JPH01169719A - 磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH01169719A JPH01169719A JP32798187A JP32798187A JPH01169719A JP H01169719 A JPH01169719 A JP H01169719A JP 32798187 A JP32798187 A JP 32798187A JP 32798187 A JP32798187 A JP 32798187A JP H01169719 A JPH01169719 A JP H01169719A
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- Japan
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- magnetic
- temperature
- layer
- magnetic disk
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業１−１の利用分ツｆコ
本発明は磁気ディスクおよびその製造方法に関する。史
に詳細には、本発明は磁気特性および耐久性に優れた磁
気ディスクおよびその製造方法に関する。
に詳細には、本発明は磁気特性および耐久性に優れた磁
気ディスクおよびその製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、磁気ディスクの様な円板状基体−ヒに面内磁化
膜が形成された磁気記録媒体は、磁性層の磁化容易軸が
ディスク円周方向に配向することにより、優れた電磁変
換特性が得られる。
膜が形成された磁気記録媒体は、磁性層の磁化容易軸が
ディスク円周方向に配向することにより、優れた電磁変
換特性が得られる。
このため、塗布型ディスクでは、磁性層形成時に磁界を
印加して、磁化容易軸を円周方向に配向させるなどの技
術が用いられているが、高密度記録に適した媒体を形成
する方法として注目されているｒ〔空蒸着法、スパッタ
リング法などでは、１；記方法を用いることができない
。
印加して、磁化容易軸を円周方向に配向させるなどの技
術が用いられているが、高密度記録に適した媒体を形成
する方法として注目されているｒ〔空蒸着法、スパッタ
リング法などでは、１；記方法を用いることができない
。
一方、従来より、磁性層形成後に、磁性層を形成する物
質の結晶相変態点より高温から磁界中で冷却し、相変態
点を通過させるという磁界中冷却処理（Ｔ、Ｓａｎｂｏ
ｎｇｌ ａｎｄ Ｔ、旧ｔｓｕｉ、 Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ、 Ｖｏｌ、Ｉ８． Ｎｏ、９ｐ、ｐ、
Ｉ２５３． ５ｅｐｔ、、（１９６３））によって、磁
気光方性を向１−させることが検討されている。この方
法は、薄膜磁気ディスクに用いることが可能であるが、
高密度記録に適した磁気特性は未だ得られていない。
質の結晶相変態点より高温から磁界中で冷却し、相変態
点を通過させるという磁界中冷却処理（Ｔ、Ｓａｎｂｏ
ｎｇｌ ａｎｄ Ｔ、旧ｔｓｕｉ、 Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏ
ｆ Ｊａｐａｎ、 Ｖｏｌ、Ｉ８． Ｎｏ、９ｐ、ｐ、
Ｉ２５３． ５ｅｐｔ、、（１９６３））によって、磁
気光方性を向１−させることが検討されている。この方
法は、薄膜磁気ディスクに用いることが可能であるが、
高密度記録に適した磁気特性は未だ得られていない。
また、真空蒸着法、スパッタリング法等により強磁性金
属もしくはそれらの合金類を非磁性基体上に被着させた
金属薄膜型磁気記録媒体は、高密度記録に適した特性を
有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が高く、摩耗や剥
離が生じる等の欠点がある。
属もしくはそれらの合金類を非磁性基体上に被着させた
金属薄膜型磁気記録媒体は、高密度記録に適した特性を
有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が高く、摩耗や剥
離が生じる等の欠点がある。
このため、特開昭６０ ２３４０８ ’；公報に開７ノ
＜されているように、磁気記録層１・、にカーボン系の
保護潤滑膜を設ける試みがなされている。しかし、この
方法によっても、コンタクトスタートストップ（Ｃ８Ｓ
）特性に未だ問題があり、耐久性が不１“分である。保
護潤滑層の膜厚を厚くすればスペーシングロスが大きく
なり磁気特性が劣化する。
＜されているように、磁気記録層１・、にカーボン系の
保護潤滑膜を設ける試みがなされている。しかし、この
方法によっても、コンタクトスタートストップ（Ｃ８Ｓ
）特性に未だ問題があり、耐久性が不１“分である。保
護潤滑層の膜厚を厚くすればスペーシングロスが大きく
なり磁気特性が劣化する。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、１−記従来技術が持っていた磁気特性が不ｌ
−分であることによる電磁変換特性の悪化を解決し、以
て磁気特性および耐久性に優れた磁気ディスクを提供す
ることを１−１的とする。
−分であることによる電磁変換特性の悪化を解決し、以
て磁気特性および耐久性に優れた磁気ディスクを提供す
ることを１−１的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明者らが長年にわたり広範な実験と試作を続けた結
果、非磁性基体」−に強磁性金属薄膜を磁気記録層とし
て有する磁気ディスクにおいて、前記非磁性基体と磁気
記録層との間に、下地層として、軟化温度が６００°Ｃ
以下のガラス層を設け、該上地層の軟化温度よりも高い
温度に加熱し磁界中冷却処理を行うことにより、優れた
磁気特性と優れた耐久性を有する磁気ディスクが得られ
ることが発見された。本発明は斯かる知見に基づき完成
された。
果、非磁性基体」−に強磁性金属薄膜を磁気記録層とし
て有する磁気ディスクにおいて、前記非磁性基体と磁気
記録層との間に、下地層として、軟化温度が６００°Ｃ
以下のガラス層を設け、該上地層の軟化温度よりも高い
温度に加熱し磁界中冷却処理を行うことにより、優れた
磁気特性と優れた耐久性を有する磁気ディスクが得られ
ることが発見された。本発明は斯かる知見に基づき完成
された。
正確なメカニズムは未だ解明されていないのでｒｆｌ測
の域をでないが、ノ１磁＋／１基体１′、に上地層とし
て軟化温度が６００℃以下のガラス層を設け）さらにこ
の上地層上に強磁性金属もしくはその合金からなる磁気
記録層を設けた後、上地層の軟化温度より高温で磁界中
冷却処理時の熱処理を行うことにより、上地層の軟化が
原因となって基体と磁気記録層との接着性が向Ｉ−シ、
磁気ディスクの耐久性が飛躍的に向ｌ−されるものと思
われる。
の域をでないが、ノ１磁＋／１基体１′、に上地層とし
て軟化温度が６００℃以下のガラス層を設け）さらにこ
の上地層上に強磁性金属もしくはその合金からなる磁気
記録層を設けた後、上地層の軟化温度より高温で磁界中
冷却処理時の熱処理を行うことにより、上地層の軟化が
原因となって基体と磁気記録層との接着性が向Ｉ−シ、
磁気ディスクの耐久性が飛躍的に向ｌ−されるものと思
われる。
磁界中冷却処理の具体的方法は、非磁性基体のガラス下
地層りに強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成した後、
該磁性層を形成する強磁性金属の結晶相変態意思］；の
温度で加熱し、その後、結晶相変態点より低い温度にま
で冷却する１次加熱・冷却処理を行い、次いで、１１１
び磁性層を形成する強磁性金属の結晶相変態点以ｌ−の
温度で加熱し、その後、磁界中で磁界を印加しながら結
晶相変態点より低い温度にまで冷却する２次加熱・冷却
処理を行うことからなる。
地層りに強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成した後、
該磁性層を形成する強磁性金属の結晶相変態意思］；の
温度で加熱し、その後、結晶相変態点より低い温度にま
で冷却する１次加熱・冷却処理を行い、次いで、１１１
び磁性層を形成する強磁性金属の結晶相変態点以ｌ−の
温度で加熱し、その後、磁界中で磁界を印加しながら結
晶相変態点より低い温度にまで冷却する２次加熱・冷却
処理を行うことからなる。
従って、本発明の磁気記録媒体を製造する場合、前記１
次相、鳩処理および２次加熱処理のうちの少なくとも何
れか ツノの加熱処理１ユ程において、磁す１１層を形
成する強磁ｔ／ｌ全属の結晶相変態意思１−で、かつ、
使用されるガラス下地層の軟化意思１・、のｌ！ｌ＾１
すで加熱処理すればよい。ガラス下地層の軟化点よりも
強磁性金属の結晶相変態点の方が高ければ、結晶相変態
意思１−の温度で加熱すればよく、また、強磁性金属の
結晶相変態点よりもガラス下地層の軟化点の方が高けれ
ば、ガラス下地層の軟化点以上の温度で加熱すればよい
。
次相、鳩処理および２次加熱処理のうちの少なくとも何
れか ツノの加熱処理１ユ程において、磁す１１層を形
成する強磁ｔ／ｌ全属の結晶相変態意思１−で、かつ、
使用されるガラス下地層の軟化意思１・、のｌ！ｌ＾１
すで加熱処理すればよい。ガラス下地層の軟化点よりも
強磁性金属の結晶相変態点の方が高ければ、結晶相変態
意思１−の温度で加熱すればよく、また、強磁性金属の
結晶相変態点よりもガラス下地層の軟化点の方が高けれ
ば、ガラス下地層の軟化点以上の温度で加熱すればよい
。
上地層に使用されるガラスは例えば、ＰｂＯを主成分と
するもの、あるいは５ｉ０２またはＶ２Ｏ５を主成分と
するもの等である。これらのガラスは軟化温度が６００
℃以下でなければならない。
するもの、あるいは５ｉ０２またはＶ２Ｏ５を主成分と
するもの等である。これらのガラスは軟化温度が６００
℃以下でなければならない。
軟化温度が６００℃超のガラスを使用すると加熱処理の
際にド地ガラス層が１・分に軟化しない等の不都合な事
態が起こり好ましくない。
際にド地ガラス層が１・分に軟化しない等の不都合な事
態が起こり好ましくない。
ガラス下地層の厚さは特に限定されないが、−・般的に
は、５０人〜５０００人の範囲内である。
は、５０人〜５０００人の範囲内である。
上地層の膜厚が５０人未満では均・な上地層を形成出来
ないばかりか、耐久性数片効果も不１・分となる。一方
、膜厚が５０００人超では、蒸着作業に時間がかかり過
ぎ、生産性が劣るばかりか、前記と同様に、加熱処理の
際に一ド地ガラス層が十分に軟化しない等の問題が起こ
り好ましくない。
ないばかりか、耐久性数片効果も不１・分となる。一方
、膜厚が５０００人超では、蒸着作業に時間がかかり過
ぎ、生産性が劣るばかりか、前記と同様に、加熱処理の
際に一ド地ガラス層が十分に軟化しない等の問題が起こ
り好ましくない。
ガラス下地層は１゛〔空蒸着法、スパッタリング法。
イオンブレーティング法、イオンビームデポジション法
、メツキ法等、何れの方法によっても形成するができる
。
、メツキ法等、何れの方法によっても形成するができる
。
また、前記１次加熱処理または２次加熱処理のうちの少
なくとも何れか一方の加熱処理工程を酸素ガスもしくは
窒素ガス雰囲気ドで実施することにより磁気特性および
耐久性に−・層優れた磁気ディスクが得られる。
なくとも何れか一方の加熱処理工程を酸素ガスもしくは
窒素ガス雰囲気ドで実施することにより磁気特性および
耐久性に−・層優れた磁気ディスクが得られる。
前記２次加熱・冷却処理は、強磁性層を形成する物質の
結晶相変態意思１−の温度に加熱し、次いで所定の力向
を持つ磁界中で冷却し、相変態点を通過させる磁界中冷
却処理を行うことにより行われる。この処理により、例
えばＣｏを１：、体とする強磁性合金は、相変態［ｆｃ
ｃ相→ｈｃｌ）相コの際に、磁界印加方向に磁化容易軸
が配向するという誘導磁気異方性を生ずる。
結晶相変態意思１−の温度に加熱し、次いで所定の力向
を持つ磁界中で冷却し、相変態点を通過させる磁界中冷
却処理を行うことにより行われる。この処理により、例
えばＣｏを１：、体とする強磁性合金は、相変態［ｆｃ
ｃ相→ｈｃｌ）相コの際に、磁界印加方向に磁化容易軸
が配向するという誘導磁気異方性を生ずる。
結晶相変態点とはＣｏまたはＣｏ合金の最密六方格ｒｈ
ｃｐが面心＼γ方格ｒｆｃｃへ、あるいは、ｆｅｅがｈ
ｃｐへ相変態する点のことであり、この時の温度を結晶
変態温度という。この温度は使用されるＣｏまたはＣｏ
合金に固イｔの値である。
ｃｐが面心＼γ方格ｒｆｃｃへ、あるいは、ｆｅｅがｈ
ｃｐへ相変態する点のことであり、この時の温度を結晶
変態温度という。この温度は使用されるＣｏまたはＣｏ
合金に固イｔの値である。
この結晶変態温度は実験を繰り返すことにより当業者な
らば容易に決定できる。
らば容易に決定できる。
本発明の製造方法によれば、Ｃｏ系強磁性薄膜ディスク
を、結晶変態温度以Ｉ−の温度で１次加熱処理を行う。
を、結晶変態温度以Ｉ−の温度で１次加熱処理を行う。
１次加熱処理はその後の磁界中冷却効果を効き易（する
ために、結晶変態温度よりも約１００℃以十、高い温度
で約０．５時間以１−加熱することが好ましい。
ために、結晶変態温度よりも約１００℃以十、高い温度
で約０．５時間以１−加熱することが好ましい。
一例として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ合金を強磁性層とし
た場合、相変態を容易に起こすために自効とされる、７
００℃以１・、の／＋１１１度で１時間以１〕加熱し、
・１し室温にまで冷却することからなる１次加熱・冷
却処理を行い、熱履歴を′ノ゛４えるのが好ましい。次
いで、相変態点（〜４００°Ｃ）以上にｉｆｆび加熱し
た後、磁界をディスク円周方向に向くように印加しなが
ら、相変態が完了する温度以下の温度（例えば、室ｚは
）まで冷却することからなる２次加熱−冷却処理を行う
。このように処理すると、著しい磁界中冷却効果が得ら
れる。
た場合、相変態を容易に起こすために自効とされる、７
００℃以１・、の／＋１１１度で１時間以１〕加熱し、
・１し室温にまで冷却することからなる１次加熱・冷
却処理を行い、熱履歴を′ノ゛４えるのが好ましい。次
いで、相変態点（〜４００°Ｃ）以上にｉｆｆび加熱し
た後、磁界をディスク円周方向に向くように印加しなが
ら、相変態が完了する温度以下の温度（例えば、室ｚは
）まで冷却することからなる２次加熱−冷却処理を行う
。このように処理すると、著しい磁界中冷却効果が得ら
れる。
前記１次加熱処理または２次加熱処理のうちの少なくと
も何れか一方の加熱処理工程を酸素ガスもしくは窒素ガ
ス雰囲気下で実施することにより、酸素もしくは窒素が
強磁性層の結晶粒界および最表面層に拡散し、結晶粒、
磁区を微細化し、保磁力を増大させると共に、耐久性に
優れた酸化物もしくは窒化物表面処理層が得られる。
も何れか一方の加熱処理工程を酸素ガスもしくは窒素ガ
ス雰囲気下で実施することにより、酸素もしくは窒素が
強磁性層の結晶粒界および最表面層に拡散し、結晶粒、
磁区を微細化し、保磁力を増大させると共に、耐久性に
優れた酸化物もしくは窒化物表面処理層が得られる。
酸素または窒素ガス雰囲気は加熱後の冷却処理■〕程中
も維持することが好ましい。１次加熱拳冷却処理１ユ程
および２次加熱・冷却処理上程の全工程を酸素または窒
素ガス雰囲気ドで実施することもできる。
も維持することが好ましい。１次加熱拳冷却処理１ユ程
および２次加熱・冷却処理上程の全工程を酸素または窒
素ガス雰囲気ドで実施することもできる。
酸素ガスまたは窒素ガスの拡散処理はｌＸ１０−６ Ｔ
ｏｒｒから１ＱＴｏｒｒの範囲内の分圧で行うのが好ま
しく、１ｘｌＯ−６Ｔｏｒｒ以下では、所記の効果が得
られず、１ＱＴｏｒｒよりも高すぎると反応が過剰にな
る。
ｏｒｒから１ＱＴｏｒｒの範囲内の分圧で行うのが好ま
しく、１ｘｌＯ−６Ｔｏｒｒ以下では、所記の効果が得
られず、１ＱＴｏｒｒよりも高すぎると反応が過剰にな
る。
強磁性層はＣｏ １’一体またはＣｏ合金から構成する
ことが好ましい。本発明で使用できるＣｏ合金は例えば
、Ｃｏ−Ｎｉ＋ Ｃｏ−Ｃｒ＊ Ｃｏ−Ｎ１Ｃｒｗ
Ｃｏ Ｎ ｉＰ＊ Ｃｏ Ｐ＋ Ｃｏ ＶｗＣ
ｏ −Ｗｅ Ｃｏ−Ｐｔ５ Ｃｏ−Ｎｉ −０，Ｃｏ
−Ｎｉ −Ｎ等である。
ことが好ましい。本発明で使用できるＣｏ合金は例えば
、Ｃｏ−Ｎｉ＋ Ｃｏ−Ｃｒ＊ Ｃｏ−Ｎ１Ｃｒｗ
Ｃｏ Ｎ ｉＰ＊ Ｃｏ Ｐ＋ Ｃｏ ＶｗＣ
ｏ −Ｗｅ Ｃｏ−Ｐｔ５ Ｃｏ−Ｎｉ −０，Ｃｏ
−Ｎｉ −Ｎ等である。
これらの強磁性層は、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、イオンビームデポジション法
、メツキ法等、何れの方法によっても形成することがで
きる。
イオンブレーティング法、イオンビームデポジション法
、メツキ法等、何れの方法によっても形成することがで
きる。
また、本発明の磁気ディスクで使用される非磁性基体は
、軟化温度や融点の高いものが好ましく、ガラスやセラ
ミック基板が使用される。さらに、これら基板表面に同
心円状のテクスチャリング溝を形成することにより、配
向性を向１−させることもできる。
、軟化温度や融点の高いものが好ましく、ガラスやセラ
ミック基板が使用される。さらに、これら基板表面に同
心円状のテクスチャリング溝を形成することにより、配
向性を向１−させることもできる。
［実施例］
以下、実施例を挙げて本発明の磁気ディスクについて史
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
光五叶上二ｉ
直径３．５インチの結晶化ガラス基板１−にｐｂＯを１
：、成分とするガラスをスパッタリング法により被着し
、軟化点３５０℃のガラス下地層（膜厚：５００人）を
形成した。次いで、このガラス下地層七にＣｏ−Ｎ ｉ
（８０： ２０ａｔ％ ）からなる磁気記録層（膜厚
：５００人）をスパッタリング法により形成し、磁気デ
ィスクを作製した。
：、成分とするガラスをスパッタリング法により被着し
、軟化点３５０℃のガラス下地層（膜厚：５００人）を
形成した。次いで、このガラス下地層七にＣｏ−Ｎ ｉ
（８０： ２０ａｔ％ ）からなる磁気記録層（膜厚
：５００人）をスパッタリング法により形成し、磁気デ
ィスクを作製した。
同様にして、軟化点４００℃、４５０℃、５００℃およ
び５５０℃の各ガラス下地層にＣｏ−Ｎ１（８０：２０
ａｔ％）からなる磁気記録層をスパッタリング法により
形成し、磁気ディスクを作製した。
び５５０℃の各ガラス下地層にＣｏ−Ｎ１（８０：２０
ａｔ％）からなる磁気記録層をスパッタリング法により
形成し、磁気ディスクを作製した。
このようにして得られた各磁気ディスクを、１°を空槽
内に装填し５ｘｌＯ−７Ｔｏｒｒに１°〔空＋Ｊ１ ’
ｘｔ した後、８００℃で１時間加熱し、その後室温に
まで冷却することにより１次加熱争冷却処理を行った。
内に装填し５ｘｌＯ−７Ｔｏｒｒに１°〔空＋Ｊ１ ’
ｘｔ した後、８００℃で１時間加熱し、その後室温に
まで冷却することにより１次加熱争冷却処理を行った。
史にこの後、酸素ガスを分圧がｌＸ１０″” ２ Ｔｏ
ｒｒとなるように導入し、Ｃｏ ２０ａｔ％Ｎｉの相
変態意思りである６００°Ｃに加熱し、３００００ｅの
磁界をディスク円周方向に印加しながら、３°Ｃ／１ｎ
の冷却速度で冷却し２次加熱・冷却処理を行い、磁気デ
ィスクを作製した。
ｒｒとなるように導入し、Ｃｏ ２０ａｔ％Ｎｉの相
変態意思りである６００°Ｃに加熱し、３００００ｅの
磁界をディスク円周方向に印加しながら、３°Ｃ／１ｎ
の冷却速度で冷却し２次加熱・冷却処理を行い、磁気デ
ィスクを作製した。
土校医上
直径３．５インチの結晶化ガラス基板」−に、ガラス下
地層を設けることなく、直接Ｇｏ−Ｎｉ（８０：２０ａ
ｔ％）からなる磁気記録層（膜厚：５００人）をスパッ
タリング法により形成し、磁気ディスクを作製した。そ
の後、前記実施例に述べた通りの加熱処理および磁界中
冷却処理を行った。
地層を設けることなく、直接Ｇｏ−Ｎｉ（８０：２０ａ
ｔ％）からなる磁気記録層（膜厚：５００人）をスパッ
タリング法により形成し、磁気ディスクを作製した。そ
の後、前記実施例に述べた通りの加熱処理および磁界中
冷却処理を行った。
Ｌ佼ＩＬ
直径３．５インチの結晶化ガラス基板ｌユにｐｂＯを主
成分とするガラスをスパッタリング法により被着し、軟
化点３５０°Ｃのガラス下地層（膜厚：５００人）を形
成した。次いで、このガラス下地層１・、にＣｏ−Ｎｉ
（８０：２０ａｔ％）からなる磁気記録層（膜厚：
５００人）をスパッタリング法により形成し、磁気デ
ィスクを作製した。この比較例で得られた磁気ディスク
に対しては熱処理および磁界中冷却処理を行わなかった
。
成分とするガラスをスパッタリング法により被着し、軟
化点３５０°Ｃのガラス下地層（膜厚：５００人）を形
成した。次いで、このガラス下地層１・、にＣｏ−Ｎｉ
（８０：２０ａｔ％）からなる磁気記録層（膜厚：
５００人）をスパッタリング法により形成し、磁気デ
ィスクを作製した。この比較例で得られた磁気ディスク
に対しては熱処理および磁界中冷却処理を行わなかった
。
各実施例および比較例で得られた磁気ディスクについて
、Ｃ８Ｓ試験を行い耐久性を評価した。
、Ｃ８Ｓ試験を行い耐久性を評価した。
史に、トルク測定により冗方性定数を求め、磁気穴方性
を評価した。結果をド記の表１に安約して示す。
を評価した。結果をド記の表１に安約して示す。
表１に示された結果から明らかなように、本発明により
得られた磁気ディスクは耐久性および円周方向への磁気
異方性とも優れている。
得られた磁気ディスクは耐久性および円周方向への磁気
異方性とも優れている。
［発明の効果コ
以１・、説明したように、本発明によれば、非磁性基体
上に強磁性金属薄膜を磁気記録層として自゛する磁気デ
ィスクにおいて、前記非磁性基体と磁気記録層との間に
、上地層として、軟化ｌｕ度が６００℃以下のガラス層
を設け、該上地層の軟化温度よりも高い温度に加熱し磁
界中冷却処理を行うことにより、優れた磁気特性と優れ
た耐久性を有する磁気ディスクが得られる。
上に強磁性金属薄膜を磁気記録層として自゛する磁気デ
ィスクにおいて、前記非磁性基体と磁気記録層との間に
、上地層として、軟化ｌｕ度が６００℃以下のガラス層
を設け、該上地層の軟化温度よりも高い温度に加熱し磁
界中冷却処理を行うことにより、優れた磁気特性と優れ
た耐久性を有する磁気ディスクが得られる。
Claims (7)
- （１）非磁性基体上に強磁性金属薄膜を磁気記録層とし
て有する磁気ディスクにおいて、前記非磁性基体と磁気
記録層との間に、下地層として、軟化温度が６００℃以
下のガラス層を設けたことを特徴とする磁気ディスク。 - （２）特許請求の範囲第１項の強磁性金属薄膜がコバル
トもしくはコバルトを主体とする合金からなることを特
徴とする磁気ディスク。 - （３）非磁性基体上に軟化温度が６００℃以下のガラス
下地層が設けられており、このガラス下地層上に強磁性
金属薄膜からなる磁気記録層を有する磁気ディスクの製
造方法において、磁気記録層形成後、該磁性層を形成す
る強磁性金属の結晶相変態点以上の温度で加熱し、その
後、結晶相変態点より低い温度にまで冷却する１次加熱
・冷却処理を行い、次いで、再び磁性層を形成する強磁
性金属の結晶相変態点以上の温度で加熱し、その後、磁
界中で磁界を印加しながら結晶相変態点より低い温度に
まで冷却する２次加熱・冷却処理を行うことからなり、
前記１次加熱処理または２次加熱処理のうちの少なくと
も何れか一方の加熱処理工程は、該磁性層を形成する強
磁性金属の結晶相変態点以上で、かつ、使用されるガラ
ス下地層の軟化点以上の温度で加熱処理することを特徴
とする磁気ディスクの製造方法。 - （４）強磁性層はＣｏまたはＣｏ合金からなることを特
徴とする特許請求の範囲第３項に記載の磁気ディスクの
製造方法。 - （５）結晶相変態点より低い温度は結晶変態が完了する
温度以下の温度である特許請求の範囲第３項に記載の磁
気ディスクの製造方法。 - （６）室温まで冷却することを特徴とする特許請求の範
囲第３項または第５項に記載の磁気ディスクの製造方法
。 - （７）１次加熱処理または２次加熱処理のうちの少なく
とも何れか一方の加熱処理工程を酸素ガスもしくは窒素
ガス雰囲気下で実施することを特徴とする特許請求の範
囲第３項から第７項の何れかに記載の磁気ディスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32798187A JPH01169719A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32798187A JPH01169719A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169719A true JPH01169719A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18205172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32798187A Pending JPH01169719A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 磁気ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465115C (zh) * | 2003-12-23 | 2009-03-04 | 上海大学 | 磁记录存储器介质用微晶玻璃基片材料及制备方法 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP32798187A patent/JPH01169719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100465115C (zh) * | 2003-12-23 | 2009-03-04 | 上海大学 | 磁记录存储器介质用微晶玻璃基片材料及制备方法 |
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