JPS5918636A - ホトレジストの被着方法 - Google Patents
ホトレジストの被着方法Info
- Publication number
- JPS5918636A JPS5918636A JP57127930A JP12793082A JPS5918636A JP S5918636 A JPS5918636 A JP S5918636A JP 57127930 A JP57127930 A JP 57127930A JP 12793082 A JP12793082 A JP 12793082A JP S5918636 A JPS5918636 A JP S5918636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- duct
- resist
- semiconductor device
- rotation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にホトレジストを均一に被着させる
方法に関する。
方法に関する。
近年、半導体装置の素子パターンは複雑かつ微細化とな
シ、それに伴なって各半導体装置の製造プロセスに新規
製造技術が採用されて来ている。
シ、それに伴なって各半導体装置の製造プロセスに新規
製造技術が採用されて来ている。
その中でホトレジストとして、従来４μＩｌｌル一ル以
上の素子パターン設計には、ネガティブレジストが一般
に使用されていた。しかし近年４μｍルール以下の素子
パターン設計が一般的となシ、これらの製造プ四セスに
はポジティブレジスト又はディープレジストが一般に使
用され始めている。
上の素子パターン設計には、ネガティブレジストが一般
に使用されていた。しかし近年４μｍルール以下の素子
パターン設計が一般的となシ、これらの製造プ四セスに
はポジティブレジスト又はディープレジストが一般に使
用され始めている。
これらはネガティブレジストに比べて公知の如く４μｍ
以下の素子パターン形成に有効であるととは知られてい
る。しかし半導体装置の素子パターン寸法が微細化にな
るに従い、従来のホトレジスト被着方法、例えば半導体
装置に被着する際、飛散するホトレジストのミスト又は
臭気を除去する目的でホトレジスト被着室のダクト員を
適邑に吸引するだけでは、半導体装置に被着するホｉ・
レジスト膜厚がばらつく原因となっていた。即ち、この
ホトレジスト膜厚のばらつきが半導体装置の場所によシ
、素子パターン寸法が異なると伴に、再現性が悪い欠点
が生じていた。特に３μｍ以下の素子パターンを形成す
る場合、設計上及び製造プロセス上の余裕度が厳しくな
るもの程、半導体装置に被着されたホトレジスト膜のば
らつきが影響されてくる。例えば本発明者によれば２μ
ｍ幅の素子パターンを公知のホトレジスト技術で形成す
る場合、ホトレジスト膜厚のばらつきを５００Ａ以下に
押えないと素子パターンの寸法ばらつきが±０．３μｍ
以上のばらつきと寿ってくる。一般的に３μｍ以下の素
子パターン寸法を形成するには設計上から±０．２μｍ
以下に押えないと半導体装置の特性ばらつきが生じる原
因となる欠点があった。
以下の素子パターン形成に有効であるととは知られてい
る。しかし半導体装置の素子パターン寸法が微細化にな
るに従い、従来のホトレジスト被着方法、例えば半導体
装置に被着する際、飛散するホトレジストのミスト又は
臭気を除去する目的でホトレジスト被着室のダクト員を
適邑に吸引するだけでは、半導体装置に被着するホｉ・
レジスト膜厚がばらつく原因となっていた。即ち、この
ホトレジスト膜厚のばらつきが半導体装置の場所によシ
、素子パターン寸法が異なると伴に、再現性が悪い欠点
が生じていた。特に３μｍ以下の素子パターンを形成す
る場合、設計上及び製造プロセス上の余裕度が厳しくな
るもの程、半導体装置に被着されたホトレジスト膜のば
らつきが影響されてくる。例えば本発明者によれば２μ
ｍ幅の素子パターンを公知のホトレジスト技術で形成す
る場合、ホトレジスト膜厚のばらつきを５００Ａ以下に
押えないと素子パターンの寸法ばらつきが±０．３μｍ
以上のばらつきと寿ってくる。一般的に３μｍ以下の素
子パターン寸法を形成するには設計上から±０．２μｍ
以下に押えないと半導体装置の特性ばらつきが生じる原
因となる欠点があった。
本発明は上述の欠点を除去し、極めて高い再現性で半導
体装置にホトレジスト膜を均一に被着する方法について
提供するものである。
体装置にホトレジスト膜を均一に被着する方法について
提供するものである。
本発明においては、半導体装置にホトレジストを被着さ
せる工程においてホトレジスト被着室をｌ Ｑｍｍ ｏ
ｆ ｗａｔｅｒ 〜３Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒ ノダ
クト吸引を特徴とする。又、ホトレジストを半導体装置
に滴下し、３００ＲＰｍ 〜１１０００ＲＰ回転でホト
レジストを半導体装置全面に被着する迄、上記ダクト吸
引を行ない、その後の１１０００ＲＰ回転以上ニオイテ
、タクト吸引量ｆ Ｏ〜１０ｍ５ｎ ｏｆ ｗａｔｅｒ
にすることを特徴とする。
せる工程においてホトレジスト被着室をｌ Ｑｍｍ ｏ
ｆ ｗａｔｅｒ 〜３Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒ ノダ
クト吸引を特徴とする。又、ホトレジストを半導体装置
に滴下し、３００ＲＰｍ 〜１１０００ＲＰ回転でホト
レジストを半導体装置全面に被着する迄、上記ダクト吸
引を行ない、その後の１１０００ＲＰ回転以上ニオイテ
、タクト吸引量ｆ Ｏ〜１０ｍ５ｎ ｏｆ ｗａｔｅｒ
にすることを特徴とする。
本発明によればホトレジスト被着室のダクト吸引量を適
確に管理し、半導体装置にホトレジストを被着する際、
飛散するホトレジストのミストを除去し、更にホトレジ
スト中に含まれる溶剤の吸引を半導体装置にホトレジス
ト膜が固持されないタイミング間にコントロールするこ
とによって従来よシ再現性良く均一にホトレジスト膜厚
を半導体装置に形成することができる。
確に管理し、半導体装置にホトレジストを被着する際、
飛散するホトレジストのミストを除去し、更にホトレジ
スト中に含まれる溶剤の吸引を半導体装置にホトレジス
ト膜が固持されないタイミング間にコントロールするこ
とによって従来よシ再現性良く均一にホトレジスト膜厚
を半導体装置に形成することができる。
次に、図面を用いて従来のホトレジスト被着方法と本発
明によるホトレジスト被着方法を説明する。・ 第１図は従来のホトレジスト被着方法の例を示す図であ
る９、第１図（ａ）において半導体装置１が真空チャッ
ク２に支持され、ホトレジストカップ３とホトレジスト
廃液皿４のホトレジスト被着室でホトレジスト廃液皿４
よシダスト吸引５を常時性ない、ホトレジストカップ３
の上面に設けられたホトレジストノズル６から一定時間
ホトレジストアが半導体装置ｌに被着される。次にホト
レジスト被着室の中で回転８によりて所望のホトレジス
ト膜厚が得られる。第１図（ｂ）は半導体装置４とホト
レジスト７が真空チャック２に支持されたまま回転８に
よるホトレジスト被着の回転数と時間を簡単にシーケン
スとして示した図である。これらの一連シーケンスにお
いて常時ダクト吸引５をしていることを示すダクト吸引
メータ９を示している。
明によるホトレジスト被着方法を説明する。・ 第１図は従来のホトレジスト被着方法の例を示す図であ
る９、第１図（ａ）において半導体装置１が真空チャッ
ク２に支持され、ホトレジストカップ３とホトレジスト
廃液皿４のホトレジスト被着室でホトレジスト廃液皿４
よシダスト吸引５を常時性ない、ホトレジストカップ３
の上面に設けられたホトレジストノズル６から一定時間
ホトレジストアが半導体装置ｌに被着される。次にホト
レジスト被着室の中で回転８によりて所望のホトレジス
ト膜厚が得られる。第１図（ｂ）は半導体装置４とホト
レジスト７が真空チャック２に支持されたまま回転８に
よるホトレジスト被着の回転数と時間を簡単にシーケン
スとして示した図である。これらの一連シーケンスにお
いて常時ダクト吸引５をしていることを示すダクト吸引
メータ９を示している。
一方、本発明のホトレジスト被着方法について実施例を
説明する３、第２図は本発明のホトレジスト被着方法の
例を示す図である。第２図（ａ）において半導体装置１
１が真空チャック１２に支持され、レジストカップ１３
とホトレジスト廃液皿１４のホトレジスト被着室でホト
レジスト廃液皿１４よシダスト吸引１５を行なう。この
ダクト吸引１５に用けられたダクト吸引メータ１９によ
ってダクト吸引量を監視する。ホトレジストカップ１３
の上面に設けられたホトレジストノズル１６から一定時
間ホトレジスト１７が半導体装置１１に被着される。次
にホトレジスト被着室の中で回転１８によって所望のホ
トレジスト膜厚が州られる。３本発明の％ｇ、υ従来ダ
クト吸引■、１５は特にダクト吸引メータ１９を用けず
適当なダクト吸引を行なった。本発明は特にダクト吸引
１５に用けたダクト吸引メータ１９によってホトレジス
ト被着室を１０ ｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒから３ Ｑ
ｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒのダクト吸引量に調整、監視す
る。この場合、４μｍ以上の原子パターンを形成する場
合は上記ダクト吸引量で半導体装置１１内のホトレジ２
、ト１７の膜厚均一性はホトレジストの膜厚にもよるが
、例えば１μｍのホトレジスト膜厚では８００ＡＰ１１
のホトレジスト１７の膜厚均一性が得られる。尚、超Ｌ
ＳＩと呼ばれる半導体素子パターン３μｍ以下について
は更にホトレジスト１７の膜厚均一性が必要と彦る。本
発明によればホトレジスト１７の中の溶剤を回転１８中
にうまく上記ダクト吸引量で調整すればホトレジスト１
７の膜厚均一性が５００Å以下のばらつき内に押えられ
る。本発明の実施方法は第２図中）によりて説明する。
説明する３、第２図は本発明のホトレジスト被着方法の
例を示す図である。第２図（ａ）において半導体装置１
１が真空チャック１２に支持され、レジストカップ１３
とホトレジスト廃液皿１４のホトレジスト被着室でホト
レジスト廃液皿１４よシダスト吸引１５を行なう。この
ダクト吸引１５に用けられたダクト吸引メータ１９によ
ってダクト吸引量を監視する。ホトレジストカップ１３
の上面に設けられたホトレジストノズル１６から一定時
間ホトレジスト１７が半導体装置１１に被着される。次
にホトレジスト被着室の中で回転１８によって所望のホ
トレジスト膜厚が州られる。３本発明の％ｇ、υ従来ダ
クト吸引■、１５は特にダクト吸引メータ１９を用けず
適当なダクト吸引を行なった。本発明は特にダクト吸引
１５に用けたダクト吸引メータ１９によってホトレジス
ト被着室を１０ ｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒから３ Ｑ
ｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒのダクト吸引量に調整、監視す
る。この場合、４μｍ以上の原子パターンを形成する場
合は上記ダクト吸引量で半導体装置１１内のホトレジ２
、ト１７の膜厚均一性はホトレジストの膜厚にもよるが
、例えば１μｍのホトレジスト膜厚では８００ＡＰ１１
のホトレジスト１７の膜厚均一性が得られる。尚、超Ｌ
ＳＩと呼ばれる半導体素子パターン３μｍ以下について
は更にホトレジスト１７の膜厚均一性が必要と彦る。本
発明によればホトレジスト１７の中の溶剤を回転１８中
にうまく上記ダクト吸引量で調整すればホトレジスト１
７の膜厚均一性が５００Å以下のばらつき内に押えられ
る。本発明の実施方法は第２図中）によりて説明する。
第２図（ｂ）は半導体装置１１とホトレジスト１７が真
空チャック１２に支持されたまま回転１８によるホトレ
ジスト被着の回転数と時間を簡単にシーケンスとして示
した図である。これらの一連シーケンスで説明すると、
半導体装置１１にホトレジストノズル１６よシ一定時間
ホトレジスト１７を滴下し、半導体装置１１全面に広げ
る為に３００ＲＰｍ〜１１０００ＲＰ回転１８を行なう
。この際ダクト吸引メータ２９はｌＱｍｍ ｏｆ ｗａ
ｔｅｒ 〜３０ｒｒｍ ｏｆｗａｔｅｒにセットする。
空チャック１２に支持されたまま回転１８によるホトレ
ジスト被着の回転数と時間を簡単にシーケンスとして示
した図である。これらの一連シーケンスで説明すると、
半導体装置１１にホトレジストノズル１６よシ一定時間
ホトレジスト１７を滴下し、半導体装置１１全面に広げ
る為に３００ＲＰｍ〜１１０００ＲＰ回転１８を行なう
。この際ダクト吸引メータ２９はｌＱｍｍ ｏｆ ｗａ
ｔｅｒ 〜３０ｒｒｍ ｏｆｗａｔｅｒにセットする。
このダクト吸引メータ２９の量は回転１８の初期に発生
するミストを吸引すル目的と更には３００ＲＰｍ 〜１
１０００ＲＰ回転１８の低速時においてホトレジスト１
７に含まれる溶剤をある程度吸引する為のものでアシ、
ダクト吸引メータ２９が低過ぎると溶剤が次のステップ
の高速回転１８でホトレジスト１７中に残υ過ぎ、又、
３Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒ以上のダクト吸引メータ２
９に過ぎると高速回転１８中にホトレジスト１７がタ゛
クト吸引に引っ張られる状態になりてホトレジストの膜
厚均一性がそこなわれてしまう。次に低速回転１８から
所望ホトレジスト１７の膜厚を得る為の高速回転１８ス
テツプに移る際にダクト吸引メータ３９は０〜Ｉ Ｑｍ
ｍ ｏｆ ｗａｔｅｒに自動的に切シ替える。この場合
のダクト吸引メータ３９はＯが望ましいがホトレジスト
被着室からのホトレジスト臭気を防ぐ為にＩ Ｑ ｍｍ
ｏｆ ｗａｔｅｒ以下の夕。
するミストを吸引すル目的と更には３００ＲＰｍ 〜１
１０００ＲＰ回転１８の低速時においてホトレジスト１
７に含まれる溶剤をある程度吸引する為のものでアシ、
ダクト吸引メータ２９が低過ぎると溶剤が次のステップ
の高速回転１８でホトレジスト１７中に残υ過ぎ、又、
３Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅｒ以上のダクト吸引メータ２
９に過ぎると高速回転１８中にホトレジスト１７がタ゛
クト吸引に引っ張られる状態になりてホトレジストの膜
厚均一性がそこなわれてしまう。次に低速回転１８から
所望ホトレジスト１７の膜厚を得る為の高速回転１８ス
テツプに移る際にダクト吸引メータ３９は０〜Ｉ Ｑｍ
ｍ ｏｆ ｗａｔｅｒに自動的に切シ替える。この場合
のダクト吸引メータ３９はＯが望ましいがホトレジスト
被着室からのホトレジスト臭気を防ぐ為にＩ Ｑ ｍｍ
ｏｆ ｗａｔｅｒ以下の夕。
クト吸引メータ３９を行なうことが望しい。この高速回
転１８時にダクト吸引メータ３９を０〜１０ｍｍ ｏｆ
ｗａｔｅｒにするのは高速回転１８で所望のホトレジ
スト１７の膜厚と均一性を得る為には回転１８によって
、表面張引と遠心力によってホトレジスト１７の膜厚と
均一性を得る為でおり、この際ダクト吸引メータ３９が
強過ぎると円心よシ円形状にホトレジスト１７の膜厚が
ばらつく。本発明者によれば５Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅ
ｒ以上のダクト吸引メータ３９では目視でホトレジスト
１７の膜厚不均一が見られる。これはホトレジスト１７
の所望膜厚と均一性を得る為の高速回転１８で表面張力
と遠心力とのバランスがくずれる為である。又高速回転
１８前の低速回転１８において、ダクト吸引メータ２９
が強過ぎるとホトレジスト１７中の溶剤がダクト吸引メ
ータ２９され過ぎ、レジストが固まシ過ぎると次の高速
回転１８でホトレジスト１７の膜厚のばらつき原因と力
る。
転１８時にダクト吸引メータ３９を０〜１０ｍｍ ｏｆ
ｗａｔｅｒにするのは高速回転１８で所望のホトレジ
スト１７の膜厚と均一性を得る為には回転１８によって
、表面張引と遠心力によってホトレジスト１７の膜厚と
均一性を得る為でおり、この際ダクト吸引メータ３９が
強過ぎると円心よシ円形状にホトレジスト１７の膜厚が
ばらつく。本発明者によれば５Ｑｍｍ ｏｆ ｗａｔｅ
ｒ以上のダクト吸引メータ３９では目視でホトレジスト
１７の膜厚不均一が見られる。これはホトレジスト１７
の所望膜厚と均一性を得る為の高速回転１８で表面張力
と遠心力とのバランスがくずれる為である。又高速回転
１８前の低速回転１８において、ダクト吸引メータ２９
が強過ぎるとホトレジスト１７中の溶剤がダクト吸引メ
ータ２９され過ぎ、レジストが固まシ過ぎると次の高速
回転１８でホトレジスト１７の膜厚のばらつき原因と力
る。
以上の所望ホトレジスト１７の膜厚を得る為の高速回転
１８終了後はダクト吸引メータ４９は低速回転１８時の
ダクト量に戻る、このダクト量は所望ホトレジスト１７
の膜厚を得た後なので特に制約はない。
１８終了後はダクト吸引メータ４９は低速回転１８時の
ダクト量に戻る、このダクト量は所望ホトレジスト１７
の膜厚を得た後なので特に制約はない。
次に第３図において従来のホトレジスト被着方法と、本
発明による一実施例の方法によるホトレジストの断面形
状の差を示す。
発明による一実施例の方法によるホトレジストの断面形
状の差を示す。
第３図（ａ）は前述の第１図のホトレジスト被着方法に
よシ得られたホトレジスト２７で、半導体装置２１上に
形成されている。この場合、ホトレジスト２７の膜厚は
不均一となってばらついていることを示している。
よシ得られたホトレジスト２７で、半導体装置２１上に
形成されている。この場合、ホトレジスト２７の膜厚は
不均一となってばらついていることを示している。
一方、第３図中）は前述の第２図のホトレジスト被着方
法によシ得られたホトレジスト２７で、上と同じく半導
体装置２１上に形成されている。このホトレジスト２７
の膜厚は均一でホトレジスト２７の表面はフラットで均
一である。この様な均一性の良いホトレジスト２７では
次工程の半導体装置の製造工程において精度の良い微細
加工が得られる。
法によシ得られたホトレジスト２７で、上と同じく半導
体装置２１上に形成されている。このホトレジスト２７
の膜厚は均一でホトレジスト２７の表面はフラットで均
一である。この様な均一性の良いホトレジスト２７では
次工程の半導体装置の製造工程において精度の良い微細
加工が得られる。
以上の様に本発明によれに極めて再現性の良いかつ、高
精度のホトレジストの被着方法を行なうことが出来る。
精度のホトレジストの被着方法を行なうことが出来る。
伺、本方法はどんな種類のホトレジスト、例えばネガテ
ィブタイプ又はポジティブタイプ、或いはディー７プ系
又は電子ビーム用等いずれにも適用できる。いずれのホ
トレジストタイプにおいて、本方法は特に３μｍ以下の
半導体の素子パターンを形成する場合に有効である。
ィブタイプ又はポジティブタイプ、或いはディー７プ系
又は電子ビーム用等いずれにも適用できる。いずれのホ
トレジストタイプにおいて、本方法は特に３μｍ以下の
半導体の素子パターンを形成する場合に有効である。
以下余白
第１図は従来のホトレジストの被着方法を説明する為の
図であり、第２図は本発明の詳細な説明する為の図であ
る１、ＷＳ３図（ａ）は従来の方法によυ得られたホト
レジストの断面図であシ、第３図（１））は本発明の実
施例の方法によって得られたホトレジストの断面図であ
る。 伺、図において １、１１．２１・・・・・・半導体装置、２．１２・・
・・・・真空チャック、３．１３・・・・・・ホトレジ
ストカップ、４．１４・・・・・・ホトレジスト廃液器
、５＋１５・・・・・・ダクト吸引、６’、１６・・・
・・・ホトレジストノズル、７．１７．２７・・・・・
・ホトレジスト、８，１８・・・・・・回転、９．１９
．２９．３９゜４９・・・・・・ダクト吸引メータ。 （（’Ｌ） 一−−−−→萌〜蘭 （０） 晃 １ 図 ５ （ｄ） ＜’ｏ＞ 第２ 凹 ＜ａ＞ （ｂン 第３ 図
図であり、第２図は本発明の詳細な説明する為の図であ
る１、ＷＳ３図（ａ）は従来の方法によυ得られたホト
レジストの断面図であシ、第３図（１））は本発明の実
施例の方法によって得られたホトレジストの断面図であ
る。 伺、図において １、１１．２１・・・・・・半導体装置、２．１２・・
・・・・真空チャック、３．１３・・・・・・ホトレジ
ストカップ、４．１４・・・・・・ホトレジスト廃液器
、５＋１５・・・・・・ダクト吸引、６’、１６・・・
・・・ホトレジストノズル、７．１７．２７・・・・・
・ホトレジスト、８，１８・・・・・・回転、９．１９
．２９．３９゜４９・・・・・・ダクト吸引メータ。 （（’Ｌ） 一−−−−→萌〜蘭 （０） 晃 １ 図 ５ （ｄ） ＜’ｏ＞ 第２ 凹 ＜ａ＞ （ｂン 第３ 図
Claims (2)
- （１）半導体装置にホトレジストを被着させる工程にお
いて、ホトレジスト被着室を水柱１０ｍｍから水柱３Ｑ
Ｉｎｍの圧力となるようにダクト吸引をすることを特徴
とするホトレジストの被着方法。 - （２）前記ダクト吸引は、ホトレジストを半導体装置に
滴下し３００ ＲＰＭ〜１１０００ＲＰ回転でレジスト
を半導体装置全面に被着する塩性ない、その後の１１０
００ＲＰ回転以上においてダクト吸引量を水柱０から水
柱１０ｔｎｍの圧力にすることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載のホトレジストの被着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127930A JPS5918636A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | ホトレジストの被着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127930A JPS5918636A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | ホトレジストの被着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918636A true JPS5918636A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14972148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127930A Pending JPS5918636A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | ホトレジストの被着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995629U (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | 株式会社東芝 | レジスト塗布装置 |
| JPS60177626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 塗布装置 |
| JPS62222637A (ja) * | 1987-03-09 | 1987-09-30 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP57127930A patent/JPS5918636A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5995629U (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | 株式会社東芝 | レジスト塗布装置 |
| JPS60177626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 塗布装置 |
| JPS62222637A (ja) * | 1987-03-09 | 1987-09-30 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
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