JPS59171204A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
- Publication number
- JPS59171204A JPS59171204A JP58045136A JP4513683A JPS59171204A JP S59171204 A JPS59171204 A JP S59171204A JP 58045136 A JP58045136 A JP 58045136A JP 4513683 A JP4513683 A JP 4513683A JP S59171204 A JPS59171204 A JP S59171204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- transistor
- amplifier
- resistor
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波用トランジスタのバイアス回路に関する
。
。
第１図は通電使用されるバイアス回路を示す図である。
バイアスの安定度を保つために、抵抗Ｒ４をエミッタに
接ｆｉ＝し、使用周波数で等制約にエミッタが接地する
ｊｌ永コンデンサＣ１を付ける。しかしながら、使用周
波数が高くなるにつれ、コンデンサＣ１による接地が困
難になり高価な高周波用のコンデンサを何本か並列にト
ランジスタのエミッタに出来る限り近づけて接続して使
用したりする。
接ｆｉ＝し、使用周波数で等制約にエミッタが接地する
ｊｌ永コンデンサＣ１を付ける。しかしながら、使用周
波数が高くなるにつれ、コンデンサＣ１による接地が困
難になり高価な高周波用のコンデンサを何本か並列にト
ランジスタのエミッタに出来る限り近づけて接続して使
用したりする。
さらに、これらの方法を用いても、使用周波数外ではコ
ンデンサＣ１が接地の役目をせず、トランジスタＴ几１
が発振した９する。
ンデンサＣ１が接地の役目をせず、トランジスタＴ几１
が発振した９する。
このために、エミッタを接地し、直流安定を保つ回路が
いくつか考えられている。第２図がその一例である。抵
抗Ｒ５にかかる電圧を基準にして常に抵抗Ｒ７にかかる
電圧が一定になる様に演算増幅器ＩＣＩの出力が制御さ
れるために、直流での安定が保たれる。
いくつか考えられている。第２図がその一例である。抵
抗Ｒ５にかかる電圧を基準にして常に抵抗Ｒ７にかかる
電圧が一定になる様に演算増幅器ＩＣＩの出力が制御さ
れるために、直流での安定が保たれる。
しかしながら、第２図の回路においては、電源の電圧変
動に対し、抵抗Ｒ５にかがる電圧が変動する事によシ、
電源電圧変動によりトランジスタＴ几２の電流が変化し
てしまう。通常トランジスタの高周波領域でのパラメー
タ、例えばＳパラメータや雑音指数はトランジスタのコ
レクタ電流に多くは支配されるために、第２図の回路で
は電諒審圧変動により、高周波も性も変化してし、マう
。
動に対し、抵抗Ｒ５にかがる電圧が変動する事によシ、
電源電圧変動によりトランジスタＴ几２の電流が変化し
てしまう。通常トランジスタの高周波領域でのパラメー
タ、例えばＳパラメータや雑音指数はトランジスタのコ
レクタ電流に多くは支配されるために、第２図の回路で
は電諒審圧変動により、高周波も性も変化してし、マう
。
本発明は上記欠点を解決する為になされたものであり、
従って本発明の目的は、電源電圧変動に対しても常にト
ランジスタのコレクタ電流の変化のないエミッタを接地
さｎたトランジスタの新規なバイアス回路を提供するこ
とにある。
従って本発明の目的は、電源電圧変動に対しても常にト
ランジスタのコレクタ電流の変化のないエミッタを接地
さｎたトランジスタの新規なバイアス回路を提供するこ
とにある。
上記目的を達成する為に、本発明に係るバイアス回路は
、エミッタを接地したトランジスタにおいて、＋１ｆＪ
ＡＺ トランジスタのコレクタを第１の抵抗を介して
′屯ｄメに接続し、さらに前記トランジスタのコレクタ
を演鎧−増幅器の正入力に接続し、前記演３′ン増幅器
の負入力を宗霜１圧ダイオードを介してｔｉＪ、＄ｔに
接続し、きらに前記び算増幅器の負入力を第２の抵抗を
介して接地し、＋４’ｔｌ記肌（転）４増幅器の出力を
前記トランジスタのベースに接続してＫｔ’ｊ成される
。
、エミッタを接地したトランジスタにおいて、＋１ｆＪ
ＡＺ トランジスタのコレクタを第１の抵抗を介して
′屯ｄメに接続し、さらに前記トランジスタのコレクタ
を演鎧−増幅器の正入力に接続し、前記演３′ン増幅器
の負入力を宗霜１圧ダイオードを介してｔｉＪ、＄ｔに
接続し、きらに前記び算増幅器の負入力を第２の抵抗を
介して接地し、＋４’ｔｌ記肌（転）４増幅器の出力を
前記トランジスタのベースに接続してＫｔ’ｊ成される
。
第３図は本発明の一天施例を示す回路枯成図である。第
３図において、本発明の一実施例は、第２図にＡ＜シた
バイアス回路の抵抗比５を定電圧ダイオードＸ１に変７
えて構成される。即ち、参照符号ＴＲ３はトランジスタ
、ＩＣＺは演算増幅器、Ｘｌは定電圧ダイオード、几８
、Ｒ９は抵抗をそれぞれ示す。
３図において、本発明の一実施例は、第２図にＡ＜シた
バイアス回路の抵抗比５を定電圧ダイオードＸ１に変７
えて構成される。即ち、参照符号ＴＲ３はトランジスタ
、ＩＣＺは演算増幅器、Ｘｌは定電圧ダイオード、几８
、Ｒ９は抵抗をそれぞれ示す。
第３図に示すように構成して電源からの電圧を常に一定
にする事によって、抵抗比９にかかる電圧は一定になり
、トランジスタＴＲ３に流れる電流は電源電圧変動に対
しても変らない。
にする事によって、抵抗比９にかかる電圧は一定になり
、トランジスタＴＲ３に流れる電流は電源電圧変動に対
しても変らない。
本発明は以上のように構成され、本発明によれは、トラ
ンジスタの高周波特性も電源電圧変動に対し変らず、安
定した特性を有する増幅回路を作ることが出来る。
ンジスタの高周波特性も電源電圧変動に対し変らず、安
定した特性を有する増幅回路を作ることが出来る。
第１図は通常のバイアス回路の構成図、第２図は高周波
回路で用いらｎるエミッタ接地型バイアス回路の構成図
、第３図は本発明に係る筒周波回路のエミッタ接地型バ
イアス回路の一実施例を示す構成図である。 ■も１〜Ｒ９，＠、抵抗器、Ｃ１−申−バイパスコンデ
ンツ“、ＴＲ１〜ＴＲ３ψΦ拳トランジスタ、■、ｃＪ
、ＩＣ２，、・演算増幅器、Ｘ１１１・・戻電圧ダイオ
ード 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊 谷 雄太部第１ 図 第２図 第３図 手続補正−（＋１発） 昭和５８年４月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭第１ｊ５８年特許願第４５１３６＠ ２ 発明の名称 バイアス回路 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港１メ芝五Ｊ゛目３３ζ）１１号名 称
（４２３）日本正気株式会社 代表者 社長 関 本 忠 弘 ４ 代 理 人 住 所 神奈川県用崎市多摩区宿河原１６３２柑地ダイ
アバ１／ス登戸第２４０７号 １ｊｌＪ 、￥ｉｌｊ岩の発明の詳細な説明の４１・）
す６ 補正の内容 ■１本ノ５瓜明卸］１す第３０第１６イｊと同第１７行
の間に次の文意を挿入する １次に本発明をその好徒しい一実施例につい１７一
回路で用いらｎるエミッタ接地型バイアス回路の構成図
、第３図は本発明に係る筒周波回路のエミッタ接地型バ
イアス回路の一実施例を示す構成図である。 ■も１〜Ｒ９，＠、抵抗器、Ｃ１−申−バイパスコンデ
ンツ“、ＴＲ１〜ＴＲ３ψΦ拳トランジスタ、■、ｃＪ
、ＩＣ２，、・演算増幅器、Ｘ１１１・・戻電圧ダイオ
ード 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊 谷 雄太部第１ 図 第２図 第３図 手続補正−（＋１発） 昭和５８年４月１１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭第１ｊ５８年特許願第４５１３６＠ ２ 発明の名称 バイアス回路 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港１メ芝五Ｊ゛目３３ζ）１１号名 称
（４２３）日本正気株式会社 代表者 社長 関 本 忠 弘 ４ 代 理 人 住 所 神奈川県用崎市多摩区宿河原１６３２柑地ダイ
アバ１／ス登戸第２４０７号 １ｊｌＪ 、￥ｉｌｊ岩の発明の詳細な説明の４１・）
す６ 補正の内容 ■１本ノ５瓜明卸］１す第３０第１６イｊと同第１７行
の間に次の文意を挿入する １次に本発明をその好徒しい一実施例につい１７一
Claims (1)
- エミッタを接地したトランジスタにおいて、ｍｔｌ記ト
ランジスタのコレクタを第１の抵抗を介して′電源に接
続し、さらに前記トランジスタのコレクタを演算増幅器
の正入力に接続し、前記演算増幅器の負入力を定電圧ダ
イオードを介して電源に接続し、さらに１１Ｊ記演算増
幅器の負入力を第２の抵抗を介して接地し、前記演算増
幅器の出力をＢｊＪ記トランジスタのベースに接続する
ことをｑ！ｆ６にとするバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045136A JPS59171204A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045136A JPS59171204A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | バイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171204A true JPS59171204A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12710859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045136A Pending JPS59171204A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171204A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19604239A1 (de) * | 1995-02-08 | 1996-08-22 | Alps Electric Co Ltd | Hochfrequenz-Transistor-Leistungsverstärker |
| JP2008288817A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 広帯域低雑音増幅器 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58045136A patent/JPS59171204A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19604239A1 (de) * | 1995-02-08 | 1996-08-22 | Alps Electric Co Ltd | Hochfrequenz-Transistor-Leistungsverstärker |
| DE19604239C2 (de) * | 1995-02-08 | 2002-09-19 | Alps Electric Co Ltd | Hochfrequenz-Transistor-Leistungsverstärker |
| JP2008288817A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 広帯域低雑音増幅器 |
| US8004363B2 (en) | 2007-05-16 | 2011-08-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Wideband low-noise amplifier |
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