JPS59171024A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS59171024A JPS59171024A JP58045757A JP4575783A JPS59171024A JP S59171024 A JPS59171024 A JP S59171024A JP 58045757 A JP58045757 A JP 58045757A JP 4575783 A JP4575783 A JP 4575783A JP S59171024 A JPS59171024 A JP S59171024A
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- JP
- Japan
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- film
- thickness
- magnetic
- underlayer
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に高密度垂直磁気記
録、又は光磁気効果を利用した光磁気記録に好適な磁気
記録媒体に関する。
録、又は光磁気効果を利用した光磁気記録に好適な磁気
記録媒体に関する。
磁気記録媒体のうち、磁性材料としてＭｎＢｉ（マンガ
ン−ビスマス）膜を用いるものは、従来一般の水平力向
（あるいは長手方向）磁気記録のみならず、高密度垂直
磁気記録や光磁気記録にも有用なものである。
ン−ビスマス）膜を用いるものは、従来一般の水平力向
（あるいは長手方向）磁気記録のみならず、高密度垂直
磁気記録や光磁気記録にも有用なものである。
ところで、ＭｎＢ１ 膜の保持力等の磁気的特性は、Ｍ
、ｎとＢｉの組成比、ＭｎＥｉ 膜の厚さ、及び支持体
の種類等により影響を受ける。例えば、支持体としては
、ポリイミド等の高分子フィルムを用いるよりもガラス
基板を用いる方法が保持力が大きく、またＭｎＢ１膜の
厚さが薄いほど保持力が大きく、さらに、Ｂｉがやや過
剰気味の組成の方が保持力が大きい。しかしながら、上
記支持 ・体上にＭｎＢ１ 膜を被着形成して成
る従来の磁気記録媒体においては、ガラス基板を支持体
とする場合でも保磁力は略６００００ｅ程度であり、支
持体が高分子フィルムの場合には最大でも５００＼ ００ｅ 程度の保磁力しか得られない。また、ヒステリ
シスルーズの残留磁束密度Ｂｒと最大磁束密度Ｂｒｎの
比Ｂ ｒ ／ Ｂ ｍ 、いわゆる角形比は、高分子フ
ィルム支持体の場合で２０〜３０係であシ、ガラス基板
支持体では１０％以下と非常に小さく、磁気記録効率が
悪い。
、ｎとＢｉの組成比、ＭｎＥｉ 膜の厚さ、及び支持体
の種類等により影響を受ける。例えば、支持体としては
、ポリイミド等の高分子フィルムを用いるよりもガラス
基板を用いる方法が保持力が大きく、またＭｎＢ１膜の
厚さが薄いほど保持力が大きく、さらに、Ｂｉがやや過
剰気味の組成の方が保持力が大きい。しかしながら、上
記支持 ・体上にＭｎＢ１ 膜を被着形成して成
る従来の磁気記録媒体においては、ガラス基板を支持体
とする場合でも保磁力は略６００００ｅ程度であり、支
持体が高分子フィルムの場合には最大でも５００＼ ００ｅ 程度の保磁力しか得られない。また、ヒステリ
シスルーズの残留磁束密度Ｂｒと最大磁束密度Ｂｒｎの
比Ｂ ｒ ／ Ｂ ｍ 、いわゆる角形比は、高分子フ
ィルム支持体の場合で２０〜３０係であシ、ガラス基板
支持体では１０％以下と非常に小さく、磁気記録効率が
悪い。
さらに、高分子フィルム上にＭ ｎ Ｂ ｉ膜を１ｒ」
接被着形成したものにあっては、境界面からの酸化等に
よる経時変化、特に飽和磁束の減少が著るしい。また、
ガラス基板上にＭｌｌ−Ｂｉ膜を形成する場合に、
−−・ ・ニー・ °−゛ −加熱処３ノ１遍のためにクラックが
生じＭ ｎ Ｂ ｉ膜が剥離１〜てし甘うことがある０ 〔発明の目的〕 本発明は、上述の点に鑑み、磁性材にＭｎＢ１を用いな
がら、大きな保磁力を有し、角形比も大きく、支持体か
らの水分や吸着した気体によるＭｎＢｔ膜の特性劣化を
防止でき、支持体が低温から高温に処理されても膜の剥
離が生じることのない磁気記録媒体の提供を目的として
いる。
接被着形成したものにあっては、境界面からの酸化等に
よる経時変化、特に飽和磁束の減少が著るしい。また、
ガラス基板上にＭｌｌ−Ｂｉ膜を形成する場合に、
−−・ ・ニー・ °−゛ −加熱処３ノ１遍のためにクラックが
生じＭ ｎ Ｂ ｉ膜が剥離１〜てし甘うことがある０ 〔発明の目的〕 本発明は、上述の点に鑑み、磁性材にＭｎＢ１を用いな
がら、大きな保磁力を有し、角形比も大きく、支持体か
らの水分や吸着した気体によるＭｎＢｔ膜の特性劣化を
防止でき、支持体が低温から高温に処理されても膜の剥
離が生じることのない磁気記録媒体の提供を目的として
いる。
上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気記録媒
体は、高分子フィルムやカラス基板等の非磁性支持体上
に形成されたＴｉ（チタン）］地層と、この下地層上に
形成されたＭｎＢｉ（マンカン−ビスマス）合金あるい
は金属間化合物よ構成る磁性層そを有し、上記下地層の
膜厚をＩＯＡ以上、１０００Ａ以下とし、上記磁性層の
膜厚を２としている。
体は、高分子フィルムやカラス基板等の非磁性支持体上
に形成されたＴｉ（チタン）］地層と、この下地層上に
形成されたＭｎＢｉ（マンカン−ビスマス）合金あるい
は金属間化合物よ構成る磁性層そを有し、上記下地層の
膜厚をＩＯＡ以上、１０００Ａ以下とし、上記磁性層の
膜厚を２としている。
第１図は本発明の磁気記録媒体の基本的構成を模式的に
示す断面図である。この第１図において、ガラス基板や
高分子フィルム等の非磁性支持体１（チタン）より成る
下地層２を被着形成し、この下地層２上にＢｉ（ビスマ
ス）、Ｍｎ（マンカン）の順で被着して全体の厚みを２
００Ａ〜１００００Ａとし、加熱処理によりＭｎＢ１
合金あるいは金属間化合物の磁性層３を形成している。
示す断面図である。この第１図において、ガラス基板や
高分子フィルム等の非磁性支持体１（チタン）より成る
下地層２を被着形成し、この下地層２上にＢｉ（ビスマ
ス）、Ｍｎ（マンカン）の順で被着して全体の厚みを２
００Ａ〜１００００Ａとし、加熱処理によりＭｎＢ１
合金あるいは金属間化合物の磁性層３を形成している。
さらに、この磁性層３土にはＳ １０２ 、Ａ Ｉ ２
０ｓ 、ＴｉＯ２等の酸化物より成る保護層４を所望の
厚み、例えば１００ＯＡ程度に被着形成している。
０ｓ 、ＴｉＯ２等の酸化物より成る保護層４を所望の
厚み、例えば１００ＯＡ程度に被着形成している。
このような構成の磁気記録媒体によれば、例えば６００
０〜１０００００ｅの大きな保磁力が得られ、角形比も
略８０チ以上と大きく、良好な磁気記録特性か得られる
。また、下地層２に用いられるＴＩは、ガラス基板や高
分子フィル、ノ＼等の非磁性支持体１、及びＭｎＢ１膜
の磁性層３とのなじみがよくて付着力が犬きく、Ｍｎ
Ｂ ｉ膜のクラックの発生を防止でき、膜の剥離をＩＩ
、Ｌできる。
０〜１０００００ｅの大きな保磁力が得られ、角形比も
略８０チ以上と大きく、良好な磁気記録特性か得られる
。また、下地層２に用いられるＴＩは、ガラス基板や高
分子フィル、ノ＼等の非磁性支持体１、及びＭｎＢ１膜
の磁性層３とのなじみがよくて付着力が犬きく、Ｍｎ
Ｂ ｉ膜のクラックの発生を防止でき、膜の剥離をＩＩ
、Ｌできる。
さらに、Ｔｉ下地層２は支持体１側からのＭｎＢ１膜の
酸化を防ＩＬシ、経時変化、特に飽和磁束の減少を防止
する。
酸化を防ＩＬシ、経時変化、特に飽和磁束の減少を防止
する。
ここで、」二記Ｔｉ下地層２の膜厚をＩＯＡより小さく
−することは、製造上現実的でなく、］に地層を形成す
る効果もイｊ効に得られない。また、下地層２の５厚を
１００ＯＡより大きくしても、効果が増すわけではなく
、材料が無駄である。次に、Ｍ ｎ Ｂ ｉより成る磁
性層３の膜厚を２０ＯＡより。
−することは、製造上現実的でなく、］に地層を形成す
る効果もイｊ効に得られない。また、下地層２の５厚を
１００ＯＡより大きくしても、効果が増すわけではなく
、材料が無駄である。次に、Ｍ ｎ Ｂ ｉより成る磁
性層３の膜厚を２０ＯＡより。
小さくすることは、磁気記録媒体を製造する上で現実的
でない。また、磁性Ｍ３の膜厚をｉｏｏ。
でない。また、磁性Ｍ３の膜厚をｉｏｏ。
ＯＡより大きくすることは、薄膜媒体としての意味がな
くなり汽効果が増すわけでもない。
くなり汽効果が増すわけでもない。
支持体１への各層２，３，４の被着形成は、スパッタ法
、電着法、蒸着法等により行なえる。また、１−′地層
２には、Ｔ １％ Ｃｒ、 Ｃｕ ％の金属、あるいは
酸化物、窒化物を用いることができる。
、電着法、蒸着法等により行なえる。また、１−′地層
２には、Ｔ １％ Ｃｒ、 Ｃｕ ％の金属、あるいは
酸化物、窒化物を用いることができる。
次に、本発明の具体的実施例についで、図面を参照し々
から説明する。
から説明する。
第２図は本発明に係る磁気記録媒体を製造するための装
置を概略的に示す既面図であり、土ｊＷｊｌ：各層（あ
るじは膜）の被着形成に蒸着法を用いている。
置を概略的に示す既面図であり、土ｊＷｊｌ：各層（あ
るじは膜）の被着形成に蒸着法を用いている。
この第２図におして、カラス基板、石英基板、又はポリ
イミド等の高分子フィノしムより成る非磁性支持体１は
、真空槽、いわゆるベルジャ１１内、 の頂部近傍に設
けられた回転駆動系１２のＬ［ｊ転体（（取り伺けられ
ている。ベルジャ１１内の底部には、蒸着源となる材料
１３が容器、いわゆるハース１４内に収納さｈて配置さ
れており、加熱手段例えば電子銃１５により上記蒸着月
相１３が加熱され蒸発させられる。ベルジャ１１内は、
Ｊ′Ｊ１気孔１６を介して接続され／こ真空ポンプ（図
示せず９等により、例えば５Ｘ１０’Ｔｏｒｒ程度のＡ
空度に保たれている。この他ベルジャ１１内には、基板
等の加熱処理用の赤外線ランプ１７、及び蒸着膜厚を検
出するだめの水晶振動子等を用いで成る膜厚センサ１８
が設けられている。
イミド等の高分子フィノしムより成る非磁性支持体１は
、真空槽、いわゆるベルジャ１１内、 の頂部近傍に設
けられた回転駆動系１２のＬ［ｊ転体（（取り伺けられ
ている。ベルジャ１１内の底部には、蒸着源となる材料
１３が容器、いわゆるハース１４内に収納さｈて配置さ
れており、加熱手段例えば電子銃１５により上記蒸着月
相１３が加熱され蒸発させられる。ベルジャ１１内は、
Ｊ′Ｊ１気孔１６を介して接続され／こ真空ポンプ（図
示せず９等により、例えば５Ｘ１０’Ｔｏｒｒ程度のＡ
空度に保たれている。この他ベルジャ１１内には、基板
等の加熱処理用の赤外線ランプ１７、及び蒸着膜厚を検
出するだめの水晶振動子等を用いで成る膜厚センサ１８
が設けられている。
このような第２図に示す蒸着処理装置を用いて、非磁性
支持体１の表面上に上記第１図の下地層２、磁性層３、
及び保護Ｍ４を順次被着形成１〜で磁気記録媒体を製造
する。
支持体１の表面上に上記第１図の下地層２、磁性層３、
及び保護Ｍ４を順次被着形成１〜で磁気記録媒体を製造
する。
このとき、先ず、各層の形成前に、非磁性支持体１を真
空中で赤外線ランプ１７にょシ高温（例えば２５０℃以
上）に加熱処理し、支持体１を脱ガス処理する。
空中で赤外線ランプ１７にょシ高温（例えば２５０℃以
上）に加熱処理し、支持体１を脱ガス処理する。
次に、５ Ｘ Ｉ Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下の真空度で支持
体１を回転駆動系１２によシ回転させなからＴｉ（する
。
体１を回転駆動系１２によシ回転させなからＴｉ（する
。
次Ｖｃ、Ｂ ｉ （ヒスマス）膜厚とＭｌｌ （マンカ
ン）膜厚との比率か・一定の条件の下に、上記Ｔ１下地
層上に、初めに８１１次にＭｎの順で蒸着形成する。そ
の後５ｉＯ７等の保護層４を例えば １゜００Ａ程度の
膜厚に蒸着形成する。
ン）膜厚との比率か・一定の条件の下に、上記Ｔ１下地
層上に、初めに８１１次にＭｎの順で蒸着形成する。そ
の後５ｉＯ７等の保護層４を例えば １゜００Ａ程度の
膜厚に蒸着形成する。
このようにして、Ｂｉ膜とＭｎ膜とが順次蒸着形成され
た非磁性支持体１を、赤外線ランプ１７により例えば３
００℃以上の高温にて一定時間（例えば３０分以上）加
熱保持して、ＭｎをＢｉ中に拡散させＭｎＢ１合金を形
成させる。その後、常温にまで降温して、ＭｎＢ１
膜の磁性層を有する磁気記録媒体が得られる。
た非磁性支持体１を、赤外線ランプ１７により例えば３
００℃以上の高温にて一定時間（例えば３０分以上）加
熱保持して、ＭｎをＢｉ中に拡散させＭｎＢ１合金を形
成させる。その後、常温にまで降温して、ＭｎＢ１
膜の磁性層を有する磁気記録媒体が得られる。
以上のようにして得られた磁気記録媒体のいくつ小の例
及び従来例を第１表に示す。
及び従来例を第１表に示す。
第１表
この第１表（・ておいて、支持体の記−＠Ｆは高分子フ
ィルムを用いた場合、記号Ｇはガラス基板を用いた場合
、をそれぞれ示している。また、試利番−号１〜３はＴ
ｉ下地層なしの従来例を、試料番号４〜７ｉ−１、本発
明の実施例を、それぞれ示し、試料番号１〜５は（Ｊ３
ｉ膜厚）／（、Ｍｎ膜厚〕が略２゜２の場合を、試料
訃号６．７はＢｉ膜厚が１４６Ｍ＋１膜厚）が略２．７
の場合を、それぞれ示している。
ィルムを用いた場合、記号Ｇはガラス基板を用いた場合
、をそれぞれ示している。また、試利番−号１〜３はＴ
ｉ下地層なしの従来例を、試料番号４〜７ｉ−１、本発
明の実施例を、それぞれ示し、試料番号１〜５は（Ｊ３
ｉ膜厚）／（、Ｍｎ膜厚〕が略２゜２の場合を、試料
訃号６．７はＢｉ膜厚が１４６Ｍ＋１膜厚）が略２．７
の場合を、それぞれ示している。
ここで、ＭｎＢ１膜の磁性層の膜厚が５５０ＯＡ、（Ｂ
ｉ膜厚）／（Ｍｎ膜厚）が略２゜２の場で変化させると
きの保持力Ｈｃの変化を第３図に示す。この第３図の実
線は高分子フィルムを支持体とするとき、破線はガラス
基板を支持体とするときをそれぞれ示し、Ｔｉ下地層の
膜厚がＩＯＡのときには、上記第１表の試料番号４．５
の各保警磁力となっている。これらは、Ｔｉ下地層なし
の従来例に該当する試相番月１．２の各保磁力に比へて
、充分に大きな保磁力であり Ｔ ｉ膜ノリか増大する
ほど保磁力Ｈｃが増加しているが、Ｔｉ膜少なくなり、
図示しない１００ＯＡ近傍では略−１定の保磁力となる
。
ｉ膜厚）／（Ｍｎ膜厚）が略２゜２の場で変化させると
きの保持力Ｈｃの変化を第３図に示す。この第３図の実
線は高分子フィルムを支持体とするとき、破線はガラス
基板を支持体とするときをそれぞれ示し、Ｔｉ下地層の
膜厚がＩＯＡのときには、上記第１表の試料番号４．５
の各保警磁力となっている。これらは、Ｔｉ下地層なし
の従来例に該当する試相番月１．２の各保磁力に比へて
、充分に大きな保磁力であり Ｔ ｉ膜ノリか増大する
ほど保磁力Ｈｃが増加しているが、Ｔｉ膜少なくなり、
図示しない１００ＯＡ近傍では略−１定の保磁力となる
。
次に第４図は、、ＭｎＢ１膜の磁１コミ層の膜厚を２の
保磁力Ｈｃの変化を示し、Ｔｉ膜厚を一定値５０Ａとし
、（Ｂｉ膜厚）／（Ｍｌｌ膜）１）を略２゜７の比率に
保っている。１だ、支持体が高分子フィルムの場合を第
４図の′：Ｘ：線に、ガラス基板の場合を第４図の破線
に、それぞれ示しでいる。
保磁力Ｈｃの変化を示し、Ｔｉ膜厚を一定値５０Ａとし
、（Ｂｉ膜厚）／（Ｍｌｌ膜）１）を略２゜７の比率に
保っている。１だ、支持体が高分子フィルムの場合を第
４図の′：Ｘ：線に、ガラス基板の場合を第４図の破線
に、それぞれ示しでいる。
この第４図のグラフのＭｎＢ１膜厚が２００ＯＡのとき
が、第１表の試料番号６．７に対応し、ており、高分子
フィルム支持体で６００００ｅの保磁力が得られ、ガラ
ス基板支持体では１ｏｏｏ。
が、第１表の試料番号６．７に対応し、ており、高分子
フィルム支持体で６００００ｅの保磁力が得られ、ガラ
ス基板支持体では１ｏｏｏ。
Ｏｅにも達している。さらにＴｉ膜を厚＜ Ｌ、ＭｎＢ
１膜を薄くして、よｐ大きな保磁力を得ることも可能で
ある。
１膜を薄くして、よｐ大きな保磁力を得ることも可能で
ある。
ところで１． Ｍ ｎ Ｅｙ ｉノ磁外層となる各Ｂ１
ＸＭｎの被着形成膜厚比、すなわち（Ｂｉ膜厚） ／
（Ｍ １１膜厚）は、略２．２あるいは略２．７ とし
て−るが、Ｂｉ、Ｍｎ の各金属原子の個数の比は略
１：１となっており、各Ｂｉ膜、Ｍｎ膜中の原子間距離
の違い等によｐ膜厚比が２．２〜２．７ となるもの
である。なお、一般にＢｉをやや過剰気味とする方が保
磁力Ｈａは大きくなる。
ＸＭｎの被着形成膜厚比、すなわち（Ｂｉ膜厚） ／
（Ｍ １１膜厚）は、略２．２あるいは略２．７ とし
て−るが、Ｂｉ、Ｍｎ の各金属原子の個数の比は略
１：１となっており、各Ｂｉ膜、Ｍｎ膜中の原子間距離
の違い等によｐ膜厚比が２．２〜２．７ となるもの
である。なお、一般にＢｉをやや過剰気味とする方が保
磁力Ｈａは大きくなる。
次に、角形比についてみると、第１表からも明らかなよ
うに、Ｔｉ 下地層なしの従来例（試料番号１〜３）で
は１０係〜３０％とｄ＼さいのに対し、Ｔｉ下地層を設
けた試料番号４〜７の例において、は、８０％以上の（
試料番号７では９８％もの）大きな角形比が得られる。
うに、Ｔｉ 下地層なしの従来例（試料番号１〜３）で
は１０係〜３０％とｄ＼さいのに対し、Ｔｉ下地層を設
けた試料番号４〜７の例において、は、８０％以上の（
試料番号７では９８％もの）大きな角形比が得られる。
このようにＴｉ下地層を設けることによる角形比の改善
効果は極めて太きい。
効果は極めて太きい。
次に、支持体とＭ ｎ Ｂ ｉ膜との付着力について説
明すると、従来において、Ｔｉ下地層なしで支持体、特
にガラス基板上にＭｎ″Ｂｉ膜を被着形成する際に、薄
板の脱ガス等のため、予φ基板を加熱処理した後、蒸着
等を行なっているが、基板が例えば４０′℃以上の高温
であると、被着形成されたＭｎＢｊ膜にクラックが生じ
、膜が剥離してしまうことがある。これは、基板を常温
程度に１で降温し／こ後に蒸着等を行なうようにすれば
解決できるが、時間的損失が大きく、窟産には適当でな
い。これに対して、本発明のようにＴｉ下地層を被着形
成した場合には、基板が例えば１５０℃あるいはそれ以
上の高温であっても、常温のときと同様に良好なＭ １
１ Ｂ を膜を被着形成でき、膜の付着力が強く、剥離
等は生じない。
明すると、従来において、Ｔｉ下地層なしで支持体、特
にガラス基板上にＭｎ″Ｂｉ膜を被着形成する際に、薄
板の脱ガス等のため、予φ基板を加熱処理した後、蒸着
等を行なっているが、基板が例えば４０′℃以上の高温
であると、被着形成されたＭｎＢｊ膜にクラックが生じ
、膜が剥離してしまうことがある。これは、基板を常温
程度に１で降温し／こ後に蒸着等を行なうようにすれば
解決できるが、時間的損失が大きく、窟産には適当でな
い。これに対して、本発明のようにＴｉ下地層を被着形
成した場合には、基板が例えば１５０℃あるいはそれ以
上の高温であっても、常温のときと同様に良好なＭ １
１ Ｂ を膜を被着形成でき、膜の付着力が強く、剥離
等は生じない。
次に第５図は、保磁力の経時変化を示すグラフであり、
横軸に磁気記録媒体試料の製造時点よりの経過時間（日
数）を、縦軸に試料製造直後の飽和磁束φ５（０）に対
する上記時間経過時の飽和磁束φ５（Ｔ）の比率φ５（
Ｔ）／φ５（０）を、それぞれ示している。塘だ、第５
図の各面１１Ｊａ−ｄに対応する試料Ａ−Ｄは、いずれ
も高分子フィルムを支持体とし、磁性層のＢｉ膜厚を３
７０ ＯＡ 、 Ｍｎ膜厚を］、 ６８０ Ａとし、Ｓ
ｉｎ、、保護層の膜厚を１００Ａとするものであり、下
地層については、試料ＡがＦ地層なし、試料Ｂが膜厚５
ｏλのＴｉ下地層、試料Ｃが膜厚１００ＡのＣｕ下地層
、試料りが膜厚５００ＡのＴｉ下地層、をそれぞれ有し
ている。
横軸に磁気記録媒体試料の製造時点よりの経過時間（日
数）を、縦軸に試料製造直後の飽和磁束φ５（０）に対
する上記時間経過時の飽和磁束φ５（Ｔ）の比率φ５（
Ｔ）／φ５（０）を、それぞれ示している。塘だ、第５
図の各面１１Ｊａ−ｄに対応する試料Ａ−Ｄは、いずれ
も高分子フィルムを支持体とし、磁性層のＢｉ膜厚を３
７０ ＯＡ 、 Ｍｎ膜厚を］、 ６８０ Ａとし、Ｓ
ｉｎ、、保護層の膜厚を１００Ａとするものであり、下
地層については、試料ＡがＦ地層なし、試料Ｂが膜厚５
ｏλのＴｉ下地層、試料Ｃが膜厚１００ＡのＣｕ下地層
、試料りが膜厚５００ＡのＴｉ下地層、をそれぞれ有し
ている。
この第５図において下地層なしの試料Ａは、曲１ｉＩＪ
ａに示すように支持体（高分子フィルム）側からの酸
化が激しく、例えば４日程度でＭｎＢ１膜の略全体が酸
化されてしまう。Ｔｉ下地層を５０で飽和磁束が５％程
度減少するが、その後の減少の割合は極めて緩やかであ
り、充分実用的である。
ａに示すように支持体（高分子フィルム）側からの酸
化が激しく、例えば４日程度でＭｎＢ１膜の略全体が酸
化されてしまう。Ｔｉ下地層を５０で飽和磁束が５％程
度減少するが、その後の減少の割合は極めて緩やかであ
り、充分実用的である。
Ｃｕ下地層を１０ＯＡ形成した試料Ｃは、曲線Ｃす
に示すように略１０日で飽和磁束が２％程度減少するが
、その後／／′ｉ減少が見られず、飽和磁束は略一定の
値に安定する。次に、Ｔｉ下地層を５０“ＯＡ影形成た
試料りは、曲線ｄに示すように、初めのうち１％程度の
飽和磁束の減少が認められるが、その後はほとんど変化
せず一定の飽和磁束を保持している。これらの試料のう
ち、試′＄４Ｂ、Ｃ，Ｄについては、６力月以上経過後
においても略一定の飽和磁束値を保っており、充分米用
に１（ＩＩＩえ得るものである。
、その後／／′ｉ減少が見られず、飽和磁束は略一定の
値に安定する。次に、Ｔｉ下地層を５０“ＯＡ影形成た
試料りは、曲線ｄに示すように、初めのうち１％程度の
飽和磁束の減少が認められるが、その後はほとんど変化
せず一定の飽和磁束を保持している。これらの試料のう
ち、試′＄４Ｂ、Ｃ，Ｄについては、６力月以上経過後
においても略一定の飽和磁束値を保っており、充分米用
に１（ＩＩＩえ得るものである。
以上の説明からも明らかなように、高分子フィルムやガ
ラス基板等の非磁性支持体にＴ ｉ下地層を形成し、と
のＴｉ下地層上にＭ ｎ Ｂ ＋膜の磁ｉ（ｈ層を形成
することにより、例えば６０００〜工・０００００ｅ以
上もの保磁力と、８０％以上もの角形比を得ることがで
きる。これは、下、数層のＴｉは六方晶系の金属で、そ
のＣ軸が上記支持体表面に対して垂直に配向されて成長
することが知らねており、Ｂｉは結晶構造が菱面体格子
でＴＩを下地とした場合には、Ｃ軸がＴｉと同じ方向に
そろえられて成長するような、いわゆるエピタキシャル
成長がなされ、ＢｉのＣ軸が膜に垂直に配向し７、その
後Ｍｎを被着し加熱処理してＭｎＢ１合金を形成したと
き、強い結晶異方性が膜あるいは支持体表面に垂直な方
向に発生すると考えられる。この強め結晶異方性と、上
記Ｃ軸配向が、大きな保磁力と角形比の起源と考えられ
る。 □また、下地層のＴｉは、非磁性支持体とな
るガラス基板や高分子フィルム、及び磁性層と々る各オ
φ金属とのなじみが良＜、ＭｎＢ１膜と支持体との間Ｋ
Ｔｉ膜を介在させることによシ、伺着力が増大；〜、Ｍ
ｎＢ１膜の４１］離舌が有効に防止される。
ラス基板等の非磁性支持体にＴ ｉ下地層を形成し、と
のＴｉ下地層上にＭ ｎ Ｂ ＋膜の磁ｉ（ｈ層を形成
することにより、例えば６０００〜工・０００００ｅ以
上もの保磁力と、８０％以上もの角形比を得ることがで
きる。これは、下、数層のＴｉは六方晶系の金属で、そ
のＣ軸が上記支持体表面に対して垂直に配向されて成長
することが知らねており、Ｂｉは結晶構造が菱面体格子
でＴＩを下地とした場合には、Ｃ軸がＴｉと同じ方向に
そろえられて成長するような、いわゆるエピタキシャル
成長がなされ、ＢｉのＣ軸が膜に垂直に配向し７、その
後Ｍｎを被着し加熱処理してＭｎＢ１合金を形成したと
き、強い結晶異方性が膜あるいは支持体表面に垂直な方
向に発生すると考えられる。この強め結晶異方性と、上
記Ｃ軸配向が、大きな保磁力と角形比の起源と考えられ
る。 □また、下地層のＴｉは、非磁性支持体とな
るガラス基板や高分子フィルム、及び磁性層と々る各オ
φ金属とのなじみが良＜、ＭｎＢ１膜と支持体との間Ｋ
Ｔｉ膜を介在させることによシ、伺着力が増大；〜、Ｍ
ｎＢ１膜の４１］離舌が有効に防止される。
さらに、支持体とＭｎＢ１膜との間に設けられたＴｉは
、酸化されると不動態となり、嗣腐蝕性が強化されて酸
化には極めて強い物質となるため、例えば高分子フィル
ム等の支持体側からの酸化の進行がＭｎＢ１膜に及ぶこ
とを防止し、保磁力等の磁気特性の低下゛を防止する。
、酸化されると不動態となり、嗣腐蝕性が強化されて酸
化には極めて強い物質となるため、例えば高分子フィル
ム等の支持体側からの酸化の進行がＭｎＢ１膜に及ぶこ
とを防止し、保磁力等の磁気特性の低下゛を防止する。
ところで、本発明の磁気記録媒体の製造萄には、上記下
地層に金属チタンを用いても、製品として供給さｆｖた
記録媒体においては、経１１Ｊ変化により酸化チタンに
変化していることが多い。
地層に金属チタンを用いても、製品として供給さｆｖた
記録媒体においては、経１１Ｊ変化により酸化チタンに
変化していることが多い。
本発明に係る磁気記録媒体によれは、簡単な構成で、非
常に大きな保磁力（例えば６０００〜１０００００ｅ以
上）及び角形比（例えば８０％以上）を容易に得ること
ができ、また、磁性層の伺着力も大きく剥離等が防止で
き、さらに、Ｔｉ下地層が支持体１ｉｔｕかもの酸化の
進行を妨げるＡ−め、経時変化による保磁力低下性を防
止できる。
常に大きな保磁力（例えば６０００〜１０００００ｅ以
上）及び角形比（例えば８０％以上）を容易に得ること
ができ、また、磁性層の伺着力も大きく剥離等が防止で
き、さらに、Ｔｉ下地層が支持体１ｉｔｕかもの酸化の
進行を妨げるＡ−め、経時変化による保磁力低下性を防
止できる。
第１図は本発明の磁気記録媒体のイＩｌ造を概略的に示
す断面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を製造するた
めの装置の一例を示す概略断面図、第３図ないし第５図
は本発明の磁気記録媒体の効果を説明するだめのグラフ
である。 １・・−非磁性支持体 ２・・・ Ｔｉ下地層 ３ ”ＯＭｎＢ ｉ ＠外層 ４・・・ 保護層 ゛ 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁や埋土 小 池 見 間 １） 村 榮 −一第１図 第２図 第３図 第４図
す断面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を製造するた
めの装置の一例を示す概略断面図、第３図ないし第５図
は本発明の磁気記録媒体の効果を説明するだめのグラフ
である。 １・・−非磁性支持体 ２・・・ Ｔｉ下地層 ３ ”ＯＭｎＢ ｉ ＠外層 ４・・・ 保護層 ゛ 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁や埋土 小 池 見 間 １） 村 榮 −一第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 非磁性支持体上にＴｉよシ成る下地層をＩＯＡ〜１ｏｏ
ｏＸの膜厚に形成し、この下朋替嶌１３ ｉに形成して
成る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045757A JPS59171024A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045757A JPS59171024A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171024A true JPS59171024A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12728162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045757A Pending JPS59171024A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229923A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0373419A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595738U (ja) * | 1978-12-25 | 1980-07-03 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58045757A patent/JPS59171024A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595738U (ja) * | 1978-12-25 | 1980-07-03 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229923A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 面内磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0373419A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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