JPS59167044A - 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 - Google Patents
半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線Info
- Publication number
- JPS59167044A JPS59167044A JP58040291A JP4029183A JPS59167044A JP S59167044 A JPS59167044 A JP S59167044A JP 58040291 A JP58040291 A JP 58040291A JP 4029183 A JP4029183 A JP 4029183A JP S59167044 A JPS59167044 A JP S59167044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- gold
- fine wire
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07168—Means for storing or moving the material for the connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
- H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/553—Materials of bond wires not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. polymers, ceramics or liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の創造に際して施されるワイヤ
・がンrイングに使用するのに適したAψまたはAu合
金細線に関するものである。
・がンrイングに使用するのに適したAψまたはAu合
金細線に関するものである。
一般に、半導体装置としては、トランジスタやIC,さ
らにLSIなどが知られているが、例えばICなどの半
導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au。
らにLSIなどが知られているが、例えばICなどの半
導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au。
Ag、Ni、およびその合金などのメッキ層を形成した
ものからなるリード素材を用意し、Φ)上記リード素材
にプレス打抜き加工を施して製造せんとする半導体装置
の形状に適合したリードフレームとし、 (e) 上記リードフレームの所定個所に高純度Si
またはGeなどの半導体素子を上記メッキ層を介して熱
圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着または一超
音波熱圧着法にてワイヤーポンディングを施し、(e)
上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細線、お
よび半導体素子が取付けられている部分のリードフレー
ムをプラスチックでパックし、(f) !終的に、上
記リードフレームにおける相互に連なる部分を切除して
リード材とする、以上(a)〜(f)の主要工程によっ
て製造されている。
ものからなるリード素材を用意し、Φ)上記リード素材
にプレス打抜き加工を施して製造せんとする半導体装置
の形状に適合したリードフレームとし、 (e) 上記リードフレームの所定個所に高純度Si
またはGeなどの半導体素子を上記メッキ層を介して熱
圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着または一超
音波熱圧着法にてワイヤーポンディングを施し、(e)
上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細線、お
よび半導体素子が取付けられている部分のリードフレー
ムをプラスチックでパックし、(f) !終的に、上
記リードフレームにおける相互に連なる部分を切除して
リード材とする、以上(a)〜(f)の主要工程によっ
て製造されている。
このように半導体装置の製造に際しては、上記の(d)
工程において、AuまたはAu合金細線を用いてワイヤ
・ボンディングが施されるが、従来そのボンディング線
として、添附図面の第1図に示されるように、アルミス
プール上に一層に巻取られたAuまたはAu合金細線が
使用され、手動式または自動式のボンディングマシンを
用いて半導体素子とリードフレームとの結線が行なわれ
てきた。しかし、最近では生産性をあげるためにポンデ
ィングマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、ボン
ディング速度は高速化し、より長尺のがンデイング線が
要求されてきている。
工程において、AuまたはAu合金細線を用いてワイヤ
・ボンディングが施されるが、従来そのボンディング線
として、添附図面の第1図に示されるように、アルミス
プール上に一層に巻取られたAuまたはAu合金細線が
使用され、手動式または自動式のボンディングマシンを
用いて半導体素子とリードフレームとの結線が行なわれ
てきた。しかし、最近では生産性をあげるためにポンデ
ィングマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、ボン
ディング速度は高速化し、より長尺のがンデイング線が
要求されてきている。
したがって、従来から使用されてきた一層巻では、巻取
量は精々100〜200mが限度であるところから、上
記の要求に応えるため、最近では添附図面の第2図に示
されるようなりロス巻の多層巻線が用いられるようにな
り、巻取量も500〜1000mへと長尺化してきてい
るが、このような多層巻を使用すると、次のようなトラ
ブルが発生するものであった。すなわち第1図の一層巻
の場合には、ボンディング線は線どうしが互に接触して
いる個所がないため、線の取り出しの際Auiが引っ掛
かり折れることはないが、多層巻の場合は、第2図から
明らかなように1取り出されるAu線が下層のAu線上
でこすられて取り出されるため、取り出されたAu線に
折れ(曲り)が発生しやすくなる。この折れは、そのま
まボンディングされるため、デンディングループが変形
され、たれや曲りが生じ、ショートラ起こして製品不良
の原因♂なる。
量は精々100〜200mが限度であるところから、上
記の要求に応えるため、最近では添附図面の第2図に示
されるようなりロス巻の多層巻線が用いられるようにな
り、巻取量も500〜1000mへと長尺化してきてい
るが、このような多層巻を使用すると、次のようなトラ
ブルが発生するものであった。すなわち第1図の一層巻
の場合には、ボンディング線は線どうしが互に接触して
いる個所がないため、線の取り出しの際Auiが引っ掛
かり折れることはないが、多層巻の場合は、第2図から
明らかなように1取り出されるAu線が下層のAu線上
でこすられて取り出されるため、取り出されたAu線に
折れ(曲り)が発生しやすくなる。この折れは、そのま
まボンディングされるため、デンディングループが変形
され、たれや曲りが生じ、ショートラ起こして製品不良
の原因♂なる。
そこで、本発明者は、上記のような観点から、ワイヤ・
ボンディング用の多層巻線において上記のような折れを
無くすべく鋭意研究を重ねた結果、AuまたはAu合金
細線の表面に界面活性剤のコーティング処理を施こし、
その被膜の平均膜厚’jHO,5゜μm−50Aとする
と、取り出されるAutたはAu合金細線の折れが無く
なり、ボンディングが高速で、かつ正常なループ形状で
行なわれるという知見を得たのである。
ボンディング用の多層巻線において上記のような折れを
無くすべく鋭意研究を重ねた結果、AuまたはAu合金
細線の表面に界面活性剤のコーティング処理を施こし、
その被膜の平均膜厚’jHO,5゜μm−50Aとする
と、取り出されるAutたはAu合金細線の折れが無く
なり、ボンディングが高速で、かつ正常なループ形状で
行なわれるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、スプール上に多層巻に巻かれた、半導体装置のワイ
ヤ・デンディング用AuまたはAu合金細線の表面に、
平均膜厚:o、5μWL〜5oλとなるように界面活性
剤の被膜をコーティングすることを特徴とするものであ
る。
て、スプール上に多層巻に巻かれた、半導体装置のワイ
ヤ・デンディング用AuまたはAu合金細線の表面に、
平均膜厚:o、5μWL〜5oλとなるように界面活性
剤の被膜をコーティングすることを特徴とするものであ
る。
以下に被膜の平均膜厚を上記の通りに限定した理由を述
べる。
べる。
通常ワイヤ・ボンディングに際しては、前記の通り、熱
圧着法や超音波熱圧着法が用いられるが、このコーティ
ング被膜が厚すぎると、ボンディング不良を生じて圧着
部の剥離を招き、他方被膜が薄すぎると、コーティング
の効果がなく、前述のような折れが発生してざンディン
グループの変形が起きてショートにつながるところから
、被膜の平均膜厚を、コーティングの効果が現われる5
゜^から剥離の起きない0.5μsjでの範囲とした。
圧着法や超音波熱圧着法が用いられるが、このコーティ
ング被膜が厚すぎると、ボンディング不良を生じて圧着
部の剥離を招き、他方被膜が薄すぎると、コーティング
の効果がなく、前述のような折れが発生してざンディン
グループの変形が起きてショートにつながるところから
、被膜の平均膜厚を、コーティングの効果が現われる5
゜^から剥離の起きない0.5μsjでの範囲とした。
本発明において使用される界面活性剤としては、従来知
られているどのような界面活性剤でも利用テキルが、ア
ニオン界面活性剤、特にポリオキシエチレンアルキルエ
ーテルサル7エートおよヒ非イオン界面活性剤、特にポ
リオキシエチレンアルキルエーテルが好ましい。
られているどのような界面活性剤でも利用テキルが、ア
ニオン界面活性剤、特にポリオキシエチレンアルキルエ
ーテルサル7エートおよヒ非イオン界面活性剤、特にポ
リオキシエチレンアルキルエーテルが好ましい。
また界面活性剤の塗布液を形成させるための溶媒として
は、界面活性剤を溶解することができる周知の溶剤、例
えば水、フロン、アセトン等を使用することができ、こ
のような溶媒に界面活性剤を溶かした塗布液をAuまた
はAu合金線線上に塗布した後溶媒を蒸発させると、A
u線またはAu合金線の表面にきわめて薄いコーテイン
グ膜を形成させることができる。
は、界面活性剤を溶解することができる周知の溶剤、例
えば水、フロン、アセトン等を使用することができ、こ
のような溶媒に界面活性剤を溶かした塗布液をAuまた
はAu合金線線上に塗布した後溶媒を蒸発させると、A
u線またはAu合金線の表面にきわめて薄いコーテイン
グ膜を形成させることができる。
つぎに、この発明のAuまたはAu合金細線を実施例に
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
実施例
第1表に示される種々の@度のポリオキシエチレンアル
キルエーテルサル7エート水溶液および種々の濃度のI
リオキシエチレンアルキルエーテル水溶液を直径=25
μmφのAu線表面に連続的に塗布、乾燥することによ
り形成した本発明コーティングAu@1〜6を、アルミ
スゾール上にクロス・多層巻でtooom巻取り、50
,000回の高速ボンディングにおいて取り出された二
つの巻線の変形ループの発生回数全調査することにより
、ポンディング・テストを行ない、さらに比較ノため、
上記コーティング処理を施こさない同じ太さの従来Au
線を直接アルミスプール上へクロス・多層巻で巻取り、
上記と同じポンディング・テストを行った。
キルエーテルサル7エート水溶液および種々の濃度のI
リオキシエチレンアルキルエーテル水溶液を直径=25
μmφのAu線表面に連続的に塗布、乾燥することによ
り形成した本発明コーティングAu@1〜6を、アルミ
スゾール上にクロス・多層巻でtooom巻取り、50
,000回の高速ボンディングにおいて取り出された二
つの巻線の変形ループの発生回数全調査することにより
、ポンディング・テストを行ない、さらに比較ノため、
上記コーティング処理を施こさない同じ太さの従来Au
線を直接アルミスプール上へクロス・多層巻で巻取り、
上記と同じポンディング・テストを行った。
これらの結果を第1表に示す。
第1表に示される結果から、多層巻に巻取られるAu線
表面に界面活性剤のコーティング被膜を形成させること
によって、製品不良につながる変形ループの発生を極度
に減少できることがわかる。
表面に界面活性剤のコーティング被膜を形成させること
によって、製品不良につながる変形ループの発生を極度
に減少できることがわかる。
上述のように、この発明のAuまたはAu合金細線は、
ICなどの半導体装置のワイヤ・デンディングにおいて
折れの発生を回避して製品歩留りの向上をもたらすとと
もに、ポンディングの高速化を達成して生産性の向上に
役立つものである。
ICなどの半導体装置のワイヤ・デンディングにおいて
折れの発生を回避して製品歩留りの向上をもたらすとと
もに、ポンディングの高速化を達成して生産性の向上に
役立つものである。
第1図はアルミスプール上に一層巻に巻取られたAu@
を取り出す場合の状りを模式的に示す図であり、第2図
はクロス・多層巻に巻取られている場合の図である。図
面において、 1・・・アルミスブール、2・・・スペーサー、3・・
・金線。 出粕人 三菱金属株式会社 代理人 冨 1)和 夫 外1名 (
を取り出す場合の状りを模式的に示す図であり、第2図
はクロス・多層巻に巻取られている場合の図である。図
面において、 1・・・アルミスブール、2・・・スペーサー、3・・
・金線。 出粕人 三菱金属株式会社 代理人 冨 1)和 夫 外1名 (
Claims (1)
- (1)金または金合金細線の表面に界面活性剤をコーテ
ィングし、平均膜厚:0.5μm〜50Aの界面活性剤
の被膜を形成させたことを特徴とする、スプール上に多
層巻に巻かれた、半導体装置のワイヤ・?ンデイング用
金または金合金細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040291A JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040291A JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167044A true JPS59167044A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0211016B2 JPH0211016B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=12576496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040291A Granted JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278862A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JPH01200514A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線 |
| JPH0410633A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子ボンディング用コーティングワイヤ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068226U (ja) * | 1991-02-08 | 1994-02-01 | 本州製紙株式会社 | 自動販売機用輸送箱 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58040291A patent/JPS59167044A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278862A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JPH01200514A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線 |
| JPH0410633A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子ボンディング用コーティングワイヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0211016B2 (ja) | 1990-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5546670B1 (ja) | 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 | |
| JP2003197668A (ja) | 半導体パッケージ用のボンディングワイヤ及びその製造方法 | |
| JPS59167044A (ja) | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 | |
| JPS59167043A (ja) | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 | |
| JP6340204B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2529774B2 (ja) | 半導体装置リ―ドフレ―ム材料及びその製造方法 | |
| JPH0775251B2 (ja) | リードフレーム材の製造方法 | |
| JPS6278862A (ja) | 半導体素子のボンデイング用銅線 | |
| JP2836692B2 (ja) | 半導体素子のボーディング用線 | |
| WO2011065200A1 (ja) | 超音波ボンディング用アルミニウムリボン | |
| JPH01189947A (ja) | リードフレーム材の製造方法 | |
| JPS6230359A (ja) | 半導体装置用ボンデイングワイヤ | |
| JPS6248386B2 (ja) | ||
| CN117542817A (zh) | 半导体封装结构及其制造方法 | |
| JP3362515B2 (ja) | 枠付きエッチング部品構造体 | |
| JPH04363036A (ja) | 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法 | |
| JPH02111886A (ja) | リードフレーム用Al部分クラッド板のNi―Fe合金の選択的エッチング液 | |
| JPH03239353A (ja) | 半導体装置用Cu系リードフレーム | |
| JPH0595027A (ja) | フレキシブル回路基板の形成方法 | |
| JPS629657A (ja) | リ−ドフレ−ム用合金帯母材 | |
| JPS6318679B2 (ja) | ||
| JPS63105996A (ja) | 金属条材の表面処理方法 | |
| JPS58218153A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JP2529774C (ja) | ||
| JPS62118987A (ja) | 部分クラツド材の製造方法 |