JPS59178754A - 発熱体用放熱部材 - Google Patents
発熱体用放熱部材Info
- Publication number
- JPS59178754A JPS59178754A JP58052378A JP5237883A JPS59178754A JP S59178754 A JPS59178754 A JP S59178754A JP 58052378 A JP58052378 A JP 58052378A JP 5237883 A JP5237883 A JP 5237883A JP S59178754 A JPS59178754 A JP S59178754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- porous
- copper
- heat dissipating
- porosity
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
- H10W40/257—Arrangements for cooling characterised by their materials having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh or porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子などの発熱体に熱的に接合する放熱
体に関し、特に半導体素子などの発熱体に生じる熱応力
を低減し、発熱体の破壊を防止することを目的としてお
り、ＬＳｌ、ＩＣ，ダイオードなどの半導体製品に利用
される。
体に関し、特に半導体素子などの発熱体に生じる熱応力
を低減し、発熱体の破壊を防止することを目的としてお
り、ＬＳｌ、ＩＣ，ダイオードなどの半導体製品に利用
される。
従来のＬＳＩ、ＩＣ、ダイオードなどの発熱体では、熱
応力によって素子が破壊することを防止するため、その
放熱部材は例えば銅など熱伝−導性のよい部材とモリブ
デン板、あるいはタングステン板などの低膨張率を有す
る中間部材を接合して構成し、素子はこの放熱部材の低
膨張率を有する中間部材に接合される。このように、放
熱部材に中間部材としてモリブデン板を入れることによ
り低膨張の半導体素子と熱膨張の大きい銅部材との整合
がとれる。しかしながら、放熱部材にモリブデン板など
の低膨張率を有する中間部材を用いると、この部材は熱
抵抗が大きいので熱の放散が妨げられること、またモリ
ブデン板などは高価であることなどの欠点がある。
応力によって素子が破壊することを防止するため、その
放熱部材は例えば銅など熱伝−導性のよい部材とモリブ
デン板、あるいはタングステン板などの低膨張率を有す
る中間部材を接合して構成し、素子はこの放熱部材の低
膨張率を有する中間部材に接合される。このように、放
熱部材に中間部材としてモリブデン板を入れることによ
り低膨張の半導体素子と熱膨張の大きい銅部材との整合
がとれる。しかしながら、放熱部材にモリブデン板など
の低膨張率を有する中間部材を用いると、この部材は熱
抵抗が大きいので熱の放散が妨げられること、またモリ
ブデン板などは高価であることなどの欠点がある。
本発明の目的は、半導体素子などの発熱体に生じる熱応
力を低減し、同時に熱抵抗の小さい発熱体用放熱部材を
提供することにある。
力を低減し、同時に熱抵抗の小さい発熱体用放熱部材を
提供することにある。
〔発明の概要〕
半導体素子などの発熱体の接合部では放熱、特性と強度
とは互いに矛循する性質となる。放熱部材の一部にモリ
ブデン板などの低膨張率を有する部材を使用すると、放
熱が悪くなるが素子に生じる応力は低減される。まだ、
放熱部材の一部にモリブデン板などの低膨張率を有する
部材を使用しないと、放熱は良くなるが素子に大きな応
力が生じる。この低熱膨張部材を取り除いて、しかも低
応力となる状況を考察した結果、素子に接合する伝導性
部材を軟弱化すればよいことがわかった。これを実施す
るため、本発明は、熱伝導性部材の少くとも素子接合面
側を多孔質体とし、放熱部材を低熱抵抗でしかも低応力
を有するようにしたものである。
とは互いに矛循する性質となる。放熱部材の一部にモリ
ブデン板などの低膨張率を有する部材を使用すると、放
熱が悪くなるが素子に生じる応力は低減される。まだ、
放熱部材の一部にモリブデン板などの低膨張率を有する
部材を使用しないと、放熱は良くなるが素子に大きな応
力が生じる。この低熱膨張部材を取り除いて、しかも低
応力となる状況を考察した結果、素子に接合する伝導性
部材を軟弱化すればよいことがわかった。これを実施す
るため、本発明は、熱伝導性部材の少くとも素子接合面
側を多孔質体とし、放熱部材を低熱抵抗でしかも低応力
を有するようにしたものである。
以下本発明の発熱体用放熱体の一実施例を第１図および
第２図によって説明する。
第２図によって説明する。
熱伝導性のよい部材例えば銅スタット１はセラミック体
６にろう付けされた円板２と熱伝導性のよい中間部材と
して例えば銅などの多孔質部材３に銀ろう付けされてお
り、放熱体を形成している。
６にろう付けされた円板２と熱伝導性のよい中間部材と
して例えば銅などの多孔質部材３に銀ろう付けされてお
り、放熱体を形成している。
多孔質部材３の内面側には半導体素子４が金シリコン共
晶合金により接合され、この半導体素子４の端子は、リ
ード線５により外部のコバールリード線８に接続してい
る。セラミック体６と封止用セラミック体９とは低融点
ガラス７によって接合され封止している。
晶合金により接合され、この半導体素子４の端子は、リ
ード線５により外部のコバールリード線８に接続してい
る。セラミック体６と封止用セラミック体９とは低融点
ガラス７によって接合され封止している。
上記の多孔質部材３は例えば銅粉末冶金法により圧縮焼
結して形成した多孔質の焼結銅が用いられる。焼結銅の
空孔率は加圧圧力を加減して所定の割合とする。均一な
空孔率を有する焼結銅を形成するには、加圧分布、焼結
温度を厳密に制御することが重要となる。放熱体に多孔
質の焼結銅を用いた場合、焼結銅と半導体素子４との接
合は焼結銅表面に金メッキを施し、半導体素子４を金シ
リコン共晶により接合する。この場合、多孔質銅表面の
凹凸がはげしく、金メッキが困難な場合、表面のごく薄
い層のみを潰して空孔率をはヌ零としてからメッキする
かまたは、焼結時に表面のごく薄い皮層のみを空孔率を
零近くに下げて、焼結した放熱体にメッキを施しやすく
して用いることができる。次に粉末冶金法で形成した多
孔質銅の熱伝導率、降伏応力の例を示す。形成した３種
の多孔質銅の空孔率はＯチ、１３％、３０％である。
結して形成した多孔質の焼結銅が用いられる。焼結銅の
空孔率は加圧圧力を加減して所定の割合とする。均一な
空孔率を有する焼結銅を形成するには、加圧分布、焼結
温度を厳密に制御することが重要となる。放熱体に多孔
質の焼結銅を用いた場合、焼結銅と半導体素子４との接
合は焼結銅表面に金メッキを施し、半導体素子４を金シ
リコン共晶により接合する。この場合、多孔質銅表面の
凹凸がはげしく、金メッキが困難な場合、表面のごく薄
い層のみを潰して空孔率をはヌ零としてからメッキする
かまたは、焼結時に表面のごく薄い皮層のみを空孔率を
零近くに下げて、焼結した放熱体にメッキを施しやすく
して用いることができる。次に粉末冶金法で形成した多
孔質銅の熱伝導率、降伏応力の例を示す。形成した３種
の多孔質銅の空孔率はＯチ、１３％、３０％である。
これら空孔率０チ、１３チ、３０ｑ６の多孔質銅をそれ
ぞれレーザフラツンユ法で測定した熱伝導率は４００Ｋ
ｃａｔ／ｍ、 ｈ、 Ｃ，２８０Ｋｃａ７／ｍ、 ｈ、
Ｃ。
ぞれレーザフラツンユ法で測定した熱伝導率は４００Ｋ
ｃａｔ／ｍ、 ｈ、 Ｃ，２８０Ｋｃａ７／ｍ、 ｈ、
Ｃ。
１５０Ｋｃ３ｔ／ｍ、ｈ、 ｃであった。−力量孔率０
％。
％。
１３％、３０％の多孔質銅の降伏応力は３００ＭＰａ
。
。
１２４ＭＰ、、４２ＭＰ、であった。また縦弾性係数は
１３５０００Ｍ、Ｐ、 、 １０１０Ｏ５００，、３５
０００ＭＰ、であった。
１３５０００Ｍ、Ｐ、 、 １０１０Ｏ５００，、３５
０００ＭＰ、であった。
上記の多孔質銅の場合と同様の方法により測定したモリ
ブデン板の熱伝導率は１４０ Ｋ ＣａｔＡｎ 、 ｈ
、ｔ：’であった。モリブデン板を多孔質銅で置き換え
るにはモリブデン板の熱伝導率１４０Ｋ ＣａＬ／ｍ、
ｈ 、 Ｃより大きな熱伝導率を有する多孔質銅を採用
できる。例えば、仝孔率３０チの多孔質銅は１０ＫＣａ
−／％ｍ、ｈ、Ｃはどモリブデン板の熱伝導率より優れ
ている。空孔率が小さいほど伝熱特性が上がる。一方、
強度の点からはモリブデン板の降伏応力５３０Ｍ、Ｐ、
、縦弾性係数３５０００Ｍ、Ｐ、であるから、熱膨張の
大きさと縦弾性係数あるいは降伏応力との積の比較で、
この積が小さいほど放熱体から半導体素子がうける応力
は緩和される。ここで多孔質鋼の線膨張係数は空孔率に
関係な（１７Ｘ１０−’ｔ？’。
ブデン板の熱伝導率は１４０ Ｋ ＣａｔＡｎ 、 ｈ
、ｔ：’であった。モリブデン板を多孔質銅で置き換え
るにはモリブデン板の熱伝導率１４０Ｋ ＣａＬ／ｍ、
ｈ 、 Ｃより大きな熱伝導率を有する多孔質銅を採用
できる。例えば、仝孔率３０チの多孔質銅は１０ＫＣａ
−／％ｍ、ｈ、Ｃはどモリブデン板の熱伝導率より優れ
ている。空孔率が小さいほど伝熱特性が上がる。一方、
強度の点からはモリブデン板の降伏応力５３０Ｍ、Ｐ、
、縦弾性係数３５０００Ｍ、Ｐ、であるから、熱膨張の
大きさと縦弾性係数あるいは降伏応力との積の比較で、
この積が小さいほど放熱体から半導体素子がうける応力
は緩和される。ここで多孔質鋼の線膨張係数は空孔率に
関係な（１７Ｘ１０−’ｔ？’。
モリブデン板は４．９Ｘ１０−６ｒ’である。したがっ
て線膨張係数の比４．９／１７キ１／３．５ に相当
した強さの低下が必要である。すなわち、焼結銅の縦弾
性値をもつ多孔鋼であればよく、空孔率１３チ以上の多
孔質鋼が適応できる。上記例は熱伝導率と強度に関して
一面からの実施方法の例であるが、詳細には熱膨張差に
よる応力分布、放熱構造の違いによる温度分布、接合材
料、多孔質部材の厚さなどにより、空孔率は種々な範囲
が採用でき、その範囲は８チ〜５０チの範囲である。
て線膨張係数の比４．９／１７キ１／３．５ に相当
した強さの低下が必要である。すなわち、焼結銅の縦弾
性値をもつ多孔鋼であればよく、空孔率１３チ以上の多
孔質鋼が適応できる。上記例は熱伝導率と強度に関して
一面からの実施方法の例であるが、詳細には熱膨張差に
よる応力分布、放熱構造の違いによる温度分布、接合材
料、多孔質部材の厚さなどにより、空孔率は種々な範囲
が採用でき、その範囲は８チ〜５０チの範囲である。
次に本発明の放熱体の他の例を第３図により説明する。
この例は、第１図、第２図に示す例において、銅スタッ
トと中間部材とを１つの多孔性部材のみで置換える構造
としたものである。
トと中間部材とを１つの多孔性部材のみで置換える構造
としたものである。
第３図において、放熱体は多孔性部材１０例えば多孔質
鋼のみで形成され、セラミック板６にろう付けされた円
板６にろう付けされている。この多孔性部材１０の内面
側には、半導体素子４が金ンリコン共晶合金により接合
されている。そして、この半導体素子４の端子はリード
線５により外部のコバールリード線８に接続している。
鋼のみで形成され、セラミック板６にろう付けされた円
板６にろう付けされている。この多孔性部材１０の内面
側には、半導体素子４が金ンリコン共晶合金により接合
されている。そして、この半導体素子４の端子はリード
線５により外部のコバールリード線８に接続している。
また、セラミック板６と封止用のセラミック板９とは、
低融点ガラス７によって接合され封止している。このよ
うに構成すると、放熱体の一部を形成する低）彫張率を
有する中間部材が不要となり、構造および加工が容易と
なり更に小形化を図ることができる。一般に異種材料の
平板を重ねた構造で板厚方向の熱抵抗Ｒは板厚ｔに対す
る熱伝導率（λ）の比を加え合わせた値（Ｒ−Σ−）で
決まる。例えλ ば従来の構造においてモリブデン板厚さ０．８ ｍ、＝
１．７５ｘｌ Ｏ−’ （ｍ２． ｈ、 Ｃ／Ｋｃａｔ
）である。この重ね構造を空孔率１３％の多孔性銅材
料のみとした場合に、熱抵抗が等しくなる板厚は、几＝
−よ８０ す、ｔ＝ ４．９ ｓｍとなる。すなわちモリブデン板
と銅板の合わせた厚さ５．８■を空孔率１３チの焼結銅
単体に置換えるには、厚さを４．９ ｍｎと減少させる
ことが熱放散の点から必要である。このような利用は孕
孔率零の純銅が薄い場合に効果がある。
低融点ガラス７によって接合され封止している。このよ
うに構成すると、放熱体の一部を形成する低）彫張率を
有する中間部材が不要となり、構造および加工が容易と
なり更に小形化を図ることができる。一般に異種材料の
平板を重ねた構造で板厚方向の熱抵抗Ｒは板厚ｔに対す
る熱伝導率（λ）の比を加え合わせた値（Ｒ−Σ−）で
決まる。例えλ ば従来の構造においてモリブデン板厚さ０．８ ｍ、＝
１．７５ｘｌ Ｏ−’ （ｍ２． ｈ、 Ｃ／Ｋｃａｔ
）である。この重ね構造を空孔率１３％の多孔性銅材
料のみとした場合に、熱抵抗が等しくなる板厚は、几＝
−よ８０ す、ｔ＝ ４．９ ｓｍとなる。すなわちモリブデン板
と銅板の合わせた厚さ５．８■を空孔率１３チの焼結銅
単体に置換えるには、厚さを４．９ ｍｎと減少させる
ことが熱放散の点から必要である。このような利用は孕
孔率零の純銅が薄い場合に効果がある。
次に第３図に示すような、放熱体を構成する多孔質部材
を銅粉のみで焼結形成する以外の例について述べる。放
熱体の半導体素子接合面側のみ、空孔率をあげ、他の部
分は空孔率を下げることによって半導体素子との熱膨張
差による熱応力を下げ、同時に熱伝導率を良くすること
ができる。このような構造の放熱体は銅材料上に銅粉末
をのせ焼結することによシ作成することができる。
を銅粉のみで焼結形成する以外の例について述べる。放
熱体の半導体素子接合面側のみ、空孔率をあげ、他の部
分は空孔率を下げることによって半導体素子との熱膨張
差による熱応力を下げ、同時に熱伝導率を良くすること
ができる。このような構造の放熱体は銅材料上に銅粉末
をのせ焼結することによシ作成することができる。
また、焼結体と半導体素子との接合面近傍（あるいは表
面全体）のみにモリブデン粉やクンクステン粉や黒鉛粉
などの低膨張率を有する材料を銅粉に混合して焼結した
放熱体を用いることにより、放熱特性に優れ、しかも半
導体素子に生じる熱応さ 力が／Ｊ＼い放熱体に提供することができる。 −また
、更に熱伝導性がよい材料を混合して空孔を形成した二
種以上の材料から成る銅焼結体も使用できる。銅粉に５
％の黒鉛を含有させた焼結体を作成した場合、計算で推
定した値と同程度の熱伝導率と強度が得られた。
面全体）のみにモリブデン粉やクンクステン粉や黒鉛粉
などの低膨張率を有する材料を銅粉に混合して焼結した
放熱体を用いることにより、放熱特性に優れ、しかも半
導体素子に生じる熱応さ 力が／Ｊ＼い放熱体に提供することができる。 −また
、更に熱伝導性がよい材料を混合して空孔を形成した二
種以上の材料から成る銅焼結体も使用できる。銅粉に５
％の黒鉛を含有させた焼結体を作成した場合、計算で推
定した値と同程度の熱伝導率と強度が得られた。
上記の各実施例において、素子はモリブデンなどの低膨
張率を有する中間部材を介在させないで直接に熱伝導率
のよい部材からなる放熱体に接合するため、熱伝導が改
善され、低膨張率の中間部材が無用となることで材料費
が節約される。特にモリブデンなどの低膨張率を有する
材料は高価な材料であり材料費の節約は大きな効果とな
る。また、一般に中間部材は打ち抜きあるいは焼結で作
り板の両面が平行でなくそっているため、１体素子と銅
放熱体とを接合すると薄肉厚の素子が曲がって接合され
る。低膨張率の中間部材を無くすることで素子の接合部
の構造が簡単化され、しかも、モリブデンなどの中間部
材に起因する曲がりが解消される効果がある。またモリ
ブデンなどの中間部材は熱的・機械的性質が定っており
モリブデンなどの中間部材を導入すると素子・中間部材
・銅で形成される半導体部品ではシリコンに生じる応力
は一義的に決まる。しかし焼結多孔質鋼を用いた場合、
空孔率を変えることで熱伝導率・降伏・引張強さ等を目
的に応じて制御することができる。
張率を有する中間部材を介在させないで直接に熱伝導率
のよい部材からなる放熱体に接合するため、熱伝導が改
善され、低膨張率の中間部材が無用となることで材料費
が節約される。特にモリブデンなどの低膨張率を有する
材料は高価な材料であり材料費の節約は大きな効果とな
る。また、一般に中間部材は打ち抜きあるいは焼結で作
り板の両面が平行でなくそっているため、１体素子と銅
放熱体とを接合すると薄肉厚の素子が曲がって接合され
る。低膨張率の中間部材を無くすることで素子の接合部
の構造が簡単化され、しかも、モリブデンなどの中間部
材に起因する曲がりが解消される効果がある。またモリ
ブデンなどの中間部材は熱的・機械的性質が定っており
モリブデンなどの中間部材を導入すると素子・中間部材
・銅で形成される半導体部品ではシリコンに生じる応力
は一義的に決まる。しかし焼結多孔質鋼を用いた場合、
空孔率を変えることで熱伝導率・降伏・引張強さ等を目
的に応じて制御することができる。
以上説明したように、本発明によれば、素子に生じる熱
応力を低減し、同時に熱抵抗の小さい放熱体を得ること
ができる。
応力を低減し、同時に熱抵抗の小さい放熱体を得ること
ができる。
第１図は本発明の放熱体の一実施例を説明する平面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明の放熱
体の他の実施例を説明する断面図である。 １・・・銅スタット、３・・・多孔管部材、４・・・半
導体素子、６・・・セラミック体、７・・・封止ガラス
、８・・・リード線、９・・・セラミック体、１０・・
・多孔質部材。 χ １ 図 第 ２ 図 闇 ３ 図
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明の放熱
体の他の実施例を説明する断面図である。 １・・・銅スタット、３・・・多孔管部材、４・・・半
導体素子、６・・・セラミック体、７・・・封止ガラス
、８・・・リード線、９・・・セラミック体、１０・・
・多孔質部材。 χ １ 図 第 ２ 図 闇 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発熱体と熱的に接合し、発熱体の熱を吸収。 発散させる熱伝導性部材からなる放熱体を見えた発熱体
用放熱部材において、前記放熱体の少くとも発熱体が接
合される面側部に、所定の空孔率を有する多孔質部を形
成したことを特徴とする発熱体用放熱部材。 ２、放熱体を、多孔質部材で構成し、この放熱体に発熱
体を接合したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の発熱体用放熱部材。 ３、放熱体の一面に多孔質部材を接合し、この多孔質部
材に発熱体を接合したこと全特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の発熱体用放熱部材。 ４、放熱体の発熱体接合面側の空孔率を他の部分より太
きくしたこと′４ｃ％徴とする特許請求の範囲第２項記
載の発熱体用放熱部材。 ５、多孔質部は銅粉を焼結して形成した多孔質銅である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のいず
ｎか１項に記載の発熱体用放熱部材。 ６、多孔質部は銅粉と低膨張材料粉とを部分して焼結し
て形成した多孔質銅であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項〜第３項のいずれか１項に記載の発熱体用放
熱部材。 ７、多孔質部の空孔率を８チ〜５０チに選定したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれか１
項に記載の発熱体用放熱部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052378A JPS59178754A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 発熱体用放熱部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58052378A JPS59178754A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 発熱体用放熱部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178754A true JPS59178754A (ja) | 1984-10-11 |
Family
ID=12913135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58052378A Pending JPS59178754A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 発熱体用放熱部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053855A (en) * | 1988-10-25 | 1991-10-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded-type semiconductor device |
| US6257487B1 (en) | 1989-09-06 | 2001-07-10 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
| US6915951B2 (en) | 1989-09-06 | 2005-07-12 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58052378A patent/JPS59178754A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053855A (en) * | 1988-10-25 | 1991-10-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded-type semiconductor device |
| US6257487B1 (en) | 1989-09-06 | 2001-07-10 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
| US6378775B2 (en) | 1989-09-06 | 2002-04-30 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
| US6915951B2 (en) | 1989-09-06 | 2005-07-12 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
| US6926200B1 (en) | 1989-09-06 | 2005-08-09 | Fujitsu Limited | Electronic cashless system |
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