JPS5918193A - 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法Info
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- JPS5918193A JPS5918193A JP12471382A JP12471382A JPS5918193A JP S5918193 A JPS5918193 A JP S5918193A JP 12471382 A JP12471382 A JP 12471382A JP 12471382 A JP12471382 A JP 12471382A JP S5918193 A JPS5918193 A JP S5918193A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に、順次積層された少くとも２つの層
を液相成長させることができる液相エピタキシセル成長
用装置及びそれを使用して、基板上に、順次積層された
少くと−Ｉ：）２つの層を、液相成長させる液相エピタ
キシャル成長法に関し、特に基板上に順次積層された複
数の半導体層を形成してなる構成を有する半導体受光素
子用つ」−ファを形成する場合に適用して、好適なもの
である。
を液相成長させることができる液相エピタキシセル成長
用装置及びそれを使用して、基板上に、順次積層された
少くと−Ｉ：）２つの層を、液相成長させる液相エピタ
キシャル成長法に関し、特に基板上に順次積層された複
数の半導体層を形成してなる構成を有する半導体受光素
子用つ」−ファを形成する場合に適用して、好適なもの
である。
基板上に、順次積層された少くども２つの層を液相成長
さぜることができる液相エピタキシャル成長用装置とし
゛Ｃ１従来、次の構成を有で−るものが提案されている
。
さぜることができる液相エピタキシャル成長用装置とし
゛Ｃ１従来、次の構成を有で−るものが提案されている
。
即ち、第１図に示ずように、上面に基板載置用凹所１を
形成している基板載置用摺動板２を有する。
形成している基板載置用摺動板２を有する。
また、基板載置用摺動板２上にその上面と接触して配さ
れ、且つ基板載置用摺動板２の上面と共働して、順次、
例えば４つの融液保持用槽Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３及びＢ４を
それぞれ形成している、相対向する主面間に貫通してい
る貫通孔Ｈ１，＋１２．８３及びＨ４を有する融液保持
用固定板３を有する。この場合、貫通孔Ｈ１，Ｈ２、Ｈ
３及びＨ４は、互に同じパターン（形成及び面積が同じ
）を有づる。
れ、且つ基板載置用摺動板２の上面と共働して、順次、
例えば４つの融液保持用槽Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３及びＢ４を
それぞれ形成している、相対向する主面間に貫通してい
る貫通孔Ｈ１，＋１２．８３及びＨ４を有する融液保持
用固定板３を有する。この場合、貫通孔Ｈ１，Ｈ２、Ｈ
３及びＨ４は、互に同じパターン（形成及び面積が同じ
）を有づる。
さらに、基板載置用摺動板２を、融液保持用固定板３に
対して摺動させる手段４としての、押杆５を有する。
対して摺動させる手段４としての、押杆５を有する。
尚、第１図において、６は、基板載置用摺動板２が融液
保持用固定板３に対して摺動し得るように、それ等を保
持している固定保持板である。
保持用固定板３に対して摺動し得るように、それ等を保
持している固定保持板である。
以上が、従来提案されている液相エピタキシャル成長用
装置の構成であるが、このような構成を有づる液相エピ
タキシャル成長用装置を使用して、基板上に、順次積層
された少くとも２つの層を、液相成長させる液相エピタ
キシャル成長法とし−Ｃ１従来次の方法が提案さ〜れて
いる。
装置の構成であるが、このような構成を有づる液相エピ
タキシャル成長用装置を使用して、基板上に、順次積層
された少くとも２つの層を、液相成長させる液相エピタ
キシャル成長法とし−Ｃ１従来次の方法が提案さ〜れて
いる。
即ち、第２図に示すように、上述した液相エピタキシ１
フル成長用装置の基板載置用摺動板２を、その基板載置
用凹所１に基板Ａを配した状態で（第２図Ａ）、その基
板Ａが融液保持用槽Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３及びＢ４にそれぞ
れ予め保持されている融液Ｍ１．Ｍ２．Ｍ３及びＭ４と
順次接触りるように、押杆５を用いて、融液保持用固定
板３に対して１習動させることによって（第２図Ｂ、Ｃ
，Ｄ及びＥ）、基板Ａ上に、順次積層された４つの層し
１．Ｈ２，Ｈ３及びＨ４（図示せず）を液相成長させ、
次で、基板載置用摺動板２を、その基板載置用凹所１か
ら基板Ａを取出し得る位置まで摺動さぜ（第２図Ｆ）、
そして基板載置用凹所１から基板Ａを取出し、かくて、
第３図に示すように、基板Ａ上に、順次槽層された４つ
の層Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３及びＬ４を有するウェファＷを得
る、という方法が提案されている。
フル成長用装置の基板載置用摺動板２を、その基板載置
用凹所１に基板Ａを配した状態で（第２図Ａ）、その基
板Ａが融液保持用槽Ｂｌ、Ｂ２．Ｂ３及びＢ４にそれぞ
れ予め保持されている融液Ｍ１．Ｍ２．Ｍ３及びＭ４と
順次接触りるように、押杆５を用いて、融液保持用固定
板３に対して１習動させることによって（第２図Ｂ、Ｃ
，Ｄ及びＥ）、基板Ａ上に、順次積層された４つの層し
１．Ｈ２，Ｈ３及びＨ４（図示せず）を液相成長させ、
次で、基板載置用摺動板２を、その基板載置用凹所１か
ら基板Ａを取出し得る位置まで摺動さぜ（第２図Ｆ）、
そして基板載置用凹所１から基板Ａを取出し、かくて、
第３図に示すように、基板Ａ上に、順次槽層された４つ
の層Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３及びＬ４を有するウェファＷを得
る、という方法が提案されている。
然しながら、上述した従来の液相エビタキシセル成長用
装置及びそれを使用した液相エピタキシャル成長法の場
合、次の欠点を有していた。
装置及びそれを使用した液相エピタキシャル成長法の場
合、次の欠点を有していた。
即ち、上述した従来の液相エピタキシャル成長用装置の
場合、その融液保持用槽Ｂ１．Ｂ２゜Ｂ３及びＢ４をそ
れぞれ形成している融液保持用固定板３に有する、ｈ通
孔Ｈ１，）−１２，８３及びＨ４が、互に同じパターン
を有するので、層し２〜１−４中の１つ（これを後の層
と（る）を形成づるために、基板Ａを後の層を形成する
ための融液保持用槽に保持されている融液に接触させる
ように摺動させたとき、後の層の前に形成されていた層
（これを前の層とＪる）の側縁に、後の層を形成するた
めの融液が接触して、前の層の側縁の材料が後の層を形
成づるための融液中に溶は込み、このため、後の層が所
期の組成を有するものとして形成されないという１、
従って、例えば、上述したウェファＷを、その基板へが
例えば３ ｎを添加しているＮ＋型の１０１〕基板、層
し１がＮ型の１ｎｆ）バッファ層、層１２がＮ−型のＩ
ｎ Ｇａ Ａｓ系光吸収層、層Ｌ３がＮ−型のｌ ｎ
Ｇａ Ａｓ Ｆ）系メルトバック保護層、層Ｌ４がＮ又
はＮ−型のＩｎ＋）光増倍層である、接合分離形アバラ
ンシエフ７Ｉｔ〜ダイオード用半導体ウェファとして得
る場合（尚、このウェファを用いた接合分離形アバラン
シ１）４トダイＡ−ドは、そのＩｎＰ光増倍層である層
［４の、層Ｌ３側とは反対側に、Ｐ型不純物の導入によ
って、ＰＮ接合を形成覆るように、Ｐ型頭域を形成しで
、構成される）、［１２としての１ｎＧａＡｓ系光吸収
層の側縁に、層し４としての１１１Ｐ光増倍層を形成す
るための融液が接触すれば、その融液がＩｎＧａＡＳＰ
系層が形成される融液に変化し、従っＣ層Ｌ４がＩｎＰ
光増倍層としてではなく、１ｎＧａＡｓＰ系層として形
成され、従ってつ１ノアＷを、所期の特性を有する接合
分離形アバランシエフＡ１−ダイオ−１：用半導体ウェ
ファとして得ることが出来ない欠点を有していた。
場合、その融液保持用槽Ｂ１．Ｂ２゜Ｂ３及びＢ４をそ
れぞれ形成している融液保持用固定板３に有する、ｈ通
孔Ｈ１，）−１２，８３及びＨ４が、互に同じパターン
を有するので、層し２〜１−４中の１つ（これを後の層
と（る）を形成づるために、基板Ａを後の層を形成する
ための融液保持用槽に保持されている融液に接触させる
ように摺動させたとき、後の層の前に形成されていた層
（これを前の層とＪる）の側縁に、後の層を形成するた
めの融液が接触して、前の層の側縁の材料が後の層を形
成づるための融液中に溶は込み、このため、後の層が所
期の組成を有するものとして形成されないという１、
従って、例えば、上述したウェファＷを、その基板へが
例えば３ ｎを添加しているＮ＋型の１０１〕基板、層
し１がＮ型の１ｎｆ）バッファ層、層１２がＮ−型のＩ
ｎ Ｇａ Ａｓ系光吸収層、層Ｌ３がＮ−型のｌ ｎ
Ｇａ Ａｓ Ｆ）系メルトバック保護層、層Ｌ４がＮ又
はＮ−型のＩｎ＋）光増倍層である、接合分離形アバラ
ンシエフ７Ｉｔ〜ダイオード用半導体ウェファとして得
る場合（尚、このウェファを用いた接合分離形アバラン
シ１）４トダイＡ−ドは、そのＩｎＰ光増倍層である層
［４の、層Ｌ３側とは反対側に、Ｐ型不純物の導入によ
って、ＰＮ接合を形成覆るように、Ｐ型頭域を形成しで
、構成される）、［１２としての１ｎＧａＡｓ系光吸収
層の側縁に、層し４としての１１１Ｐ光増倍層を形成す
るための融液が接触すれば、その融液がＩｎＧａＡＳＰ
系層が形成される融液に変化し、従っＣ層Ｌ４がＩｎＰ
光増倍層としてではなく、１ｎＧａＡｓＰ系層として形
成され、従ってつ１ノアＷを、所期の特性を有する接合
分離形アバランシエフＡ１−ダイオ−１：用半導体ウェ
ファとして得ることが出来ない欠点を有していた。
よって、本発明は、上述した欠点のない、新ｗＡｔ液相
エピタキシャル成長用装置及びそれを使用した液相エピ
タキシャル成長法を提案せんとづるものである。
エピタキシャル成長用装置及びそれを使用した液相エピ
タキシャル成長法を提案せんとづるものである。
第４図は、本発明による液相エピタキシャル成長用装置
の実施例を示し、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明は省略するが、第１図の場合と同様に、上
面に基板載置用凹所１を形成している基板載置用摺動板
２を有する。
の実施例を示し、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明は省略するが、第１図の場合と同様に、上
面に基板載置用凹所１を形成している基板載置用摺動板
２を有する。
また、第１図の場合と同様に、基板載置用摺動板２上に
その上面と接触しＣ配され、且つ基板載置用摺動板２の
上面と共働して、順次、例えば４つの融液保持用槽８１
．Ｂ２．Ｂ３及びＢ４（以下それ等を下部融液保持用槽
Ｂ１．Ｂ２、Ｂ３及びＢ４と称す）をそれぞれ形成して
いる、相対向する主面間に貫通している貫通孔）Ｉｌ、
）−１２，）−１３及び）−１４＜以下それ等を下部貫
通孔と称す）を有づる融液保持用固定板３をイｊりる。
その上面と接触しＣ配され、且つ基板載置用摺動板２の
上面と共働して、順次、例えば４つの融液保持用槽８１
．Ｂ２．Ｂ３及びＢ４（以下それ等を下部融液保持用槽
Ｂ１．Ｂ２、Ｂ３及びＢ４と称す）をそれぞれ形成して
いる、相対向する主面間に貫通している貫通孔）Ｉｌ、
）−１２，）−１３及び）−１４＜以下それ等を下部貫
通孔と称す）を有づる融液保持用固定板３をイｊりる。
但し、この場合、下部貫通孔１−１４を除いた′ト部貢
通孔）」１〜］」３は、互に同じパターンを有するが、
下部貫通孔Ｈ４は、下部貫通孔Ｈ１〜Ｈ３に比し−周り
小さいパターンを有する。
通孔）」１〜］」３は、互に同じパターンを有するが、
下部貫通孔Ｈ４は、下部貫通孔Ｈ１〜Ｈ３に比し−周り
小さいパターンを有する。
さらに、融液保持用固定板３上にその上面と接触して配
され、且つ融液保持用固定板３の上面と共働し−Ｃ１順
次、例えば４つの上部融液保持用槽ＣＩ、Ｃ２，Ｃ３及
びＣ４を形成している、相対向づる主面間に貫通してい
る上部貫通孔Ｊ１．Ｊ２．Ｊ３及びＪ４を有づる融液保
持用摺動板１１を有する。
され、且つ融液保持用固定板３の上面と共働し−Ｃ１順
次、例えば４つの上部融液保持用槽ＣＩ、Ｃ２，Ｃ３及
びＣ４を形成している、相対向づる主面間に貫通してい
る上部貫通孔Ｊ１．Ｊ２．Ｊ３及びＪ４を有づる融液保
持用摺動板１１を有する。
尚さらに、基板載置用摺動板２と、融液保持用摺動板１
１とを、融液保持用固定板３に対して各別に摺動させる
手段１２とし−Ｃの、延長方向の軸の周りに回動自在な
押ｉｆ １３を右する。
１とを、融液保持用固定板３に対して各別に摺動させる
手段１２とし−Ｃの、延長方向の軸の周りに回動自在な
押ｉｆ １３を右する。
尚、第４図において、１４は、基板載置用摺動板２と、
融液保持用摺動板１１とが、融液保持用固定板３に対し
てｍ勤し１ｑるように、それ等を保持している固定保持
板である。
融液保持用摺動板１１とが、融液保持用固定板３に対し
てｍ勤し１ｑるように、それ等を保持している固定保持
板である。
以上が、本発明による液相エピタキシャル成長用装置の
実施例であるが、次にこのような本発明による液相エピ
タキシャル成長用装置を使用した、本発明による液相エ
ピタキシャル成長法の実施例を述べよう。
実施例であるが、次にこのような本発明による液相エピ
タキシャル成長用装置を使用した、本発明による液相エ
ピタキシャル成長法の実施例を述べよう。
第５図に示づように、上述した本発明による液相１ビタ
キシヤル成長用装置の基板載置用摺動板２を、その基板
載置用凹所１に、第２図Ａで−Ｆ述したと同様に、基板
Ａを配した状態で（第５図Ａ）、その基板Ａが、下部融
液保持用槽Ｂ４を除いた下部融液保持用槽Ｂ１．Ｂ２及
びＢ３にそれぞれ予め保持されている融液Ｍｌ。
キシヤル成長用装置の基板載置用摺動板２を、その基板
載置用凹所１に、第２図Ａで−Ｆ述したと同様に、基板
Ａを配した状態で（第５図Ａ）、その基板Ａが、下部融
液保持用槽Ｂ４を除いた下部融液保持用槽Ｂ１．Ｂ２及
びＢ３にそれぞれ予め保持されている融液Ｍｌ。
Ｍ２及びＭ３と順次接触させるように、押杆１３を用い
て、融液保持用固定板３に対して震動さけることによっ
て（第５図Ｂ、Ｃ及びＤ）、基板Ａ上に、順次積層され
た３つの層Ｌｌ、Ｌ２及び１−３（図示せず）を液相成
長させる。
て、融液保持用固定板３に対して震動さけることによっ
て（第５図Ｂ、Ｃ及びＤ）、基板Ａ上に、順次積層され
た３つの層Ｌｌ、Ｌ２及び１−３（図示せず）を液相成
長させる。
次に、基板載置用凹所板２を、順次積層された層し１．
Ｌ２及びＬ３を液相成長させている基板Δが融液保持用
固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４下に持ち来たされる位
置まで摺動さＵる（第５図Ｆ）。
Ｌ２及びＬ３を液相成長させている基板Δが融液保持用
固定板３の下部融液保持用槽Ｂ４下に持ち来たされる位
置まで摺動さＵる（第５図Ｆ）。
次に、融液保持用１習動板１１を、予め融液に４を保持
している上部融液保持用槽Ｃ４が融液保持用固定板３の
下部融液保持用槽Ｂ４＋に持ち来たされる位置まで摺動
させて、融液に４を融液保持用固定板３の下部融液保持
用槽Ｂ４に導入さＬｊ（第５図Ｆ）、よって、融液に４
を上述した層Ｌ３に接触させることによって、層Ｌ３上
に、層し４（図示ぜず）を液相成長さぜる。
している上部融液保持用槽Ｃ４が融液保持用固定板３の
下部融液保持用槽Ｂ４＋に持ち来たされる位置まで摺動
させて、融液に４を融液保持用固定板３の下部融液保持
用槽Ｂ４に導入さＬｊ（第５図Ｆ）、よって、融液に４
を上述した層Ｌ３に接触させることによって、層Ｌ３上
に、層し４（図示ぜず）を液相成長さぜる。
然る後、基板載置用摺動板２を、その基板載置用凹所１
から基板△を取出し得る位置まで、上述したと同じ方向
に摺動さＵ（第５図Ｇ）、基板載置用凹所１から基板Ａ
を取出し、かくて、第３図で上述したと同様に、基板Δ
上に、順次積層された４つの層＋ １．Ｌ２，１３及び
Ｌ４を右７るつｌファＷを得る。
から基板△を取出し得る位置まで、上述したと同じ方向
に摺動さＵ（第５図Ｇ）、基板載置用凹所１から基板Ａ
を取出し、かくて、第３図で上述したと同様に、基板Δ
上に、順次積層された４つの層＋ １．Ｌ２，１３及び
Ｌ４を右７るつｌファＷを得る。
以上で、本発明による液相エピタキシャル成長用装置の
実施例、及び本発明による液相１ピタキシヤル成長法の
実施例が明らかとなった。
実施例、及び本発明による液相１ピタキシヤル成長法の
実施例が明らかとなった。
本発明による上述した液相エピタキシャル成長用装置の
場合、その下部融液保持用槽Ｂｌ。
場合、その下部融液保持用槽Ｂｌ。
Ｂ２，８３及びＢ４をそれぞれ形成している融液保持用
固定板３に有する、下部貫通孔１−１１゜１−１２，１
−１３及び（」４中の下部貫通孔Ｈ４が、他の下部貫通
孔ト１１〜（」３に比し、−周り小さいパターンを有す
る。
固定板３に有する、下部貫通孔１−１１゜１−１２，１
−１３及び（」４中の下部貫通孔Ｈ４が、他の下部貫通
孔ト１１〜（」３に比し、−周り小さいパターンを有す
る。
また、本発明による上述した液相エピタキシャル成長法
の場合、基板載置用摺動板２を摺動させて、基板Ａ上に
層し１〜Ｌ３を順次積層して形成して後、基板載置用摺
動板２を、基板Ａが下部融液保持用槽Ｂ４下に持ち来た
される位置まで摺動させ、そして層Ｌ３に融液保持用固
定板１１側からの融液に４を接触させることによって、
層Ｌ３上に層Ｌ４を形成する。
の場合、基板載置用摺動板２を摺動させて、基板Ａ上に
層し１〜Ｌ３を順次積層して形成して後、基板載置用摺
動板２を、基板Ａが下部融液保持用槽Ｂ４下に持ち来た
される位置まで摺動させ、そして層Ｌ３に融液保持用固
定板１１側からの融液に４を接触させることによって、
層Ｌ３上に層Ｌ４を形成する。
このため、本発明による上述した液相エピタキシャル成
長用装置及びそれを使用した液相エピタキシャル成長法
の場合、層し４を形成するときに、層し１〜Ｌ３の側縁
が、層Ｌ４を形成するための融液に４に接触することに
より回避させることができる。
長用装置及びそれを使用した液相エピタキシャル成長法
の場合、層し４を形成するときに、層し１〜Ｌ３の側縁
が、層Ｌ４を形成するための融液に４に接触することに
より回避させることができる。
従って、前述したように、例えば、上述したウェファＷ
を、その基板Δが例えば３ｎを添加しているＮ＋型のＩ
ｎＰ基板、層［１がＮ型のｌｎｐバッフＩ層、）ＰＪＬ
２がＮ−型のＩｎＧａＡｓ系光吸収層、層し３がＮ−型
のＩｎＧａＡｓｐ系メル１ヘパツク保護層、層］−４が
Ｎ又はＮ−型のＩｎＰｎ増光層である、接合分離形アバ
ランシ−［）ＡトダイＡ−ド用半導体ウェファとして得
ても、層し４をＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ系層としｌＣはな
く、所期のＪｎＰｎ増光層どしで形成することができ、
従って、ウェファＷを、所期の特性を有する接合分離形
アバランシェフォトダイＡ−ド用半導体ウェファとしＣ
１容易に得ることができるという人なる特徴を右する。
を、その基板Δが例えば３ｎを添加しているＮ＋型のＩ
ｎＰ基板、層［１がＮ型のｌｎｐバッフＩ層、）ＰＪＬ
２がＮ−型のＩｎＧａＡｓ系光吸収層、層し３がＮ−型
のＩｎＧａＡｓｐ系メル１ヘパツク保護層、層］−４が
Ｎ又はＮ−型のＩｎＰｎ増光層である、接合分離形アバ
ランシ−［）ＡトダイＡ−ド用半導体ウェファとして得
ても、層し４をＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ系層としｌＣはな
く、所期のＪｎＰｎ増光層どしで形成することができ、
従って、ウェファＷを、所期の特性を有する接合分離形
アバランシェフォトダイＡ−ド用半導体ウェファとしＣ
１容易に得ることができるという人なる特徴を右する。
因みに、前述した従来の液相上・ビタキシャル成長用装
置を用いた、従来の液相エピタキシャル成長法によって
、前述したウエフＩＷを、接合分離形アバランシェフォ
トダイ、オード用半導体つ１フ１として得た場合、第６
図ＡのＸ線ロッキング曲線図に示すように、＠［２が、
ＩｎＧａ Ａｓ系材料でなる場合の回折角θの位置をと
るものとして得られるとしても、層Ｌ４が、ＩｎＰでな
る場合の回折角θの位置をとるものとして得られるべき
であるにも拘わらず、１ｎＧａ Ａｓ Ｐ糸材料でなる
場合の回折角θの位置をとるものとして得られた。
置を用いた、従来の液相エピタキシャル成長法によって
、前述したウエフＩＷを、接合分離形アバランシェフォ
トダイ、オード用半導体つ１フ１として得た場合、第６
図ＡのＸ線ロッキング曲線図に示すように、＠［２が、
ＩｎＧａ Ａｓ系材料でなる場合の回折角θの位置をと
るものとして得られるとしても、層Ｌ４が、ＩｎＰでな
る場合の回折角θの位置をとるものとして得られるべき
であるにも拘わらず、１ｎＧａ Ａｓ Ｐ糸材料でなる
場合の回折角θの位置をとるものとして得られた。
これに対し、本発明による上述した液相エピタキシャル
成長用装置を用いた、本発明による上述した液相エピタ
キシャル成長法によって、上述したつ１フアＷを、上述
した接合型アバランシェフォトダイオード用半導体ウェ
ファとして（ｑだ場合、ｌ１Ｌ２及びし４が、それぞれ
所期のＩｎＧａＡｓ系材料及びＩｎｋ）でなる場合の回
折角θの位置をとるものとして得られた。
成長用装置を用いた、本発明による上述した液相エピタ
キシャル成長法によって、上述したつ１フアＷを、上述
した接合型アバランシェフォトダイオード用半導体ウェ
ファとして（ｑだ場合、ｌ１Ｌ２及びし４が、それぞれ
所期のＩｎＧａＡｓ系材料及びＩｎｋ）でなる場合の回
折角θの位置をとるものとして得られた。
尚、上述においては、本発明による液相エピタキシャル
成長用装置及び本発明による液相エピタキシャル成長法
のそれぞれにつき、１つの実施例を示したに留まり、本
発明の精神を脱することなしに、種々の変型、変更をな
しくｑるであろう。
成長用装置及び本発明による液相エピタキシャル成長法
のそれぞれにつき、１つの実施例を示したに留まり、本
発明の精神を脱することなしに、種々の変型、変更をな
しくｑるであろう。
第１図は、従来の液相エピタキシ＋フル成長用装置を示
す路線的断面図である。 第２図Ａ−Ｆは、第１図に示す従来の液相］−ビタキシ
レル成長用装置を使用した、従来の液相１ビタキシヤル
成長法を示づ、順次の１程にお＄Ｊる路線的断面図であ
る。 第３図は、従来及び本発明の液相」−ビタキシレル成長
法によって得ることができるウェファの一例を示り路線
的断面図である。 第４図は、本発明による液相エピタキシＶル成長用装置
の実施例を示づ路線的断面図である。 第５図Ａ〜Ｇは、第４図に示１本発明による液相１ビタ
キシヤル成長用装置を使用した、本発明による液相１ビ
タキシＶル成長法の実施例を示づ、順次の工程にお（）
る路線的断面図である。 第６図へ及びＢは、それそ′れ従来、及び本発明による
液相エピタキシャル成長法によって得られる、ウェファ
のＸ線ロッキング曲線図人ある。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板載置用凹
所２・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板載置用
摺動板３・・・・・・・・・・・・・・・・・・融液保
持用固定板８１〜Ｂ２・・・・・・下部融液保持用槽１
」１〜Ｈ４・・・・・・下部貫通孔 Ｃ１〜Ｃ４・・・・・・上部融液保持用槽Ｊ１〜Ｊ４・
・・・・・上部貫通孔 １１・・・・・・・・・・・・・・・融液保持用摺動板
１２・・・・・・・・・・・・・・・摺動手段１３・・
・・・・・・・・・・・・・押杆１４・・・・・・・・
・・・・・・・固定保持板△・・・・・・・・・・・・
・・・・・・基板Ｍ１〜Ｍ３．に４ ・・・・・・・・・・・・・・・融液 し１〜Ｌ４・・・・・・層
す路線的断面図である。 第２図Ａ−Ｆは、第１図に示す従来の液相］−ビタキシ
レル成長用装置を使用した、従来の液相１ビタキシヤル
成長法を示づ、順次の１程にお＄Ｊる路線的断面図であ
る。 第３図は、従来及び本発明の液相」−ビタキシレル成長
法によって得ることができるウェファの一例を示り路線
的断面図である。 第４図は、本発明による液相エピタキシＶル成長用装置
の実施例を示づ路線的断面図である。 第５図Ａ〜Ｇは、第４図に示１本発明による液相１ビタ
キシヤル成長用装置を使用した、本発明による液相１ビ
タキシＶル成長法の実施例を示づ、順次の工程にお（）
る路線的断面図である。 第６図へ及びＢは、それそ′れ従来、及び本発明による
液相エピタキシャル成長法によって得られる、ウェファ
のＸ線ロッキング曲線図人ある。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板載置用凹
所２・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板載置用
摺動板３・・・・・・・・・・・・・・・・・・融液保
持用固定板８１〜Ｂ２・・・・・・下部融液保持用槽１
」１〜Ｈ４・・・・・・下部貫通孔 Ｃ１〜Ｃ４・・・・・・上部融液保持用槽Ｊ１〜Ｊ４・
・・・・・上部貫通孔 １１・・・・・・・・・・・・・・・融液保持用摺動板
１２・・・・・・・・・・・・・・・摺動手段１３・・
・・・・・・・・・・・・・押杆１４・・・・・・・・
・・・・・・・固定保持板△・・・・・・・・・・・・
・・・・・・基板Ｍ１〜Ｍ３．に４ ・・・・・・・・・・・・・・・融液 し１〜Ｌ４・・・・・・層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上面に基板載置用凹所を形成している基板載置用摺
動板と、 上記基板載置用摺動板上にその上面と接触して配され、
月つ上記基板載置用摺動板の上面と共働して、少くとも
第１の下部融液保持用槽と、第２の下部融液保持用槽と
をそれぞれ形成している、相対向する主面間に貫通して
いる第１の下部貫通孔と、該第１の下部貫通孔に比し−
周り小さいパターンを有する第２の下部貫通孔とを有す
る融液保持用固定板と、 上記融液保持用固定板上にその上面と接触して配され、
且つ上記融液保持用固定板の上面と共働して、少くとも
１つの上部融液保持用槽を形成している、相対向する主
面間に與通し、ている上部貫通孔を有する融液保持用摺
動板と、 上記基板載置用摺動板と、上記融液保持用摺動板とを、
上記融液保持用固定板に対して各別に摺動さＵる手段と
を具備することを特徴とする液相エピタキシャル成長用
装置。 ２、上面に基板載置用凹所を形成しＣいる基板載置用摺
動板と、 基板載置用摺動板上にその上面と接触しＣ配され、且つ
上記基板載置用摺動板の上面と共働して、少くとも第１
の下部融液保持用槽と、第２の下部融液保持用槽とをそ
れぞれ形成している、相対向する主面間に貫通している
第１の下部貫通孔と、該第１の下部貫通孔に比し−回り
小さいパターンを有する第２の下部貫通孔とを有する融
液保持用固定板と、上記融液保持用固定板上にその上面
と接触して配され、且つ上記融液保持用固定板の上面と
共働しく゛、少くとも１つの上部融液保持用槽を形成し
ている、相対向１゛る主面間に貫通している上部貫通孔
を有する融液保持用摺動板と、 上記基板載置用摺動板と、上記鉦″液保持用摺動板とを
、上記融液保持用固定板に対して各別に摺動させる手段
とを具備する液相エピタキシャル成長用装置を用い、 上記基板載置用摺動板を、その基板載置用凹所に基板を
配した状態で、その基板が上記第１の下部融液保持用槽
に予め保持されている第１の融液と接触するように摺動
さぜることによっ−Ｃ１上記基板上に、第１の層を液相
成長させ、 次に、上記基板載置用摺動板を、上記第１の層を液相成
長させている基板が上記第２の融液保持用槽Ｆに持ち来
たされる位置まで摺動させ、 次に、上記融液保持用摺動板を、予め第２の融液を保持
している上部融液保持用槽が上記第２の下部融液保持用
槽上に持ち来たされる位置まで摺動さｌＩＣ１上記第２
の融液を上記第２の下部融液保持用槽に導入さけ、よっ
て、上記第２の融液を上記第１の層に接触させることに
よって、上記第１の層上に、第２の層を液相成長させる
１程を含むことを特徴とづる液相エピタキシャル成長法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12471382A JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12471382A JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918193A true JPS5918193A (ja) | 1984-01-30 |
| JPH0224798B2 JPH0224798B2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=14892260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12471382A Granted JPS5918193A (ja) | 1982-07-17 | 1982-07-17 | 液相エピタキシヤル成長用装置及びそれを使用した液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918193A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482555A (en) * | 1991-05-16 | 1996-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid-phase epitaxy growth system and method for growing epitaxial layer |
-
1982
- 1982-07-17 JP JP12471382A patent/JPS5918193A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482555A (en) * | 1991-05-16 | 1996-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid-phase epitaxy growth system and method for growing epitaxial layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224798B2 (ja) | 1990-05-30 |
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