JPH01200514A - 半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線 - Google Patents

半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線

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JPH01200514A JP63024630A JP2463088A JPH01200514A JP H01200514 A JPH01200514 A JP H01200514A JP 63024630 A JP63024630 A JP 63024630A JP 2463088 A JP2463088 A JP 2463088A JP H01200514 A JPH01200514 A JP H01200514A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ、　　トランジス
ター等）素子上の電極と、回路配線基板上（リードフレ
ーム、セラミック基板等）の導体配線との間を接続する
絶縁被膜ボンディング用金または金合金極細線に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のボンディング用金または金合金線は、直
径＝１８〜５０μｓ程度の裸の金または金合金極細線が
使用されていた。しかしながら従来のボンディング用金
または金合金極細線では、多ピン高密度配線の場合に、
ワイヤの少しの曲りでも隣のワイヤと接触し短絡が発生
していた。
またワイヤボンド後は、接触がなく正常であっても、レ
ジンモールド（樹脂封止）時のワイヤの流れにより短絡
が発生するという聞届があった。
これらの問題解決のために樹脂材の一層構造による絶縁
被覆ワイヤも考案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記公知の絶縁被覆ワイヤは、ボンディング
装置のクランパーおよびキャピラリー通過時の摩擦係数
が大きいため、安定した繰り出しが出来ず、そのために
ループ形状の安定したワイヤボンディングが不可能であ
った。
特に金または金合金極細線の絶縁被覆ワイヤは、金また
は金合金自体が軟かく強度が低いために、クランパーお
よびキャピラリー通過時の摩擦係数が大きいとスムーズ
な繰り出しができず、そのため適正なループが形成され
ず、断線することも毎々あった。
〔課題を解決するための手段〕
そこで、本発明者等は、上記ボンディング装置のクラン
パーおよびキャピラリー通過時の摩擦係数の小さい絶縁
被覆層を有する金または金合金極細線を開発すべく研究
を行なった結果、絶縁被覆層を有する金または金合金極
細線の表面に更に潤滑層を被覆すればよいという知見を
得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って、 絶縁被覆層を有する金または金合金極細線の表面に潤滑
層を形成してなる半導体素子ボンディング用絶縁被覆金
または金合金極細線に特徴を有するものである。
第１図は、この発明の半導体素子ボンディング用絶縁被
覆金または金合金極細線の断面概略図、第２図は、上記
絶縁被覆層または金合金極細線を用いてワイヤボンディ
ングしている状態を示す概略図である。
上記第１図を用いて、この発明の半導体素子ボンディン
グ用絶縁被覆金または金合金極細線について説明すると
、１は潤滑層、２は絶縁被覆層、３は金または金合金極
細線である。上記絶縁被覆層２はポリウレタン、ポリエ
チレンまたはエポキシからなり、その層厚は０，５〜１
．５　ｍｕが好ましい。
上記潤滑層１はテフロンまたは界面活性剤′（具体的に
は、アニオン界面活性剤または非イオン活性剤、例えば
、ポリオキシエチレンアルキルエーテルサルフェートま
たはポリオキシエチレンアルキルエーテル等）からなり
、その層厚は０．０５〜１．０μｓが好ましい。
上記第１図に示されたこの発明の絶縁被覆層または金合
金極細線を用いて半導体素子にワイヤボンディングする
状態が第２図に示されている。
まず絶縁被覆層または金合金極細線をリードフレーム７
上のＳｉチップ８上にボールボンド部９を形成して接合
し、ついでキャピラリー４をリード電極５の方向に移動
しつつワイヤを繰り出し、上記ワイヤをキャピラリー４
によりリード電極５に押圧してウェッジボンド部６を形
成し、リード電極５に接合する。
絶縁被覆層２の厚みを０，５〜１．５　ｔｌｒａとした
理由は、その層厚が０．５μｓ未満では絶縁破壊電圧を
５０Ｖ以上の一定値以上に確保することができず、−方
リード電極５側のウェッジボンド部６を形成する時は層
厚が１．５ＺＺＩ１１を越えると接合界面での新生面の
露出が少く、拡散が抑制され充分な接合強度が得られな
くなる。よって、絶縁被覆層２の層厚は０．５〜１．５
−に定めた。
また、潤滑層の厚みを０．０５〜１．Ｏｕｒｎとした理
由は、その層厚が０．０５ｔｌｎ未満では潤滑層として
の充分な効果が得られず、一方、■、０−を越えると上
記絶縁被覆層と同様に、ウェッジボンド部６の成形時に
接合界面での新生面の露出が少く、拡散が抑制され充分
な接合強度が得られなくなるために１、Ｏｔｍ以下とし
た。
ボールボンド部９の成形時には、電気トーチの放電エネ
ルギーにより被覆剤は溶けてしまうために、絶縁被覆層
および潤滑層の厚さに関係なく良好なボールボンド部９
が形成できるが、上記絶縁被覆層２および潤滑層３が厚
いとウェッジボンド部６の接合に支障をきたすのである
。
〔実　施　例〕
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
実施例　１ 直径＝２５ｔ１ｍの全極細線に層厚：０．５μｓのポリ
エチレン絶縁被覆層を被覆し、その上にテフロンからな
る層厚：　０．０５ａｍの潤滑層を形成して半導体素子
ボンディング用絶縁被覆金極細線を作製した。
この絶縁被覆層極細線を用いて半導体装置の実装を行な
い、故意にワイヤの短絡やショートを発生させたが、電
気的ショートとはならず、レジンモールド後の不良の発
生も皆無であった。
実施例　２ 直径二３３頗の全極細線に層厚：１．５庫のポリウレタ
ン絶縁被覆層を被覆し、その上に界面活性剤のポリオキ
シエチレンアルキルエーテルを層厚：１．０μｓとなる
ように被覆して半導体素子ボンディング用絶縁被覆金極
細線を作製した。
この絶縁被覆層極細線を用いて半導体装置の実装を行な
い、故意にワイヤの短絡やショートを発生させたが、電
気的ショートとはならず、レジンモールド後の不良の発
生も皆無であった。
〔発明の効果〕
この発明の絶縁被覆層または金合金極細線は、特に多ピ
ン高密度半導体素子のワイヤボンディングに効果が大き
く、電気的ショート等による不良の発生も皆無であるか
ら実装歩留りに著しい向上をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の半導体素子ボンディング用絶縁被
覆金または金合金極細線の断面概略図、第２図は、ワイ
ヤボンディングの状態を示す概略図。 １・・・潤滑層　　　　　　　２・・・絶縁被覆層３・
・・金または金合金極細線

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、金または金合金極細線の表面に絶縁被覆層を形成し
    、上記絶縁被覆層の上に潤滑層を形成してなることを特
    徴とする半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金
    合金極細線。 ２、上記絶縁被覆層は、層厚：０．５〜１．５μｍであ
    り、潤滑層は、層厚：０．０５〜１．０μｍであること
    を特徴とする請求項１記載の半導体素子ボンディング用
    絶縁被覆金または金合金極細線。 ３、上記絶縁被覆層は、ポリウレタン、ポリエチレンま
    たはエポキシからなり、上記潤滑層は、テフロンまたは
    界面活性剤からなることを特徴とする請求項１または２
    記載の半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合
    金極細線。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01167040U (ja) * 1988-05-16 1989-11-22
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