JPH0332009A - コンデンサとその製造方法 - Google Patents
コンデンサとその製造方法Info
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- JPH0332009A JPH0332009A JP16726889A JP16726889A JPH0332009A JP H0332009 A JPH0332009 A JP H0332009A JP 16726889 A JP16726889 A JP 16726889A JP 16726889 A JP16726889 A JP 16726889A JP H0332009 A JPH0332009 A JP H0332009A
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- dielectric constant
- ceramic
- ceramic substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
髪墓よ曵剋里豆工
本発明はコンデンサ、より詳しくは粒界絶縁層型のセラ
ミック基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサと
その製造方法に関する。
ミック基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサと
その製造方法に関する。
来宇′・とその課題
結晶粒界に絶縁層を形成した半導体セラミックは、一般
に大きな誘電率を有する。そして、このような半導体セ
ラミックを用いれば大きな容量を有するコンデンサが得
られる。
に大きな誘電率を有する。そして、このような半導体セ
ラミックを用いれば大きな容量を有するコンデンサが得
られる。
第４図はこの種コンデンサの断面図を示したものであっ
て、該コンデンサは、粒界絶縁層型のセラミック基板５
１の表裏両面に上下一対の電極５２ａ、５２ｂが形成さ
れている。
て、該コンデンサは、粒界絶縁層型のセラミック基板５
１の表裏両面に上下一対の電極５２ａ、５２ｂが形成さ
れている。
前記セラミック基板５１を形成するセラミック原料とし
ては、従来からチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主
成分としたちのが広く使用されている。
ては、従来からチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主
成分としたちのが広く使用されている。
しかし、このＢａＴｉ０ｚを主成分としたコンデンサは
、誘電率が約７０．０００と大きい６のの、誘電損失が
５〜６％（Ｉ ＫＨｚ ）と大きく、さらに静電容量の
温度変化率も２０℃を基準とした場合、−２５〜＋８５
℃の範囲において±５０％と大きいという欠点がある。
、誘電率が約７０．０００と大きい６のの、誘電損失が
５〜６％（Ｉ ＫＨｚ ）と大きく、さらに静電容量の
温度変化率も２０℃を基準とした場合、−２５〜＋８５
℃の範囲において±５０％と大きいという欠点がある。
そこで、近年においては、上記した誘電損失や静電容量
の温度変化率等、電気特性の改良を試みたちのとして、
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｓｌを主成分とし
たコンデンサが開発されてきている。
の温度変化率等、電気特性の改良を試みたちのとして、
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｓｌを主成分とし
たコンデンサが開発されてきている。
しかし、この５ｒＴｉ（ｈを主成分としたセラミックコ
ンデンサにおいても次に述べるような欠点がある。すな
わち、 ■例えばＴｉ０２５１．５０ｍｏ１％とＳｒＯ４８，５
０ｍｏ１％とからなる主成分にＴａを添加してコンデン
サを構成した場合において、誘電損失は０．５％と良好
な値を示し、静電容量の温度変化率は一２５〜＋８５℃
の温度範囲で１０％以内と改善されるが、誘電率が３０
、０００程度と低い。
ンデンサにおいても次に述べるような欠点がある。すな
わち、 ■例えばＴｉ０２５１．５０ｍｏ１％とＳｒＯ４８，５
０ｍｏ１％とからなる主成分にＴａを添加してコンデン
サを構成した場合において、誘電損失は０．５％と良好
な値を示し、静電容量の温度変化率は一２５〜＋８５℃
の温度範囲で１０％以内と改善されるが、誘電率が３０
、０００程度と低い。
■また、５ｒＴｉＯｚを主成分とするセラミック原料に
Ｎｂを添加したセラミックコンデンサにおいては、誘電
率が５０．０００以上と向上し、誘電損失も１％以下の
良好な値を示すちのの、静電容量の温度変化率が一２５
〜＋８５°Ｃの温度範囲で±１３％以上と大きくなる。
Ｎｂを添加したセラミックコンデンサにおいては、誘電
率が５０．０００以上と向上し、誘電損失も１％以下の
良好な値を示すちのの、静電容量の温度変化率が一２５
〜＋８５°Ｃの温度範囲で±１３％以上と大きくなる。
■さらに、特開昭５４−７８４９８号公報においては、
Ｍｎ、 Ｔａ等を含むＳｒＴｉＯ３系セラミックの結晶
粒界にＢｉ、 Ｍｎ等からなる絶縁層が形成されたコン
デンサが開示されているが、該コンデンサにおいても、
誘電損失、静電容量の温度変化率は良好であるが、誘電
率は高々５３．０００程度に過ぎない。
Ｍｎ、 Ｔａ等を含むＳｒＴｉＯ３系セラミックの結晶
粒界にＢｉ、 Ｍｎ等からなる絶縁層が形成されたコン
デンサが開示されているが、該コンデンサにおいても、
誘電損失、静電容量の温度変化率は良好であるが、誘電
率は高々５３．０００程度に過ぎない。
■また、特開昭６３−１７２５６号公報においては、Ｔ
ｉＯ□及びＳｒＯからなる主成分に対して、ＭｎＯ２、
ＳｉＯ□及びＷＯｓを含有させたコンデンサが開示され
ているが、該コンデンサにおいてら、上述のコンデンサ
と同様、誘電損失、静電容量の温度変化率は良好な値を
示すものの、誘電率は６５．０００程度にしか向上して
いない。
ｉＯ□及びＳｒＯからなる主成分に対して、ＭｎＯ２、
ＳｉＯ□及びＷＯｓを含有させたコンデンサが開示され
ているが、該コンデンサにおいてら、上述のコンデンサ
と同様、誘電損失、静電容量の温度変化率は良好な値を
示すものの、誘電率は６５．０００程度にしか向上して
いない。
このように従来のコンデンサにおいては、ＢａＴｉ０ａ
系コンデンサでは誘電率は高いものの、誘電損失が大き
く、また静電容量の温度変化率が大きいという問題点が
あった。また一方、５ｒＴｉ０３系コンデンサでは誘電
損失や静電容量の温度変化率は改善されるちのの、誘電
率が低下するという問題点があった。
系コンデンサでは誘電率は高いものの、誘電損失が大き
く、また静電容量の温度変化率が大きいという問題点が
あった。また一方、５ｒＴｉ０３系コンデンサでは誘電
損失や静電容量の温度変化率は改善されるちのの、誘電
率が低下するという問題点があった。
また、さらに最近になって、成分の組成を改良すること
により電気特性の改善を行なう試みがなされているが、
現在のところ誘電率は９０．０００程度が限界である。
により電気特性の改善を行なう試みがなされているが、
現在のところ誘電率は９０．０００程度が限界である。
本発明はこのような問題点に鑑み、誘電損失や静電容量
の温度変化率を改善すると共に、より一層大きな誘電率
を得ることができるコンデンサとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
の温度変化率を改善すると共に、より一層大きな誘電率
を得ることができるコンデンサとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
課”を”） るための ｆ
上記目的を達成するために本発明は、粒界絶縁層型のセ
ラミック基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサ
において、前記セラミック基板の端面が、低誘電率化さ
れた絶縁体部分で形成されていることを特徴としている
。
ラミック基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサ
において、前記セラミック基板の端面が、低誘電率化さ
れた絶縁体部分で形成されていることを特徴としている
。
また、本発明に係るコンデンサの製造方法は、Ａｊ、Ｏ
ｓ、 ＳｉＯ□、ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分
を含む絶縁化ペーストをセラミック成形体の端面に塗布
する工程と、絶縁化ペーストが塗布された前記セラミッ
ク成形体を焼成して焼結体を得る工程と、前記焼結体に
電極を形成する工程とを含んでいることを特徴としてい
る。
ｓ、 ＳｉＯ□、ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分
を含む絶縁化ペーストをセラミック成形体の端面に塗布
する工程と、絶縁化ペーストが塗布された前記セラミッ
ク成形体を焼成して焼結体を得る工程と、前記焼結体に
電極を形成する工程とを含んでいることを特徴としてい
る。
尚、ここでいうセラミック基板の端面とは、上下一対の
電極が形成されていない側壁面を指す。
電極が形成されていない側壁面を指す。
任月
上記構成によれば、セラミック基板の端面が、低誘電率
化された絶縁体部分で形成されているので、セラミック
基板内において成長した粒界が前記絶縁体部分に閉じ込
められ、電界が端面から外部に漏洩する縁端効果がほと
んど生じず、誘電率等の電気特性が向上する。
化された絶縁体部分で形成されているので、セラミック
基板内において成長した粒界が前記絶縁体部分に閉じ込
められ、電界が端面から外部に漏洩する縁端効果がほと
んど生じず、誘電率等の電気特性が向上する。
また、上記したコンデンサの製造方法によれば、ＡｊＪ
ｓ、ＳｉＯ□、 ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分
を含む絶縁化ペーストをセラミック成形体の端面に塗布
した後、焼成することによって絶縁体部分が形成され、
さらに焼成された焼結体に電極を形成することにより電
気特性に優れたコンデンサが容易に製造される。
ｓ、ＳｉＯ□、 ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分
を含む絶縁化ペーストをセラミック成形体の端面に塗布
した後、焼成することによって絶縁体部分が形成され、
さらに焼成された焼結体に電極を形成することにより電
気特性に優れたコンデンサが容易に製造される。
見旌廻
以下、本発明に係る実施例を図面に基づき詳説する。
第１図及び第２図において、ｌは本発明に係るコンデン
サの一実施例を示した誘電体セラミックコンデンサであ
る。すなわち、該コンデンサｌは、セラミック基板２と
、該セラミック基板２の表裏両面に形成された上下一対
の電極３ａ、３ｂと、セラミック基板２の端面に形成さ
れて該セラミック基板２を囲む絶縁体部分４とから構成
されている。
サの一実施例を示した誘電体セラミックコンデンサであ
る。すなわち、該コンデンサｌは、セラミック基板２と
、該セラミック基板２の表裏両面に形成された上下一対
の電極３ａ、３ｂと、セラミック基板２の端面に形成さ
れて該セラミック基板２を囲む絶縁体部分４とから構成
されている。
セラミック基板２は、５ｒＴｉ（ｈ、 ＢａＴｉＯｓ等
を主成分とするセラミック成形体が焼成されてなり、半
導体化された高誘電率領域となっている。
を主成分とするセラミック成形体が焼成されてなり、半
導体化された高誘電率領域となっている。
また、電極３ａ、３ｂは、Ａｇ、 Ｃｕ等の導電性金属
で形成されている。
で形成されている。
さらに、絶縁体部分４は、ＡＲｚＯｓ、ＳｉＯ□、Ｍｇ
Ｏのうち少なくとも一種類以上の成分を含有した絶縁化
ペーストが焼成されてなり、半導体化することなく焼結
された低誘電率領域となっている。
Ｏのうち少なくとも一種類以上の成分を含有した絶縁化
ペーストが焼成されてなり、半導体化することなく焼結
された低誘電率領域となっている。
次に、上記コンデンサの製造方法を第３図に基づき詳述
する。
する。
（Ｉ）まずセラミック成形体を製造する。
すなわち、セラミック原料の半導体化に寄与する原子価
制御剤（例えばＬａ、 Ｄｙ、 Ｎｄ、 Ｙ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｅｒ、 Ｇｄ、 Ｎｏ、 Ｃｅ、などの酸化物）
及びセラミックの性質の改良や特性の安定化などの作用
をなす焼結助剤（Ｃｕ、 Ｍｎなどの酸化物）を所定の
セラミック原料に混入させた後、プレス成形または押し
出し成形によりシート状の成形体を製造する。
制御剤（例えばＬａ、 Ｄｙ、 Ｎｄ、 Ｙ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｅｒ、 Ｇｄ、 Ｎｏ、 Ｃｅ、などの酸化物）
及びセラミックの性質の改良や特性の安定化などの作用
をなす焼結助剤（Ｃｕ、 Ｍｎなどの酸化物）を所定の
セラミック原料に混入させた後、プレス成形または押し
出し成形によりシート状の成形体を製造する。
つぎに金型ブレスによって、このシート状の成形体を所
定の形状にプレスする。
定の形状にプレスする。
ここで、セラミック原料としては、例えば、ＢａＴｉＯ
ｓ、 ５ｒＴｉＯｉ、ＭｇＴｉ０ａ、（Ｂａ、Ｓｒｌ
（Ｔｉ、 Ｓｎｌ Ｏａ系複合酸化物（固溶体を含む１
． （Ｂａ、 ５ｒｌＴｉＯ３系複合酸化物（固溶体を
含む）、（１４ｇ、 Ｓｒ、ＣａＪＴｉＯａ系複合酸化
物（固溶体を含むｌ 、 （Ｓｒ、 Ｐｂｌ Ｔｉｅ、
系複合酸化物（固溶体を含むｌ 、 （Ｓｒ、 Ｃａ）
ＴＬＯ３系複合酸化物（固溶体を含む）、ＦｅＪ３、
ＺｎＯ１ＳｉＪ４などの誘電体成分の１種または２種以
上を用いる。
ｓ、 ５ｒＴｉＯｉ、ＭｇＴｉ０ａ、（Ｂａ、Ｓｒｌ
（Ｔｉ、 Ｓｎｌ Ｏａ系複合酸化物（固溶体を含む１
． （Ｂａ、 ５ｒｌＴｉＯ３系複合酸化物（固溶体を
含む）、（１４ｇ、 Ｓｒ、ＣａＪＴｉＯａ系複合酸化
物（固溶体を含むｌ 、 （Ｓｒ、 Ｐｂｌ Ｔｉｅ、
系複合酸化物（固溶体を含むｌ 、 （Ｓｒ、 Ｃａ）
ＴＬＯ３系複合酸化物（固溶体を含む）、ＦｅＪ３、
ＺｎＯ１ＳｉＪ４などの誘電体成分の１種または２種以
上を用いる。
（Ｉｆ）次に、セラミック成形体の端面に絶縁化ペース
トを塗布する。
トを塗布する。
ここで、絶縁化ペーストとしては、低誘電率化された絶
縁体部分の形成に適する６のとしてＡｇｘＯｓ、 Ｓｉ
Ｏ□、ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分を含有した
ちのが使用される。
縁体部分の形成に適する６のとしてＡｇｘＯｓ、 Ｓｉ
Ｏ□、ＭｇＯのうち少なくとも一種類の成分を含有した
ちのが使用される。
（ＩＩＩ ）次に、これを−次焼成する。
すなわち、絶縁化ペーストを塗布した前記セラミック成
形体を還元雰囲気中（８２１〜１５ｖｏ１％、Ｎａ９９
〜８５ｖｏ１％）において、１４００〜１５４０℃の温
度で４〜６時間焼成を行い、焼結体を得る。そして、こ
の−次焼成により、絶縁化ペーストの塗布されていない
部分は半導体化され、結晶粒の成長が促進されて高誘電
率状態となったセラミック基板２が形成されると共に、
絶縁化ペーストの塗布された部分は結晶粒の成長が抑制
され、半導体化されることらなく低誘電率状態となった
絶縁体部分４が形成される。
形体を還元雰囲気中（８２１〜１５ｖｏ１％、Ｎａ９９
〜８５ｖｏ１％）において、１４００〜１５４０℃の温
度で４〜６時間焼成を行い、焼結体を得る。そして、こ
の−次焼成により、絶縁化ペーストの塗布されていない
部分は半導体化され、結晶粒の成長が促進されて高誘電
率状態となったセラミック基板２が形成されると共に、
絶縁化ペーストの塗布された部分は結晶粒の成長が抑制
され、半導体化されることらなく低誘電率状態となった
絶縁体部分４が形成される。
（ＩＶ）次いで、この焼結体表面に添加剤として金属酸
化物（例えばＢｉ＊Ｏｉ、ＣｕＯ、ＮａｘＯ１ＭｎＯｉ
、ＴｌｚＯｓ、ＰｂＯ１ＮｂｚＯｓ、ＺｎＯなど）を塗
布する。
化物（例えばＢｉ＊Ｏｉ、ＣｕＯ、ＮａｘＯ１ＭｎＯｉ
、ＴｌｚＯｓ、ＰｂＯ１ＮｂｚＯｓ、ＺｎＯなど）を塗
布する。
この添加剤は、粒界の絶縁層化を円滑に形成して所望の
電気特性を有するセラミックコンデンサを得るために添
加される。
電気特性を有するセラミックコンデンサを得るために添
加される。
（Ｖ）次に、これに二次焼成を施す。
すなわち、大気中、１０００〜１３００℃の温度範囲で
、熱処理を行なう、この二次焼成により、セラミック基
板２中の結晶間に上記添加剤が拡散し、結晶粒界が絶縁
化されることとなる。
、熱処理を行なう、この二次焼成により、セラミック基
板２中の結晶間に上記添加剤が拡散し、結晶粒界が絶縁
化されることとなる。
（Ｖｌ）次に、スクリーン印刷等によりセラミック基板
２の表裏両面に導電性の金属ペーストを塗布した後焼き
付けを行ない、電極３ａ、３ｂを形成してセラミックコ
ンデンサの製造を完了する。
２の表裏両面に導電性の金属ペーストを塗布した後焼き
付けを行ない、電極３ａ、３ｂを形成してセラミックコ
ンデンサの製造を完了する。
ここで、前記金属ペーストとしてはＡｇ、 Ａｕ、 Ｚ
ｎ又はＮｉのうち少なくとも１種類を含有したものを使
用する。但し、電気特性等を考慮するとＡｇを使用する
のが最も望ましい、また、前記金属ペーストの焼き付け
は大気中、７００〜９００℃の温度で行なう。
ｎ又はＮｉのうち少なくとも１種類を含有したものを使
用する。但し、電気特性等を考慮するとＡｇを使用する
のが最も望ましい、また、前記金属ペーストの焼き付け
は大気中、７００〜９００℃の温度で行なう。
次に、上記（Ｉ）〜（ｖｌ）の工程に基づき５ｒＴｉＯ
ｓ系セラミツクコンデンサを製造した具体例について説
明する。
ｓ系セラミツクコンデンサを製造した具体例について説
明する。
セラミック原料を所定の組成比に調合する。
すなわち、セラミック原料としてＴｉＯ□、５ｒＯ１Ｃ
ａＯを主成分として使用し、その組成比がＴｉｅｓ５０
．０〜５２．０ｍｏ１％、Ｓｒ０４０．０〜５０．０ｍ
ｏ１％、Ｃａ００〜１０．０ｍｏ１％となるように調合
した。
ａＯを主成分として使用し、その組成比がＴｉｅｓ５０
．０〜５２．０ｍｏ１％、Ｓｒ０４０．０〜５０．０ｍ
ｏ１％、Ｃａ００〜１０．０ｍｏ１％となるように調合
した。
次いで、該セラミック原料に、原子価制御剤としてＮｂ
Ｊｓ、ＹＪｓ等を０．１〜０．５ｍｏ１％、焼結助剤と
してＣｕＯ１Ｍｎ０ａ等を０．０５〜０．４ｍｏ１％程
度混入させた後、バインダ、水、分散剤と共にこれらを
混線した。そしてこの後、プレス成形又は押し出し成形
により、シート状のセラミック成形体を製造した。
Ｊｓ、ＹＪｓ等を０．１〜０．５ｍｏ１％、焼結助剤と
してＣｕＯ１Ｍｎ０ａ等を０．０５〜０．４ｍｏ１％程
度混入させた後、バインダ、水、分散剤と共にこれらを
混線した。そしてこの後、プレス成形又は押し出し成形
により、シート状のセラミック成形体を製造した。
さらにこの後、金型ブレスによってシート状の成形体を
所定形状のセラミック成形体にプレスした。
所定形状のセラミック成形体にプレスした。
次に、Ａ１．０３、ＳｉＯ□、ＭｇＯのうち少なくとも
一種類以上の成分を含有した絶縁化ペーストを前記セラ
ミック成形体の端面外周に塗布した。
一種類以上の成分を含有した絶縁化ペーストを前記セラ
ミック成形体の端面外周に塗布した。
そしてこの後、前記絶縁化ペーストが塗布されたセラミ
ック成形体を還元雰囲気中（Ｈｚ：１〜１５ ｖｏ１％
、Ｎ、 ： ８５〜９９ｖｏ１％）において１４００〜
１５４０℃の温度で４〜６時間、−次焼成を行ない、焼
結体を得た。
ック成形体を還元雰囲気中（Ｈｚ：１〜１５ ｖｏ１％
、Ｎ、 ： ８５〜９９ｖｏ１％）において１４００〜
１５４０℃の温度で４〜６時間、−次焼成を行ない、焼
結体を得た。
一次焼成後、該焼結体の断面をＳＥＭで観察したところ
、前記絶縁化ペーストの塗布された部分は、結晶粒径が
２〜４μｍであり、前記絶縁化ペーストが塗布されなか
った部分は、結晶粒径が５０〜２００μｍであった。つ
まり、前記絶縁化ペーストの塗布された部分は、結晶粒
が成長せず、低誘電率の絶縁体部分４を形成する。そし
て一方、前記絶縁化ペーストの塗布されなかった部分は
結晶粒が成長して高誘電率のセラミック基板２を形成す
るのである。尚、前記絶縁体部分４及び前記セラミック
基板２の誘電率を測定したところ、絶縁体部分４の誘電
率は３００〜１５００程度であり、セラミック基板の誘
電率は、５０．０００〜１５０，０００程度であった。
、前記絶縁化ペーストの塗布された部分は、結晶粒径が
２〜４μｍであり、前記絶縁化ペーストが塗布されなか
った部分は、結晶粒径が５０〜２００μｍであった。つ
まり、前記絶縁化ペーストの塗布された部分は、結晶粒
が成長せず、低誘電率の絶縁体部分４を形成する。そし
て一方、前記絶縁化ペーストの塗布されなかった部分は
結晶粒が成長して高誘電率のセラミック基板２を形成す
るのである。尚、前記絶縁体部分４及び前記セラミック
基板２の誘電率を測定したところ、絶縁体部分４の誘電
率は３００〜１５００程度であり、セラミック基板の誘
電率は、５０．０００〜１５０，０００程度であった。
次に、これにＢ１１０ｉ、ＣｕＯ１Ｎａ＊０等の混合ペ
ースト（添加剤）を塗布した後、二次焼成を行なう。
ースト（添加剤）を塗布した後、二次焼成を行なう。
この二次焼成の条件は、温度１０００〜１３００℃、焼
成時間約１時間である。そして、この二次焼成により、
セラミック基板２中の結晶間に前記添加剤成分のイオン
が拡散し結晶粒界が絶縁化される。
成時間約１時間である。そして、この二次焼成により、
セラミック基板２中の結晶間に前記添加剤成分のイオン
が拡散し結晶粒界が絶縁化される。
次いで、金属ペーストとしてのＡｇペーストを前記セラ
ミック基板２の表裏両面に塗布した後、焼き付けを行な
って電極３ａ、３ｂを形成しセラミックコンデンサｌを
製造した。尚、焼き付けは大気中、７００〜９００℃の
温度で行なった。
ミック基板２の表裏両面に塗布した後、焼き付けを行な
って電極３ａ、３ｂを形成しセラミックコンデンサｌを
製造した。尚、焼き付けは大気中、７００〜９００℃の
温度で行なった。
第１表は絶縁化ペーストの組成比を種々変えてセラミッ
クコンデンサｌを形成した場合の電気特性（誘電率、誘
電損失、静電容量の温度特性）を絶縁体部分４が形成さ
れていない従来例（第４図）と共に示したちのである。
クコンデンサｌを形成した場合の電気特性（誘電率、誘
電損失、静電容量の温度特性）を絶縁体部分４が形成さ
れていない従来例（第４図）と共に示したちのである。
ここで、誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ（％）は１ ｋＨ
ｚ、１ｖの交流電圧下で測定した値から求めた。また、
絶縁抵抗率ρは、直流電圧２５Ｖを１分間印加した後の
電流値から求めたちのである。さらに、静電容量の温度
変化率（％）は、−２５℃に冷却した時及び＋８５℃に
昇温させた時の静電容量を測定して、＋２５℃の時の静
電容量を比較し、その差から算出した。
ｚ、１ｖの交流電圧下で測定した値から求めた。また、
絶縁抵抗率ρは、直流電圧２５Ｖを１分間印加した後の
電流値から求めたちのである。さらに、静電容量の温度
変化率（％）は、−２５℃に冷却した時及び＋８５℃に
昇温させた時の静電容量を測定して、＋２５℃の時の静
電容量を比較し、その差から算出した。
Ｎｏ、 １〜Ｎｏ、 ６は、絶縁化ペーストがＡｔ２０
ｓ、５ｉｆｔ、ＭｇＯあるいはこれらの混合物で構成さ
れた場合を示し、 Ｎｏ、７〜Ｎｏ、１２は、 Ａｔ２０ｓ等にＭｎＣ０ｚ
が混入された場合を示し、 Ｎｏ、 １３〜Ｎｏ、 １６は、ＡｆｆｉＪｓ等にＢｉ
２０ｇが混入されている場合を示している。
ｓ、５ｉｆｔ、ＭｇＯあるいはこれらの混合物で構成さ
れた場合を示し、 Ｎｏ、７〜Ｎｏ、１２は、 Ａｔ２０ｓ等にＭｎＣ０ｚ
が混入された場合を示し、 Ｎｏ、 １３〜Ｎｏ、 １６は、ＡｆｆｉＪｓ等にＢｉ
２０ｇが混入されている場合を示している。
Ｎｏ、１７は、従来例であって、セラミック基板２が絶
縁体部分４で囲まれていない場合を示している（第４図
参照）。
縁体部分４で囲まれていない場合を示している（第４図
参照）。
この第１表から明らかなように、本発明のコンデンサ（
Ｎｏ、 ｌ 〜Ｎｏ、 １６ ）は、誘電損失が０．７
％以下、絶縁抵抗率が１．３Ｘ ｔｏ”Ωｃｍ以上であ
り、かつ静電容量の温度変化率が±１Ｏ１５％以内と良
好な電気特性を示すと共に、誘電率ち従来例の誘電率（
Ｎｏ、１７）に比べ７〜５６％も向上したことが判る。
Ｎｏ、 ｌ 〜Ｎｏ、 １６ ）は、誘電損失が０．７
％以下、絶縁抵抗率が１．３Ｘ ｔｏ”Ωｃｍ以上であ
り、かつ静電容量の温度変化率が±１Ｏ１５％以内と良
好な電気特性を示すと共に、誘電率ち従来例の誘電率（
Ｎｏ、１７）に比べ７〜５６％も向上したことが判る。
また、Ｍｎ化合物を含有した絶縁化ペーストを使用した
場合においては、絶縁抵抗率の向上が顕著であることが
併せて判明した。
場合においては、絶縁抵抗率の向上が顕著であることが
併せて判明した。
尚、本発明は上記実施例に限定されることはなく、要旨
を逸脱しない範囲において変更可能なことはいうまでち
ない。セラミック原料についても５ｒＴｉＯｚ系のもの
に限られることはなく、ＢａＴｉＯ３系やその他のセラ
ミック原料を使用しても本発明の所期の目的を達成する
ことができる。
を逸脱しない範囲において変更可能なことはいうまでち
ない。セラミック原料についても５ｒＴｉＯｚ系のもの
に限られることはなく、ＢａＴｉＯ３系やその他のセラ
ミック原料を使用しても本発明の所期の目的を達成する
ことができる。
及旦公並呈
以上詳述したように本発明は、粒界絶縁層型のセラミッ
ク基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサにおい
て、前記セラミック基板の端面が、低誘電率化された絶
縁体部分で形成されているので、セラミック基板内にお
いて成長した粒界が前記絶縁体部分に閉じ込められ、縁
端効果がほとんど生じず、大きな誘電率を有し、かつ誘
電損失等の電気特性が優れたコンデンサを得ることがで
きる。
ク基板に上下一対の電極が形成されたコンデンサにおい
て、前記セラミック基板の端面が、低誘電率化された絶
縁体部分で形成されているので、セラミック基板内にお
いて成長した粒界が前記絶縁体部分に閉じ込められ、縁
端効果がほとんど生じず、大きな誘電率を有し、かつ誘
電損失等の電気特性が優れたコンデンサを得ることがで
きる。
また、上記コンデンサは、Ａｊａ０３．５ｉＯｚ、Ｍｇ
Ｏのうち少なくとも一種類の成分を含む絶縁化ペースト
をセラミック成形体に塗布した後、焼成することによっ
て絶縁体部分を容易に形成することができ、さらに焼成
された焼結体に電極を形成することにより簡単かつ容易
に製造することができる。
Ｏのうち少なくとも一種類の成分を含む絶縁化ペースト
をセラミック成形体に塗布した後、焼成することによっ
て絶縁体部分を容易に形成することができ、さらに焼成
された焼結体に電極を形成することにより簡単かつ容易
に製造することができる。
このように本発明によれば、誘電損失や静電容量の温度
変化率あるいは絶縁抵抗率が良好であって、より一層大
きな誘電率を有するコンデンサを得ることができる。
変化率あるいは絶縁抵抗率が良好であって、より一層大
きな誘電率を有するコンデンサを得ることができる。
しかも、従来のコンデンサの組成を変更することなく、
セラミック基板の端面に絶縁化ペーストを塗布する工程
を付加するだけで簡単かつ容易に優れたコンデンサを製
造することができる。
セラミック基板の端面に絶縁化ペーストを塗布する工程
を付加するだけで簡単かつ容易に優れたコンデンサを製
造することができる。
第１図は本発明に係るコンデンサの一実施例を示す断面
図（第２図のＡ−Ａ断面図）、第２図は本発明に係るコ
ンデンサの一実施例を示す平面図、第３図は本発明に係
るコンデンサの製造方法を説明するための製造工程図、
第４図は従来のコンデンサを示す断面図である。 ２・・・セラミック基板、３ａ、３ｂ・・・電極、４・
・・絶縁体部分。 第１ 図 第２図 −４−
図（第２図のＡ−Ａ断面図）、第２図は本発明に係るコ
ンデンサの一実施例を示す平面図、第３図は本発明に係
るコンデンサの製造方法を説明するための製造工程図、
第４図は従来のコンデンサを示す断面図である。 ２・・・セラミック基板、３ａ、３ｂ・・・電極、４・
・・絶縁体部分。 第１ 図 第２図 −４−
Claims (2)
- （１）粒界絶縁層型のセラミック基板に上下一対の電極
が形成されたコンデンサにおいて、前記セラミック基板
の端面が、低誘電率化された絶縁体部分で形成されてい
ることを特徴とするコンデンサ。 - （２）Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２、ＭｇＯのうち少な
くとも一種類の成分を含有した絶縁化ペーストをセラミ
ック成形体の端面に塗布する工程と、 絶縁化ペーストが塗布された前記セラミック成形体を焼
成して焼結体を得る工程と、 前記焼結体に電極を形成する工程と、 を含んでいることを特徴とするコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16726889A JPH0332009A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | コンデンサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16726889A JPH0332009A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | コンデンサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332009A true JPH0332009A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15846589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16726889A Pending JPH0332009A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | コンデンサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332009A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014162631A1 (ja) | 2013-04-02 | 2014-10-09 | トヨタ自動車株式会社 | 車両の制御装置 |
| DE102017200503A1 (de) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Dielektrisches Element sowie ein Verfahren zur Herstellung |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16726889A patent/JPH0332009A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014162631A1 (ja) | 2013-04-02 | 2014-10-09 | トヨタ自動車株式会社 | 車両の制御装置 |
| DE102017200503A1 (de) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Dielektrisches Element sowie ein Verfahren zur Herstellung |
| DE102017200503B4 (de) | 2017-01-13 | 2023-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Elements |
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