JPS5917771A - 撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は撮像装置に関し、特に撮像した２種類以上の画
像情報を組み合わせることが可能な撮像装置に関するも
のである。

従来、２種類以上の画像情報を組み合わせる方法として
は、２つの伝送路より得た、互いに同期している２種類
の画像信号より１フレ一ム分の画像信号を記憶する１フ
レームメモリ　（以下ＩＦメモリと称す）を用いそれら
全合成する方法がある。

また、同一伝送路より得た時間の経過と共に変化する画
像信号の所望の１フレーム（またはテレビジョン信号等
では１フイールド）を何回か抜き出し、それらをＩＦメ
モリを使ってＩＦメモリへの読み込みタイミングを制御
して、合成する方法もある。

しかし、上述のいずれの方法でも、複数画像全合成する
際に、１つの画面上における複数画像のレイアウトの仕
様によって回路構成が変化し、何種類ものレイアウト全
可能にすると装置が非常に大きくなってしまう。そのた
め実用化するには不適当なものであった。

そこで本発明は上記欠点に鑑みてなされたものであって
、撮像装置において２種類以上の画像情報を組み合わせ
新たな１つの画像情報を得ることを目的とし、その特徴
とする処は画像情報全撮像及び蓄積可能な撮像部と、該
撮像部にて得られた画像情報を蓄積する蓄積部とを有し
、該蓄積部に蓄積されている第１の画像情報と前記撮像
部に蓄積されている第２の画像情報とを組み合わせて１
つの画像情報を得ることにある。

以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。

まず本発明の撮像装置に適用可能な撮像素子について説
明する。第１図は本発明に適用できるＣＣＤ等の固体撮
像素子の構成の一例を示す模式図である。１はこの撮像
素子における撮像部である。この撮像部１は、例えばＮ
ＴＳＣ方式のテレビジョン信号全出力させようとする場
合、垂直方向のセル数は走査線の半分と等しい数、即ち
２４５程度に設定される。また水平方向のセル数は通常
３９０あるいは５７０程度と、カラーサブキャリア周波
数に対応した数が採用される。

第１図では、以下の説明を簡単にする為に４素子ずつの
み示している。３は蓄積部であり、水平方向のセル数、
垂直方向のセル数共撮像部１と等しい数を有している。

蓄積部３についても、第１図においては垂直方向、水平
方向とも各々４素子だけを示している。５け第１の水平
転送レジスタであり、撮像部１及び蓄積部３の水平方向
セル数とほぼ等しいセル数より成る一列の電荷転送部よ
シ構成されている。７は第１の水平転送レジスタ５より
転送された電荷全電圧出力に変換するディジタル−アナ
ログ変換機能を有するアンプである。

８は第２の水平転送レジスタであり、その構成は第１の
水平転送レジスタ５とｔよぼ同じである。図示の如く第
２の水平転送レジスタ８は撮像部１と蓄積部３との中間
に配されている。

１０は第２の水平転送レジスタ８より転送された電荷を
電圧に変換するためのアンプである。

電荷の転送方法には、従来より、単相駆動、２相駆動、
３相駆動、４相駆動方法等いくつかの方法があり、本例
の構成は、そのいずれをも適用できるものであるが、以
下に説明を簡単化するため、単相駆動方法を例にとり、
第１図に示す撮像部１、第２の水平転送レジスタ８、第
１の水平転送レジスタ５、及び、蓄積部３の構成につい
て第２図を用いて説明する。

なお、ここで参考とする単相駆動方法は、特開昭５５−
１１３９４”電荷転送デバイス″に記載されている方法
であり、くわしい動作については、本発明の説明上、必
要ないので省略する。

第２図において、Ｃ８は水平方向のセル間の電荷もれ全
防止するためのチャネルストップである。またＡＢはア
ンチブルーミングゲート、ＡＤはアンチブルーミングド
レインを各々示す。

尚第２図に示す如き構成で、チャネルゲートＣ８１アン
チブルーミングゲートＡＢ、アンチプルーミングドレイ
ンＡＤ’に配置する理由は、感度をあ１り低下させるこ
となく、素子の小型化、画素数の増加を容易に達成する
ことができ、その上高画質のテレビジョン信号を得るこ
とができるからである。尚この構成については本件出願
人が先に出願した特願昭５６−１４６５８４号に詳細に
明記している。

第２図２１は、撮像部１のポリ・シリコン電極がほどこ
されている部分を示し、この電極部２１けシリコン中の
ポテンシャル状態の異なる第１領域と第■領域から成っ
ている。

第２図２２は、シリコン中に仮想′電極が形成されてい
る部分であり、シリコン中のポテンシャル状態のｓなる
第■及び第■領域から成っている。

垂直方向については、この第］〜第■領域から、■セル
が構成されている。

第２図２３は、第２の水平転送レジスタ８の領域を示す
。この領域はポリシリコン電極が斜線をほどこした形に
くし歯形に形成されており、コノポリシリコン電極下は
、ポテンシャル状態の異なる、Ｉ’、　　ＩＴ’、　　
Ｉ“領域に分かれている。ここで１′およびＩ“領域は
それぞれポテンシャルは同じであるが、チャネル・スト
ップで分離されている。ｍ’、　■’領領域、撮像部１
の仮想電極部２２とそれぞれ同じ、ポテンシャルに設定
すれている。

第２図、２４．２５は各々撮像部１の電極部２１、仮想
電極部２２と同様に構成されている蓄積部３の領域を示
す。

第３図は、第２図に示した構成のＣＣＤの内部のポテン
シャル状態？示した図であるＯ第３図３０は、第２図の
領域２１に相当する受光部１のポリシリコン電極であり
、撮像部１のポリシリコン電極は全て共通に接続され、
電荷転送のための電圧が印加される様になっている。こ
のポリシリコン電極３０の下は、第２図で説明］−クコ
ごと＜Ｉ、ＩＩの領域に分かれており、■領域は■領域
よりポテンシャル状態が高くなっている。

図における点線はポリシリコン電＠３０が、例えば負電
位の高い状態であり、この場合実線はポリシリコン電４
＋３０の電位がわずかに負または正の状態のポテンシャ
ル全そＪｌぞれ示す。

第２図の仮想電極部２２のポテンシャルは、第３図に示
すととく■領域の方が■領域よりわずかにポテンシャル
が高くなっている。またこの部分のポテンシャルｕ電極
３０にかける電圧には依存せず、常に一定に保たれてい
る。し１こがつＣ１ポリシリコン電極に、一定の電圧を
印加すれば、即ち前例における負の高い電圧全印加すれ
ば仮想電極部２２の■領域に電荷が蓄積され、パルス状
の電圧を印加し一瞬電極３０の′シ位をわずかに負また
は正の状態のポテンシャルにすれば′ｌに荷は転送され
るが、これ以上の詳しい説明は省略する。

１４１３図、３１は第２の水平転送レジスタ８のポリシ
リコン電極を示している。この電極は他の電極３０等と
は切シ離され、独立した電圧が印加される様になってい
る。この水平転送レジスタ８の内部ポテンシャルはそれ
ぞれ第３図のポリシリコン電極３１の下に示す様になっ
ている０ 第３図３２は蓄積部３のポリシリコン電極部を示してい
る。この蓄積部３の内部ポテンシャルは撮像部１と同様
である。第３図３３は第１の水平転送レジスタ　（第１
図５）を示す。構成は第２の水平転送レジスタ８と同様
であるが、チャネル・ストップＣ８で片側がとじられて
いる所が少し異っている。

第３図３４はチャネル−ストップｆｌｓ　ＣＳのポテン
シャル状態を示している。以下に第２の水平転送レジス
タ８における電荷の働きについて説明する。撮像部１の
■領域に蓄積きれた電荷は、ポリシリコン電極３０にパ
ルス電圧全印加することにより、第３図実線で示す如＜
Ｉ、ＩＩ領領域ポテンシャルが下がり転送され第２図２
２の次の■領域に入る。この■領域が第２の水平転送レ
ジスタ８の１’、　　ｕ’領領域接していれば第２の水
平転送レジスタ８のポリシリコン電極３１に、わずかに
負または正の電位が印加されると、１’、　　ＩＩ’領
域のポテンシャルは第３図の実線で示すボテン７ヤル状
態になり、■領域の電荷は、ｌ′領領域通じて■′領領
域入る。次いで、この電極３１に負の高い電位を印加す
ると、Ｉ’、　　ＩＩ’領域の各ポテンシャルは点線で
示した状態となりＩＩ”１ｉｋｔ域にあった電荷Ｉ′ｉ
Ｉｌ＋’領域（点線の一定ボテンノヤルを有する）を通
じて■′領領域点線の一定ポテンシャルを有する）に転
送される。このとき、蓄積部３のポリシリコン電極３２
に、わずかに負゛または　正の電流が印加されると、こ
の■′領領域りＩｌｌ／、　’ｉ［”領域のポテンシャ
ルが実線の如く下がり■′領領域あった電荷は１″ｌ領
域を介して■′領領域転送されることになる。

この様にして、蓄積部３の■“領域に転送された電荷は
、蓄積部３のポリシリコン電極３２に負の高い電圧全印
加することによりＩ”、　ＩＩ“領域のポテンシャルが
点線の如くなり　ｉｌｌ／領域を介してＩＶ／／領域に
転送される。よって電極３２に駆動信号としての電圧を
印加することにより蓄積電荷がｒ→■“→ｒと順次転送
され第１の水平転送レジスタ５まで転送賂れ、次いで第
１の水平転送レジスタ５を通じて外部に読み出すことが
可能である。以上説明した電荷の流れは、従来の第２の
水平転送レジスタ８がないフレーム転送型ＣＣＤとまっ
たく動作が等しいことを示している。

次いで第２の水平転送レジスタ８全通して、外部に信＋
ｊを読み出す場合の電荷の流れについて説明ずイ）／） ■領戦まで転送きれた市、向は、−上コホ・ノ′）動イ
乍においで蓄積部３のポリノリコン＊極３２１／こ、わ
ずかに狛１だ（１屯の電位金かけて、蓄積部３へ転送（
−たわけであるが、この電極に負の篩い■ｔ１Ｌ全１Ｌ
金てｉｌｌ／、　　［“のボテンンヤル金点線の如く保
持しておき、第２の水平転送レジスタ８のポリ／す：１
ン電極３１にパルス状の電圧を印加して、ｌ’、　　Ｉ
Ｉ’領域のボテンシャルを父互に実線及び点線の状態に
移行させることにより■′領領域Ｉに倚は　１″′→１
１’→１１１′→■′領域と水平方向に転送され、アン
プ１０を通して外部への信号の脱出し動作が実行される
１、 第４図は本発明の一実施例としての撮像装置の構成を示
す図である０４０はＡ１図に示した撮像素子である。４
］、　　・１２は利得制御回路。

４３は混合器である。４４　ｉｊ：システムコントロー
ラであり、撮像素子４０の撮像部１．第２の水平転送レ
ジスタ８、蓄積部３及び第１の水平転送レジスタ５の各
々のボリンリコ／電極部に印加するパルス信号を発生す
る。またシステムコントローラ４４は利得制御回路４１
．４２の利得を決定するゲインコントロール信号も発生
する。

以下この構成において２種類の画像信号を合成する９４
合の動作について説明する。まず第１のポリシリコン電
極に、撮像部１の垂直方向のセル数より１つ多くパルス
が印加される。すると、撮像部】に蓄積されていた電荷
は全て垂直方向に転送され、蓄積部３に移る。第１図に
示した模式図を用いて説明すると、撮像部１蓄積部３及
び第２の水平転送レジスタ８のポリシリコン電極に５つ
パルスが印加される。これによって撮像特撮像部１の（
４，４）の部分に蓄積された電荷は、（３，４）、　　
（２，４）、　　（１゜４）及び第２の水平転送レジス
タ８の（４）の部分を介して、蓄積部３の〔４，４〕の
部分に転送される。同様に撮像特撮像部１の（ｍ、　ｎ
）の部分に蓄積された電荷は蓄積部３のＣ’ｍ、ｎ〕の
部分に転送されることに庁る。

↑Ｉ々像１τＩＳ］に蓄積きれていた市：荷が醒積部３
に全て転送されると、撮像部１ｔ／′ｉ、再び１第像可
能状態となる。そして次に第２のｉｉ＃ｉ像情報が撮像
部１にて撮像ぜれる。この１１．’？　、撮像ＦＸＢ　
１には第２の画ＩＷ情Ｙ１憂にノＪ応する電荷が、蓄積
部３には第１の画像情報に対応する電荷が蓄積されてい
ることになる。

第５図（Ａ）は第１の画像情報、第５図（Ｂ）は第２の
画像情報、第５図（Ｃ）〜（Ｊ）は第１の画像情報と第
２の画像情報の合成パターンの例を示す図である〇 第６図は第５図（Ｃ）に示す如き合成画像情以下？１１
．荷の転送動作の説明をする１、まず１フイ一ルド期間
（Ｉ／６ｏＳｅＣ）の前半は１水平同１υ１ルｌ１ｉＵ
　（ＪソーＦＩ　Ｈと称す）に撮像部１のポリシリコン
電極には２″）、第２の水平転送レジスタ８のポリシリ
コン電極には１つパルスが加えられる。このパルスは垂
直方向に電荷を転送するためのパルスであって、水平帰
線期間内にて印加される。こうすれは撮像部１の垂１θ
：方向の２列分が加算されたものが順次第２の水平転送
レジスタ８の各セルに転送される。第１図の模式図を用
いると、読出し前（］、４）、　　（２，４）に蓄積さ
れていた電荷全加算したもの（以下（１゜４）　４−　
（２，４）　　という具合に示す）が（４）に、（１，
３）　＋　（２，３）が（３）に、（］、　２）　＋（
２，２）が（２）に、（］、ｌ）＋　（２，ｌンが（１
）に各々転送される。この時読出し前（４，４）に蓄積
されていた電荷は（３，４）を介して（２゜４）に転送
されており、同様に読出し時（ｍ　ｔｎ）に蓄積されて
いた電荷は（ｍ−２，ｎ）に転送されている。

第２の水平転送レジスタ８に転送された電荷は、ＩＨ分
の画像信号として外部へ読み出される。即ち第２の水平
転送レジスタ８のポリシリコン電極にその水平方向のセ
ル数だけ、水平転送パルスとしてパルスが印加される、
このノくルスは均ＩＩト間隔でほぼＩ　Ｈの間印加され
る。即ちこのパルスの周波数は通常の祝出しパルスの周
波数と同じである。

第２の水平転送レジスタ８よりの読み出しが終了すると
次の水平帰線期間内に上述の如き垂直転送を行う。第１
図の模式図音用いると今度は（：３．４）＋　　（４，
４）が（４）に、　（３゜：３）＋　　（４，３）が（
３）に、（３，２）　＋　（４゜２）が（２）に、　（
３，１，）＋　　（４，Ｉ）が（１）に各々転送でれる
ことになる。ナして再ひ同様に第２の水平転送レジスタ
８より読み出す。第６１￥１ｔま撮像部１及び蓄積部３
のセル数全垂直方向のセル数２４５、水平方向のセル数
４９０とした場合の波形図である。撮像部１の垂直方向
のセル数が２４５であるので、垂直方向に２列ずつ加算
してやると１列分余る。これはできれば画面の端の方へ
配すことが重重しく、そのため１回目の垂直方向の転送
に除しては撮像部１及び第２の水平転送レジスタ８のポ
リシリコン電極には各々１パルスずつ印加する。こうす
れば最初のＩＨの第２の水平転送レジスタ８からの読み
出しは、読出し前に撮像部１の下−列分に蓄積されてい
た電荷ということになる。

このくり返し全１２３回行なって撮像部１に蓄積されて
いた電荷は全て外部に読み出される。

この読み出しの間第４図４１の利得制御回路のゲインは
１、利得制御回路４２のゲインはＯに保たれている。

そしてこの後蓄積部３に蓄積されていた電荷も第１の水
平転送レジスタ５から同様に読み出される。この間利得
制御回路４２のゲインは１、利得制御回路４１のゲイン
はＯである。こうして第２の水平転送レジスタ８及び第
１の水平転送レジスタ５でＭｅみ出された各々１２３Ｈ
の信号で１フイールドの画像信号を形成する。このよう
にして第５図（Ｃ）に示す如き合成画像情報を得ている
。

尚上述の如くして垂直帰線期間を含め１／６゜ｓｅｃの
画像信号を得ているが、これは磁気ンートの同一円周上
記録軌跡に記録することが可能である。また、この合成
画像情報を直接モニタ等で見ようとすれに、他にＩＦメ
モリ等を設けこのＩＦメモリＫ　’／６０　ｓｅｃで読
み込み、このＩＦメモリから”／６０８ｅｅで読み出し
ｆ（信号を再度同じＩＦメモリに’、／６ｏＳｅＣで読
み出すと同時に外部へ出力してやれば容易に見ることが
可能である。

第７図乾１第５図（Ｄ）に示す如き合成画像情報を得る
場合の第４図（ａ）〜（ｆ）各部の波形金示す波形図で
ある。この場合は、１ず水平帰線期間内に撮像部１．第
２の水平転送レジスタ８．蓄積部３及び第１の水平転送
レジスタ５のポリシリコン電極に各々１つずつ垂直転送
用のパルスを印加する。それによって読み出し前撮像部
１の最Ｆ列に蓄積されていた電荷が第２の水平転送レジ
スタ８に、蓄積部３の最下列に蓄積されていた電荷が第
１の水平転送レジスタ５にそれぞれ転送される。そして
１扛の前半に第２の水平転送レジスタ８のポリシリコン
電極に撮像部１の水平方向セル数だけ（４９０）水平転
送のためのパルスを印加する。このパルスの周波数は通
常の読み出しパルスの２倍の周波数ということになる。

第２の水平転送レジスタ８からの読出しが終了すると、
今後はＩ　Ｈの後半に第１の水平転送レジスタ５のポリ
シリコン電極に蓄積部１の水平方向セル数だけ（４９０
）水平転送のだめのパルスを印加し、読出し前蓄積部３
の最下列に蓄積されていた電荷′ｆｆ：読み出す。これ
でＩＨの画像情報の読み出しが終了する。この後再び水
平帰線期間に各ポリシリコン電極に１つずつ垂直転送の
ためのパルスを印加して各部の電荷を更に一列垂直方向
にシフトする。これで第２の水平転送レジスタ８には読
出し前撮像部２の下から２列目に蓄積されていた電荷が
、第１の水平転送レジスタ５には読出し前蓄積部３の下
から２列目に蓄積されていた電荷が各々転送される。そ
してまた前述の様に読み出し、この動作を撮像部１及び
蓄積部３の垂直方向のセル数（２４５）だけ繰り返すの
この間利得制御１ワ１路４１のゲインは１］］り）　Ｍ
ｉＪ判＝ＨＢ分で１、後半部分で０、利得市制御ｉＩＪ
路４２のゲインは１１１の前半部分で０、後半８１５分
で１とし余分な雑音が読出きれない如くしてい４３０、
上Ａｓの如くすれば７Ｆ、５図（Ｄ）に示すり［１き合
Ｊ戊Ｉ（＋ｊｆ象１青報を得るＯ 第８図は第５図（１・ｊ）に示す々［］き合Ｊ戊１由１
像１１腎報を得る場合の第４図（ａ）〜（ｆ）各音１５
の波形を示す波形図である。この」具合は渠６し１及び
第７図の動作を組み合わせたμ［１き動１乍をさせてい
る。即ち、−フィールドの前半部分では各水平帰線期間
内に蓄積部３のｙｌ’　ＩＪシ１ノコノ電４執に２つ、
第１の水平転送レジスタ５に１つの垂１負転送用のパル
ス金印加し、各Ｉ　Ｈσ）　ＭｉＪ半７＜３分で第１の
水平転送レジスタ５ヴン・ｊζ１ノシ１ノコン゛眠極に
水平転送用のノ（ルスを蓄積部３の水３ヒブｊ　１ｊ３
Ｊセル数（４９０）だけ通常の読出しノ＜ルスの２イぎ
の周波数で印加する。また、−フィールド半部分では各
水平帰線期間内にｕ１↓ｉ９ｒ：　Ｍ　３　ｔｌ）ポリ
シリコン電極に２つ、第２の水〕ト転送しンンスタ８に
１つの型自転送用のパルスを印加し、各ＩＨの後半部分
で第２の水平転送レジスタ８のポリシリコン電極に水平
転送用のパルスを撮像部１の水平方向セル数（４９０）
印加する。

利得制御回路４１及び４２け各々第２の水平転送レジス
タ８及び第１の水平転送レジスタ５の読出し動作時にの
みゲインを１とし、その他の時はゲインを０とする。

第９図は第５図（Ｆ）に示す如き合成画像情報を得る場
合の第４図（ａ）〜（ｆ）各部の波形金示す波形図であ
る。この場合は撮像部１と第２の水平転送レジスタ８及
び蓄積部３と第１の水平転送レジスタ５で、各々通常の
読出し動作を同時に行なう。そしてこの間利得制御回路
４１及び４２全いずれもゲイン０．　５とすれば、第１
の画像情報と第２の画像情報とが重なった合成画像情報
を得る。また、どちらかの画像情報を濃くして爪ねたい
場合は、一方の利得制御回路のゲ・ｆン’ｉ　０．　８
、他方を０２という具合にゲインを変化させてやればよ
い。

また、この時垂直同期期間の前半即ち前半の１２２、５
Ｈの間利得制御回路４２のゲインを１利得制御回路４１
のゲイン衝０、後半の１２２５Ｈの間利得制御回路４１
のゲインｔ１、利得制御回路４２のゲインを０とすれば
第５図（Ｇ）に示す如き合成画像情報が得られる。更に
各ＬＨの前半において利得制御回路４２のゲインを１、
利得制御回路４１のゲインを０、各Ｌ　Ｈの後半におい
て利得制御回路４１のゲインｉｌ、、利得制御回路４２
のゲイン金０とすれば第５図（Ｈ）に示す如き合成画像
情報が得られる。

第１０図は第５図（Ｉ）に示すμｍ３き合成画像情報を
得る場合の第４図（ａ）〜（ｆ）各部の波形を示す波形
図でおる。これは第１の情報の中央に１／３に縮少した
第２の画像情報を挿入した所謂るピクチャーインピクチ
ャの合成画像情報である。この場合蓄積部３に蓄積され
ている第１の画像情報は第１の水平転送レジスタ５を介
して通常の読み出し動作が行なＪフれる。一方ｌｌ＞像
部１に蓄積場れている第２の画像情報は、１フイ一ルド
期間の中間の１／３の部分の８２Ｈにて読み出される。

この８２Ｈにおいて水平帰線期間内で撮像部１のポリシ
リコン電極には３つ、第２の水平転送レジスタ８のポリ
シリコンに＆には１つ各々垂直転送用のパルスが印加さ
れる。これによって第２の水平転送レジスタ８には撮像
部１の垂直方向３列分の電荷を加算したものが蓄積され
る。そして各ＩＨの中間の１７３の期間に撮像部１の水
平方向セル数（４９０）に等しい数のパルス全水平転送
用パルスとして第２の水平転送レジスタ８のポリシリコ
ン電極に印加する。

利得制御回路４１は、第２の水平転送レジスタ８より電
荷の読み出しが行なわれている時はゲインが１、それ以
外の時はゲインを０とする。

一方、利得制御回路４２は第１の水平転送レジスタ５か
ら電荷の読出しが行なわれ、かつ第２の水平転送レジス
タ８から寛荀の続出しが行なわれていない時に限りゲイ
ンは１とし、それ以外の時のケインを０とする。このよ
うにして第５図（Ｉ）に示す如き合成画像情報を得る０
１だ第５図（、■）に示す如き合成画像情報を得ようと
すれば、第２の水平転送レジスタ８からの読み出しタイ
ミングを変えてするだけで第５図（Ｉ）に示す如き合成
画像情報全得る場合と同じ方法で行うことができる。

一］二連の如き構成によれば、このように第１の画像情
報と第２の画像情報とを、任意のレイアウトで合成し、
合成画像情報金柑ることができ、構成は全く変える必要
がない。

次に３種類以上の画像情報を合成することを考える。

第１１図は本発明の他の実施例の構成を示す図であり、
この構成によれば３種類以上の画像情報を合成すること
が可能である・、構成はほぼｆＪ４図に示した例と同じ
であるが、混合器４３の出力をアナログ−ディジタル変
換器（以ＦＡ／Ｄと称す）４６．ＩＦ’メモリ、４７を
介して第２の水平転送レジスタから読み込むことが可能
である。

第１２図（Ａ、）〜（Ｇ）は４種類の画像情報を合成す
る様子を説明する図である。以下第１２図（Ａ）、　　
（Ｂ）、　　（Ｄ）魯　（Ｆ）に示す撮像される４種類
の画像情報を合成する方法について説明する０ まず第１２図（Ａ）に示す画像情報が撮像部１で撮像さ
れ対応する電荷が蓄積されると、前述の如く撮像部１、
蓄積部３及び第２の水平転送レジスタ８のポリシリコン
電極に各々撮像部１の垂直方向のセル数より１つ多くパ
ルスが印加され、撮像部１に蓄積された電荷は全て蓄積
部３に転送される。次に第１２図（Ａ）に示す画像情報
が撮像部１で撮像され対応する電荷が蓄積される。これ
で第１２図（Ａ）に示す画像情報金弟１の画像情報、第
１２図（Ｂ）に示す画像情報金弟２の画像情報として、
第５図　（Ｅ）に示した画像情報を得る時とほぼ同様に
して第１２図（Ｃ）に示す合成画像情報を得る。

この合成画像情報（Ｃ）は混合器４５．Ａ／Ｄ４６を介
して通常の読み込みタイミングで１１ｉ”メモリ４７に
ｈ・Ｉ′１み込まれる。このＩＦメ七す４７Ｖよ撮像部
１及び蓄積部３と同数の市荷蓄積部を有１〜でいる。

そしてこの１Ｆメモリ４７よｌ１ｌｌ電荷を読み出し、
今度はこの電荷を第２の水平転送レジスタ８エリ読み込
む。水平方向に蓄積部３の水平方向セル数だけ読み込む
と、第２の水平転送レジスタ８及び蓄積部３のポリシリ
コン電極に垂直転送用のパルスが１つ印加される。これ
で第２の水平転送レジスタ８は再び読込み可能な状態に
なり上述の読み込みを行う。これを蓄積部３の垂直方向
セル数だけ繰り返して行なえば第１２図（Ｃ）に示す合
成画像情報に対応する電荷は蓄積部３に蓄積場れる。

次に第１２図（１）　）に示す画像情報が撮像部１で撮
像部れ対応する電荷が蓄積される。そして第１２図（Ｃ
）に示す合成両像情報全量１の画像情報、第１２図ＣＩ
））に示す画像情報を第２の画像情報として、前述の第
５図（Ｊ）に示した画像情報を得る時とほぼ同様（但し
この場合縮少率は１／２）の処理をすれば第１２図（Ｅ
）に示す新たな合成画像情報を得る。

更に同様に第１２図（Ｅ）に示す合成画像情報を蓄積部
３に再度蓄積し、第１２図（Ｆ）に示す新たな画像情報
全撮像部１で撮像蓄積する。

そして、各々金弟１の画像情報、第２の画像情報として
再び、前述の処理をすれば、第１２図（Ｇ）に示す如き
４種類の画像情報が合成された合成画像情報を得る。

また上述の処理で撮像部１に４度露光しているがこれ全
所定時間毎におこなえば、所謂るストロボ画像を得るこ
とができる。

上述の如く３種類以上の画像情報を合成した合成画像情
報も得ることができる。

尚以上の説明中で第１または第２の画像情報を垂直方向
に縮少して合成する際に、２列分以上の電荷全加算して
いる。例えば本明細書中の実施例では撮像部ｌや蓄積部
３の最下列のセルで加算している。当然これらの部分と
第１の水平転送レジスタ５及び第２の水平転送レジスタ
８の各セルは電荷の蓄積容肘を大きくすることが望まし
い。但し第２図に示す如き構成であればカラー画像情報
を得る場合に少なくとも一方向の色情報については保つ
ことができる。

尚、本明細書中において撮像素子ｔ／′ｉ、第２図に示
した如き構成のものを用いているが、他の構成の撮像素
子であっても、撮像部と蓄積部を有しそれらから各々′
電荷を読みだせる構成であれば本発明を適用可能である
０また撮像素子として撮像部と蓄積部と全一体化する必
要もない。

以上実施例によって説明した如く本発明によれば簡単な
構成で２種類以上の画像信号音様々なレイアウトで合成
することが可能な撮像装置金得ることができる。

【図面の簡単な説明】

る 第１図は本発明に適用でき撮像素子の一例をハ 示す図、 第２図は第１図に示した撮像素子の構成を示す図、 第３図は第１図に示した撮像素子各部のボテンシャル状
態金示す図、 第４図は本発明の一実施例の撮像装置を示す図 第５図（Ａ）は第１の画像情報の一例、（Ｂ）は第２の
画像情報の一例、（Ｃ）〜（Ｊ）は第１の画像情報と第
２の画像情報の合成パターン図、 第６図は第５図（Ｃ）に示す合成画像情報を得る場合の
第４図各部の波形を示す波形図、第７図は第５図（１）
ン　に示す合成画像情報を得る場合の第４図各部の波形
を示す波形図、第８図は第５図（Ｅ）に示す合成画像情
報金得る場合の第４図各部の波形図、 第９図は第５図（Ｆ）に示す合成画像情報を得る場合の
第４図各部の波形図 第１０図は第５図（Ｉ）に示す合成画像情報を得る場合
の第４図各部の波形図、 第１１図は本発明の他の実施例の構成を示す図、 第１２図（Ａ）〜（Ｇ）　＃−１，４種類の両１ｇ情報
を合成する様子ｆｃ説明するための図である。 ｌは撮像部、３は蓄積部、５は第１の水平転送レジスタ
、８は第２の水平転送レジスタ、７゜１０はディジタル
−アナログ変換機能を有するアンプである。 出　願　人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （リ　画像情報を撮像及び蓄積可能な撮像部と、該撮像
   部にて得られた画像情報を蓄積するための蓄積部と、該
   蓄積部に蓄積されている第１の画像情報と、前記撮像部
   に蓄積されている第２の画像情報とを組合わせて１つの
   画像情報を得るための編集手段とを有する撮像装置。