JPS59186015A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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Publication number
JPS59186015A
JPS59186015A JP58060812A JP6081283A JPS59186015A JP S59186015 A JPS59186015 A JP S59186015A JP 58060812 A JP58060812 A JP 58060812A JP 6081283 A JP6081283 A JP 6081283A JP S59186015 A JPS59186015 A JP S59186015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory
data
gate
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58060812A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Anpo
安保 統
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58060812A priority Critical patent/JPS59186015A/ja
Publication of JPS59186015A publication Critical patent/JPS59186015A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、メモリ装置に関する。
〔従来技術〕
従来、ランダムアクセスメモリ(RAM)の内容をクリ
アする場合は、アクセスしようとする几AMに、クリア
すべき時間内に、ゼロデータを書き込むという方法が一
般的であった。第1図は、その例を示している。
第1図において、アクセスしようとする几AM1に、ク
リア時にゼロデータを書き込むための、データセレクタ
21と制御、クロック20によって制御され゛ているゼ
ロデータ書き込みのためのアドレスを制御クロック20
に従って、順次アドレスを発生し、全アドレスを指定す
るアドレス発生回路22と、リセット時にゼロデータ書
き込み指示を行なう書き込みコントロール回路23を設
けて、几AMI内の各アドレスに、リセット時にゼロデ
ータを書き込み、RAMをクリアしていた。
こ、のため、次に挙げる欠点があった。
1)全アドレスをクリアしようとすれば、IKbitの
几AMの場合、100μs程度の長時間を要する。
2)ゼロデータを書き込む操作を行なうための電力の消
費がある。
3)ゼロデータ曹き込みのための制御クロックを必要と
する。
4)クロック系統が故障した場合、几AMの内容がクリ
アできなくなる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決するためにな
されたもので、実質上瞬時に几AMの内容をゼロクリア
することのできるメモリ装置を提供することである。
〔発明の概要〕
本発明は、従来の問題点を解決するために、実際にRA
Mに書込まれたデータをクリアするのではなく、実質上
瞬時にゼロクリアしたのと同等の一夕をRAMに書込む
際に、そのデータを書込んだアドレスをアドレスメモリ
に記憶させておき、読出した際してメモリの内容がクリ
アされているとしたいときは、読出しアドレスがアドレ
スメモリに登録されているかどうかをチェックし、登録
されている場合には読出しアドレスをメモリ本体に供給
させないようにする。あるいは、読出しアドレスがアド
レスメモリに登録されている場合には、そのアドレスの
データ(メモリ本体に記憶されている)を外部に出力さ
せないように制御する。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を具体的実施例に基づいて詳細に説明する
第2図は、本発明の一実施例を示す。この図において、
1は、データを書込んだシ、するいは書込まれたデータ
を読出したりするために、データを記憶するメモリ本体
(几AM)である。13は、書込みおるいは読出しくW
/R)を制御する(区別する)ためのW/Rラインであ
る。12はチップセレクトラインで、このラインの信号
が1′となったとき、このRAM1のアクセス(すなわ
ち書込みあるいは読出し)を可能にする。5はデータラ
インであり、書込むべきデータあるいは読出されたデー
タがそのライン上に出力される。4はアドレスラインで
あり、アクセスすべきRAMIのアドレスを規定するた
めのアドレス信号がそのライン上に出力される。2はア
ドレスメモリであり、アドレスライン4と接続されてい
る。したがって、アドレスメモリ2は、アンドゲート1
4が1”の状態で、アドレスライン4に出力されたアド
レス信号(アドレスデータ)を記憶する。3はセレクタ
であり、アドレスメモリ2の内容をアドレスライン4上
のアドレス信号を入力するとともに、アンドゲート14
の出力を入力し、出力ゲート制御ライン16にゲート制
御信号を出力する。
15は出力制御ゲートであり、信号ライン17上に出力
されたデータを通過させるか、阻止するかを規定するゲ
ート制御信号によって制御される。
次に、この第2図に示す装置の動作を説明する。
まず、書込み動作は、次のように行なわれる。すなわち
、几AMIへのデータ書込み指令がW/Rライン13上
に出力され、またチップセレクトライン12上に動作指
令じ1”)が出力された場合、これらのアンド出力を行
なうアンドゲート14の出力が”1”となる。ただし、
W(’l込み)の場合は“1”であり、読出しの場合は
“0”であるとする。アンドゲート14の出力(この場
合61”)は、アドレスメモリ制御ライン9を介してア
ドレスメモリ2に送られる。アドレスメモリ2は、アド
レスライン4上に出力されているアドレス信号が示すア
ドレス(RAMIのアドレスに対応してている。)に“
1”を書込む。すなわち、そのアドレスを”1”状態に
する。“1”のデータは、ライン8から供給される。ま
た、書込むためのデータは、データライン5を介して几
AMIに供給され、アドレスライン4上に出力されてい
るアドレス信号に対応するアドレスに書込まれる。この
とき、セレクタ3は、アドレス制御ライン9が11″状
態となっているので、ゲート制御信号を出力せず、制御
ゲート15はゲートを閉じた状態となっている。このよ
うに、データの書込みが行なわれるとき、このデータの
書込みが行なわれ九R,AMI内のアドレスは、アドレ
スメモリ内の該当するアドレスが“1”状態となってい
ることによって認識される。
続いて、几AMIからデータを読出す動作を説明する。
このときは、W/R,ライン13は0”状態となり、チ
ップセレクトライン12は”1″状態となる。したがっ
てアンドゲート14は、′″0“をライン9に出力する
。RAM1は、ライン12の状態(“1”)を入力し、
動作態側となる。
この状態で、アドレスライン4にアドレス信号が出力さ
れると、その信号に該当するRAMI内のアドレスが付
勢され、データライン17にデータを出力する。このと
き、アドレスメモリ2は、アンドゲート14の出力が”
ONであるので、動作せず、状態を保持したま\となっ
ている。セレクタ3は、ライン4上のアドレス信号を入
力し、アドレスメモリ内の対応アドレスの状態“1”。
“0”をゲート制御信号として出力する。メモリにデー
タが記憶されているアドレスは1′となっているので、
ゲート15はライン17上のデータをライン5上に出力
する。
さて、アドレスメモリ2には、クリアを指令するグラン
ド信号(GR倍信号6が入力されるようになっており、
この信号を入力したときアドレスメモリはすべてクリア
された状態となる。つまυ、アドレスメモリ内のデータ
がすべてゼロとなる。
したがって、G几信号6を与えれば、データ読出しの際
、セレクタ3は常に10“(なぜなら、アドレスメモリ
2内の各アドレスのデータが100にクリアされている
。)−となり、制御ゲート15はゲートを閉じた状態と
なる。これによって、アドレスライン4上にアドレス信
号を出力しても、几AM1内のそのアドレスのデータは
データライン5上に出力されることはなくなる。つまり
、この場合常にゼロデータがライ15に出力されている
ことと同等となる。
この実施例によれは、アドレスメモリへのGK信号入力
で几AMI内のデータを消去することなく、データライ
ン5上に現われるデータはゼロ(000・・・0)とな
る。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第3図は本発明の他の実施例である。
第3図において、第2図と同じ番号の機器は同様の機器
を示す。第3図において、15はチップセレクトコント
ロールゲートである。この例は、第2図の場合がデータ
自体のデータライン5上への出力を阻止したのに対し、
必要に応じてチップセレクト信号自体を几AMIに供給
させないように制御するものである。言いかえれば、第
2図の場合、出力側を阻止したのに対し、第3図の場合
、入力側を阻止した点で異なる。
第3図において、セレクタ出力16は、読出しのときだ
け判定出力する。この制御は、アンドゲート14の出力
によって行なわれる。
この実施例では、第2図の場合よシも簡単な構成となり
、実用的である。
なお、本発明は、上述の実施例に限定されるものではな
く、本発明の思想の範囲内のものを含む。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、実際にデータをク
リアしなくてもクリアしたと同等の出力を実現できるの
で、実質上瞬時にRAMの内容をゼロクリアすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリ装置を示す図、第2図と第3図は
本発明の一実施例を示す図である。 1・・・メモリ本体、2・・・アドレスメモリ、3・・
・セレ第 1 目 21 丞2 目

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、指定されたアドレスにて、データの書き込み、読み
    出しを実行するメモリ本体と、書き込みが行なわれたア
    ドレスを登録するアドレスメモリと、読み出しに際し、
    読み出しアドレスが、前記アドレスメモリに登録されて
    いるかどうかチェックし、登録されている場合にゲート
    開信号を出力し、登録されていない場合にゲート閉信号
    を出力する選択回路と、前記ゲート開閉信号を入力し、
    ゲート開信号のとき、前記読み出しアドレスを、前記メ
    モリ本体へ供給し、ゲート閉信号のときには、前記読み
    出しアドレスの前記メモリ本体への供給を阻止するゲー
    トとを設けたことを特徴とするメモリ装置。 2、特許請求の範囲第1項記載のメモリ装置において、
    アドレスメモリ出力であるゲート開閉信号を用いて、メ
    モリ本体のデータ出力部に設けたゲートを開閉すること
    によりメモリ出力を制御することを特徴とするメモリ装
    置。
JP58060812A 1983-04-08 1983-04-08 メモリ装置 Pending JPS59186015A (ja)

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JP58060812A JPS59186015A (ja) 1983-04-08 1983-04-08 メモリ装置

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JP58060812A JPS59186015A (ja) 1983-04-08 1983-04-08 メモリ装置

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Publication Number Publication Date
JPS59186015A true JPS59186015A (ja) 1984-10-22

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ID=13153128

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JP58060812A Pending JPS59186015A (ja) 1983-04-08 1983-04-08 メモリ装置

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JP (1) JPS59186015A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01173166A (ja) * 1987-12-28 1989-07-07 Hitachi Ltd 演算処理方式
US5719808A (en) * 1989-04-13 1998-02-17 Sandisk Corporation Flash EEPROM system
US6462992B2 (en) 1989-04-13 2002-10-08 Sandisk Corporation Flash EEprom system

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US6462992B2 (en) 1989-04-13 2002-10-08 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US7460399B1 (en) 1989-04-13 2008-12-02 Sandisk Corporation Flash EEprom system

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