JPS5918516A - 電力ケ−ブル - Google Patents
電力ケ−ブルInfo
- Publication number
- JPS5918516A JPS5918516A JP12582482A JP12582482A JPS5918516A JP S5918516 A JPS5918516 A JP S5918516A JP 12582482 A JP12582482 A JP 12582482A JP 12582482 A JP12582482 A JP 12582482A JP S5918516 A JPS5918516 A JP S5918516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- tpx
- temperature
- hydrocarbon compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性、低温可撓性に優れた電カケープルに
関する。
関する。
近年、高電圧電カケープルの樹脂絶縁体としてポリエチ
レンが使用され、耐電圧特性、誘電特性、加工性等に長
所を有することが知られている。このポリエチレンは、
融点が低く、高温度での使用が困難なことから、通常架
橋処理を施した架橋ポリエチレン(以下XLPEとする
)を用いるが、高電圧電カケープルでは絶縁体が厚いた
め、電子線照射に替えて過酸化物を用いた化学架橋に依
っている。
レンが使用され、耐電圧特性、誘電特性、加工性等に長
所を有することが知られている。このポリエチレンは、
融点が低く、高温度での使用が困難なことから、通常架
橋処理を施した架橋ポリエチレン(以下XLPEとする
)を用いるが、高電圧電カケープルでは絶縁体が厚いた
め、電子線照射に替えて過酸化物を用いた化学架橋に依
っている。
この場合、使用されるポリエチレンは、押出時の架橋剤
によるスコーチを防止するために、低温押出が可能な融
点の低い(110℃程度)低密度ポリエチレン(LDP
E)としている。押出後の架橋は過酸化物架橋剤による
絶縁体の発泡を防ぐため高温高圧の熱媒体雰囲気が必要
となシそのために偵雑な製造設備が要求される。
によるスコーチを防止するために、低温押出が可能な融
点の低い(110℃程度)低密度ポリエチレン(LDP
E)としている。押出後の架橋は過酸化物架橋剤による
絶縁体の発泡を防ぐため高温高圧の熱媒体雰囲気が必要
となシそのために偵雑な製造設備が要求される。
架橋によって融点辺上の高温度で絶縁体が流動すること
はなくなるが融点を超えると絶縁体の熱変形が著るしく
大きくなるため、XLPEを用いた電カケープルは、そ
の使用温度が瞬時で120〜130℃、通常70〜80
℃以下に限定される欠小があった。
はなくなるが融点を超えると絶縁体の熱変形が著るしく
大きくなるため、XLPEを用いた電カケープルは、そ
の使用温度が瞬時で120〜130℃、通常70〜80
℃以下に限定される欠小があった。
以上の欠点に鑑み本発明は、煩雑な架橋設備を用いなく
とも耐熱性の良い電カケープルを提供せんとするもので
、その要旨とするところは、導体上に内部半導電層、絶
縁層を順次設けた電カケープルにおいて、前記絶縁層と
してポリ−4−メチルベンテンー1.100重量部に対
し、初留温度300℃υ上の炭化水素系化合物を30重
開部以下配合した混和物を用いたことを特徴とするもの
である。
とも耐熱性の良い電カケープルを提供せんとするもので
、その要旨とするところは、導体上に内部半導電層、絶
縁層を順次設けた電カケープルにおいて、前記絶縁層と
してポリ−4−メチルベンテンー1.100重量部に対
し、初留温度300℃υ上の炭化水素系化合物を30重
開部以下配合した混和物を用いたことを特徴とするもの
である。
勾玉、図面に依り本発明の詳細な説明する。
第1図において、1は導体、2は内部半導電層、lj:
e縁層である。
e縁層である。
この絶縁層3に用いられる樹脂は、伍1融小で、かつ誘
電特性、耐電圧特性を満足するものとしてポリ−4−メ
チルペンテン−1n下TPXとfる)等が掲げられる。
電特性、耐電圧特性を満足するものとしてポリ−4−メ
チルペンテン−1n下TPXとfる)等が掲げられる。
し力・し、このT P Xは室温付近の低温可撓性に困
難が生じること力・ら、炭化水素系化合物を配合するこ
とで、耐熱性を損ねることなく低温可撓性が著るしく改
善され、肉厚絶縁層に加工可能であり、更に電気的特性
に於ても充分満足できる特性であることを確認した。
難が生じること力・ら、炭化水素系化合物を配合するこ
とで、耐熱性を損ねることなく低温可撓性が著るしく改
善され、肉厚絶縁層に加工可能であり、更に電気的特性
に於ても充分満足できる特性であることを確認した。
通常、TPXに成る種の炭化水素系ビニル化合物を適当
量、共重合成分として含んだ種々のグレードが知られて
いる。し力)シ、肉厚に加工可能な程優れたものでなく
、本発明の炭化水素系化合物により、初めてTPXの使
用が可能となった。
量、共重合成分として含んだ種々のグレードが知られて
いる。し力)シ、肉厚に加工可能な程優れたものでなく
、本発明の炭化水素系化合物により、初めてTPXの使
用が可能となった。
本発明で用いられる炭化水素系化合物としては、無極性
のアルキルベンゼン系、ポリブテン系、鉱油系、ジフェ
ニルエタン系、アルキルナフタレン系%が好捷しく、更
に良好な電気的特性を期待する場合には絶縁油グレード
の土肥炭化水素系化合物を用いれば良い。また、この炭
化水素系化合物は、TPXの押出加工温度250〜26
0℃り上であることから、加工上の必要上初留温度30
0℃JJ上のものが良い。炭化水素系化合物の配合部数
は、TPX100重量部に対し30重量部を超えると配
合した炭化水素系化合物がブリードを起すため好1しく
なく、下限については、1〜2重量部程度の少量の配合
であっても低温可撓性の効果を有する。
のアルキルベンゼン系、ポリブテン系、鉱油系、ジフェ
ニルエタン系、アルキルナフタレン系%が好捷しく、更
に良好な電気的特性を期待する場合には絶縁油グレード
の土肥炭化水素系化合物を用いれば良い。また、この炭
化水素系化合物は、TPXの押出加工温度250〜26
0℃り上であることから、加工上の必要上初留温度30
0℃JJ上のものが良い。炭化水素系化合物の配合部数
は、TPX100重量部に対し30重量部を超えると配
合した炭化水素系化合物がブリードを起すため好1しく
なく、下限については、1〜2重量部程度の少量の配合
であっても低温可撓性の効果を有する。
これは、’I”PXが無極性の炭化水素系ポリマーであ
り、230〜240℃の高融、傷ヲ有する結晶性のポリ
マーであること力・ら、化学構造の類似する炭化水素化
合物との親和性が良好であり、一種の可塑化効果を与え
ることによって低温可撓性を発揮すると考えられる。
り、230〜240℃の高融、傷ヲ有する結晶性のポリ
マーであること力・ら、化学構造の類似する炭化水素化
合物との親和性が良好であり、一種の可塑化効果を与え
ることによって低温可撓性を発揮すると考えられる。
なお、炭化水素系化合物を配合したTPXに、必要に応
じて酸化防止剤、銅害防止剤、難燃剤、充填剤、或いは
カーボンブラック等の添加剤を加えても、効果が同様で
あることは勿論である。
じて酸化防止剤、銅害防止剤、難燃剤、充填剤、或いは
カーボンブラック等の添加剤を加えても、効果が同様で
あることは勿論である。
また、第2図の如く、絶縁層3上に外部半導電層4、遮
蔽層5を設けた高電圧電カケープル構造とすることもで
きる。
蔽層5を設けた高電圧電カケープル構造とすることもで
きる。
半導電層としてはカーボン紙、半導電布、押出安定した
耐電圧特性を与える。
耐電圧特性を与える。
本発明の場合、押出半導電層用コンパウンドに架橋剤を
添加しておくことで絶縁層3と内外半導電層の密着を向
上させることも可能である。
添加しておくことで絶縁層3と内外半導電層の密着を向
上させることも可能である。
以上のように、通常高置圧電カケープルには高耐電圧と
低誘電損失であることが要求されるが、絶縁層として用
いたポリ−4−メチルペンテン−ら室温以下にシフトし
、誘電特性上も有利となる。
低誘電損失であることが要求されるが、絶縁層として用
いたポリ−4−メチルペンテン−ら室温以下にシフトし
、誘電特性上も有利となる。
また、通常の架橋ポリエチレン電カケープルでは、ケー
ブルジヨイント或いは端末部に絶縁層を形成する際、絶
縁層が架橋されているためレジンと一体に融着させるこ
とが難かしく、境界部に密着不良部やボイド等を生じ易
く、部分放電の原因ともなっていたが、本発明では絶縁
層に用いた樹脂の融点が高く、未架橋で使用することが
でき、ジヨイントや端末部の絶縁層の形成に有利である
。
ブルジヨイント或いは端末部に絶縁層を形成する際、絶
縁層が架橋されているためレジンと一体に融着させるこ
とが難かしく、境界部に密着不良部やボイド等を生じ易
く、部分放電の原因ともなっていたが、本発明では絶縁
層に用いた樹脂の融点が高く、未架橋で使用することが
でき、ジヨイントや端末部の絶縁層の形成に有利である
。
本発明に用いる絶縁層用レジンは、TPXとして低温可
撓性に富む粉末状のMX−001(三井石油化学製造)
に、炭化水素系化合物として初留温度400℃の重質へ
ビーアルケン1Ofit部を配合し、100〜110℃
のヘンシェルミキサーで混合し、この混合時に同時に老
化防止剤、銅害防止剤を加えて、押出ペレットに形成し
た。
撓性に富む粉末状のMX−001(三井石油化学製造)
に、炭化水素系化合物として初留温度400℃の重質へ
ビーアルケン1Ofit部を配合し、100〜110℃
のヘンシェルミキサーで混合し、この混合時に同時に老
化防止剤、銅害防止剤を加えて、押出ペレットに形成し
た。
そこで、導体(500m′Il)上に、内部半導電層と
して、予め架橋剤を練り込んだ押出半導電コンパウンド
を押出被覆し、その上から絶縁層とじて」二記レジンを
厚さ12温、押出温度280℃で施し、更に外部半導電
層(上記押出半導電コンパウンド)、遮蔽層、ソースを
順次施して電カケープルを製造した。
して、予め架橋剤を練り込んだ押出半導電コンパウンド
を押出被覆し、その上から絶縁層とじて」二記レジンを
厚さ12温、押出温度280℃で施し、更に外部半導電
層(上記押出半導電コンパウンド)、遮蔽層、ソースを
順次施して電カケープルを製造した。
これに対し、試験的に、絶縁層として炭化水素系化合物
を含捷ないTPX(MX−001)を用い、本発明と同
構造の電カケープル製造を試みたが、可撓性が悪いため
にドラムに巻き取ることができす、製品を得ることが出
来な力)つた。
を含捷ないTPX(MX−001)を用い、本発明と同
構造の電カケープル製造を試みたが、可撓性が悪いため
にドラムに巻き取ることができす、製品を得ることが出
来な力)つた。
′=また、比較用の電カケープルは、絶縁層としてポリ
エチレン押出被覆後、高温高圧の窒素ガス雰囲気の架橋
ゾーンを通して架橋を行い、半導電層として架橋剤を含
″!、frい押出半導電コンパウンドを用い、その他本
発明と同構造のものを得た。
エチレン押出被覆後、高温高圧の窒素ガス雰囲気の架橋
ゾーンを通して架橋を行い、半導電層として架橋剤を含
″!、frい押出半導電コンパウンドを用い、その他本
発明と同構造のものを得た。
上記各電カケープルについて諸物件を測った結果を表に
示す。表中、曲は弾性率、融点、脆化温度、引張強度、
伸びは、各電カケープルの絶縁層から切り取った試料に
より測ったものであるが、炭化水素系化合物を@捷ない
TPXについてはケーブル加工が不可能であったので、
熱プレスによシ成形したシート試料で測定した。また絶
縁層の覧中、Aは炭化水素系化合物を配合したTPX。
示す。表中、曲は弾性率、融点、脆化温度、引張強度、
伸びは、各電カケープルの絶縁層から切り取った試料に
より測ったものであるが、炭化水素系化合物を@捷ない
TPXについてはケーブル加工が不可能であったので、
熱プレスによシ成形したシート試料で測定した。また絶
縁層の覧中、Aは炭化水素系化合物を配合したTPX。
Bは炭化水素系化合物を含まないTPX、Cは架橋ポリ
エチレンヲ示ス。
エチレンヲ示ス。
表から、本発明はTPXに炭化水素系化合物を配合する
ことによって、低温可撓性が著るしく改善される結果、
曲げ弾性率も架橋ポリエチレンに近い水準の値が測定さ
れ、厚肉絶縁層への加工が容易なことがわかる。
ことによって、低温可撓性が著るしく改善される結果、
曲げ弾性率も架橋ポリエチレンに近い水準の値が測定さ
れ、厚肉絶縁層への加工が容易なことがわかる。
マタ、本発明は架橋ポリエチレンケーブルよシ高融点な
ことか弘加熱変形率が格段に小さく、耐熱性が良好なこ
とがわか9、捷た電気特性に於てモ架橋ポリエチレンケ
ーブルとそん色のない値が得られ、高電圧絶縁電カケー
プルとして良好なことが認められた。
ことか弘加熱変形率が格段に小さく、耐熱性が良好なこ
とがわか9、捷た電気特性に於てモ架橋ポリエチレンケ
ーブルとそん色のない値が得られ、高電圧絶縁電カケー
プルとして良好なことが認められた。
図面は本発明の実施例を示し、第1図はその正面断面図
、第2図は別の実施例の正面断面図である。 1・・・導 体 2・・・内部半導電層3・・・
絶縁層
、第2図は別の実施例の正面断面図である。 1・・・導 体 2・・・内部半導電層3・・・
絶縁層
Claims (1)
- 導体上に内部半導電層、絶縁層を順次設けた電カケープ
ルにおいて、前記絶縁層としてポリ−4−メチルペンテ
ン−1100重量部に対し、初留温度300℃り上の炭
化水素系化合物を30重量部以下配合した混和物を用い
たことを特徴とする電カケープル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12582482A JPS5918516A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電力ケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12582482A JPS5918516A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電力ケ−ブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918516A true JPS5918516A (ja) | 1984-01-30 |
| JPH0366768B2 JPH0366768B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=14919842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12582482A Granted JPS5918516A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 電力ケ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918516A (ja) |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12582482A patent/JPS5918516A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366768B2 (ja) | 1991-10-18 |
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