JPS59168917A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59168917A JPS59168917A JP4320183A JP4320183A JPS59168917A JP S59168917 A JPS59168917 A JP S59168917A JP 4320183 A JP4320183 A JP 4320183A JP 4320183 A JP4320183 A JP 4320183A JP S59168917 A JPS59168917 A JP S59168917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- track
- width
- opposed
- larger
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するものであシ
、特に少ないバイアス磁界でよシ大きな再生出力を得る
ことが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するもので
ある。
、特に少ないバイアス磁界でよシ大きな再生出力を得る
ことが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するもので
ある。
（ロ）従来技術と問題点
従来磁気抵抗効果型磁気ヘッドとしては第１図に示した
構造を有する凧ヘッドが知られている。
構造を有する凧ヘッドが知られている。
第１図によればＮｉＦｅ ノ４−マロイ等の強磁性薄膜
よシなる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１．及びアルミ
ニウム等よシなるバイアス導体又は永久磁石２が蒸着お
るいけフォトリングラフィによシ、二酸化珪素（Ｓｉｎ
２）、アルミナ（Ａｔ２０． ）のような絶縁層３を介
在して配置され、該絶縁層３はガラス基板４上にスパッ
タ法によシ装置されており、ＭＲ素子１の両側には磁気
ヘッドの分解能を向上するためのシールド磁性体５，６
が配置されている。ここで７は磁気ディスクまたは磁気
テープ等の記録媒体を示し矢印Ａは該°記録媒体の移動
方向を示す。
よシなる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１．及びアルミ
ニウム等よシなるバイアス導体又は永久磁石２が蒸着お
るいけフォトリングラフィによシ、二酸化珪素（Ｓｉｎ
２）、アルミナ（Ａｔ２０． ）のような絶縁層３を介
在して配置され、該絶縁層３はガラス基板４上にスパッ
タ法によシ装置されており、ＭＲ素子１の両側には磁気
ヘッドの分解能を向上するためのシールド磁性体５，６
が配置されている。ここで７は磁気ディスクまたは磁気
テープ等の記録媒体を示し矢印Ａは該°記録媒体の移動
方向を示す。
第２図は第１図で用いられているＭＲ累素子概略斜視図
である。ここでｔは膜Ｊｌｌ 、 ｗは素子幅であシ、
ｔはコア幅であシ、凧素子には電流端子８から一定の電
流ｊが供給される。通常膜厚ｔは数１０μｍ−程に選択
され、コア幅ｔは素子幅Ｗより十分長くして形状異方性
によシコア幅方向に磁化容易軸が向くようにＭＲ素子に
は一軸異方性が必要である。−軸異方性を付与するため
に、磁場中蒸着等によって誘導異方性を利用することも
通常行なわれている。風素子１は外部磁界によってその
抵抗佃が変化する現象を利用して信号の検出を行なうわ
けであるが、外部磁界と抵抗値との関係はそのままでは
非線形であるそめ第１図に示したバイアス磁界発生手段
であるバイアス導体２によって凧素子に素子幅方向のバ
イアス磁界を印加し素子の動作を線形化する必要がある
。第３図Ｈｍ素子の抵抗率変化（Δρ）を示すグラフで
あシ、この特性はρ−ρ０＋Δρ’ｍａ工房２θで近似
的に表わされる。
である。ここでｔは膜Ｊｌｌ 、 ｗは素子幅であシ、
ｔはコア幅であシ、凧素子には電流端子８から一定の電
流ｊが供給される。通常膜厚ｔは数１０μｍ−程に選択
され、コア幅ｔは素子幅Ｗより十分長くして形状異方性
によシコア幅方向に磁化容易軸が向くようにＭＲ素子に
は一軸異方性が必要である。−軸異方性を付与するため
に、磁場中蒸着等によって誘導異方性を利用することも
通常行なわれている。風素子１は外部磁界によってその
抵抗佃が変化する現象を利用して信号の検出を行なうわ
けであるが、外部磁界と抵抗値との関係はそのままでは
非線形であるそめ第１図に示したバイアス磁界発生手段
であるバイアス導体２によって凧素子に素子幅方向のバ
イアス磁界を印加し素子の動作を線形化する必要がある
。第３図Ｈｍ素子の抵抗率変化（Δρ）を示すグラフで
あシ、この特性はρ−ρ０＋Δρ’ｍａ工房２θで近似
的に表わされる。
ここにρ０は抵抗率の最小値、Δρｍａｘ ＃′ｉ抵抗
率変化量、θは凧素子の磁化ベクトルＭと電流ベクトル
Ｊとのなす角であシ（第２図参照）、Ｈ−はθ＝系とす
るのに要する磁界であって、皿膜の異方性磁界町と形状
反磁界Ｈ６との和でほぼ表わされる。ここでθ＝シ４と
なるように独素子にバイアス磁界を印加すればＭＲ素子
の動作はほぼ線形とカシ、ダイナミックレンジも最大と
なる。この場合所要パ形状反磁界Ｈ４は素子幅Ｗに反比
例するため、第２図に示した従来例の場合、トラック幅
ｔを小さくするに従い、素子幅Ｗも小さくするとＭＲ素
子の所要バイアス磁界が太き欠な＃）ＭＲ素子を線形動
作きせることが離しいという欠点があった。
率変化量、θは凧素子の磁化ベクトルＭと電流ベクトル
Ｊとのなす角であシ（第２図参照）、Ｈ−はθ＝系とす
るのに要する磁界であって、皿膜の異方性磁界町と形状
反磁界Ｈ６との和でほぼ表わされる。ここでθ＝シ４と
なるように独素子にバイアス磁界を印加すればＭＲ素子
の動作はほぼ線形とカシ、ダイナミックレンジも最大と
なる。この場合所要パ形状反磁界Ｈ４は素子幅Ｗに反比
例するため、第２図に示した従来例の場合、トラック幅
ｔを小さくするに従い、素子幅Ｗも小さくするとＭＲ素
子の所要バイアス磁界が太き欠な＃）ＭＲ素子を線形動
作きせることが離しいという欠点があった。
第４図に飄膜の買方性磁界ＨＫを５０ｅ１飽和磁化４π
ＭＩＩを１００００ Ｇａｕｓｓ 、膜Ｗｔを５０μｍ
とした場合のＨごと素子幅Ｗとの関係を数値解析によシ
求めた結果を示す。第４図から素子幅Ｗが１０μｍ以下
になるとＨ−は急激に増大することがわかる。
ＭＩＩを１００００ Ｇａｕｓｓ 、膜Ｗｔを５０μｍ
とした場合のＨごと素子幅Ｗとの関係を数値解析によシ
求めた結果を示す。第４図から素子幅Ｗが１０μｍ以下
になるとＨ−は急激に増大することがわかる。
反磁界の増大を々くすためには素子幅Ｗを大きくすねは
よいが素子幅Ｗを大きくすると素子抵抗値自体の低下に
よって再生出力が減少する欠点があった。
よいが素子幅Ｗを大きくすると素子抵抗値自体の低下に
よって再生出力が減少する欠点があった。
更にトラック幅ｔと素子幅Ｗとの比νＷが小さくなる程
ＢａｒｋｈａｎｓｅｎＨ音と呼ばれる電、気抵抗の不連
続な変化が起シ、磁気ヘッドとしての特性を劣化させる
欠小を生じる。
ＢａｒｋｈａｎｓｅｎＨ音と呼ばれる電、気抵抗の不連
続な変化が起シ、磁気ヘッドとしての特性を劣化させる
欠小を生じる。
（ハ）発明の目的
上記欠点を鑑み、本発明は、記録密度を向上させるため
、磁気ヘッドのトラック幅を狭めた場合においてもトラ
ック幅方向の形状反磁界が小さく、しかも磁気抵抗効果
素子の抵抗値が低下しない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
、磁気ヘッドのトラック幅を狭めた場合においてもトラ
ック幅方向の形状反磁界が小さく、しかも磁気抵抗効果
素子の抵抗値が低下しない磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
に）発明の構成
本発明の目的はＩ板上の絶縁膜を介して形成された強磁
性薄膜と接続用導体層とを具備する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、該強磁性薄膜の長さが該ヘッドのトラ
ック幅よシも大きく、且つ骸トラックに対向する該強磁
性薄膜の部分の幅を、トラック幅以外の部分の幅よシも
大きくなるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッドによって達成される。
性薄膜と接続用導体層とを具備する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、該強磁性薄膜の長さが該ヘッドのトラ
ック幅よシも大きく、且つ骸トラックに対向する該強磁
性薄膜の部分の幅を、トラック幅以外の部分の幅よシも
大きくなるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッドによって達成される。
（ホ）発明の実施例
以下、本発明の実施態様を図面に基づいて説明する。第
５図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施
態様を示す概略平面図である。
５図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施
態様を示す概略平面図である。
第５図に示すように強磁性薄膜からなる磁気抵抗素子１
１はトラック（トラック幅ｚ１）に対応する部分１１ｍ
とトラックに対向しない部分１１ｂからなっている。こ
の磁気抵抗素子１１の長さｔ２はトラック幅１．より大
きい。また骸素子のトラックに対向する部分１１＆の幅
Ｗ２はトラックに対向しない部分１１ｂの幅町よシ大き
い。
１はトラック（トラック幅ｚ１）に対応する部分１１ｍ
とトラックに対向しない部分１１ｂからなっている。こ
の磁気抵抗素子１１の長さｔ２はトラック幅１．より大
きい。また骸素子のトラックに対向する部分１１＆の幅
Ｗ２はトラックに対向しない部分１１ｂの幅町よシ大き
い。
既に述べたように形状反磁界は素子幅に反比例するため
、上記実施態様のようにトラックに対向しない部分１１
ｂでの反磁界はトラックに対向する部分１１ｍでの反磁
界に比べて非常に大きくすることが可能である。従って
トラックに対向しない部分の素子に対しては実効時にバ
イアス磁界がほとんど印加されないようにすることが可
能である。この場合、後で第７図で触れるようにトラッ
クに対向しない部分の素子抵抗変化は小さいために無視
出来る。これに対してトラックに対向する部分では反磁
界は小さく該素子１１には十分なバイアス磁界を印加す
ることが出来る。
、上記実施態様のようにトラックに対向しない部分１１
ｂでの反磁界はトラックに対向する部分１１ｍでの反磁
界に比べて非常に大きくすることが可能である。従って
トラックに対向しない部分の素子に対しては実効時にバ
イアス磁界がほとんど印加されないようにすることが可
能である。この場合、後で第７図で触れるようにトラッ
クに対向しない部分の素子抵抗変化は小さいために無視
出来る。これに対してトラックに対向する部分では反磁
界は小さく該素子１１には十分なバイアス磁界を印加す
ることが出来る。
第６図はトラックに対向する部分の飄素子１１ａの電流
経路を示す概略図であシ、電流ｊはトラックに対向しな
い部分の該素子の幅Ｗｌの部分を流れると考えらね、ト
ラックに対向する部分１１ｍにおいて前述のようにｗ２
をＷｌよシ大きく設定してもＭＲ素子の抵抗値が低下し
ない。
経路を示す概略図であシ、電流ｊはトラックに対向しな
い部分の該素子の幅Ｗｌの部分を流れると考えらね、ト
ラックに対向する部分１１ｍにおいて前述のようにｗ２
をＷｌよシ大きく設定してもＭＲ素子の抵抗値が低下し
ない。
第７図はトラックに対向する部分１１ａ及びトラックに
対向しない部分１１ｂのＭＲ素子の抵抗変化を示す図で
ある。縦軸は抵抗率ρ、横軸は磁化困難軸方向の外部磁
界であシ、ＨＢの／Ｓイアス磁界に対して、トラックに
対向する部分１１ａの動作点がＰｌ、トラックに対向し
ない部分１１ｂの動作虞がＰ２になることを示している
。動作点Ｐ２における曲＠Ｃの傾きは動作点Ｐ２におけ
る曲線りの傾きよシ十分に小さいので再生出力も非常に
小さいことが理解されよう。
対向しない部分１１ｂのＭＲ素子の抵抗変化を示す図で
ある。縦軸は抵抗率ρ、横軸は磁化困難軸方向の外部磁
界であシ、ＨＢの／Ｓイアス磁界に対して、トラックに
対向する部分１１ａの動作点がＰｌ、トラックに対向し
ない部分１１ｂの動作虞がＰ２になることを示している
。動作点Ｐ２における曲＠Ｃの傾きは動作点Ｐ２におけ
る曲線りの傾きよシ十分に小さいので再生出力も非常に
小さいことが理解されよう。
本発明に係る児ヘッドの好適な実施例として、トラック
幅１０μｍのヘッドを実現する場合を考えると、フォト
マスクの精度および上に述べたようにトラックに対向す
る部分１１ａと対向しない部分１１ｂでのＨＫの値を考
慮することによシ、第５図においてｔ＋＝１０μｍ、ｔ
！＝３ｏμｍ、 Ｗｌ ＝５μｆｆ！＋ Ｗ２ ＝ ３
０μｍ程度に設定するのが好ましい。
幅１０μｍのヘッドを実現する場合を考えると、フォト
マスクの精度および上に述べたようにトラックに対向す
る部分１１ａと対向しない部分１１ｂでのＨＫの値を考
慮することによシ、第５図においてｔ＋＝１０μｍ、ｔ
！＝３ｏμｍ、 Ｗｌ ＝５μｆｆ！＋ Ｗ２ ＝ ３
０μｍ程度に設定するのが好ましい。
（へ）発明の詳細
な説明したように本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドによりはトラック幅を狭めても形状反磁界が小さく、
しかも磁気抵抗効果素子の抵抗値が低下せず十分７！−
再生出力を得ることが出来る。
ドによりはトラック幅を狭めても形状反磁界が小さく、
しかも磁気抵抗効果素子の抵抗値が低下せず十分７！−
再生出力を得ることが出来る。
なお、以上の実施態様において基板上に１枚の磁気抵抗
効果型素子を形成した場合の例を用いて辻ぺたが、その
他絶縁層を介して磁気抵抗効果型素子を２枚平行に形成
し、それぞれの素子に流す電流で互いにバイアス磁界を
印加し合う形の磁気ヘッドヤ、するいけシャントバイア
ス型の磁気ヘッドにも第１用できる。
効果型素子を形成した場合の例を用いて辻ぺたが、その
他絶縁層を介して磁気抵抗効果型素子を２枚平行に形成
し、それぞれの素子に流す電流で互いにバイアス磁界を
印加し合う形の磁気ヘッドヤ、するいけシャントバイア
ス型の磁気ヘッドにも第１用できる。
第１図は従来技術を説明するための磁、＠抵抗効果型磁
気ヘッドの概略断面図であり、第２図は第１図で用いら
れている磁気抵抗効果素子（ＭＲ累素子の概略斜視図で
おシ、第３図は風素子の抵抗率変化を示すグラフであシ
、第４図はＭＲ膜のＨ−と凧素子幅Ｗの関係を数値解析
によシ求めた結果を示すものであシ、第５図は本発明に
係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施態様を示す概略
平面図であり、第６図は本発明に係るトラックに対向す
る部分の凧素子の電流経路を示す概略図であシ、第７図
は本発明に係る一実施態様におけるＭＲ素子の抵抗変化
を示す図である。 ■、１１・・・磁気抵抗効果素子、２・・・バイアス導
体又は永久磁石、３・・・絶縁層、４・・・基板、５．
６・・・シールド磁性体、７・・・記録媒体、８・・・
電流端子、１１ａ・・・トラックに対向する部分、１１
ｂ・・・トラックに対向しない部分。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 率３図 １１′休 第４０ 素子幅ｗ（Ｐｍ） 第５図 特開昭５９−ＩＧ８９１７ （４） 郊６回 晃７面
気ヘッドの概略断面図であり、第２図は第１図で用いら
れている磁気抵抗効果素子（ＭＲ累素子の概略斜視図で
おシ、第３図は風素子の抵抗率変化を示すグラフであシ
、第４図はＭＲ膜のＨ−と凧素子幅Ｗの関係を数値解析
によシ求めた結果を示すものであシ、第５図は本発明に
係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施態様を示す概略
平面図であり、第６図は本発明に係るトラックに対向す
る部分の凧素子の電流経路を示す概略図であシ、第７図
は本発明に係る一実施態様におけるＭＲ素子の抵抗変化
を示す図である。 ■、１１・・・磁気抵抗効果素子、２・・・バイアス導
体又は永久磁石、３・・・絶縁層、４・・・基板、５．
６・・・シールド磁性体、７・・・記録媒体、８・・・
電流端子、１１ａ・・・トラックに対向する部分、１１
ｂ・・・トラックに対向しない部分。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 率３図 １１′休 第４０ 素子幅ｗ（Ｐｍ） 第５図 特開昭５９−ＩＧ８９１７ （４） 郊６回 晃７面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上の絶縁膜を介して形成された強磁性薄膜と接
続用導体層とを具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、 該強磁性薄膜の長さが該ヘッドのトラック幅よシも大き
く、１つ該トラックに対向する該強磁性薄膜の部分の幅
を、トラック幅以外の部分の幅よりも大きくなるように
したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320183A JPS59168917A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320183A JPS59168917A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168917A true JPS59168917A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12657312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4320183A Pending JPS59168917A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332714A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗ヘツド |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4320183A patent/JPS59168917A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332714A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗ヘツド |
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