JPS5917844B2 - 磁性膜の形成方法 - Google Patents
磁性膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS5917844B2 JPS5917844B2 JP8314176A JP8314176A JPS5917844B2 JP S5917844 B2 JPS5917844 B2 JP S5917844B2 JP 8314176 A JP8314176 A JP 8314176A JP 8314176 A JP8314176 A JP 8314176A JP S5917844 B2 JPS5917844 B2 JP S5917844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic film
- substrate
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば高分子成形物からなる基板上に連続し
て磁性材料から成る被膜を形成する方法に関するもので
、特に磁気記録媒体の製造に当り顕著な効果を発揮する
ものである。
て磁性材料から成る被膜を形成する方法に関するもので
、特に磁気記録媒体の製造に当り顕著な効果を発揮する
ものである。
従来、磁気記録媒体は、γ−Ｆｅ２Ｏ８に代表される針
状結晶を有機バインダーで塗布固定した、いわゆる塗布
形が主流で、金属、合金の強磁性膜 。
状結晶を有機バインダーで塗布固定した、いわゆる塗布
形が主流で、金属、合金の強磁性膜 。
を磁気記録に用いる検討が進められているが、金属、合
金の有する高い残留磁化に比べ、抗磁力Ｈｃが低い欠点
があり、その欠点の克服のために形状異方性を利用する
試みがなされている。しかし、蒸着法でこれを実施する
には基板に対して蒸発原子の斜め入射成分を選択する必
要があり、蒸着効率が低く実用上改良が望まれている。
本発明は、斜め蒸着と併用しても、もちろん効果を発揮
するが、必ずしも高い抗磁力Ｈｅを得るのに斜め蒸着を
必要としない高速で連続して磁性膜をうる方法を提供す
るものである。
金の有する高い残留磁化に比べ、抗磁力Ｈｃが低い欠点
があり、その欠点の克服のために形状異方性を利用する
試みがなされている。しかし、蒸着法でこれを実施する
には基板に対して蒸発原子の斜め入射成分を選択する必
要があり、蒸着効率が低く実用上改良が望まれている。
本発明は、斜め蒸着と併用しても、もちろん効果を発揮
するが、必ずしも高い抗磁力Ｈｅを得るのに斜め蒸着を
必要としない高速で連続して磁性膜をうる方法を提供す
るものである。
５ 以下本発明を実施するために使用する装置の一例を
第１図に示す。
第１図に示す。
１、２は真空槽３内で隔板４を介して対向配設された移
動する基板と固定の蒸発源、５は原反を模式的に示し、
６は磁性膜形成後の基板１を巻き１０取つた状態を示し
ている。
動する基板と固定の蒸発源、５は原反を模式的に示し、
６は磁性膜形成後の基板１を巻き１０取つた状態を示し
ている。
７は例えば永久磁石、電磁石等の磁界発生器であり、こ
の磁界発生器７より発生する磁束の一部が形成された磁
性膜を磁路（この磁路の方向は基板の移動方向と対向す
る）として通過し、蒸気流に露呈される基板位置で、１
５基板に沿つた磁束成分を有するように配設される。
の磁界発生器７より発生する磁束の一部が形成された磁
性膜を磁路（この磁路の方向は基板の移動方向と対向す
る）として通過し、蒸気流に露呈される基板位置で、１
５基板に沿つた磁束成分を有するように配設される。
なお、第１図において、８は真空排気装置、９は蒸発源
２の電源、１０は絶縁端子である。第２図は、上記基板
１と磁界発生器７の部分の拡大断面図である。すなわち
、基板１が矢印の方ク０ 向に移動する条件で、磁性膜
１１が形成される時磁界発生器７よりの磁束の一部の通
路としての役割を磁性膜１１が果たすものである。この
ようにすることにより、特に斜め蒸着することなく、通
常の真空蒸着と同じ速度で形成した磁性膜でも、ワ５
磁気異方性を示し、結果として高い抗磁力Ｈｃをうるこ
とができるものである。本発明では第２図に示したよう
に、磁性膜１１が基板１上で厚みに勾配を有するので、
磁束１２は磁性膜１１を通り易く、そのため実効的に薄
膜９０の形成初期に磁束密度が大きくなることになり、
したがつて長手方向に均一に抗磁力Ｈｃを高めることが
できるのである。
２の電源、１０は絶縁端子である。第２図は、上記基板
１と磁界発生器７の部分の拡大断面図である。すなわち
、基板１が矢印の方ク０ 向に移動する条件で、磁性膜
１１が形成される時磁界発生器７よりの磁束の一部の通
路としての役割を磁性膜１１が果たすものである。この
ようにすることにより、特に斜め蒸着することなく、通
常の真空蒸着と同じ速度で形成した磁性膜でも、ワ５
磁気異方性を示し、結果として高い抗磁力Ｈｃをうるこ
とができるものである。本発明では第２図に示したよう
に、磁性膜１１が基板１上で厚みに勾配を有するので、
磁束１２は磁性膜１１を通り易く、そのため実効的に薄
膜９０の形成初期に磁束密度が大きくなることになり、
したがつて長手方向に均一に抗磁力Ｈｃを高めることが
できるのである。
例えば、Ｃｏについていえば、最小入射角００で厚み０
．３μｍを形成する時、蒸気流に露呈され９５る基板位
置で磁界発生器□よりの漏洩磁束密度が２０ガウス程度
で、２５０エルステッドの抗磁力Ｈｃをうることができ
る。
．３μｍを形成する時、蒸気流に露呈され９５る基板位
置で磁界発生器□よりの漏洩磁束密度が２０ガウス程度
で、２５０エルステッドの抗磁力Ｈｃをうることができ
る。
この磁界発生器によらない従来の場合は、上記抗磁力Ｈ
ｃは１００エルテツド程度であるので、本発明により抗
磁力Ｈｃが高くなつていることがわかる。なお、本発明
は、蒸着法として公知の電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーテイング法のみならず、スパツタリング法、低温気相
成長法等についても適用出来るものである。
ｃは１００エルテツド程度であるので、本発明により抗
磁力Ｈｃが高くなつていることがわかる。なお、本発明
は、蒸着法として公知の電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーテイング法のみならず、スパツタリング法、低温気相
成長法等についても適用出来るものである。
そして本発明は、磁性膜の多層化、磁性膜と非磁性膜の
多層化に当つても磁性膜形成過程において同様な効果を
発揮するものである。以上のような本発明の磁性膜の形
成方法により金属、合金等の強磁性体の抗磁力Ｈｃの低
いのを克服して高い抗磁力Ｈｃでしかも長手方向に均一
な抗磁力の磁性膜を得ることができたものであり、磁気
記録の分野においてその実用性は大きいものがある。
多層化に当つても磁性膜形成過程において同様な効果を
発揮するものである。以上のような本発明の磁性膜の形
成方法により金属、合金等の強磁性体の抗磁力Ｈｃの低
いのを克服して高い抗磁力Ｈｃでしかも長手方向に均一
な抗磁力の磁性膜を得ることができたものであり、磁気
記録の分野においてその実用性は大きいものがある。
第１図は本発明の磁性膜の形成方法を実帷するために使
用する装置の断面正面図、第２図は同要部の正面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・蒸発源、３−・・
・・・真空槽、７一・・・・・磁界発生器、１１・・・
・・・磁性膜。
用する装置の断面正面図、第２図は同要部の正面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・蒸発源、３−・・
・・・真空槽、７一・・・・・磁界発生器、１１・・・
・・・磁性膜。
Claims (1)
- １ 真空槽内で移動する基板上に磁性膜を形成するに際
し、形成されていく磁性膜を磁界発生器より発生される
基板の移動方向と対向する磁束の通路として連続的に基
板上に形成することを特徴とする磁性膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314176A JPS5917844B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 磁性膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314176A JPS5917844B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 磁性膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS538797A JPS538797A (en) | 1978-01-26 |
| JPS5917844B2 true JPS5917844B2 (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=13793919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8314176A Expired JPS5917844B2 (ja) | 1976-07-12 | 1976-07-12 | 磁性膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917844B2 (ja) |
-
1976
- 1976-07-12 JP JP8314176A patent/JPS5917844B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS538797A (en) | 1978-01-26 |
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