JPS6355860B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6355860B2 JPS6355860B2 JP58048217A JP4821783A JPS6355860B2 JP S6355860 B2 JPS6355860 B2 JP S6355860B2 JP 58048217 A JP58048217 A JP 58048217A JP 4821783 A JP4821783 A JP 4821783A JP S6355860 B2 JPS6355860 B2 JP S6355860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealed chamber
- carrier
- processing
- wafer
- semiconductor substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板塗布前処理装置にかかり、
特に半導体素子製造工程におけるフオトリソグラ
フイ工程の半導体基板塗布前処理装置に関するも
のである。
特に半導体素子製造工程におけるフオトリソグラ
フイ工程の半導体基板塗布前処理装置に関するも
のである。
半導体基板塗布前処理とは、その後処理工程で
ある目合せ露光工程、現像処理工程及びエツチン
グ処理工程等において半導体素子の微細なパター
ンを形成する上で重要な要因となる感光材（以下
フオトレジストと呼ぶ）と半導体基板（以下ウエ
ハと呼ぶ）の密着性を向上させる為のものであ
る。
ある目合せ露光工程、現像処理工程及びエツチン
グ処理工程等において半導体素子の微細なパター
ンを形成する上で重要な要因となる感光材（以下
フオトレジストと呼ぶ）と半導体基板（以下ウエ
ハと呼ぶ）の密着性を向上させる為のものであ
る。
ウエハとフオトレジストの密着性が低いとフオ
トレジストの剥れの発生及びエツチング量の不安
定等の半導体素子の微細なパターンを形成する上
で大きな支障を来たす為、良好な半導体基板塗布
前処理を行う必要がある。
トレジストの剥れの発生及びエツチング量の不安
定等の半導体素子の微細なパターンを形成する上
で大きな支障を来たす為、良好な半導体基板塗布
前処理を行う必要がある。
半導体基板塗布前処理の方法として大別し、ウ
エハ表面に処理薬液を適下し、該ウエハを回転し
塗布するスピンコート法、及び処理薬液又は処理
薬液によるベーパーガスをウエハ表面にスプレー
しウエハ表面に付着させるスプレーコート法、及
び処理薬液によるベーパーガスの雰囲気中にウエ
ハを設置し処理薬液を付着させるベーパーガス処
理法等がある。
エハ表面に処理薬液を適下し、該ウエハを回転し
塗布するスピンコート法、及び処理薬液又は処理
薬液によるベーパーガスをウエハ表面にスプレー
しウエハ表面に付着させるスプレーコート法、及
び処理薬液によるベーパーガスの雰囲気中にウエ
ハを設置し処理薬液を付着させるベーパーガス処
理法等がある。
前記、各処理方法においてスピンコート法は処
理薬液の使用量が多く、又、塗布膜厚の“むら”
“ばらつぎ”等が発生しやすく、良好な処理状態
も望めない。
理薬液の使用量が多く、又、塗布膜厚の“むら”
“ばらつぎ”等が発生しやすく、良好な処理状態
も望めない。
スプレーコート法においても前記同様の問題が
有り、ベーパーガス処理法が用いられる場合が多
い。
有り、ベーパーガス処理法が用いられる場合が多
い。
ベーパーガス処理法は処理薬液の使用量も比較
的小さく処理状態も良好なものが得られる。
的小さく処理状態も良好なものが得られる。
しかし、ベーパーガス処理法では処理薬品雰囲
気中にウエハを設置する処理時間が比較的長くか
かる為、複数枚のウエハを同時に処理するバツチ
処理法が通常用いられる。
気中にウエハを設置する処理時間が比較的長くか
かる為、複数枚のウエハを同時に処理するバツチ
処理法が通常用いられる。
尚、通常バツチ処理では規定数のキヤリア単位
で行われ、処理用キヤリアへウエハを入れ換え、
そのキヤリアごと処理薬品雰囲気中に設置し処理
を実行し、再びそのキヤリアごと処理薬品雰囲気
中より取り出し処理用キヤリアより入れ換えが行
われる。
で行われ、処理用キヤリアへウエハを入れ換え、
そのキヤリアごと処理薬品雰囲気中に設置し処理
を実行し、再びそのキヤリアごと処理薬品雰囲気
中より取り出し処理用キヤリアより入れ換えが行
われる。
前記の様にウエハ入れ換え作業が多く、又、処
理薬品雰囲気中へ直接キヤリアを出し入れする
為、塵埃の発生及び処理雰囲気中への混入、又、
キヤリアを出し入れできる程度に処理薬品の密閉
雰囲気を開放する為、処理薬品雰囲気の状態を乱
す等の支障がある。さらに、現在、各処理行程で
進行している自動化、省力化、キヤリアtoキヤリ
アによる連続処理及び他のフオトリソグラフイ工
程の処理装置との接続（In−Line化）が困難であ
り、作業の発展性に支障を来たすものである。
理薬品雰囲気中へ直接キヤリアを出し入れする
為、塵埃の発生及び処理雰囲気中への混入、又、
キヤリアを出し入れできる程度に処理薬品の密閉
雰囲気を開放する為、処理薬品雰囲気の状態を乱
す等の支障がある。さらに、現在、各処理行程で
進行している自動化、省力化、キヤリアtoキヤリ
アによる連続処理及び他のフオトリソグラフイ工
程の処理装置との接続（In−Line化）が困難であ
り、作業の発展性に支障を来たすものである。
本発明はベーパーガス処理方法による良好な処
理状態を保ち、前記した種々の問題を解消し作業
の発展性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置を提
供するものである。
理状態を保ち、前記した種々の問題を解消し作業
の発展性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置を提
供するものである。
本発明の特徴は、塗布前処理薬品雰囲気を発生
する手段を具備した密閉室と、該密閉室内に設け
られ、昇降機能を有しかつ多数の半導体基板を水
平に所定間隔あけて積み重ねる態様をもつて収容
する専用キヤリアと、該密閉室の一方の側に設け
られた供給エレベータと、該密閉室の他方の側に
設けられた収納エレベータと、該密閉室の側壁に
それぞれ設けられた密閉室入口および出口機構
と、該供給エレベータ上に搭載された半導体基板
を多数収納したキヤリアより該半導体基板を該密
閉室入口機構を通して該専用キヤリアへ順次自動
搬送する手段と、該専用キヤリアに収容されてい
る半導体基板を該密閉室出口機構を通して該収納
エレベータ上に搭載されたキヤリアへ順次自動搬
送する手段とを有する半導体基板塗布前処理装置
にある。このような本発明によれば処理薬品の雰
囲気の状態を乱すことはなくなる。又、密閉室が
コンパクトとなるからレイアウト上の制約がなく
なりかつ使用する薬品が少なくてすむこととな
る。さらに専用キヤリアは昇降機能を有している
から供給もしくは収納エレベータの上下運動と逆
方向の下上運動を行なうことにより半導体基板の
供給もしくは収納作業が短かい時間で行なわれる
こととなる。
する手段を具備した密閉室と、該密閉室内に設け
られ、昇降機能を有しかつ多数の半導体基板を水
平に所定間隔あけて積み重ねる態様をもつて収容
する専用キヤリアと、該密閉室の一方の側に設け
られた供給エレベータと、該密閉室の他方の側に
設けられた収納エレベータと、該密閉室の側壁に
それぞれ設けられた密閉室入口および出口機構
と、該供給エレベータ上に搭載された半導体基板
を多数収納したキヤリアより該半導体基板を該密
閉室入口機構を通して該専用キヤリアへ順次自動
搬送する手段と、該専用キヤリアに収容されてい
る半導体基板を該密閉室出口機構を通して該収納
エレベータ上に搭載されたキヤリアへ順次自動搬
送する手段とを有する半導体基板塗布前処理装置
にある。このような本発明によれば処理薬品の雰
囲気の状態を乱すことはなくなる。又、密閉室が
コンパクトとなるからレイアウト上の制約がなく
なりかつ使用する薬品が少なくてすむこととな
る。さらに専用キヤリアは昇降機能を有している
から供給もしくは収納エレベータの上下運動と逆
方向の下上運動を行なうことにより半導体基板の
供給もしくは収納作業が短かい時間で行なわれる
こととなる。
尚、塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段を密
閉室内に設ける場合、又は密閉室外に設け発生し
たベーパーガスを配管により密閉室内に導く場
合、又、密閉室内の専用キヤリアへのウエハの搬
送及び送出を一つの手段で兼ねた場合のものも、
本発明の範囲に含まれるものである。
閉室内に設ける場合、又は密閉室外に設け発生し
たベーパーガスを配管により密閉室内に導く場
合、又、密閉室内の専用キヤリアへのウエハの搬
送及び送出を一つの手段で兼ねた場合のものも、
本発明の範囲に含まれるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面図で
あり、供給エレベータ１にセツトされたウエハを
収納したキヤリア２よりウエハ搬送機構３により
搬送されたウエハは密閉室４の内部に収納された
昇降機能を有する専用キヤリア５へ開閉機能を有
する密閉室入口シヤツター６を通過し収納され
る。
あり、供給エレベータ１にセツトされたウエハを
収納したキヤリア２よりウエハ搬送機構３により
搬送されたウエハは密閉室４の内部に収納された
昇降機能を有する専用キヤリア５へ開閉機能を有
する密閉室入口シヤツター６を通過し収納され
る。
専用キヤリア５へ収納されたウエハ７はバブリ
ング配管等のベーパーガス発生促進機能を有する
塗布前処理液槽８より発生したベーパーガスの雰
囲気に一定時間設置される。
ング配管等のベーパーガス発生促進機能を有する
塗布前処理液槽８より発生したベーパーガスの雰
囲気に一定時間設置される。
その後、専用キヤリア５よりウエハ送出機構９
により処理されたウエハ７を開閉機能を有する密
閉室出口シヤツター１０を通過し収納エレベータ
１１にセツトされたウエハを収納するキヤリア１
２へ送出するものである。
により処理されたウエハ７を開閉機能を有する密
閉室出口シヤツター１０を通過し収納エレベータ
１１にセツトされたウエハを収納するキヤリア１
２へ送出するものである。
以上、述べた様に本発明はウエハに対する処理
はベーパーガス処理方法であり良好な処理状態を
保ち、尚かつ、ウエハ毎の搬送、送出手段を用い
る為、ウエハの入れ換え等により発生する問題を
解消し、他のフオトリソグラフイ工程の処理装置
との接続が容易である事は言うまでもない。
はベーパーガス処理方法であり良好な処理状態を
保ち、尚かつ、ウエハ毎の搬送、送出手段を用い
る為、ウエハの入れ換え等により発生する問題を
解消し、他のフオトリソグラフイ工程の処理装置
との接続が容易である事は言うまでもない。
以上、本発明により良好な処理状態を保ち、作
業の発展性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置が
提供される事は明らかである。
業の発展性に豊んだ半導体基板塗布前処理装置が
提供される事は明らかである。
第１図は本発明の一実施例を示す概略側面図で
ある。 尚、図において、１……供給エレベータ、２…
…供給キヤリア、３……ウエハ搬送機構、４……
密閉室、５……専用キヤリア、６……入口シヤツ
ター、７……ウエハ、８……塗布前処理液槽、９
……ウエハ送出機構、１０……出口シヤツター、
１１……収納エレベータ、１２……収納キヤリア
である。
ある。 尚、図において、１……供給エレベータ、２…
…供給キヤリア、３……ウエハ搬送機構、４……
密閉室、５……専用キヤリア、６……入口シヤツ
ター、７……ウエハ、８……塗布前処理液槽、９
……ウエハ送出機構、１０……出口シヤツター、
１１……収納エレベータ、１２……収納キヤリア
である。
Claims (1)
- １ 塗布前処理薬品雰囲気を発生する手段を具備
した密閉室と、該密閉室内に設けられ、昇降機能
を有しかつ多数の半導体基板を水平に所定間隔あ
けて積み重ねる態様をもつて収容する専用キヤリ
アと、該密閉室の一方の側に設けられた供給エレ
ベータと、該密閉室の他方の側に設けられた収納
エレベータと、該密閉室の側壁にそれぞれ設けら
れた密閉室入口および出口機構と、該供給エレベ
ータ上に搭載された半導体基板を多数収納したキ
ヤリアより該半導体基板を該密閉室入口機構を通
して該専用キヤリアへ順次自動搬送する手段と、
該専用キヤリアに収容されている半導体基板を該
密閉室出口機構を通して該収納エレベータ上に搭
載されたキヤリアへ順次自動搬送する手段とを有
することを特徴とする半導体基板塗布前処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048217A JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048217A JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175122A JPS59175122A (ja) | 1984-10-03 |
| JPS6355860B2 true JPS6355860B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=12797241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048217A Granted JPS59175122A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体基板塗布前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175122A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364031U (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-27 | ||
| JPS63199423A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 半導体基板表面処理方法 |
| JP5287913B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5731151A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-19 | Toshiba Corp | Automatic continuous treating device for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048217A patent/JPS59175122A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59175122A (ja) | 1984-10-03 |
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