JPS59190364A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS59190364A JPS59190364A JP5450384A JP5450384A JPS59190364A JP S59190364 A JPS59190364 A JP S59190364A JP 5450384 A JP5450384 A JP 5450384A JP 5450384 A JP5450384 A JP 5450384A JP S59190364 A JPS59190364 A JP S59190364A
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- JP
- Japan
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- cathode material
- electrode
- deposition rate
- cathode electrode
- cathode
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、一定圧力に保持した槽内にカソード電極と基
板電極とを配置して高周波電力を印加することで生じる
放電プラズマによってカソード材料をスパッタ（放出）
させるスパッタリング装置に係り、特に、プレーナマグ
ネトロン型カソード電極を備えたスパッタリング装置に
おけるカソード電極の改良に関する。
板電極とを配置して高周波電力を印加することで生じる
放電プラズマによってカソード材料をスパッタ（放出）
させるスパッタリング装置に係り、特に、プレーナマグ
ネトロン型カソード電極を備えたスパッタリング装置に
おけるカソード電極の改良に関する。
従来技術を第１図によって説明する。第１図（ａ）はス
パッタリング装置の一般構成説明用の断面図で、１はカ
ソード電極、２は高周波電源。
パッタリング装置の一般構成説明用の断面図で、１はカ
ソード電極、２は高周波電源。
３は基板電極、４は真空槽である。真空槽４内はスパッ
タリングの雰囲気として例えばＡｒガスが１０−３〜１
Ｏ−２Ｔ ｏｒｒ程度の圧力に保たれている。カソード
電極１は高周波電源２と電気的に接続されている。カソ
ード電極１と対向する位置に基板電極３が配置される。
タリングの雰囲気として例えばＡｒガスが１０−３〜１
Ｏ−２Ｔ ｏｒｒ程度の圧力に保たれている。カソード
電極１は高周波電源２と電気的に接続されている。カソ
ード電極１と対向する位置に基板電極３が配置される。
基板電極３は直接接地されるか、場合によってはキャパ
シタ等を介して接地されるか、高周波電源２と直接接続
されることもある。カソード電極１の表面にはカソード
材料１１が設置されている。高周波電源２からの高周波
電力をカソード電極１と接地間に印加することで、真空
槽４内のＡｒガスがイオン化され、そのプラズマによっ
てカソード材料１１がスパッタされる。スパッタされた
カソード材料１１は基板電極３及び基板電極上に保持さ
れた基板５に堆積する。
シタ等を介して接地されるか、高周波電源２と直接接続
されることもある。カソード電極１の表面にはカソード
材料１１が設置されている。高周波電源２からの高周波
電力をカソード電極１と接地間に印加することで、真空
槽４内のＡｒガスがイオン化され、そのプラズマによっ
てカソード材料１１がスパッタされる。スパッタされた
カソード材料１１は基板電極３及び基板電極上に保持さ
れた基板５に堆積する。
以上のスパッタリング装置において、近年、ヵソード電
極１としていわゆるプレーナマグネトロン型カソード電
極が用いられることが多い。このプレーナマグネトロン
型カソード電極の概要を第１図（、ｂ）、、（ｃ）に示
す。第１図（ｂ）はこの型のカソード電極１の表面に設
置されたカソード材料１１の表面状態を示す斜視図であ
り、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＡ−Ａ’部部面面図
ある。
極１としていわゆるプレーナマグネトロン型カソード電
極が用いられることが多い。このプレーナマグネトロン
型カソード電極の概要を第１図（、ｂ）、、（ｃ）に示
す。第１図（ｂ）はこの型のカソード電極１の表面に設
置されたカソード材料１１の表面状態を示す斜視図であ
り、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）のＡ−Ａ’部部面面図
ある。
５ｉｎ２やＡｎもしくはＡｆｌを含む合金などから成る
カソード材料１１の表面上に磁力線１２によって囲まれ
た磁路１０が１個形成されている。磁力線１２は磁路１
０の内側から外側に向いている。カソード材料１１の裏
側には磁力線１２を形成するための永久磁石１４が設け
られている。この永久磁石１４によって磁力線１２とし
て示すような磁場が発生し、磁路１０が形成される。こ
のカソード電極１に高周波電力が印加されると磁１？４
１０に相当する部分に高密度のＡｒプラズマが発生する
。この高密度プラズマによって磁路１０付近のカソード
材料ＩＪは速やかにスパッタされ、第１図（ａ）の基板
電極３及び基板５上に堆積する。
カソード材料１１の表面上に磁力線１２によって囲まれ
た磁路１０が１個形成されている。磁力線１２は磁路１
０の内側から外側に向いている。カソード材料１１の裏
側には磁力線１２を形成するための永久磁石１４が設け
られている。この永久磁石１４によって磁力線１２とし
て示すような磁場が発生し、磁路１０が形成される。こ
のカソード電極１に高周波電力が印加されると磁１？４
１０に相当する部分に高密度のＡｒプラズマが発生する
。この高密度プラズマによって磁路１０付近のカソード
材料ＩＪは速やかにスパッタされ、第１図（ａ）の基板
電極３及び基板５上に堆積する。
しかしながら、上述した従来のプレーナマグネトロン型
カソード電極には以下に述べるような問題点がある。即
ち、カソード材料１１は磁路１０の付近が集中的にスパ
ッタを生じてエツチング（食刻）され、その粒子が飛び
出すために、これを基板５上に堆積させると基板５上で
の堆積速度分布の均一性が極めて悪いという点である。
カソード電極には以下に述べるような問題点がある。即
ち、カソード材料１１は磁路１０の付近が集中的にスパ
ッタを生じてエツチング（食刻）され、その粒子が飛び
出すために、これを基板５上に堆積させると基板５上で
の堆積速度分布の均一性が極めて悪いという点である。
これを、第１図（ｄ）によりさらに具体的に説明する。
第１図（ｄ）はＡｒ圧力を約３ Ｘ １０−” Ｔ ｏ
ｒｒ 、高周波電力密度を６ワツト／ｃｄ、カソード材
料表面上での磁場に強さを３００ガウスとして実験した
場合の結果で、縦軸は基板５上でのカソード材料の堆積
速度を示し、横軸は基板５の基板電極３上での位置を示
している。第１図（ａ）で示したカソード電極１と基板
電極３との間隔りを１．５〜３．５ａｎぐらいの狭い値
に選んだ場合は、基板５上の堆積速度の分布は曲線１５
として示すように、カソード材料１１が磁路１０と対向
する部分は６７ ｎｍ／ｍｉｎｍ／ｍ法く。
ｒｒ 、高周波電力密度を６ワツト／ｃｄ、カソード材
料表面上での磁場に強さを３００ガウスとして実験した
場合の結果で、縦軸は基板５上でのカソード材料の堆積
速度を示し、横軸は基板５の基板電極３上での位置を示
している。第１図（ａ）で示したカソード電極１と基板
電極３との間隔りを１．５〜３．５ａｎぐらいの狭い値
に選んだ場合は、基板５上の堆積速度の分布は曲線１５
として示すように、カソード材料１１が磁路１０と対向
する部分は６７ ｎｍ／ｍｉｎｍ／ｍ法く。
それ以外の部分は遅いという傾向を示す。間隔りを４ｃ
ｍ、 ６ａｎ、 ８ａｎと広くするに従って堆積速度の
分布は曲線１６．１７．１８の順に次第に均一となるが
、しかしその反面、堆積速度は４０ｒ＋ｍ／ ｍｉｎ
、 ２５ｎｍ／ｍｊ、ｎ、 １０ｎｍ／ｍｉｎと順に低
下する。即ち、従来のプレーナマグネ１ヘロン型カソー
ド電極を用いた場合、堆積速度を速くしようとすればそ
の分布の均一性が低下し２分布の均一性を高めようとす
れば堆積速度が著しく低下するという問題点があった。
ｍ、 ６ａｎ、 ８ａｎと広くするに従って堆積速度の
分布は曲線１６．１７．１８の順に次第に均一となるが
、しかしその反面、堆積速度は４０ｒ＋ｍ／ ｍｉｎ
、 ２５ｎｍ／ｍｊ、ｎ、 １０ｎｍ／ｍｉｎと順に低
下する。即ち、従来のプレーナマグネ１ヘロン型カソー
ド電極を用いた場合、堆積速度を速くしようとすればそ
の分布の均一性が低下し２分布の均一性を高めようとす
れば堆積速度が著しく低下するという問題点があった。
また第１図（ｄ）に示した堆積速度の均一な領域の幅Ｗ
１は各スパッタリング装置によって定まる最適間隔を選
んでもたかだか１０〜１５ｃｍにしか過ぎない。その場
合、５ｉｎ２の堆積速度は２０〜４０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。この堆積速度の均一な領域の幅Ｗ１は第１図（ｂ）
に示した磁路１０の内径幅Ｍとほぼ対応する。しかし、
この内径幅Ｍを広くすることによって堆積速度の均一な
領域の幅Ｗ□を広く、かつ堆積速度を早くすることはで
きない。何故なら、上記磁路内径幅Ｍを広くすると堆積
速度の分布は曲線１５に示した高堆積速度の部分の間隔
が広くなり均一性が低下し、均一性を向上させるために
間隔りを広くすれば堆積速度が低下するからである。
１は各スパッタリング装置によって定まる最適間隔を選
んでもたかだか１０〜１５ｃｍにしか過ぎない。その場
合、５ｉｎ２の堆積速度は２０〜４０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。この堆積速度の均一な領域の幅Ｗ１は第１図（ｂ）
に示した磁路１０の内径幅Ｍとほぼ対応する。しかし、
この内径幅Ｍを広くすることによって堆積速度の均一な
領域の幅Ｗ□を広く、かつ堆積速度を早くすることはで
きない。何故なら、上記磁路内径幅Ｍを広くすると堆積
速度の分布は曲線１５に示した高堆積速度の部分の間隔
が広くなり均一性が低下し、均一性を向上させるために
間隔りを広くすれば堆積速度が低下するからである。
本発明の目的は、プレーナマグネトロン型カソード電極
を備えたスパッタリング装置における上記した問題点を
解決し、堆積速度を速くシ、シかも堆積速度の分布の均
一性をたかぬることのできるカソード電極構造を備えた
スパッタリング装置を提供するにある。
を備えたスパッタリング装置における上記した問題点を
解決し、堆積速度を速くシ、シかも堆積速度の分布の均
一性をたかぬることのできるカソード電極構造を備えた
スパッタリング装置を提供するにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために。
同−力ソード電極平面上に磁場によって囲まれた環状領
域を少なくとも２個形成させる磁場発生手段を備えた構
成とするにある。
域を少なくとも２個形成させる磁場発生手段を備えた構
成とするにある。
以下図面により本発明を説明する。
第２図は本発明の詳細な説明図で、（ａ）はカソード電
極表面をカソード材料側から見た斜視図、（ｂ）はその
Ｂ−Ｂ’部部面面図（Ｃ）は実施例採用時の堆積速度と
基板位置との関係を示す曲線図であり、この第２図実施
例は、磁場によって囲まれた環状領域をカソード電極平
面上に３個形成させた場合である。第２図において、２
１はカソード材料、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃはそれぞれ
磁路を示しており、各磁路は永久磁石２４Ａ、 ２４Ｂ
、 ２４Ｃによって発生する磁力線２２Ａ、２２Ｂ、
２２Ｃによって囲まれている。なおりソード材料２１は
物理的に複数個に分割されていても、電気的に１個のカ
ソード電極に設置されていさえすれば良い。
極表面をカソード材料側から見た斜視図、（ｂ）はその
Ｂ−Ｂ’部部面面図（Ｃ）は実施例採用時の堆積速度と
基板位置との関係を示す曲線図であり、この第２図実施
例は、磁場によって囲まれた環状領域をカソード電極平
面上に３個形成させた場合である。第２図において、２
１はカソード材料、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃはそれぞれ
磁路を示しており、各磁路は永久磁石２４Ａ、 ２４Ｂ
、 ２４Ｃによって発生する磁力線２２Ａ、２２Ｂ、
２２Ｃによって囲まれている。なおりソード材料２１は
物理的に複数個に分割されていても、電気的に１個のカ
ソード電極に設置されていさえすれば良い。
第２図（ａ）、（ｂ）より判るように、カソード材料２
１の裏側に設けた３組の永久磁石２４Ａ、２４Ｂ。
１の裏側に設けた３組の永久磁石２４Ａ、２４Ｂ。
２４Ｃによって磁路２０Ａ 、 ２０’Ｂ 、 ２０Ｃ
が形成される。
が形成される。
このカソード電極を用いて高周波放電を発生させて基板
５上にカソード材料２１を堆積させると、カソード電極
１と基板電極３との間隔りが著しく狭い場合は、第２図
（ｃ）の曲線２５に示すような堆積速度の分布が得られ
る。間隔りを広く調節すると曲線２７として示すように
ｅＷＷ２の範囲で平坦となる分布曲線が得られる。この
Ｗ２は、３個の磁路２０Ａ 、 ２０Ｂ 、 ２０Ｃｔ
ｉ−設けたコトニよ＋）３０〜４０ａｍとなり、従来の
Ｗ□が第１図（ｄ）に示すように１０〜１５ａｎであっ
たのに対し、約３倍の値になる。
５上にカソード材料２１を堆積させると、カソード電極
１と基板電極３との間隔りが著しく狭い場合は、第２図
（ｃ）の曲線２５に示すような堆積速度の分布が得られ
る。間隔りを広く調節すると曲線２７として示すように
ｅＷＷ２の範囲で平坦となる分布曲線が得られる。この
Ｗ２は、３個の磁路２０Ａ 、 ２０Ｂ 、 ２０Ｃｔ
ｉ−設けたコトニよ＋）３０〜４０ａｍとなり、従来の
Ｗ□が第１図（ｄ）に示すように１０〜１５ａｎであっ
たのに対し、約３倍の値になる。
なお、上記比較は、高周波電源２として周波数１３．５
６λイ＆の電源を用い、カソード電極面での電力密度を
６ワツト／ｄとし、真空槽４内のＡｒ圧力を２ Ｘ １
Ｏ−３Ｔｏｒｒ、永久磁石２４Ａ 、 ２４Ｂ 、 ２
４Ｃのカソード材料面での磁場の強さを２５０〜４００
ガウス、間隔りを６印としてカソード材料２１に石英板
を使用して行なった実験により得られたものである。し
かも堆積速度は、 ４０ｎｍ／ｍｉｎと従来構造の場合
と比較して劣ることはない。上記はカソード材料２】と
して石英板を使用した場合であるが、へ息などの金属を
カソード材料２１として使用した場合は、最適条件に選
ぶことによって、 ２００〜８００ｎｍ／ｍｉｎの堆積
速度が得られる。
６λイ＆の電源を用い、カソード電極面での電力密度を
６ワツト／ｄとし、真空槽４内のＡｒ圧力を２ Ｘ １
Ｏ−３Ｔｏｒｒ、永久磁石２４Ａ 、 ２４Ｂ 、 ２
４Ｃのカソード材料面での磁場の強さを２５０〜４００
ガウス、間隔りを６印としてカソード材料２１に石英板
を使用して行なった実験により得られたものである。し
かも堆積速度は、 ４０ｎｍ／ｍｉｎと従来構造の場合
と比較して劣ることはない。上記はカソード材料２】と
して石英板を使用した場合であるが、へ息などの金属を
カソード材料２１として使用した場合は、最適条件に選
ぶことによって、 ２００〜８００ｎｍ／ｍｉｎの堆積
速度が得られる。
なお、第２図（ｂ）において、永久磁石２４Ａ。
２４Ｂ、２４Ｃは相互に独立した状態を示しであるが。
相互に接した状態で設置しても良い。また、これらの永
久磁石がカソード材料２１の表面上に作る磁場の強さは
、２５０〜４５０ガウスとして実験したが。
久磁石がカソード材料２１の表面上に作る磁場の強さは
、２５０〜４５０ガウスとして実験したが。
磁場の強さそのものを適値に選ぶことによりさらに重要
なことは、３個の永久磁石のカソード材料表面上での磁
場の強さをできるだけ均一にすることである。３個の永
久磁石の磁場の強さを、装置に取り付ける以前の状態で
均一にしても、カソード材料の裏面に３個並べて取り付
けた状態では。
なことは、３個の永久磁石のカソード材料表面上での磁
場の強さをできるだけ均一にすることである。３個の永
久磁石の磁場の強さを、装置に取り付ける以前の状態で
均一にしても、カソード材料の裏面に３個並べて取り付
けた状態では。
磁場が相互に影響し合うことから、カソード材料表面上
での磁場の均一性は得られない。
での磁場の均一性は得られない。
第２図実施例では３個の永久磁石を用いてカソード材料
表面上に３個の磁路が形成される場合について説明した
が、堆積速度分布が均一になる幅Ｗ２をより広くしたい
場合は、磁路の数を適宜増加させれば良いことは当然で
ある。その他の一般条件として、高周波電力密度は１〜
ｌＯワツト／ｄの範囲に、真空槽内へのＡｒガス封入圧
力は０．１３〜１３Ｐａ （パスカル）〔圧力の国際単
位でＩＴｏｒｒが１３３ Ｐ ａに相当する〕の範囲に
、カソード材料表面上での磁場の強さの均一性が、±２
０％に保たれるように９選択することが適当である。
表面上に３個の磁路が形成される場合について説明した
が、堆積速度分布が均一になる幅Ｗ２をより広くしたい
場合は、磁路の数を適宜増加させれば良いことは当然で
ある。その他の一般条件として、高周波電力密度は１〜
ｌＯワツト／ｄの範囲に、真空槽内へのＡｒガス封入圧
力は０．１３〜１３Ｐａ （パスカル）〔圧力の国際単
位でＩＴｏｒｒが１３３ Ｐ ａに相当する〕の範囲に
、カソード材料表面上での磁場の強さの均一性が、±２
０％に保たれるように９選択することが適当である。
以上説明したように２本発明によれば、プレーナマグネ
トロン型カソード電極を備えたスパッタリング装置の同
−力ソード電極平面上に少なくとも２個以上の磁路を形
成させる構成としたことにより、カソード材料の基板へ
の堆積速度を速くシ。
トロン型カソード電極を備えたスパッタリング装置の同
−力ソード電極平面上に少なくとも２個以上の磁路を形
成させる構成としたことにより、カソード材料の基板へ
の堆積速度を速くシ。
しかも堆積速度の分布の均一性を高めることができる利
点がある。
点がある。
第１図は従来装置の説明図で（ａ）は全体構造の断面図
、（ｂ）はカソード材料の斜視図、（Ｃ）は（ｂ）のＡ
−Ａ’面での断面図、（ｄ）は特性曲線図、第２図は本
発明の詳細な説明図で（ａ）はカソード材料の斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′面での断面図、（Ｃ）は特性
曲線図である。 符号の説明 １・・・カソード電極 ２・・高周波電源 ３・・・基板電極 ４・・・真空槽 ５・・・基板 １１、２１・・・カソード材料 １０、２ＯＡ 、 ２０Ｂ 、 ２０Ｇ−磁路１２，２
２Ａ、２２Ｂ、２２Ｇ−・・磁力線１４、２４ａ 、
２４Ｂ 、 ２４Ｃ−永久磁石１５〜１．８．２５．２
７・・・特性曲線代理人弁理士 中 村 純之助 才 １ ［・」 ｔｄン ガｊ・ ２１コヅ１（ （１））
、（ｂ）はカソード材料の斜視図、（Ｃ）は（ｂ）のＡ
−Ａ’面での断面図、（ｄ）は特性曲線図、第２図は本
発明の詳細な説明図で（ａ）はカソード材料の斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′面での断面図、（Ｃ）は特性
曲線図である。 符号の説明 １・・・カソード電極 ２・・高周波電源 ３・・・基板電極 ４・・・真空槽 ５・・・基板 １１、２１・・・カソード材料 １０、２ＯＡ 、 ２０Ｂ 、 ２０Ｇ−磁路１２，２
２Ａ、２２Ｂ、２２Ｇ−・・磁力線１４、２４ａ 、
２４Ｂ 、 ２４Ｃ−永久磁石１５〜１．８．２５．２
７・・・特性曲線代理人弁理士 中 村 純之助 才 １ ［・」 ｔｄン ガｊ・ ２１コヅ１（ （１））
Claims (1)
- 一定圧力に保持した槽内にカソード電極と基板電極とを
配置して高周波電力を印加することで生じる放電プラズ
マによってカソード材料をスパッタさせるスパッタリン
グ装置において、同一カソード電極平面上に磁場によっ
て囲まれた環状領域を少なくとも２個形成させる磁場発
生手段を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5450384A JPS59190364A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5450384A JPS59190364A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190364A true JPS59190364A (ja) | 1984-10-29 |
Family
ID=12972429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5450384A Pending JPS59190364A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59190364A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116774A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Nippon Texas Instr Kk | スパッタ装置 |
| US5382344A (en) * | 1991-08-02 | 1995-01-17 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| US5458759A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512732A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Sputtering apparatus for making thin magnetic film |
| JPS5528386A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Vac Tec Syst | Magnetron sputter apparatus |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP5450384A patent/JPS59190364A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512732A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Sputtering apparatus for making thin magnetic film |
| JPS5528386A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Vac Tec Syst | Magnetron sputter apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116774A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Nippon Texas Instr Kk | スパッタ装置 |
| US5382344A (en) * | 1991-08-02 | 1995-01-17 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| US5458759A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
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