JPS59193077A - 無指向性フオトダイオ−ド - Google Patents

無指向性フオトダイオ−ド

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Publication number
JPS59193077A
JPS59193077A JP58067050A JP6705083A JPS59193077A JP S59193077 A JPS59193077 A JP S59193077A JP 58067050 A JP58067050 A JP 58067050A JP 6705083 A JP6705083 A JP 6705083A JP S59193077 A JPS59193077 A JP S59193077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
receiving surface
layer
light receiving
light
semi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58067050A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Mitsuzuka
三塚 秀一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP58067050A priority Critical patent/JPS59193077A/ja
Publication of JPS59193077A publication Critical patent/JPS59193077A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/148—Shapes of potential barriers

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光信号を用いたリモートコントロール装置に
おける光検出器等として使用する無指向性フォトダイオ
ードに関する。
従来のフォトダイオードをSt pinフォトダイオー
ドを例にと9第1図を用いて説明する。このフォトダイ
オードDは、p土層、i層およびn土層からなるダイオ
ード接合層を有する基板(1)上に平面からなる受光面
dが形成されている。(2)はSt酸化膜からなる絶縁
膜で絶縁および表面保護用とじて設けられており、(3
a) (3b)は電極である。
ところで近時、近赤外光を用いたリモートコントロール
装置がテレビ、ステレオ等の民生用および搬送ロボット
等の産業用等の分野に広く使用されてきており、前述の
フォトダイオードDがこのようなリモートコントロール
装置における光検出器として多用されている。第2図は
フォトダイオードDをこのような光検出器として使用し
た例を示すもので、フォトダイオードDが適宜の支持基
台(4)上に取付けられている。A、B、Cはそれぞれ
光源で、テレビにおけるリモートコントロール装置の例
で云えば、A% B、Cのそれぞれは操作者が、光検出
器に対して異なった角度位置からコントロール信号を発
している場合を示している。
しかし女から従来のフォトダイオードDにあっては受光
面dが平面で形成されていたため、C光源からのコント
ロール信号は検出できず、検出可能の入射光方向に空間
的な制限があってリモートコントロール装置を十分に作
動させ得ない場合があるという問題点があった。また検
出可能の角度位置にある入光源とB光源の間においても
図示のように角度位置が大きく異なると受光面dでの反
射の割合やダイオードD内への光進人深さが大きく異な
って検出感度に差が生じ、例えばB光源からのコントロ
ール信号では作動が不十分になることがあるという問題
点があった。さらに第2図の例では光検出器側が固定で
、操作側を移動可能とした場合であるが、これと逆に光
検出器が移動体に設置されていて、これを固定位置で操
作する場合についても上記と同様の問題点があった。
この発明はこのような従来の問題点に着目してなされた
もので、受光面を多平面、または円柱周面状もしくは半
球面状の凸曲面の何れかとすることにより上記問題点を
解決することを目的としている。
以下この発明を図面に基づいて説明する。第3図および
第4図はこの発明をpin 7オトダイオードに適用し
た第1実施例を示す図である。なお第3図以下の各図に
おいて前記第1図における部材または部位と同一ないし
均等のものは前記と同一符号を以って示し重複した説明
を省略する。
−まず構成を説明すると、この実施例においては基体(
1)における受光面d1が半球面状の凸曲面で形成され
ている。そしてこの受光面d 、 K 7Qってp層、
1層およびn″一層の積層からなるダイオード接合層が
形成されている。絶縁膜(2)としてはSiの酸化膜ま
たは窒化膜が用いられている。(5)は保護材層で不透
明の絶縁材が用いられて不要光の遮断と素子の保護用と
して被着されている。なおこの保護材層(5)はその被
着を必須とするものではない。
作用を説明すると、半球全周面が受光面とされているの
で、第3図側方全周および上方から入射する光信号に対
して一様な検出感度を有し、信号の入射光方向に空間的
な制限を生じない。pinフォトダイオードそのものの
光−電気変換作用は従来のものと同様である。
次に第5図および第6図にはこの発明の第2実施例を示
す。この実施例は基体(1)を低高の円柱状に形成し、
その円柱周面からなる凸曲面の部分を受光面d2とした
ものである。作用を説明すると、この実施例では円柱周
面の360°全側方からの入射光に対して一様な検出感
度を有する。テレビ等の固定機器、または地上の移動体
機器をリモートコントロールする場合、コントロール信
号の発信側は成る限られた高さ範囲において、主として
光検出器に対する周方向の角度位置が変化するので、上
記のように全側方からの入射光に対して一様な検出感度
を有していれば、これを無指向性の光検出器として作用
させることができる。
第7図にはこの発明の第3実施例を示す。この実施例は
基体(1)を角柱体とし、その周面の多平面の部分を受
光面d3としたものである。基体(1)内部のダイオー
ド接合層の形成態様は前記第6図に示すものとほぼ同様
である。作用を説明すると前記第2実施例のものとほぼ
同様に角柱周面の全側方からの入射光に対して一様な検
出感度を有する。
なお第7図の図示例では基体(1)を4角柱として受光
面d3を4平面で形成したが、基体(1)を3角柱以上
の多角柱として、受光面d3を3平面以上の多平面とす
れば上記とほぼ同様の作用を有する。
次に第8図および第9図には、それぞれこの発明の第4
実施例および第5実施例を示す。両実施例は、受光面の
形成態様については前記pJ2実施例または第3実施例
と同様に円柱周面または角柱周面で形成したものである
が、電極の引出し態様のみを変えたものである。第8図
の第4実施例は受光面d2の全周面部に位置するp層−
領域全域に金属半透明膜(6)を被着して、この金属半
透明膜(6)をp+領領域らの取出し電極としたもので
ある。金属半透明膜(6)としては例えばAuの薄膜を
使用する。
金属半透明膜(6)は近赤外光等の光信号を透過して前
記第2実施例等と同様の光検出作用を有する。
一方、第9図の2185実施例は、基体(1)における
+ 上下両側面部にn 領域を設けて層領域からの電極(3
b)引出しを基体(1)の両側面で行なったものである
。上記第4、第5の両実施例によれば電極部の抵抗、云
い換えれば素子の全内部抵抗を一層低減させることがで
きるので、光検出効率を一層向上させることができる。
次いで第10図および第11図には、それぞれこの発明
の第6実施例および第7実施例を示す。この両実施例は
、ダイオード接合層をショットキー接合で形成したもの
である。ショットキー接合は前記の金属半透明膜(6)
とn形半導体(n Si)とで形成している。受光面の
形状としては、第6実施例は前記第4図のものと同様の
半球面状とし、第7実施例は前記第5図または第7図と
同様の円柱周面まだは多平面としたものである。素子そ
のものの光検出作用は従来のシミツトキー接合形フォト
ダイオード七同様であり、また入射光の角度依存性につ
いては前記第1実施例゛または第2実施例等と同様に無
指向性を有する。
以上詳述したようにこの発明によれば受光面を多平面、
または円柱周面状もしくは半球面状の凸曲面の何れかと
し、そから、検出感度に入射光方向の方向依存性が殆ん
どなくなり、リモートコントロール装置における検出器
等として使用する場合に実用上十分に無指向性の:オト
ダイオードとして作用させることができる。したがって
操作側移動式のリモートコントロール装置ツ:、例えば
ステレオ、テレビ、カラオケ、扇風機、クーラー等の家
庭用電気機器、窓開閉、ドア開閉、車庫開閉等の建物付
設機構、さらにはゲームおもちゃ等の娯楽機器、および
受光側移動式のリモートコントロール装置、例えば搬送
ロボット、着設ロボット、測量助手、農機具、芝刈様、
さらには模型おもちゃ等の各種リモートコントロール装
置における光検出器として使用するのに極めて好適な無
指向性フォトダイオードを提供することができるという
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のフォトダイオードを示す縦断面図、第2
図は同上フォトダイオードをリモートコントロール装置
における光検出器として使用した例を示す図、第3図は
この発明に係る無指向性フォトダイオードの第1実施例
を示す斜視図、第4図は同上実施例の縦断面図、第5図
はこの発明の第2実施例を示す斜視図、第6図は同上実
施例の縦断面図、第7図はこの発明の第3実施例を示す
斜視図、第8図はこの発明の第4実施例を示す縦断面図
、第9図はこの発明の第5実施例を示す縦断面図、第1
0図はこの発明の第6実施例を示す縦断面図、第11図
はこの発明の第7実施例を示す縦断面図である。 に基体       2:絶縁膜 3a、3b:電極    5:保護材層6:金属半透明
膜   dl、半球面状の受光面d2;円柱周面状の受
光面 d3:多平面からなる受光面 クラリオン株式会社 代理人 芦 1)直 衛 第5図 第6図 第7図 フ    50 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイオード接合層を形成した受光面を多平面、または円
    柱周面状もしくは半球面状の凸曲面の何れかとしたこと
    を特徴とする無指向性フォトダイオード。
JP58067050A 1983-04-18 1983-04-18 無指向性フオトダイオ−ド Pending JPS59193077A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58067050A JPS59193077A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 無指向性フオトダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58067050A JPS59193077A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 無指向性フオトダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59193077A true JPS59193077A (ja) 1984-11-01

Family

ID=13333622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58067050A Pending JPS59193077A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 無指向性フオトダイオ−ド

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JP (1) JPS59193077A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61220482A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Mita Ind Co Ltd 無指向性フオトダイオ−ド
KR100459547B1 (ko) * 2002-02-18 2004-12-04 삼성전자주식회사 포토다이오드 제조방법
RU180600U1 (ru) * 2018-03-12 2018-06-19 Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" Многоэлементный кремниевый фотодиод

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61220482A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Mita Ind Co Ltd 無指向性フオトダイオ−ド
KR100459547B1 (ko) * 2002-02-18 2004-12-04 삼성전자주식회사 포토다이오드 제조방법
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