JPH0411625B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0411625B2 JPH0411625B2 JP57071556A JP7155682A JPH0411625B2 JP H0411625 B2 JPH0411625 B2 JP H0411625B2 JP 57071556 A JP57071556 A JP 57071556A JP 7155682 A JP7155682 A JP 7155682A JP H0411625 B2 JPH0411625 B2 JP H0411625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- substrate
- thin film
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はマグネトロンスパツタ装置に関し、更
に詳しくは、ターゲツト表面上の磁界を改良して
クラツク等のない金属薄膜を形成できるマグネト
ロンスパツタ装置に関する。
に詳しくは、ターゲツト表面上の磁界を改良して
クラツク等のない金属薄膜を形成できるマグネト
ロンスパツタ装置に関する。
各種基体の表面に有用な金属薄膜を形成する方
法としては、現在、真空蒸着法、メツキ法、スパ
ツタ法等が広く採用されている。
法としては、現在、真空蒸着法、メツキ法、スパ
ツタ法等が広く採用されている。
これらの方法のうち、真空蒸着法は、その適用
に当つて蒸気圧が異なる元素からなる多成分系合
金薄膜の組成制御が困難であり、またメツキ法
は、排液処理における公害等の問題があつた。そ
のため、最近はスパツタ法が注目され、例えばコ
バルトCo−クロムCr合金薄膜を磁気記録層とす
る垂直磁気記録媒体の製造に当つては、CoとCr
の蒸気圧差が大である等の理由から、真空蒸着法
は採用することができず現在ではほとんどがスパ
ツタ法によつて製造されている。
に当つて蒸気圧が異なる元素からなる多成分系合
金薄膜の組成制御が困難であり、またメツキ法
は、排液処理における公害等の問題があつた。そ
のため、最近はスパツタ法が注目され、例えばコ
バルトCo−クロムCr合金薄膜を磁気記録層とす
る垂直磁気記録媒体の製造に当つては、CoとCr
の蒸気圧差が大である等の理由から、真空蒸着法
は採用することができず現在ではほとんどがスパ
ツタ法によつて製造されている。
従来、スパツタ法薄膜形成装置としては、ター
ゲツト用電極と基体用電極との２つの電極で電界
を形成する構造を有する二極スパツタ装置が常用
されていた。しかしながら、この装置によるスパ
ツタ処理は薄膜形成速度が遅く、また、スパツタ
処理中に基体温度が数百度にも上昇し、高分子成
形物基体上にスパツタ膜を形成する場合には基体
自身が熱変形してしまい基体表面への薄膜形成は
困難であつた。
ゲツト用電極と基体用電極との２つの電極で電界
を形成する構造を有する二極スパツタ装置が常用
されていた。しかしながら、この装置によるスパ
ツタ処理は薄膜形成速度が遅く、また、スパツタ
処理中に基体温度が数百度にも上昇し、高分子成
形物基体上にスパツタ膜を形成する場合には基体
自身が熱変形してしまい基体表面への薄膜形成は
困難であつた。
このようなスパツタ装置の欠点を解消する装置
として、薄膜の形成速度が速く、基体の温度上昇
を生起することのないマグネトロンスパツタ装置
が開発されている。この装置は、スパツタ室内の
電界と磁界が互いに直交するように電極と磁極が
配置されているもので、この装置においては、磁
気回路の中心又は近傍を通るターゲツトへの仮想
垂線上における磁界方向は全てターゲツト方向又
は基体方向のいずれか一方のみに向くようになつ
ており、電子は所謂マグネトロン運動をしてい
る。
として、薄膜の形成速度が速く、基体の温度上昇
を生起することのないマグネトロンスパツタ装置
が開発されている。この装置は、スパツタ室内の
電界と磁界が互いに直交するように電極と磁極が
配置されているもので、この装置においては、磁
気回路の中心又は近傍を通るターゲツトへの仮想
垂線上における磁界方向は全てターゲツト方向又
は基体方向のいずれか一方のみに向くようになつ
ており、電子は所謂マグネトロン運動をしてい
る。
しかしながら、該装置によれば、形成した薄膜
の表面にクラツク、ピンホール等の組織欠陥がし
ばしば発生する。特にクラツクは、薄膜の膜厚が
増加するに伴つて増加し、熱変形し易い高分子成
形物を基体とする場合（例えば、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン樹脂）には特に顕著で
あり、クラツク等の発生は、磁気記録、装飾、耐
食、表面硬化等を目的とする薄膜形成の場合に
は、特に好ましくない。例えば、磁気記録媒体の
磁気記録層に発生したクラツク、ピンホール等
は、記録信号の脱落、録音、再生時の摺動に
よる磁気ヘツドの損耗、磁気記録媒体自体の耐
久性低下等の不都合を招く。また、強磁性を示す
Co−Cr合金薄膜等を磁気記録層とした垂直磁気
記録媒体を該マグネトロンスパツタ装置により製
造した場合、薄膜面垂直方向の保磁力の低下によ
り再生出力が減少するという従来にない新たな重
要問題を惹起する。
の表面にクラツク、ピンホール等の組織欠陥がし
ばしば発生する。特にクラツクは、薄膜の膜厚が
増加するに伴つて増加し、熱変形し易い高分子成
形物を基体とする場合（例えば、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン樹脂）には特に顕著で
あり、クラツク等の発生は、磁気記録、装飾、耐
食、表面硬化等を目的とする薄膜形成の場合に
は、特に好ましくない。例えば、磁気記録媒体の
磁気記録層に発生したクラツク、ピンホール等
は、記録信号の脱落、録音、再生時の摺動に
よる磁気ヘツドの損耗、磁気記録媒体自体の耐
久性低下等の不都合を招く。また、強磁性を示す
Co−Cr合金薄膜等を磁気記録層とした垂直磁気
記録媒体を該マグネトロンスパツタ装置により製
造した場合、薄膜面垂直方向の保磁力の低下によ
り再生出力が減少するという従来にない新たな重
要問題を惹起する。
かかる不都合を解消するために、マグネトロン
スパツタ装置においても、基体温度を上げること
は有効な手段である。しかしながら、この手段
は、二極スパツタ装置の場合と同様に熱変形し易
い高分子成形物には適用できず、更に装置自体が
複雑化するので好ましいクラツク防止手段とはい
いえない。
スパツタ装置においても、基体温度を上げること
は有効な手段である。しかしながら、この手段
は、二極スパツタ装置の場合と同様に熱変形し易
い高分子成形物には適用できず、更に装置自体が
複雑化するので好ましいクラツク防止手段とはい
いえない。
本発明は、従来のマグネトロンスパツタ装置の
欠点を解消したものであつて、基体を加熱せずに
クラツク、ピンホール等のない金属薄膜を形成で
き、さらにはCo−Cr薄膜形成に用いた場合薄膜
面垂直方向の保磁力が大である磁気記録層を形成
できるマグネトロンスパツタ装置を提供すること
を目的とする。
欠点を解消したものであつて、基体を加熱せずに
クラツク、ピンホール等のない金属薄膜を形成で
き、さらにはCo−Cr薄膜形成に用いた場合薄膜
面垂直方向の保磁力が大である磁気記録層を形成
できるマグネトロンスパツタ装置を提供すること
を目的とする。
〔発明の概要〕
基体と；該基体と所定の空間を介して配設され
たターゲツトと；磁気回路の中心又は近傍を通る
該ターゲツトへの仮想垂線上における磁界の垂直
成分の向きが反転するとともに、基体面上の任意
の点における磁界の垂直成分の大きさが磁界の面
内成分よりも優勢な磁界発生手段を具備すること
を特徴とするマグネトロンスパツタ装置。
たターゲツトと；磁気回路の中心又は近傍を通る
該ターゲツトへの仮想垂線上における磁界の垂直
成分の向きが反転するとともに、基体面上の任意
の点における磁界の垂直成分の大きさが磁界の面
内成分よりも優勢な磁界発生手段を具備すること
を特徴とするマグネトロンスパツタ装置。
本発明装置は、ターゲツト、基体間の電界を印
加する電力源と、スパツタリング室と、該室に内
設されるターゲツト、基体、磁界発生手段とから
主として構成される。更に詳しくは、例えば、タ
ーゲツト裏面に付設されるターゲツト電極及び基
体裏面に付設される電極（基体ホルダー）に通電
することにより、ターゲツトと基体との間に電圧
印加がなされ、電界が形成される。また、例え
ば、ターゲツト裏面に付設される磁界発生手段に
よつて、ターゲツトと基体との間に上記電界に一
部直交する磁界が形成される。
加する電力源と、スパツタリング室と、該室に内
設されるターゲツト、基体、磁界発生手段とから
主として構成される。更に詳しくは、例えば、タ
ーゲツト裏面に付設されるターゲツト電極及び基
体裏面に付設される電極（基体ホルダー）に通電
することにより、ターゲツトと基体との間に電圧
印加がなされ、電界が形成される。また、例え
ば、ターゲツト裏面に付設される磁界発生手段に
よつて、ターゲツトと基体との間に上記電界に一
部直交する磁界が形成される。
本発明にかかる磁界発生手段とは、永久磁石又
はソレノイドコイル等を、前記した磁界が形成さ
れるように配設したものである。これら以外の磁
界発生手段としては、永久磁石とソレノイドコイ
ルとを併用し、あるいは永久磁石と例えば鉄等の
比較的軟磁性である強磁性体からなるヨークとを
併用し、前記した磁界が形成されるように配設し
たものを挙げることができる。
はソレノイドコイル等を、前記した磁界が形成さ
れるように配設したものである。これら以外の磁
界発生手段としては、永久磁石とソレノイドコイ
ルとを併用し、あるいは永久磁石と例えば鉄等の
比較的軟磁性である強磁性体からなるヨークとを
併用し、前記した磁界が形成されるように配設し
たものを挙げることができる。
以下に、永久磁石等の配設例を述べる。
永久磁石のみで前記した磁界を形成する場合に
は、例えばターゲツト裏面の中心部にＳ極をター
ゲツト側に向けた磁石（ターゲツト面に平行な断
面積をS1とする。以下、この磁石を、説明上、磁
石と略記する。）を付設し、ターゲツト裏面の
端縁部に磁石Ｉを中心軸として軸対称にＮ極をタ
ーゲツト側に向けた複数個の磁石（ターゲツト面
に平行な断面積の総和をS2とする。以下、この磁
石を説明上、磁石と略記する。）を周設する。
このときS2をS1に比べて十分に大きくすることが
必要であり、好ましくはS2／S1比が３以上であ
る。かくして、磁石では磁気飽和現象が生じ、
磁石のＮ極から流出する磁力線は一部磁石の
Ｓ極へ流入する他、直接磁石のＳ極へ流入す
る。従つて、磁石，によつて、ターゲツトと
基体に挟まれた空間において、ターゲツトのほぼ
中心を通るターゲツトに対する垂線上における、
磁界の垂直成分の向きが反転し、かつ基体に垂直
な成分が平行な成分よりも優勢な磁力線が基板に
入射する磁界が発生する。
は、例えばターゲツト裏面の中心部にＳ極をター
ゲツト側に向けた磁石（ターゲツト面に平行な断
面積をS1とする。以下、この磁石を、説明上、磁
石と略記する。）を付設し、ターゲツト裏面の
端縁部に磁石Ｉを中心軸として軸対称にＮ極をタ
ーゲツト側に向けた複数個の磁石（ターゲツト面
に平行な断面積の総和をS2とする。以下、この磁
石を説明上、磁石と略記する。）を周設する。
このときS2をS1に比べて十分に大きくすることが
必要であり、好ましくはS2／S1比が３以上であ
る。かくして、磁石では磁気飽和現象が生じ、
磁石のＮ極から流出する磁力線は一部磁石の
Ｓ極へ流入する他、直接磁石のＳ極へ流入す
る。従つて、磁石，によつて、ターゲツトと
基体に挟まれた空間において、ターゲツトのほぼ
中心を通るターゲツトに対する垂線上における、
磁界の垂直成分の向きが反転し、かつ基体に垂直
な成分が平行な成分よりも優勢な磁力線が基板に
入射する磁界が発生する。
また、上記の磁石，は、その磁極の向きを
反対にしたものでもよい。このとき、ターゲツト
への仮想垂線上における磁界方向が、基体方向か
らターゲツト方向へ該垂線に沿つて順次配向する
こととなるが、電子のマグネトロン運動方向が反
対となるのみで、本発明の効果を損うことはな
い。
反対にしたものでもよい。このとき、ターゲツト
への仮想垂線上における磁界方向が、基体方向か
らターゲツト方向へ該垂線に沿つて順次配向する
こととなるが、電子のマグネトロン運動方向が反
対となるのみで、本発明の効果を損うことはな
い。
ソレノイドコイルのみで磁界を形成する場合
は、例えば第１図に示したように、所定の空間を
介して対向するように配設されたターゲツト１及
び基体５を包囲し、かつターゲツト１、基体５の
垂線方向に沿うように、２個のソレノイドコイル
１２，１２′を巻回する。このとき、各コイル１
２，１２′が互いに反対の磁界を形成するように
すれば、所定の磁界が得られる。
は、例えば第１図に示したように、所定の空間を
介して対向するように配設されたターゲツト１及
び基体５を包囲し、かつターゲツト１、基体５の
垂線方向に沿うように、２個のソレノイドコイル
１２，１２′を巻回する。このとき、各コイル１
２，１２′が互いに反対の磁界を形成するように
すれば、所定の磁界が得られる。
永久磁石とソレノイドコイルとを併用する場合
は、例えば第１図に示したターゲツト１、基体
５、ソレノイドコイル１２，１２′の配設例に加
えて永久磁石を、前記した永久磁石のみによる配
設例と同様にターゲツト１の裏面に配設する。
は、例えば第１図に示したターゲツト１、基体
５、ソレノイドコイル１２，１２′の配設例に加
えて永久磁石を、前記した永久磁石のみによる配
設例と同様にターゲツト１の裏面に配設する。
永久磁石とヨークとを併用する場合は、例えば
ターゲツト裏面の中心部に比較的軟磁性である強
磁性体からなるヨークを配設したことを除いて
は、前記した永久磁石のみによる配設例と同様に
配設する（第２図、第３図参照）。この場合にも、
ヨークと永久磁石の飽和磁束差を考慮すれば、同
様の磁気飽和現象により、所定の磁界が得られ
る。
ターゲツト裏面の中心部に比較的軟磁性である強
磁性体からなるヨークを配設したことを除いて
は、前記した永久磁石のみによる配設例と同様に
配設する（第２図、第３図参照）。この場合にも、
ヨークと永久磁石の飽和磁束差を考慮すれば、同
様の磁気飽和現象により、所定の磁界が得られ
る。
尚、本発明装置は、同一ターゲツト内に本発明
にかかる磁界を複数個形成したものであつてもよ
い。
にかかる磁界を複数個形成したものであつてもよ
い。
以上のように構成されるマグネトロンスパツタ
装置は、従来の装置における磁界を改良したもの
で、磁界中の荷電粒子（例えば電子）が適度に基
体に入射し、基体表面のみ温度を上昇させるに留
まるのでクラツク等が生じないものと推測され
る。
装置は、従来の装置における磁界を改良したもの
で、磁界中の荷電粒子（例えば電子）が適度に基
体に入射し、基体表面のみ温度を上昇させるに留
まるのでクラツク等が生じないものと推測され
る。
本発明のマグネトロンスパツタ装置は、基体を
加熱せずにクラツク等のない金属薄膜を形成する
ことができ、更には、Co−Cr薄膜形成に適用し
た場合薄膜面垂直方向の保磁力が大である磁気記
録層を形成することができる。
加熱せずにクラツク等のない金属薄膜を形成する
ことができ、更には、Co−Cr薄膜形成に適用し
た場合薄膜面垂直方向の保磁力が大である磁気記
録層を形成することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例 １
第２〜３図に示すように、銅製のターゲツト用
電極２の上面に60mm×120mmのターゲツト１を載
置し、該ターゲツト１の下面端縁部にＮ極側を向
けた直径15.2mm高さ20mmのサマリウムコバルト磁
石３を第２図の二点鎖線のように周設した。さら
に該磁石３の下面及びターゲツト用電極２の下面
中央部に鉄製の山形ヨーク４を付設した。このと
きのターゲツト１上方空間における磁界方向及び
その磁界垂直成分の強度（エルステツド：Oe）
をそれぞれ第４〜５図に示した。すなわち、第４
図はターゲツト１と基体５間の磁界方向を矢印で
模式的に示したもので、第５図はターゲツト１上
方空間の磁気回路の中心又は近傍を通りターゲツ
ト１への仮想垂線上の磁界垂直成分の強度を、タ
ーゲツト方向をプラスとして縦軸に表わし、ター
ゲツト１表面からの高さ（mm）を横軸に表わした
ものである。
電極２の上面に60mm×120mmのターゲツト１を載
置し、該ターゲツト１の下面端縁部にＮ極側を向
けた直径15.2mm高さ20mmのサマリウムコバルト磁
石３を第２図の二点鎖線のように周設した。さら
に該磁石３の下面及びターゲツト用電極２の下面
中央部に鉄製の山形ヨーク４を付設した。このと
きのターゲツト１上方空間における磁界方向及び
その磁界垂直成分の強度（エルステツド：Oe）
をそれぞれ第４〜５図に示した。すなわち、第４
図はターゲツト１と基体５間の磁界方向を矢印で
模式的に示したもので、第５図はターゲツト１上
方空間の磁気回路の中心又は近傍を通りターゲツ
ト１への仮想垂線上の磁界垂直成分の強度を、タ
ーゲツト方向をプラスとして縦軸に表わし、ター
ゲツト１表面からの高さ（mm）を横軸に表わした
ものである。
上記のようなマグネトロンスパツタ装置におい
て、ターゲツト１と基体５間隔を100mm、基体を
アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂と
し、スパツタリング室６内部をアルゴンガス雰囲
気下５×10-3Torrとした後、スパツタリング速
度600Å／min及び1000Å／minで加熱すること
なく薄膜を製造した。
て、ターゲツト１と基体５間隔を100mm、基体を
アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂と
し、スパツタリング室６内部をアルゴンガス雰囲
気下５×10-3Torrとした後、スパツタリング速
度600Å／min及び1000Å／minで加熱すること
なく薄膜を製造した。
ターゲツト１として厚さ1.0mmのクロムCr、厚
さ2.0mm飽和磁化450ガウスのコバルトCo−クロム
合金、厚さ2.0mm飽和磁化620ガウスの鉄Fe−ニツ
ケルNi合金の３種を用いて、それぞれ膜厚1000
Å、5000Å、5000Åの薄膜を得た。
さ2.0mm飽和磁化450ガウスのコバルトCo−クロム
合金、厚さ2.0mm飽和磁化620ガウスの鉄Fe−ニツ
ケルNi合金の３種を用いて、それぞれ膜厚1000
Å、5000Å、5000Åの薄膜を得た。
その結果、目視及び顕微鏡観察による判定で
は、いずれの薄膜にもクラツクは認められなかつ
た。また薄膜面垂直方向の保磁力は、Co−Cr合
金薄膜が1080エルステツド、であつた。
は、いずれの薄膜にもクラツクは認められなかつ
た。また薄膜面垂直方向の保磁力は、Co−Cr合
金薄膜が1080エルステツド、であつた。
実施例 ２
第６図に示すように、直径60mmのターゲツト１
を用い、実施例１の磁石よりやや大きい直径23.6
mmの磁石３′をターゲツト用電極２の下面中央部
にＳ極側を向け、下面端縁部に実施例１と同一の
磁石３をＮ極側を向けて周設したことを除いては
実施例１と同様にして薄膜を製造した。S2／S1比
は約５であつた。このときの磁界方向を第７図
に、ターゲツト１表面からの高さ−磁界垂直成分
の強度相関曲線を第８図に示した。
を用い、実施例１の磁石よりやや大きい直径23.6
mmの磁石３′をターゲツト用電極２の下面中央部
にＳ極側を向け、下面端縁部に実施例１と同一の
磁石３をＮ極側を向けて周設したことを除いては
実施例１と同様にして薄膜を製造した。S2／S1比
は約５であつた。このときの磁界方向を第７図
に、ターゲツト１表面からの高さ−磁界垂直成分
の強度相関曲線を第８図に示した。
ターゲツト１として厚さ1.0mmのCr、厚さ3.5mm
飽和磁化350ガウスのCo−Cr合金、厚さ2.5mm飽
和磁化620ガウスのFe−Ni合金を用いたが、いず
れの薄膜にもクラツクは認められなかつた。ま
た、Co−Cr合金薄膜の薄膜面垂直方向の保磁力
は、1120エルステツドであつた。
飽和磁化350ガウスのCo−Cr合金、厚さ2.5mm飽
和磁化620ガウスのFe−Ni合金を用いたが、いず
れの薄膜にもクラツクは認められなかつた。ま
た、Co−Cr合金薄膜の薄膜面垂直方向の保磁力
は、1120エルステツドであつた。
実施例 ３
実施例１で用いた装置に、第９図に示すフイル
ム搬送系（図中、矢印は基体５の搬送方向を示
す）を付加して、薄膜の連続形成を可能としたマ
グネトロンスパツタ装置を製造した。
ム搬送系（図中、矢印は基体５の搬送方向を示
す）を付加して、薄膜の連続形成を可能としたマ
グネトロンスパツタ装置を製造した。
フイルム搬送系は、長尺なフイルム状の基体５
が巻回される供給ロール７と、基体５を連続的に
スパツタが行なわれる位置に搬送するためのガイ
ドロール８と、ターゲツト１から100mm離間して
対向し、表面上を基体５が摺動する基体ホルダー
９と、基体５を巻回する巻取ロール１０と、基体
５表面のスパツタリング領域を長手方向70mmとす
るよう基体５から0.5mm離間して配設されるマス
ク１１とから構成される。
が巻回される供給ロール７と、基体５を連続的に
スパツタが行なわれる位置に搬送するためのガイ
ドロール８と、ターゲツト１から100mm離間して
対向し、表面上を基体５が摺動する基体ホルダー
９と、基体５を巻回する巻取ロール１０と、基体
５表面のスパツタリング領域を長手方向70mmとす
るよう基体５から0.5mm離間して配設されるマス
ク１１とから構成される。
上記の装置において、基体５として厚さ25μm
幅1/2インチのカプトンフイルム（商標名：
BASF社）、ターゲツト１として60mm×120mm×
2.0mm飽和磁化450ガウスのCo−Cr合金を用い、
基体移動速度0.93cm／min及び1.9cm／minで膜厚
2400Åの薄膜を得た。
幅1/2インチのカプトンフイルム（商標名：
BASF社）、ターゲツト１として60mm×120mm×
2.0mm飽和磁化450ガウスのCo−Cr合金を用い、
基体移動速度0.93cm／min及び1.9cm／minで膜厚
2400Åの薄膜を得た。
その結果、いずれの薄膜にもクラツクは認めら
れなかつた。また薄膜面垂直方向の保磁力は基体
移動速度0.93cm／minのとき930エルステツド、
1.9cm／minのとき1050エルステツドであつた。
れなかつた。また薄膜面垂直方向の保磁力は基体
移動速度0.93cm／minのとき930エルステツド、
1.9cm／minのとき1050エルステツドであつた。
実施例 ４
実施例２の装置に、実施例３のフイルム搬送系
を収納したマグネトロンスパツタ装置を製造し
た。
を収納したマグネトロンスパツタ装置を製造し
た。
スパツタリング領域を30mmとし、ターゲツト１
として直径60mm厚さ3.5mm飽和磁化350ガウスのCo
−Cr合金を用い、基体移動速度0.3cm／min及び
0.4cm／minとしたことを除いては実施例３と同
様の操作で膜厚2400Åの薄膜を得た。
として直径60mm厚さ3.5mm飽和磁化350ガウスのCo
−Cr合金を用い、基体移動速度0.3cm／min及び
0.4cm／minとしたことを除いては実施例３と同
様の操作で膜厚2400Åの薄膜を得た。
その結果、いずれの薄膜にもクラツクは認めら
れなかつた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基
体移動速度0.3cm／minのとき1350エルステツド、
0.4cm／minのとき1400エルステツドであつた。
れなかつた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基
体移動速度0.3cm／minのとき1350エルステツド、
0.4cm／minのとき1400エルステツドであつた。
比較例 １
第１０〜１１図に示したように、銅製のターゲ
ツト用電極２の下面中央部にＳ極側を向けた18mm
×78mm×15.5mm（高さ）のサマリウムコバルト磁
石３を付設し、下面端縁部及び磁石３の下面に鉄
製のヨーク４を付設したことを除いては、基体を
加熱することなく実施例１と同様の操作を行い薄
膜を得た。このときの磁界方向を第１２図に、タ
ーゲツト１表面からの高さ−磁界垂直成分の強度
相関曲線を第１３図に示した。
ツト用電極２の下面中央部にＳ極側を向けた18mm
×78mm×15.5mm（高さ）のサマリウムコバルト磁
石３を付設し、下面端縁部及び磁石３の下面に鉄
製のヨーク４を付設したことを除いては、基体を
加熱することなく実施例１と同様の操作を行い薄
膜を得た。このときの磁界方向を第１２図に、タ
ーゲツト１表面からの高さ−磁界垂直成分の強度
相関曲線を第１３図に示した。
該磁界は、従来のスパツタリング装置と同一
で、磁気回路の中心又は近傍を通りターゲツト１
への仮想垂線上の磁界方向が、全てターゲツト方
向に向いている。
で、磁気回路の中心又は近傍を通りターゲツト１
への仮想垂線上の磁界方向が、全てターゲツト方
向に向いている。
その結果、いずれの薄膜にも著しいクラツクが
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50mm
及び150mmとしても同様であつた。また薄膜面垂
直方向の保磁力は、Co−Cr合金薄膜が380エルス
テツドであつた。
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50mm
及び150mmとしても同様であつた。また薄膜面垂
直方向の保磁力は、Co−Cr合金薄膜が380エルス
テツドであつた。
比較例 ２
第１４図に示したように、ターゲツト用電極２
の下面中央部に直径20mm高さ20mmのサマリウムコ
バルト磁石３を付設し、下面端縁部に10mm×20mm
×2.5mmのサマリウムコバルト磁石３を複数個並
べて周設したことを除いては実施例２と同様にし
て薄膜を製造した。このときのターゲツト１表面
からの高さ−磁界垂直成分の強度相関曲線を第１
５図に示した（ターゲツト１上方空間の磁界方向
は、比較例１と略同一であるため省略した）。
の下面中央部に直径20mm高さ20mmのサマリウムコ
バルト磁石３を付設し、下面端縁部に10mm×20mm
×2.5mmのサマリウムコバルト磁石３を複数個並
べて周設したことを除いては実施例２と同様にし
て薄膜を製造した。このときのターゲツト１表面
からの高さ−磁界垂直成分の強度相関曲線を第１
５図に示した（ターゲツト１上方空間の磁界方向
は、比較例１と略同一であるため省略した）。
その結果、いずれの薄膜にも著しいクラツクが
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50
mm、薄膜形成速度を300Å／min、アルゴンガス
圧力を2.8×10-3Torr及び７×10-3Torrとしたい
ずれの場合においても同様であつた。また薄膜面
垂直方向の保磁力はCo−Cr合金薄膜において400
エルステツドであつた。
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50
mm、薄膜形成速度を300Å／min、アルゴンガス
圧力を2.8×10-3Torr及び７×10-3Torrとしたい
ずれの場合においても同様であつた。また薄膜面
垂直方向の保磁力はCo−Cr合金薄膜において400
エルステツドであつた。
比較例 ３
比較例１の装置に、実施例３のフイルム搬送系
を収納したマグネトロンスパツタ装置を使用し
て、実施例３と同様に薄膜を得た。
を収納したマグネトロンスパツタ装置を使用し
て、実施例３と同様に薄膜を得た。
その結果、いずれの薄膜にも著しいクラツクが
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50mm
及び120mm、アルゴンガス圧力を３×10-3Torr及
び6.5×10-3Torrとしたいずれの場合も同様であ
つた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基体移動
速度0.93cm／minのとき420エルステツド、1.9
cm／minのとき380エルステツドであつた。
認められた。尚、ターゲツトと基体の間隔を50mm
及び120mm、アルゴンガス圧力を３×10-3Torr及
び6.5×10-3Torrとしたいずれの場合も同様であ
つた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基体移動
速度0.93cm／minのとき420エルステツド、1.9
cm／minのとき380エルステツドであつた。
比較例 ４
比較例２の装置に、実施例３のフイルム搬送系
を収納したマグネトロンスパツタ装置を製造し
て、実施例４と同様に薄膜を得た。
を収納したマグネトロンスパツタ装置を製造し
て、実施例４と同様に薄膜を得た。
その結果、いずれの薄膜にも著しいクラツクが
認められた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基
体移動速度0.3cm／min、0.4cm／minいずれの場
合においても400エルステツドであつた。
認められた。また薄膜面垂直方向の保磁力は、基
体移動速度0.3cm／min、0.4cm／minいずれの場
合においても400エルステツドであつた。
第１図はソレノイドコイルによる磁界発生手段
を模式的に示した側面図、第２図は本発明にかか
る磁界発生手段の構成を模式的に示した平面図、
第３図は第１図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第４
図は実施例１におけるターゲツトと基体間の磁界
方向を模式的に示した図、第５図は実施例１にお
けるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分の
強度相関曲線を示した図、第６図は本発明にかか
る磁界発生手段の他の構成を示した縦断面図、第
７図は実施例２におけるターゲツトと基体間の磁
界方向を模式的に示した図、第８図は実施例２に
おけるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分
の強度相関曲線を示した図、第９図はフイルム搬
送系の概略図、第１０図は従来の磁界発生手段の
構成を模式的に示した平面図、第１１図は第１０
図のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図、第１２図は比較例
１におけるターゲツトと基体間の磁界方向を模式
的に示した図、第１３図は比較例１におけるター
ゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分の強度相関
曲線を示した図、第１４図は従来の磁界発生手段
の他の構成を示した縦断面図、第１５図は比較例
２におけるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直
成分の強度相関曲線を示した図である。 １……ターゲツト、２……ターゲツト用電極、
３，３′……磁石、４……ヨーク、５……基体、
６……スパツタリング室、７……供給ロール、８
……ガイドロール、９……基体ホルダー、１０…
…巻取ロール、１１……マスク、１２，１２′…
…ソレノイドコイル。
を模式的に示した側面図、第２図は本発明にかか
る磁界発生手段の構成を模式的に示した平面図、
第３図は第１図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第４
図は実施例１におけるターゲツトと基体間の磁界
方向を模式的に示した図、第５図は実施例１にお
けるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分の
強度相関曲線を示した図、第６図は本発明にかか
る磁界発生手段の他の構成を示した縦断面図、第
７図は実施例２におけるターゲツトと基体間の磁
界方向を模式的に示した図、第８図は実施例２に
おけるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分
の強度相関曲線を示した図、第９図はフイルム搬
送系の概略図、第１０図は従来の磁界発生手段の
構成を模式的に示した平面図、第１１図は第１０
図のＢ−Ｂ線に沿う縦断面図、第１２図は比較例
１におけるターゲツトと基体間の磁界方向を模式
的に示した図、第１３図は比較例１におけるター
ゲツト表面からの高さ−磁界垂直成分の強度相関
曲線を示した図、第１４図は従来の磁界発生手段
の他の構成を示した縦断面図、第１５図は比較例
２におけるターゲツト表面からの高さ−磁界垂直
成分の強度相関曲線を示した図である。 １……ターゲツト、２……ターゲツト用電極、
３，３′……磁石、４……ヨーク、５……基体、
６……スパツタリング室、７……供給ロール、８
……ガイドロール、９……基体ホルダー、１０…
…巻取ロール、１１……マスク、１２，１２′…
…ソレノイドコイル。
Claims (1)
- １ 基体と；該基体と所定の空間を介して配設さ
れたターゲツトと；磁気回路の中心又は近傍を通
る該ターゲツトへの仮想垂線上における磁界の垂
直成分の向きが反転するとともに、基体面上の任
意の点における磁界の垂直成分の大きさが磁界の
面内成分よりも優勢な磁界発生手段を具備するこ
とを特徴とするマグネトロンスパツタ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071556A JPS58189372A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
| US06/489,593 US4441974A (en) | 1982-04-30 | 1983-04-28 | Magnetron sputtering apparatus |
| EP83104178A EP0093412B1 (en) | 1982-04-30 | 1983-04-28 | Magnetron sputtering apparatusand a method for forming a magnetic thinfilm on the surface of a substrate |
| DE8383104178T DE3370830D1 (en) | 1982-04-30 | 1983-04-28 | Magnetron sputtering apparatusand a method for forming a magnetic thinfilm on the surface of a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071556A JPS58189372A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189372A JPS58189372A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0411625B2 true JPH0411625B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=13464114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57071556A Granted JPS58189372A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4441974A (ja) |
| EP (1) | EP0093412B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58189372A (ja) |
| DE (1) | DE3370830D1 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666788A (en) * | 1982-02-16 | 1987-05-19 | Teijin Limited | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
| NL8402012A (nl) * | 1983-07-19 | 1985-02-18 | Varian Associates | Magnetron spetter deklaag opbrengbron voor zowel magnetische als niet-magnetische trefplaatmaterialen. |
| US4569746A (en) * | 1984-05-17 | 1986-02-11 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter device using the same pole piece for coupling separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
| US4595482A (en) * | 1984-05-17 | 1986-06-17 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
| US4606806A (en) * | 1984-05-17 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Magnetron sputter device having planar and curved targets |
| US4657654A (en) * | 1984-05-17 | 1987-04-14 | Varian Associates, Inc. | Targets for magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
| US4892633A (en) * | 1988-11-14 | 1990-01-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
| US4865708A (en) * | 1988-11-14 | 1989-09-12 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
| US5130170A (en) * | 1989-06-28 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation |
| DE3929695C2 (de) * | 1989-09-07 | 1996-12-19 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
| US5455197A (en) * | 1993-07-16 | 1995-10-03 | Materials Research Corporation | Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer |
| US5358817A (en) * | 1993-08-31 | 1994-10-25 | Eastman Kodak Company | Toner compositions containing as a negative charge-controlling agent the calcium salt of ortho-benzoic sulfimide |
| US5358818A (en) * | 1993-08-31 | 1994-10-25 | Eastman Kodak Company | Ortho-benzoic sulfimide as charge-controlling agent |
| US5358814A (en) * | 1993-08-31 | 1994-10-25 | Eastman Kodak Company | Toner compositions containing as a negative charge-controlling agent a mixture of ortho-benzoic sulfimide and para-anisic acid |
| US5358815A (en) * | 1993-08-31 | 1994-10-25 | Eastman Kodak Company | Toner compositions containing negative charge-controlling additive |
| US5358816A (en) * | 1993-08-31 | 1994-10-25 | Eastman Kodak Company | Zinc salt of ortho-benzoic sulfimide as negative charge-controlling additive for toner and developer compositions |
| US5332637A (en) * | 1993-08-31 | 1994-07-26 | Eastman Kodak Company | Electrostatographic dry toner and developer compositions with hydroxyphthalimide |
| SE509933C2 (sv) | 1996-09-16 | 1999-03-22 | Scandinavian Solar Ab | Sätt och anordning att framställa ett spektralselektivt absorberande skikt till solkollektorer samt framställt skikt |
| US6093290A (en) | 1997-05-14 | 2000-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of generating a reciprocating plurality of magnetic fluxes on a target |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| EP1466999B1 (en) * | 2001-12-19 | 2014-10-08 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method for connecting magnetic substance target to backing plate and magnetic substance target |
| US7205960B2 (en) | 2003-02-19 | 2007-04-17 | Mirage Innovations Ltd. | Chromatic planar optic display system |
| US7297422B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Method for sputtering magnetic recording media |
| US7499216B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-03-03 | Mirage Innovations Ltd. | Wide field-of-view binocular device |
| US7492512B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-02-17 | Mirage International Ltd. | Wide field-of-view binocular device, system and kit |
| US7573640B2 (en) * | 2005-04-04 | 2009-08-11 | Mirage Innovations Ltd. | Multi-plane optical apparatus |
| US20080043334A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Mirage Innovations Ltd. | Diffractive optical relay and method for manufacturing the same |
| WO2007031991A2 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-22 | Mirage Innovations Ltd. | Diffractive optical device and system |
| EP1942364A1 (en) | 2005-09-14 | 2008-07-09 | Mirage Innovations Ltd. | Diffractive optical relay and method for manufacturing the same |
| US20090128902A1 (en) * | 2005-11-03 | 2009-05-21 | Yehuda Niv | Binocular Optical Relay Device |
| WO2008023375A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Mirage Innovations Ltd. | Diffractive optical relay device with improved color uniformity |
| WO2008149635A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Yamaguchi University | 薄膜作製用スパッタ装置 |
| US20100302644A1 (en) * | 2007-09-18 | 2010-12-02 | Mirage Innovations Ltd | Slanted optical device |
| JP2012112040A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スパッタ装置用磁気回路 |
| JP5810427B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-11-11 | Ｓｈマテリアル株式会社 | 半導体発光素子搭載用リードフレーム材用スパッタリング装置および半導体発光素子搭載用リードフレーム材の製造方法 |
| JP6572800B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2019-09-11 | 株式会社村田製作所 | 真空装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3878085A (en) * | 1973-07-05 | 1975-04-15 | Sloan Technology Corp | Cathode sputtering apparatus |
| US4116794A (en) * | 1974-12-23 | 1978-09-26 | Telic Corporation | Glow discharge method and apparatus |
| US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
| GB2028377B (en) * | 1978-08-21 | 1982-12-08 | Vac Tec Syst | Magnetically-enhanced sputtering device |
| US4180450A (en) * | 1978-08-21 | 1979-12-25 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
| US4265729A (en) * | 1978-09-27 | 1981-05-05 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device |
| US4162954A (en) * | 1978-08-21 | 1979-07-31 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
| JPS5531142A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-05 | Tomonobu Hata | Pressed magnetic field type magnetron sputter by focusing magnetic field |
| US4198283A (en) * | 1978-11-06 | 1980-04-15 | Materials Research Corporation | Magnetron sputtering target and cathode assembly |
| JPS55107776A (en) * | 1979-02-10 | 1980-08-19 | Hitachi Ltd | Planer type high speed magnetron sputtering apparatus |
| US4312731A (en) * | 1979-04-24 | 1982-01-26 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device and method |
| US4239611A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-16 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering devices |
| US4461688A (en) * | 1980-06-23 | 1984-07-24 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device having a plurality of magnetic field sources including improved plasma trapping device and method |
| US4309266A (en) * | 1980-07-18 | 1982-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetron sputtering apparatus |
| US4361472A (en) * | 1980-09-15 | 1982-11-30 | Vac-Tec Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57071556A patent/JPS58189372A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-28 EP EP83104178A patent/EP0093412B1/en not_active Expired
- 1983-04-28 US US06/489,593 patent/US4441974A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-28 DE DE8383104178T patent/DE3370830D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0093412B1 (en) | 1987-04-08 |
| EP0093412A1 (en) | 1983-11-09 |
| DE3370830D1 (en) | 1987-05-14 |
| JPS58189372A (ja) | 1983-11-05 |
| US4441974A (en) | 1984-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0411625B2 (ja) | ||
| JPS6134723A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法 | |
| JPS6367328B2 (ja) | ||
| JPH0154776B2 (ja) | ||
| JPS60217531A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0311531B2 (ja) | ||
| JPS60202526A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び装置 | |
| JP3665906B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59157828A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59172163A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH057767B2 (ja) | ||
| JPS641855B2 (ja) | ||
| JPH03237621A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0451888B2 (ja) | ||
| JPS59148139A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS59193528A (ja) | 磁気記録媒体の製造法 | |
| JPS6031013B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05128515A (ja) | スパツタ薄膜の製造方法 | |
| JPS60202524A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS5914129A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6154040A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60167122A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01211318A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0799581B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 | |
| JPS61220131A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |