JPS5918807B2 - 磁気コンデンサ材料 - Google Patents
磁気コンデンサ材料Info
- Publication number
- JPS5918807B2 JPS5918807B2 JP51082235A JP8223576A JPS5918807B2 JP S5918807 B2 JPS5918807 B2 JP S5918807B2 JP 51082235 A JP51082235 A JP 51082235A JP 8223576 A JP8223576 A JP 8223576A JP S5918807 B2 JPS5918807 B2 JP S5918807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- capacitor
- ceramic capacitor
- porcelain
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title description 31
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 11
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低温焼結によつて優れた特性の得られる新規
な磁器コンデンサ材料に関する。
な磁器コンデンサ材料に関する。
従来の磁器コンデンサ、例えば酸化チタン系磁器コンデ
ンサ、チタン酸バリウム系磁器コンデンサ、或はチタン
酸ジルコン酸鉛系磁器コンデンサにおいては、１１００
℃から１４００℃附近の１０００℃を越える高温領域で
焼結する必要があるため焼結時多量の熱エネルギーを要
すること、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激し
く、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の欠点があつた
。
ンサ、チタン酸バリウム系磁器コンデンサ、或はチタン
酸ジルコン酸鉛系磁器コンデンサにおいては、１１００
℃から１４００℃附近の１０００℃を越える高温領域で
焼結する必要があるため焼結時多量の熱エネルギーを要
すること、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激し
く、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の欠点があつた
。
また最近急速に発展普及しつゝある積層化磁器コンデン
サにあつては、製法上金属電極をコンデンサ磁器材料に
埋込んだ状態で焼結する必要があるので、焼結温度が１
０００℃を越える従来の磁器コンデンサにおいては高価
であるが高温に安定な貴金属、例えば白金、パラジウム
、もしくはこれらの合金類を使用しなければならなかつ
た。もし８００℃程度の低温焼結の可能な磁器材料を積
層化コンデンサとして用いることが可能であれば、埋込
電極として銀系、アルミ系或はェッヶ、Ｌ、系の如き安
価な金属材料を使用できることゝなり、製造コストの点
で極めて有利である。勿論低温焼結で得られた磁器コン
デンサは吸水率の少ない磁器であり、電気的に比誘電率
が大で、誘電損失が小さく、かつ誘電特性の温度依存性
と周波数依存性の小さい優れたコンデンサ特性を有する
ものでなければならないが、従来これらの条件を備えた
低温焼結による安定な磁器コンデンサは少く、新規な磁
器コンデンサ材料の実現が望まれていた。本発明は上述
の要請に鑑み鋭意研究の結果本発明に到達したものであ
つて、その要旨は基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９で一般式
が（１−χ）Ｂｉ２Ｗ０６・χＢｉＦｅＯ３（式中χは
０．４〜０．６）なることを特徴とした磁器コンデンサ
材料である。即ち上記一般式で定められている基本組成
がＢｌ３ＷＦｅｏ９なる金属酸化物を用いて磁器コンデ
ンサ材料となす本発明においては、８００℃から８７０
℃附近の低温領域で焼結することが可能となり、かつ特
性の優れた磁器コンデンサを提供することができる。以
下本発明の詳細を図面と実施例によつて説明する。第１
図は基本組成がＢｉ３ＷＦ′ＥＯ，なる磁器コンデンサ
材料の焼結セラミツク板１に銀の金属電極２，２２を焼
付けたものにリード線３，３′を接続してなる磁器コン
デンサの一例、第２図は基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，な
る金属酸化物の薄膜４，５，６，７，８，９に銀系でな
る内部電極１０，１１，１２，１３，１４を塗布して積
層したものを焼結して接続電極１５，１５′を設けてな
る積層化磁器コンデンサの一例を示す。本発明の重要な
構成要素であるところの、基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９
なる金属酸化物磁器コンデンサ材料とは、出発原料がタ
ングステン、ビスマスの酸化物Ｂｉ２ＷＯ６と鉄、ビス
マスの酸化物ＢｉＦｅＯ３とで構成され、かつ該金属酸
化物の一般式表示（１−ｘ）Ｂｉ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅ
Ｏ３のモル比Ｘを０．４より０．６に至る範囲において
調合して、ボールミル等により均一に混合した後、所定
の形状に成形した物を８００℃〜８７０℃の温度で約２
時間焼成して得られる磁器コンデンサ材料であり、該コ
ンデンサ材料に金属電極を設けて磁器コンデンサとなす
。
サにあつては、製法上金属電極をコンデンサ磁器材料に
埋込んだ状態で焼結する必要があるので、焼結温度が１
０００℃を越える従来の磁器コンデンサにおいては高価
であるが高温に安定な貴金属、例えば白金、パラジウム
、もしくはこれらの合金類を使用しなければならなかつ
た。もし８００℃程度の低温焼結の可能な磁器材料を積
層化コンデンサとして用いることが可能であれば、埋込
電極として銀系、アルミ系或はェッヶ、Ｌ、系の如き安
価な金属材料を使用できることゝなり、製造コストの点
で極めて有利である。勿論低温焼結で得られた磁器コン
デンサは吸水率の少ない磁器であり、電気的に比誘電率
が大で、誘電損失が小さく、かつ誘電特性の温度依存性
と周波数依存性の小さい優れたコンデンサ特性を有する
ものでなければならないが、従来これらの条件を備えた
低温焼結による安定な磁器コンデンサは少く、新規な磁
器コンデンサ材料の実現が望まれていた。本発明は上述
の要請に鑑み鋭意研究の結果本発明に到達したものであ
つて、その要旨は基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９で一般式
が（１−χ）Ｂｉ２Ｗ０６・χＢｉＦｅＯ３（式中χは
０．４〜０．６）なることを特徴とした磁器コンデンサ
材料である。即ち上記一般式で定められている基本組成
がＢｌ３ＷＦｅｏ９なる金属酸化物を用いて磁器コンデ
ンサ材料となす本発明においては、８００℃から８７０
℃附近の低温領域で焼結することが可能となり、かつ特
性の優れた磁器コンデンサを提供することができる。以
下本発明の詳細を図面と実施例によつて説明する。第１
図は基本組成がＢｉ３ＷＦ′ＥＯ，なる磁器コンデンサ
材料の焼結セラミツク板１に銀の金属電極２，２２を焼
付けたものにリード線３，３′を接続してなる磁器コン
デンサの一例、第２図は基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，な
る金属酸化物の薄膜４，５，６，７，８，９に銀系でな
る内部電極１０，１１，１２，１３，１４を塗布して積
層したものを焼結して接続電極１５，１５′を設けてな
る積層化磁器コンデンサの一例を示す。本発明の重要な
構成要素であるところの、基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９
なる金属酸化物磁器コンデンサ材料とは、出発原料がタ
ングステン、ビスマスの酸化物Ｂｉ２ＷＯ６と鉄、ビス
マスの酸化物ＢｉＦｅＯ３とで構成され、かつ該金属酸
化物の一般式表示（１−ｘ）Ｂｉ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅ
Ｏ３のモル比Ｘを０．４より０．６に至る範囲において
調合して、ボールミル等により均一に混合した後、所定
の形状に成形した物を８００℃〜８７０℃の温度で約２
時間焼成して得られる磁器コンデンサ材料であり、該コ
ンデンサ材料に金属電極を設けて磁器コンデンサとなす
。
こ＼で出発原料の金属酸化物のモル比Ｘを０．４より０
．６の範囲に配合して焼結した基本組成がＢｉ３ＷＦｅ
Ｏ，なる磁器コンデンサ材刺は、本発明の目的とする低
温焼結によるところの優れた磁器コンデンサを提供し得
るが、モル比Ｘが０．６を越え、もしくは０．４より小
さいモル比で配合し焼結した磁器コンデンサ材刺は第３
図で示す如く重要な電気的特性の一つである誘電損失Ｔ
ａｎδが増加するので磁器コンデンサとして特性が低下
する。
．６の範囲に配合して焼結した基本組成がＢｉ３ＷＦｅ
Ｏ，なる磁器コンデンサ材刺は、本発明の目的とする低
温焼結によるところの優れた磁器コンデンサを提供し得
るが、モル比Ｘが０．６を越え、もしくは０．４より小
さいモル比で配合し焼結した磁器コンデンサ材刺は第３
図で示す如く重要な電気的特性の一つである誘電損失Ｔ
ａｎδが増加するので磁器コンデンサとして特性が低下
する。
また本発明の目的とする磁器コンデンサ材刺を得るため
に、ビスマスの酸化物Ｂｉ２Ｏ３と、タングステンの酸
化物ＷＯ３及び鉄の酸化物Ｆｅ２Ｏそ出発原料とし、各
成分を（１−Ｘ）Ｂｌ２ＷＯ６・ＸＢｌＦｅＯ３となる
如く所定のモル比（ｘは０．４〜０．６）について調合
し成形焼結したものは、出発原料にＢｉ２ＷＯ６とＢｉ
ＦｅＯ３を用いて成形焼結した場合と同様に本発明の目
的を達成し得る。更に本発明の主要な構成要素である基
本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，なる金属酸化物にマンガン酸
化物、クローム酸化物及びニツケル酸化物の一種類、又
は二種類以上を組合わせて、基本組成がＢｉ３ＷＦ′Ｅ
Ｏ，なる金属酸化物に対し重量比で０．０２％〜０．２
％を出発原料に加えて混合成形し、焼結して本発明の磁
器コンデンサ材料となしたるものは、磁器コンデンサの
焼結温度の改善並びに窯業的性質の改良等を計ることが
できて有意義である。
に、ビスマスの酸化物Ｂｉ２Ｏ３と、タングステンの酸
化物ＷＯ３及び鉄の酸化物Ｆｅ２Ｏそ出発原料とし、各
成分を（１−Ｘ）Ｂｌ２ＷＯ６・ＸＢｌＦｅＯ３となる
如く所定のモル比（ｘは０．４〜０．６）について調合
し成形焼結したものは、出発原料にＢｉ２ＷＯ６とＢｉ
ＦｅＯ３を用いて成形焼結した場合と同様に本発明の目
的を達成し得る。更に本発明の主要な構成要素である基
本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，なる金属酸化物にマンガン酸
化物、クローム酸化物及びニツケル酸化物の一種類、又
は二種類以上を組合わせて、基本組成がＢｉ３ＷＦ′Ｅ
Ｏ，なる金属酸化物に対し重量比で０．０２％〜０．２
％を出発原料に加えて混合成形し、焼結して本発明の磁
器コンデンサ材料となしたるものは、磁器コンデンサの
焼結温度の改善並びに窯業的性質の改良等を計ることが
できて有意義である。
即ちマンガン酸化物、クローム酸化物、及びニツケル酸
化物の添加物を基本組成りＩ３ＷＦｅＯ９に加えてなし
た磁器コンデンサ材料においては、これらの添加物を加
えない基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９なる金属酸化物の磁
器コンデンサ材料に対し、焼結温度を５０〜１００℃下
げることができかつ吸水率を小さくすることができる。
化物の添加物を基本組成りＩ３ＷＦｅＯ９に加えてなし
た磁器コンデンサ材料においては、これらの添加物を加
えない基本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ９なる金属酸化物の磁
器コンデンサ材料に対し、焼結温度を５０〜１００℃下
げることができかつ吸水率を小さくすることができる。
しかしこれらの添加物の量が０．２（ｆｌ）を越えると
誘電損失が増大して磁器コンデンサの特性を低下させる
。また、０．０２％より少ない量においては添加した効
果が小さいので本発明においては添加する金属酸化物の
量は基本組成がＢｌ３ＷＦｅＯ９なる金属酸化物に対し
重量比で０．０２％から０．２％までが望ましい。（実
施例 １）出発原料がＢｌ２Ｏ３，ＷＯ＞及びＦｅ２Ｏ
３なる各金属酸化物の粉末を、一般的表示（１−Ｘ）Ｂ
ｉ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比ｘ＝０．６になる
如く調合し、メタノール中でボールミルにより２４時間
混合して乾燥したのち、２０１１径の円板状に成形し空
気中で暁結し、かつ銀電極を設けて第１図の如きＢｉ３
ＷＦｅＯ，磁器コンデンサとなしたものは、焼結温度が
８７０℃の低温焼結で優れた特性が得られた。
誘電損失が増大して磁器コンデンサの特性を低下させる
。また、０．０２％より少ない量においては添加した効
果が小さいので本発明においては添加する金属酸化物の
量は基本組成がＢｌ３ＷＦｅＯ９なる金属酸化物に対し
重量比で０．０２％から０．２％までが望ましい。（実
施例 １）出発原料がＢｌ２Ｏ３，ＷＯ＞及びＦｅ２Ｏ
３なる各金属酸化物の粉末を、一般的表示（１−Ｘ）Ｂ
ｉ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比ｘ＝０．６になる
如く調合し、メタノール中でボールミルにより２４時間
混合して乾燥したのち、２０１１径の円板状に成形し空
気中で暁結し、かつ銀電極を設けて第１図の如きＢｉ３
ＷＦｅＯ，磁器コンデンサとなしたものは、焼結温度が
８７０℃の低温焼結で優れた特性が得られた。
即ち比誘電率は７５と大きく誘電損失は０．３（Ｌ以下
であり、かつ吸水率が０．１（Ｌの緻密な磁器コンデン
サを得た。また誘電損失の温度特性は１１０℃まで一定
であり、比誘電率の温度係数は１５０℃まで３００ｐＩ
］ｎ／℃と小さい。（実施例 ２）（１−ｘ）Ｂｌ２Ｗ
Ｏ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比Ｘを０．５５となるよう
に調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及びＦｅ２Ｏ３の出発
原料に対し、マンガンの酸化物ＭｎＣＯ，を重量比で０
．０５％添加して混合し、シート状に成形したものに銀
系の内部電極を塗布し焼結してなした第２図の如き基本
組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，なる積層磁器コンデンサにおい
ては、焼結温度を８２０℃に下げることができ、比誘電
率７２の低コスト良質の積層コンデンサを得た。
であり、かつ吸水率が０．１（Ｌの緻密な磁器コンデン
サを得た。また誘電損失の温度特性は１１０℃まで一定
であり、比誘電率の温度係数は１５０℃まで３００ｐＩ
］ｎ／℃と小さい。（実施例 ２）（１−ｘ）Ｂｌ２Ｗ
Ｏ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比Ｘを０．５５となるよう
に調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及びＦｅ２Ｏ３の出発
原料に対し、マンガンの酸化物ＭｎＣＯ，を重量比で０
．０５％添加して混合し、シート状に成形したものに銀
系の内部電極を塗布し焼結してなした第２図の如き基本
組成がＢｉ３ＷＦｅＯ，なる積層磁器コンデンサにおい
ては、焼結温度を８２０℃に下げることができ、比誘電
率７２の低コスト良質の積層コンデンサを得た。
吸水率は０．０５０１）であつた。（実施例 ３）
（１−ｘ）Ｂｉ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比Ｘを
０．４６となるように調合したＢｉ２Ｏ３，ＷＯ３！ｌ
！．びＦｅ２Ｏ３の出発原料に対し重量比で０．０２％
〜０．２％のクローム酸化物Ｃｒ２Ｏ３を添加して焼結
した第１図の如き磁器コンデンサにおいては、添加物の
添加量に比例して焼結温度を８７０℃から７７０℃に下
げることができ、比誘電率７０〜７４誘電損失０．３％
の優れた特性の磁器コンデンサが得られた。
０．４６となるように調合したＢｉ２Ｏ３，ＷＯ３！ｌ
！．びＦｅ２Ｏ３の出発原料に対し重量比で０．０２％
〜０．２％のクローム酸化物Ｃｒ２Ｏ３を添加して焼結
した第１図の如き磁器コンデンサにおいては、添加物の
添加量に比例して焼結温度を８７０℃から７７０℃に下
げることができ、比誘電率７０〜７４誘電損失０．３％
の優れた特性の磁器コンデンサが得られた。
また吸水率は０．０１％以下であつた。（実施例 ４）
（１−ｘ）Ｂｌ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比ｘを
０．４となるように調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及び
Ｆｅ２Ｏ３の出発原料に対し、重量比で０．０２０１）
〜０．２％のニツケルの酸化物ＮｉＯを添加して焼結し
た第１図の如き磁器コンデンサにおいては、添加物の添
加量に比例して焼結温度を８７０℃から７６０℃に下げ
ることができ、比誘電率７０〜７２誘電損失０．３％〜
０．３５％の低コストの磁器コンデンサが得られた。
（１−ｘ）Ｂｌ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比ｘを
０．４となるように調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及び
Ｆｅ２Ｏ３の出発原料に対し、重量比で０．０２０１）
〜０．２％のニツケルの酸化物ＮｉＯを添加して焼結し
た第１図の如き磁器コンデンサにおいては、添加物の添
加量に比例して焼結温度を８７０℃から７６０℃に下げ
ることができ、比誘電率７０〜７２誘電損失０．３％〜
０．３５％の低コストの磁器コンデンサが得られた。
（実施例 ５）
（１−ｘ）Ｂｌ２ＷＯ６・ＸＢｉＦｅＯ３のモル比Ｘを
０．４となるように調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及び
Ｆｅ２Ｏ３の出発原料に対し重量比で０．０１％のニツ
ケル酸化物ＮｌＯ（５０．０１％のマンガン酸化物Ｍｎ
ｃＯ３を添加してシート状に成形したものにニツケル系
でなる内部電極を塗布し焼結してなした第２図の如き基
本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ６なる積層磁器コンデンサにお
いては焼結温度を８００℃に下げることができ、比誘電
率が７０で周波数１０ＭＨｚまで一定値の良質な低温焼
結を可能とした積層コンデンサが得られた。
０．４となるように調合したＢｌ２Ｏ３，ＷＯ３、及び
Ｆｅ２Ｏ３の出発原料に対し重量比で０．０１％のニツ
ケル酸化物ＮｌＯ（５０．０１％のマンガン酸化物Ｍｎ
ｃＯ３を添加してシート状に成形したものにニツケル系
でなる内部電極を塗布し焼結してなした第２図の如き基
本組成がＢｉ３ＷＦｅＯ６なる積層磁器コンデンサにお
いては焼結温度を８００℃に下げることができ、比誘電
率が７０で周波数１０ＭＨｚまで一定値の良質な低温焼
結を可能とした積層コンデンサが得られた。
即ち、本発明は、基本組成がＢｌ３ＷＦｅＯ６なる金属
酸化物の新規な磁器コンデンサ材料、及びマンガン酸化
物等の添加物を添加した基本組成がＢｌ３ＷＦｅＯ９な
る金属酸化物の新規な磁器コンデンサ材料であつて低温
焼結を可能とした省エネルギーの観点から優れた新しい
磁器コンデンサであると共に、埋込電極に銀系、ニツケ
ル系、あるいはアルミ系の如き低融点金属の使用が可能
な積層コンデンサが得られるので、従来の白金系、パラ
ジウム系の高融点貴金属を使用しなければならない積層
コンデンサに比較してコスト面で極めて有利な磁器コン
デンサを提供することができる。
酸化物の新規な磁器コンデンサ材料、及びマンガン酸化
物等の添加物を添加した基本組成がＢｌ３ＷＦｅＯ９な
る金属酸化物の新規な磁器コンデンサ材料であつて低温
焼結を可能とした省エネルギーの観点から優れた新しい
磁器コンデンサであると共に、埋込電極に銀系、ニツケ
ル系、あるいはアルミ系の如き低融点金属の使用が可能
な積層コンデンサが得られるので、従来の白金系、パラ
ジウム系の高融点貴金属を使用しなければならない積層
コンデンサに比較してコスト面で極めて有利な磁器コン
デンサを提供することができる。
第１図は本発明になる磁器コンデンサを示す斜視図、第
２図は他の例を示すもので積層化磁器コンデンサの斜視
図、第３図は電気特性線図である。 １・・・・・・Ｂｉ３ＷＦｅＯ，なる金属酸化物の焼結
セラミツク板、２，２′・・・・・・銀の金属電極、４
，５，６，７，８，９・・・・・・Ｂｉ３ＷＦｅＯ，な
る金属酸化物の薄膜。
２図は他の例を示すもので積層化磁器コンデンサの斜視
図、第３図は電気特性線図である。 １・・・・・・Ｂｉ３ＷＦｅＯ，なる金属酸化物の焼結
セラミツク板、２，２′・・・・・・銀の金属電極、４
，５，６，７，８，９・・・・・・Ｂｉ３ＷＦｅＯ，な
る金属酸化物の薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基本組成がＢｉ＿３ＷＦｅＯ＿９で、出発原料がタ
ングステン、ビスマスの酸化物Ｂｉ＿２ＷＯ＿６と鉄、
ビスマスの酸化物ＢｉＦｅＯ＿３とで構成するか、或は
ビスマスの酸化物Ｂｉ＿２Ｏ＿３とタングステンの酸化
物ＷＯ＿３及び鉄の酸化物Ｆｅ＿２Ｏ＿３で構成され、
かつ該金属酸化物の一般式表示（１−ｘ）Ｂｉ＿２ＷＯ
＿６・ｘＢｉＦｅＯ＿３のモル比ｘを０．４〜０．６と
なしたことを特徴とした磁器コンデンサ材料。 ２ 特許請求の範囲第１項に於いてマンガン酸化物、ク
ローム酸化物及びニッケル酸化物の一種類、または二種
類以上を組合せた添加物を添加したことを特徴とした磁
器コンデンサ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51082235A JPS5918807B2 (ja) | 1976-07-10 | 1976-07-10 | 磁気コンデンサ材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51082235A JPS5918807B2 (ja) | 1976-07-10 | 1976-07-10 | 磁気コンデンサ材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS538799A JPS538799A (en) | 1978-01-26 |
| JPS5918807B2 true JPS5918807B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=13768733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51082235A Expired JPS5918807B2 (ja) | 1976-07-10 | 1976-07-10 | 磁気コンデンサ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918807B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58126795A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-28 | Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd | 発酵法によるｌ−グルタミンの製造法 |
| JP3326358B2 (ja) * | 1997-04-26 | 2002-09-24 | ティーディーケイ株式会社 | コイル用非磁性材料及びコイル部品 |
| US7959823B2 (en) * | 2005-10-27 | 2011-06-14 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric ceramic |
| JP4684089B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-05-18 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物および圧電磁器 |
-
1976
- 1976-07-10 JP JP51082235A patent/JPS5918807B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS538799A (en) | 1978-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920007019B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 | |
| JPS5918807B2 (ja) | 磁気コンデンサ材料 | |
| JP2541344B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器を用いた電子部品 | |
| US4704373A (en) | Dielectric ceramic composition and process for producing the same | |
| JPS6054722B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0590063A (ja) | 半導体セラミツクコンデンサ及びその製法 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS6054723B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6055921B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH02106903A (ja) | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 | |
| JP2900687B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2932297B2 (ja) | 強誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3213647B2 (ja) | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ | |
| KR100246243B1 (ko) | 엠엘씨씨용 고유전율계 자기조성물 | |
| JPS62296401A (ja) | チタン酸バリウム系半導体及びその製造方法 | |
| JPS6341866B2 (ja) | ||
| JPS6211444B2 (ja) | ||
| JPS5812721B2 (ja) | 電圧非直線抵抗 | |
| JPS6050004B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS5830733B2 (ja) | 半導体磁器蓄電素子の製造方法 | |
| JPS6211443B2 (ja) | ||
| JPH08180733A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0332009A (ja) | コンデンサとその製造方法 |