JPS59169131A - 電子線描画方法および装置 - Google Patents
電子線描画方法および装置Info
- Publication number
- JPS59169131A JPS59169131A JP58042165A JP4216583A JPS59169131A JP S59169131 A JPS59169131 A JP S59169131A JP 58042165 A JP58042165 A JP 58042165A JP 4216583 A JP4216583 A JP 4216583A JP S59169131 A JPS59169131 A JP S59169131A
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- JP
- Japan
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- rectangular
- coil
- peculiar
- electron beam
- deflector
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- Granted
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画装置、特に面積ビームを用いた電子
線描画装置のビーム形成の新しい方式に関する。
線描画装置のビーム形成の新しい方式に関する。
第１図を用いて従来技術について説明する。
電子銃１から発射された電子ビーム２は第１の矩形アバ
−テア３を通り、二つの成形レンズ４゜５によυ第２の
矩形アバ−チア６上に像７を結像する。第２アバ−チア
を通して、第１図の下又へ通る電子ビームは複合像８で
ある。複合像８に、矩形であるが偏向器９によりその寸
法（幅Ｗ、高さＨ）を変化することができる。複合像８
は縮小レンズ１０．対物レンズ１１を通して、ウェハ１
２上に縮小結像される。矩形の方向は一般にステージの
移動方向と一致している。ウェハ１２上でのビームの位
置は偏向器１３．１４により制御できるのでウェハ上に
パターンを描画できる。
−テア３を通り、二つの成形レンズ４゜５によυ第２の
矩形アバ−チア６上に像７を結像する。第２アバ−チア
を通して、第１図の下又へ通る電子ビームは複合像８で
ある。複合像８に、矩形であるが偏向器９によりその寸
法（幅Ｗ、高さＨ）を変化することができる。複合像８
は縮小レンズ１０．対物レンズ１１を通して、ウェハ１
２上に縮小結像される。矩形の方向は一般にステージの
移動方向と一致している。ウェハ１２上でのビームの位
置は偏向器１３．１４により制御できるのでウェハ上に
パターンを描画できる。
従来装置による基本図形はステージ移動方向に方向が一
致した可変寸法矩形である。したがって、たとえば描画
したいパターンが丸みをもってぃたリ、斜めを含んでい
ると細かな矩形に分割して描画せざるを得ない。この様
子を第２図に示した。
致した可変寸法矩形である。したがって、たとえば描画
したいパターンが丸みをもってぃたリ、斜めを含んでい
ると細かな矩形に分割して描画せざるを得ない。この様
子を第２図に示した。
図形２０が描画したいパターンであシ、可変寸法矩形２
１．２２等に分割して描画している。したがってこの方
法では分割数が増加して描画に長時間を要することにな
る。また周辺はステップ状となシス形精度が低下する。
１．２２等に分割して描画している。したがってこの方
法では分割数が増加して描画に長時間を要することにな
る。また周辺はステップ状となシス形精度が低下する。
本発明の目的は斜め、または丸みを有するパターンの全
てを細かな矩形に分割して描画せず、特殊形状のビーム
を形成し、描画速度を向上することである。
てを細かな矩形に分割して描画せず、特殊形状のビーム
を形成し、描画速度を向上することである。
本発明は上記目的を達成するため、従来知られている可
変成形ビームと数個の特殊面積ビームを組合せるように
したことを特徴とする。
変成形ビームと数個の特殊面積ビームを組合せるように
したことを特徴とする。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
第３図は第２アバ−チアプレー）３０上に９ケのアバ−
チアを配置した例である。中央には従来型の矩形アバ−
チア３１が配置されており、第１の矩形アバ−チア像３
２によシ複合像３３が形成される。他のアバ−チアは像
３２とは十分離れた位置にあシ、ビームがもれるμとは
ないようにしておく。複合像３３の寸法が任意に変えら
れることは従来と同じである。本発明では像３２を、た
とえば特殊アバ−チア３４上の位置３２′に移動させる
ことによシ３４の縮小像を試料上に結像する。
チアを配置した例である。中央には従来型の矩形アバ−
チア３１が配置されており、第１の矩形アバ−チア像３
２によシ複合像３３が形成される。他のアバ−チアは像
３２とは十分離れた位置にあシ、ビームがもれるμとは
ないようにしておく。複合像３３の寸法が任意に変えら
れることは従来と同じである。本発明では像３２を、た
とえば特殊アバ−チア３４上の位置３２′に移動させる
ことによシ３４の縮小像を試料上に結像する。
この像によシ、第２図の単位である図形Ｔが細か° な
矩形に分割することなく一度に描画できるわけである。
矩形に分割することなく一度に描画できるわけである。
アバ−チアプレート３０上には現れる頻度の高い特殊図
形３５．３６等を矩形３１のまわシに配置しておく。
形３５．３６等を矩形３１のまわシに配置しておく。
また大規模集積回路のパターンには４５°の角度を含む
斜め図形が多い。このような図形のためには、第４図に
示したような可変矩形の他に寸法可変の直角二等辺三角
形のビームを形成できる第２成形アバ−チア３０の例を
示した。第１矩形アバ−チアの像３２を、たと゛えばア
バ−チア４０上で移動させれば複合像４４ができる。矩
形アバ−チア３１０周辺に、特殊アバ−チア４０〜４３
を設けておくと、Ｘ−Ｙ軸に対し４種の方向の４５°斜
めパターンが矩形に分割することなく描画できる。
斜め図形が多い。このような図形のためには、第４図に
示したような可変矩形の他に寸法可変の直角二等辺三角
形のビームを形成できる第２成形アバ−チア３０の例を
示した。第１矩形アバ−チアの像３２を、たと゛えばア
バ−チア４０上で移動させれば複合像４４ができる。矩
形アバ−チア３１０周辺に、特殊アバ−チア４０〜４３
を設けておくと、Ｘ−Ｙ軸に対し４種の方向の４５°斜
めパターンが矩形に分割することなく描画できる。
第５図は上記機能をみたす電子光学系を示す。
なお、第１図と同一部分には同一の番号を付している。
第１図に示す従来形の光学系に、新たに選択コイル５０
．ビーム軸アライメントコイル５１を設ける。第２成形
アバ−チアプレート３０上には矩形アバ−チアの他に、
現れる頻度の高い特殊アバ−チアが適当な数だけ設けら
れている。
．ビーム軸アライメントコイル５１を設ける。第２成形
アバ−チアプレート３０上には矩形アバ−チアの他に、
現れる頻度の高い特殊アバ−チアが適当な数だけ設けら
れている。
従来と同様に可変矩形ビームを形成する時は偏向器９に
よｐおこなう。この時、コイル５０゜５１に流す電流は
０である。特殊基本図形、たとえば３４を選択する時は
、偏向器９の偏向能を解除し、選択コイル５０に対応す
る電流を流してビームを２′のように偏向することによ
り可能である。たソし第２アバ−チア通過後、ビームが
光学軸からはずれるのを補正するため、コイル５１に対
応量の電流を流しておく。第４図に示す第２成形アバ−
チアプレートを用いる時は選択コイルによシビーム３２
を移動した後、偏向器９で可変矩形を形成した時と同様
に重なり部分の大きさを変えることができる。
よｐおこなう。この時、コイル５０゜５１に流す電流は
０である。特殊基本図形、たとえば３４を選択する時は
、偏向器９の偏向能を解除し、選択コイル５０に対応す
る電流を流してビームを２′のように偏向することによ
り可能である。たソし第２アバ−チア通過後、ビームが
光学軸からはずれるのを補正するため、コイル５１に対
応量の電流を流しておく。第４図に示す第２成形アバ−
チアプレートを用いる時は選択コイルによシビーム３２
を移動した後、偏向器９で可変矩形を形成した時と同様
に重なり部分の大きさを変えることができる。
、描画ショツト数の低減によるスループット、ならびパ
ターン精度が向上する。
ターン精度が向上する。
第１図は従来形可変成形電子線描画装置の要部斜視図、
第２図は丸みを有するパターンを細かな矩形ビームで描
画する時の分割の様子を示す画面図、第３図および第４
図は本発明に用いる第２成形アバ−チアの一例を示す図
、第５図は本発明：（よる装置の光学系の構成を示す図
である。 １・・・電子銃、３・・・第１成形アバ−チア、６・・
・第２：成形アバ−チア、８・・・可変矩形ビーム、１
０・・・縮小レンズ、１１・・・対物レンズ、１２・・
・ウェハー、１３．１４・・・偏向器、３０・・・特殊
アバ−チアを有する第２成形アバ−チアプレート、５ｏ
・・・選択コイル、５１・・・アライメントコイル。 第 ７ 図 罫 Ｚ 図 ■ ４ 図 ７ 第 ５ 図
第２図は丸みを有するパターンを細かな矩形ビームで描
画する時の分割の様子を示す画面図、第３図および第４
図は本発明に用いる第２成形アバ−チアの一例を示す図
、第５図は本発明：（よる装置の光学系の構成を示す図
である。 １・・・電子銃、３・・・第１成形アバ−チア、６・・
・第２：成形アバ−チア、８・・・可変矩形ビーム、１
０・・・縮小レンズ、１１・・・対物レンズ、１２・・
・ウェハー、１３．１４・・・偏向器、３０・・・特殊
アバ−チアを有する第２成形アバ−チアプレート、５ｏ
・・・選択コイル、５１・・・アライメントコイル。 第 ７ 図 罫 Ｚ 図 ■ ４ 図 ７ 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の矩形アバ−チアを第２のアバ−チア上に結像
して形成された複合像を試料上に縮小結像することによ
シバターンを描画する電子線描画装置において、第２の
アバ−チアプレート上には矩形アバ−チアを含む複数の
アバ−チアを、第１のアバ−チア像が同時に２ヶ以上の
アバ−チアを照射することのないように十分に離して形
成しておき、第１の矩形アバ−チア保工を第２のアバ−
テアプレート上の任意のアバ−チア上に移動させる第１
の偏向手段と、■と■の重な多部分を変化できる第２の
偏向手段を有することを特徴とする電子線描画装置。 ２、第１の偏向手段として磁界形偏向器を、第２の偏向
手段として電昇形偏向器を用いることを特徴とする第１
項記載の電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042165A JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042165A JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169131A true JPS59169131A (ja) | 1984-09-25 |
| JPH0554251B2 JPH0554251B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=12628345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042165A Granted JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169131A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206829A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 荷電粒子線描画装置 |
| JPS62206828A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 荷電粒子線描画装置 |
| JPS62286274A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS63114125A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPS6476656A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Toshiba Corp | Charged beam depicting device |
| JPH02246318A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| US5334282A (en) * | 1990-09-28 | 1994-08-02 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system and method |
| US5334845A (en) * | 1989-03-24 | 1994-08-02 | Hitachi Limited | Charged beam exposure method and apparatus as well as aperture stop and production method thereof |
| US7759660B2 (en) * | 2004-04-14 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Electron beam lithography system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396679A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Electron-beam drawing equipment |
| JPS548071A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-22 | Daishowa Giken Kogyo | Method and device for making pouch |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042165A patent/JPS59169131A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396679A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Electron-beam drawing equipment |
| JPS548071A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-22 | Daishowa Giken Kogyo | Method and device for making pouch |
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| JPS62206828A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 荷電粒子線描画装置 |
| JPS62286274A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS63114125A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPS6476656A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-22 | Toshiba Corp | Charged beam depicting device |
| JPH02246318A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5334845A (en) * | 1989-03-24 | 1994-08-02 | Hitachi Limited | Charged beam exposure method and apparatus as well as aperture stop and production method thereof |
| US5334282A (en) * | 1990-09-28 | 1994-08-02 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography system and method |
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| US7759660B2 (en) * | 2004-04-14 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Electron beam lithography system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554251B2 (ja) | 1993-08-12 |
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