円形状になり易い性質を利用す
ることにより。
同時に溶融蒸発した色素薄膜記録層の四部の形状がたと
えぎざぎざ状や摺鉢状の不完全な形状であってもこの低
融点合金層の上記性質によって完全な円形状に修正され
るために高いＳ／Ｎ比が得られるものである。さらにこ
れらの低融点合金層および色素記録層が薄膜で積層化さ
れると上記の効果はさらに大きくなる。なお上記積層部
の最外層を色素薄膜記録層とするのは低融点合金層より
反射率が低くかつ低熱伝導率のため低いレーザ出力が使
用しうるためである。本発明における低融点合金層の融
点は使用される色素薄膜記録層の融点と同程度またはそ
れ以下であることが必要であり、例えばこの関係が逆で
あると低いエネルギー密度のレーザビームで色素薄膜記
録層に凹部が形成されても低融点合金層が変化しないた
め１本発明の目的が達成されないことになる。まだ本発
明における低融点合金層の組成はＳｎ、 Ｂｉ、 Ｐｂ
、 Ｃｄの内の２種類以上の組合せから々す、必要とす
る溶融温度により成分１組成を適宜選択することができ
、例えば１２．５％Ｓｎ −５０，０％Ｂ１−２６．０
％ ｐｂ−１２，５％ｃｄ合金は溶融温度が６０−７
２°Ｃ，１ｅ、ｏ ％５ｎ−５２．０％Ｂ１−３２．０
％Ｐｔ）合金は溶融温度が９６°Ｃ９４ｓ、ｏ％５ｎ−
ｓ、ｏ％Ｂ１−５２．ｏ％Ｐｂ−１ｓ、ｏ％Ｃａ合金は
溶融温度が１３２−１３９°Ｃ，４３，０％ Ｓｎ −
１４，０％Ｂ１−４３．０％ｐｂ合金は溶融温度が１４
３〜１６８°Ｃである０これらの低融点合金はアルミニ
ウム薄膜などを反射膜として真空蒸着させた基板上に真
空蒸着またはスパッタリングなどにより容易に形成する
ことができる。なお、この低融点合金はアルミニウムな
どの反射膜とは融点が著しるしく異なるため合金化しな
い。色素薄膜記録層の色素１４％に限定されず、オキサ
ジン系色素、アニリン系色素、ナフトール系色素などが
適用され、真空蒸着法やイオンブレーティング法などに
より。
えぎざぎざ状や摺鉢状の不完全な形状であってもこの低
融点合金層の上記性質によって完全な円形状に修正され
るために高いＳ／Ｎ比が得られるものである。さらにこ
れらの低融点合金層および色素記録層が薄膜で積層化さ
れると上記の効果はさらに大きくなる。なお上記積層部
の最外層を色素薄膜記録層とするのは低融点合金層より
反射率が低くかつ低熱伝導率のため低いレーザ出力が使
用しうるためである。本発明における低融点合金層の融
点は使用される色素薄膜記録層の融点と同程度またはそ
れ以下であることが必要であり、例えばこの関係が逆で
あると低いエネルギー密度のレーザビームで色素薄膜記
録層に凹部が形成されても低融点合金層が変化しないた
め１本発明の目的が達成されないことになる。まだ本発
明における低融点合金層の組成はＳｎ、 Ｂｉ、 Ｐｂ
、 Ｃｄの内の２種類以上の組合せから々す、必要とす
る溶融温度により成分１組成を適宜選択することができ
、例えば１２．５％Ｓｎ −５０，０％Ｂ１−２６．０
％ ｐｂ−１２，５％ｃｄ合金は溶融温度が６０−７
２°Ｃ，１ｅ、ｏ ％５ｎ−５２．０％Ｂ１−３２．０
％Ｐｔ）合金は溶融温度が９６°Ｃ９４ｓ、ｏ％５ｎ−
ｓ、ｏ％Ｂ１−５２．ｏ％Ｐｂ−１ｓ、ｏ％Ｃａ合金は
溶融温度が１３２−１３９°Ｃ，４３，０％ Ｓｎ −
１４，０％Ｂ１−４３．０％ｐｂ合金は溶融温度が１４
３〜１６８°Ｃである０これらの低融点合金はアルミニ
ウム薄膜などを反射膜として真空蒸着させた基板上に真
空蒸着またはスパッタリングなどにより容易に形成する
ことができる。なお、この低融点合金はアルミニウムな
どの反射膜とは融点が著しるしく異なるため合金化しな
い。色素薄膜記録層の色素１４％に限定されず、オキサ
ジン系色素、アニリン系色素、ナフトール系色素などが
適用され、真空蒸着法やイオンブレーティング法などに
より。
あるいは適当力溶剤を用いてスピナー法などで塗布、乾
燥、硬化することにより容易に形成することができる０ 次に、本発明における光学的メモリ媒体の構成およびそ
れによる情報の記録、再生操作を図面により説明する。
燥、硬化することにより容易に形成することができる０ 次に、本発明における光学的メモリ媒体の構成およびそ
れによる情報の記録、再生操作を図面により説明する。
第１図は本発明の光学的メモリ媒体を用いた記録、再生
工程の一例を示した系統図であり、第２図は第１図にお
ける記録後の光学的メモリ媒体の一部を示した拡大断面
図である。図において１は媒体、２は反射膜、３は低融
点合金層薄膜、４は色素薄膜記録層で３と４は３層以上
の積層、５は回転装置、６はレーザ、７は光変調器、８
は偏光ビームスプリッタ、９は対物レンズ。
工程の一例を示した系統図であり、第２図は第１図にお
ける記録後の光学的メモリ媒体の一部を示した拡大断面
図である。図において１は媒体、２は反射膜、３は低融
点合金層薄膜、４は色素薄膜記録層で３と４は３層以上
の積層、５は回転装置、６はレーザ、７は光変調器、８
は偏光ビームスプリッタ、９は対物レンズ。
１０は光検出器、１１は記録部となる凹部、１２は未記
録部を示す。前記１はガラスまたはポリメチルメタアク
リレートのようなプラスチック製の直径２０αの円板で
あり、その片面に反射膜２としてたとえば約ｓｏｏｍｍ
のアルミニウム薄膜を真空蒸着により形成し、その上に
膜厚１０〜１００ｍｍの低融点合金層３をスパッタリン
グし、さらにその上に膜厚１０〜１ｏｏｍｍの色素薄膜
よりなる記録層４を真空蒸着法まだはイオンブレーティ
ング法で形成し、３と４の各層を複数回積層させ。
録部を示す。前記１はガラスまたはポリメチルメタアク
リレートのようなプラスチック製の直径２０αの円板で
あり、その片面に反射膜２としてたとえば約ｓｏｏｍｍ
のアルミニウム薄膜を真空蒸着により形成し、その上に
膜厚１０〜１００ｍｍの低融点合金層３をスパッタリン
グし、さらにその上に膜厚１０〜１ｏｏｍｍの色素薄膜
よりなる記録層４を真空蒸着法まだはイオンブレーティ
ング法で形成し、３と４の各層を複数回積層させ。
最上層は色素薄膜記録層４とする。
このようにして作製した光学的メモリ媒体を回転装置已
に装着して回転させながら記録、再生が行われる。記録
は先ずレーザ６からのレーザ光を光変調器７により変調
して情報をもった光とし、偏光ビームスプリッタ８およ
び対物レンズ９により集束されたレーザ光のビーム径は
約１μｍであり。
に装着して回転させながら記録、再生が行われる。記録
は先ずレーザ６からのレーザ光を光変調器７により変調
して情報をもった光とし、偏光ビームスプリッタ８およ
び対物レンズ９により集束されたレーザ光のビーム径は
約１μｍであり。
その熱作用により記録層４の色素薄膜および低融点合金
層３は溶融蒸発し、その結果、第２図に示すような凹部
１１が形成され情報が記録される。
層３は溶融蒸発し、その結果、第２図に示すような凹部
１１が形成され情報が記録される。
記録された情報の再生はレーザ６におけるレーザ光の出
力を記録時の釣部程度にし、すなわち未記録層１２を溶
融蒸発させない程度の出力に下げ凹部１１と未記録層１
２の反射率の違いにより光検出器１０で電気信号に変換
して情報が再生される。
力を記録時の釣部程度にし、すなわち未記録層１２を溶
融蒸発させない程度の出力に下げ凹部１１と未記録層１
２の反射率の違いにより光検出器１０で電気信号に変換
して情報が再生される。
次に本発明の具体的な実施例を説明する。
（実施例１つ
低融点合金層３として１６．０％Ｓｎ −５２，０％Ｂ
１−３２．０ ％ Ｐｂ合金（溶融温度９６°Ｃ）’（
ｒスパッタリング法で１０ｏｗ’ｍ形成し、その」二に
色素薄膜記録層４として分子式Ｃａ１ｌ ＨＩ５ Ｎ３
で示されるデメチルアニリン色素（溶融温度１１５°Ｃ
）ｋイオンブレーティング法で５０？ＫＩ形成し、これ
を合計２回繰返して４層積層として第１図で説明した方
法により光学的メモリ媒体を作製し、出力１６ｍＷのＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光を使用してカラービデオ信号の記録、
再生を行なった。その結果、Ｓ／Ｎ比４５ｄＢ以上の良
好な再生画像品質が得られた。
１−３２．０ ％ Ｐｂ合金（溶融温度９６°Ｃ）’（
ｒスパッタリング法で１０ｏｗ’ｍ形成し、その」二に
色素薄膜記録層４として分子式Ｃａ１ｌ ＨＩ５ Ｎ３
で示されるデメチルアニリン色素（溶融温度１１５°Ｃ
）ｋイオンブレーティング法で５０？ＫＩ形成し、これ
を合計２回繰返して４層積層として第１図で説明した方
法により光学的メモリ媒体を作製し、出力１６ｍＷのＨ
ｅ−Ｎｅレーザ光を使用してカラービデオ信号の記録、
再生を行なった。その結果、Ｓ／Ｎ比４５ｄＢ以上の良
好な再生画像品質が得られた。
（実施例２）
低融点合金層３として５６．６％Ｂ１−４４．６％ｐｂ
合金（溶融温度１２４°Ｃ）を膜厚２０筋にスパッタリ
ングし、色素薄膜記録層４として分子式〇１８Ｈ＋６Ｏ
Ｎ２で示されるナフトール系色素（溶融温度１３３’Ｃ
） ｅスピンナー法で膜厚１００’ｎ′ｒｎに形成し、
これを合計２回繰返して４層積層として、実施例１と同
様の操作により光学的メモリ媒体の作製および記録、再
生実験を行ったところ、実施例１と略同等の結果を得る
ことができだ。
合金（溶融温度１２４°Ｃ）を膜厚２０筋にスパッタリ
ングし、色素薄膜記録層４として分子式〇１８Ｈ＋６Ｏ
Ｎ２で示されるナフトール系色素（溶融温度１３３’Ｃ
） ｅスピンナー法で膜厚１００’ｎ′ｒｎに形成し、
これを合計２回繰返して４層積層として、実施例１と同
様の操作により光学的メモリ媒体の作製および記録、再
生実験を行ったところ、実施例１と略同等の結果を得る
ことができだ。
（実施例３）
基板に一番近い面にまず色素薄膜記録層４としてデメチ
ルアニリン色素（ｆ：＋ａＨ＋５Ｎｓ 、溶融温度１１
６’Ｃ）ｅ膜厚１０怜にイオンプレーテングし、その上
に１６．０％Ｓｎ −６２，０％Ｂ１−５２．ｏ％Ｐｂ
合金３（溶融温度９６°Ｃ）を膜厚１０Ｔｌ？ｌｔにス
パッタリングし。
ルアニリン色素（ｆ：＋ａＨ＋５Ｎｓ 、溶融温度１１
６’Ｃ）ｅ膜厚１０怜にイオンプレーテングし、その上
に１６．０％Ｓｎ −６２，０％Ｂ１−５２．ｏ％Ｐｂ
合金３（溶融温度９６°Ｃ）を膜厚１０Ｔｌ？ｌｔにス
パッタリングし。
さらにその上に色素薄膜記録層４としてベータナフトー
ル系色素（０２４Ｎ２０ Ｎ４０．溶融温度１８４〜１
８６’Ｃ） ’（ｚ膜厚１０１？ｒｌにイオンプレーテ
ングし１合計６層積層として、実施例１と同様の操作に
より光学的メモリ媒体の作製および記録、再生実験を行
ったところ、実施例１と略同等の結果を得ることができ
た。
ル系色素（０２４Ｎ２０ Ｎ４０．溶融温度１８４〜１
８６’Ｃ） ’（ｚ膜厚１０１？ｒｌにイオンプレーテ
ングし１合計６層積層として、実施例１と同様の操作に
より光学的メモリ媒体の作製および記録、再生実験を行
ったところ、実施例１と略同等の結果を得ることができ
た。
以上説明したように本発明の光学的メモリ媒体は、色素
薄膜記録層およびこの色素薄膜記録層の溶融温度と同等
かまたはそれ以下の溶融温度を持つ低融点合金層との積
層複合膜で構成されているだめ、低いレーザ出力で情報
の記録ができ、再生時のＳ／Ｎ比も著しるしく向上して
高感度となり。
薄膜記録層およびこの色素薄膜記録層の溶融温度と同等
かまたはそれ以下の溶融温度を持つ低融点合金層との積
層複合膜で構成されているだめ、低いレーザ出力で情報
の記録ができ、再生時のＳ／Ｎ比も著しるしく向上して
高感度となり。
結果として、各種メモリ装置の価格を廉価にし得る利点
を有するものである。
を有するものである。
第１図は光学的メモリ媒体を用いた記録、再生工程の系
統図、第２図は第１図における記録後の光学的メモリ媒
体の要部拡大断面図である。 １・・・・基体、２・・・・・・反射膜、３・・・・・
・低融点合金層、４・・・・・・色素薄膜記録層、１１
・・・・・・凹部、１２・・・・・・未記録部。
統図、第２図は第１図における記録後の光学的メモリ媒
体の要部拡大断面図である。 １・・・・基体、２・・・・・・反射膜、３・・・・・
・低融点合金層、４・・・・・・色素薄膜記録層、１１
・・・・・・凹部、１２・・・・・・未記録部。
Claims (3)
- （１）反射膜層が形成された基体と、この基体上に最外
部層が色素薄膜層となるよう交互に積層された薄膜低融
点合金層と前記色素薄膜層で構成され、レーザ光を照射
することにより前記色素薄膜層および薄膜低融点合金層
に凹部を形成して情報を記録するようにした光学的メモ
リ媒体。 - （２）薄膜低融点合金層の組成はＳｎ、 Ｂｉ、 Ｐｂ
、 ＣＡの内の少なくとも２種類以上を組合せだ合金よ
り成る特許請求の範囲第（１）項記載の光学的メモリ媒
体。 - （３）薄膜低融点合金層の溶融温度は色素薄膜記録層の
溶融蒸発温度と同程度またはそれ以下である特許請求の
範囲第（１）項記載の光学的メモリ媒体０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126404A JPS5916156A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 光学的メモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126404A JPS5916156A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 光学的メモリ媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916156A true JPS5916156A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14934311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126404A Pending JPS5916156A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 光学的メモリ媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916156A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545447A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
| JPS573238A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Medium for optical memory |
| JPS57151397A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-18 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS639310A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 受信装置 |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP57126404A patent/JPS5916156A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545447A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording material |
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| JPS57151397A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-18 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS639310A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 受信装置 |
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