JPS59193266A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59193266A JPS59193266A JP4063683A JP4063683A JPS59193266A JP S59193266 A JPS59193266 A JP S59193266A JP 4063683 A JP4063683 A JP 4063683A JP 4063683 A JP4063683 A JP 4063683A JP S59193266 A JPS59193266 A JP S59193266A
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- plasma cvd
- electrode
- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ装置に係り、特に容量結合型の
プラズマＣＶＤ装置の電極に関するものである。
プラズマＣＶＤ装置の電極に関するものである。
適当な容器内に化学反応を起こす気体状の物質を導入し
、そこでグロー放電させることによって反応生成物を堆
積させるいわゆるプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｏａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏａ五ｔｉｏｎ）法は、半導体素子
製作を始めとする種々の電気部品製作のプロセス技術と
して現在不可欠のものとなっている。例えば半導体分野
では、Ｓ ｊｏ２． Ｓｉ、 Ｎ、などの絶縁物薄膜
、アモルファス・シリコン（ａ−８ｔ） などの半導
体薄膜の形成などにこの方法が広く利用されている。
、そこでグロー放電させることによって反応生成物を堆
積させるいわゆるプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｏａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏａ五ｔｉｏｎ）法は、半導体素子
製作を始めとする種々の電気部品製作のプロセス技術と
して現在不可欠のものとなっている。例えば半導体分野
では、Ｓ ｊｏ２． Ｓｉ、 Ｎ、などの絶縁物薄膜
、アモルファス・シリコン（ａ−８ｔ） などの半導
体薄膜の形成などにこの方法が広く利用されている。
かかるプラズマＣＶＤ装置を大別すると、基本的には誘
導結合型のものと容量結合型のものとに区別される。前
者はグロー放電が容器の外側に巻かれたＲＦコイル（高
周波コイル）によって起こされるものであυ、後者は容
器内に置かれた電極間に加えられる高周波電力で起こさ
れるものである。
導結合型のものと容量結合型のものとに区別される。前
者はグロー放電が容器の外側に巻かれたＲＦコイル（高
周波コイル）によって起こされるものであυ、後者は容
器内に置かれた電極間に加えられる高周波電力で起こさ
れるものである。
本発明はこの後者の容量結合型のプラズマＣＶＤ装置に
関するものであり、特に生産性が高く性能の良い生成膜
を得ることができる電極に係るものである。
関するものであり、特に生産性が高く性能の良い生成膜
を得ることができる電極に係るものである。
従来のプラズマＣＶＤ装置の問題点を、電子写真用感光
体（以下、感光体と略す）として用いるためにａ−８ｔ
を円筒状金属（以下、ト°ラムと略す）に堆積させる場
合を例にとって以下に説明する。
体（以下、感光体と略す）として用いるためにａ−８ｔ
を円筒状金属（以下、ト°ラムと略す）に堆積させる場
合を例にとって以下に説明する。
てプラズマＣＶＤ装置点られるｔ４−８ｉ’は太陽電池
あるいは薄膜トランジスタなどに使用され始めた比較的
新しら材料であるが、極く最近になってセレン（Ｓｅ）
などの感光物質に代わって電子写真用の感光体として注
目され始めている。このａ−８ｉの感光体への応用開発
も未だ端緒についたばかりで製作のためのプラズマＣＶ
Ｄ装置も種々考えられている。
あるいは薄膜トランジスタなどに使用され始めた比較的
新しら材料であるが、極く最近になってセレン（Ｓｅ）
などの感光物質に代わって電子写真用の感光体として注
目され始めている。このａ−８ｉの感光体への応用開発
も未だ端緒についたばかりで製作のためのプラズマＣＶ
Ｄ装置も種々考えられている。
基本的には前述したように誘導結合型のものと容量結合
型のものとでありこの例をそれぞれ第１図（−）及び（
ｂ）に示す。
型のものとでありこの例をそれぞれ第１図（−）及び（
ｂ）に示す。
第１図（＆）は誘導結合型のものの例であり、反応槽１
の外部にＲＦコイル２を巻回し、ｂ ｉＨ４ガスなどを
導入管４を通して導入してグロー放電を起こさせ、モー
タＭを介して回転可能なドラム状基板５にａ−８ｔ ｌ
ｉｇを堆積形成させる。この装置では反応槽１の構造そ
のものは比較的簡単になるが基板上の生成膜厚分布を均
一にすることが難しく、また成膜速度を上げるなどの制
御がしにくいなどの欠点が多く、このような感光体製作
の場合だけでなく他の素子などの製作の場合にも問題点
があυ、次の容量結合型装置に移シつつある。
の外部にＲＦコイル２を巻回し、ｂ ｉＨ４ガスなどを
導入管４を通して導入してグロー放電を起こさせ、モー
タＭを介して回転可能なドラム状基板５にａ−８ｔ ｌ
ｉｇを堆積形成させる。この装置では反応槽１の構造そ
のものは比較的簡単になるが基板上の生成膜厚分布を均
一にすることが難しく、また成膜速度を上げるなどの制
御がしにくいなどの欠点が多く、このような感光体製作
の場合だけでなく他の素子などの製作の場合にも問題点
があυ、次の容量結合型装置に移シつつある。
第１図（ｂ）は容量結合盤の装置の例であるが、この場
合の電極構造は本出願人による特開昭５７−３７３５２
号公報に記載されたものを示しである。
合の電極構造は本出願人による特開昭５７−３７３５２
号公報に記載されたものを示しである。
反応室１内部に基板であるドラム５を電極とし、これに
対向囲繞するガス噴出孔群６を設けた中空筒状ＲＦ電極
７を設けＳｉＨ，ガス３などを導入管４を通して導入し
グロー放電を起こさせ、ドラム５上にａ−８ｉ膜を堆積
形成させるものである。この対向電極７は一般にはステ
ンレスなどの金属で形成さ五る。またグロー放電がドラ
ム電極５と対向電極７間に限られ外部に漏れないように
するためシールド板８で更に全体を覆う場合もある。
対向囲繞するガス噴出孔群６を設けた中空筒状ＲＦ電極
７を設けＳｉＨ，ガス３などを導入管４を通して導入し
グロー放電を起こさせ、ドラム５上にａ−８ｉ膜を堆積
形成させるものである。この対向電極７は一般にはステ
ンレスなどの金属で形成さ五る。またグロー放電がドラ
ム電極５と対向電極７間に限られ外部に漏れないように
するためシールド板８で更に全体を覆う場合もある。
このような構造をもつプラズマＣＶＤ装置テハ生成膜厚
分布を均一にすることができ、成膜速度を変化させる条
件を制御しやすく、特に成膜速度を比較的大きくとるこ
とができるので誘導結合型の装置よりも使用されること
が多い。
分布を均一にすることができ、成膜速度を変化させる条
件を制御しやすく、特に成膜速度を比較的大きくとるこ
とができるので誘導結合型の装置よりも使用されること
が多い。
しかしながらこのような装置においても生産性の高い且
つ性能の良い生成膜を得るには種々の問題点があった。
つ性能の良い生成膜を得るには種々の問題点があった。
本発明はプラズマＣＶＤ法を用いた容量結合型の成膜装
置全般を対象とするものであるが、ａ−８ｔを感光体と
して用いる場合のプラズマＣＶＤ装置を中心に従来の欠
点を述べる。
置全般を対象とするものであるが、ａ−８ｔを感光体と
して用いる場合のプラズマＣＶＤ装置を中心に従来の欠
点を述べる。
ａ−８ｉ膜を得るためには通常Ｓｉｎ、ガスのグロー放
電による分解で行われるので、この分解過程を制御する
ことが重要である。一般にａ−８ｉ膜の性能を向上させ
るためＫは、イ）導入ガスの流量、モル比を小さくして
比較的遅い成膜速度にする、口） ＲＦ電力密度を出来
るだけ小さくする、ノ・）グロー放電の際のガス圧をＩ
Ｔｏｒｒ以下の低圧にする、二）基板温度を適切にす
る、などが必要である。これはＳｉｎ、ガスを希薄な密
度でゆつく９分解させ基板面に適当な分解状態で到着さ
せるよう、Ｓｉｎ、量、ＲＦ電力値や電極間距離などを
適切な条件に選択しなければならないことを意味する。
電による分解で行われるので、この分解過程を制御する
ことが重要である。一般にａ−８ｉ膜の性能を向上させ
るためＫは、イ）導入ガスの流量、モル比を小さくして
比較的遅い成膜速度にする、口） ＲＦ電力密度を出来
るだけ小さくする、ノ・）グロー放電の際のガス圧をＩ
Ｔｏｒｒ以下の低圧にする、二）基板温度を適切にす
る、などが必要である。これはＳｉｎ、ガスを希薄な密
度でゆつく９分解させ基板面に適当な分解状態で到着さ
せるよう、Ｓｉｎ、量、ＲＦ電力値や電極間距離などを
適切な条件に選択しなければならないことを意味する。
ａ−８ｉを用、いた太陽電池、薄膜トランジスタなどの
素子ではａ−８Ｌ膜の膜厚は１μｍ程度以下で良いから
生成膜の性能を重視しても、従来のプラズマＣＶＤ装置
の成膜速度が１〜２μｍ／時であることを考えれば、そ
れ程時間もかからず生産性を大きく左右してはいない。
素子ではａ−８Ｌ膜の膜厚は１μｍ程度以下で良いから
生成膜の性能を重視しても、従来のプラズマＣＶＤ装置
の成膜速度が１〜２μｍ／時であることを考えれば、そ
れ程時間もかからず生産性を大きく左右してはいない。
しかしながらａ−８ｉ膜を感光体として用いるためには
、通常膜厚が１０〜５０μｍ必要なので、必要厚みの感
光体を得るのに数時間〜数十時間必要とし極めて実用的
でない。
、通常膜厚が１０〜５０μｍ必要なので、必要厚みの感
光体を得るのに数時間〜数十時間必要とし極めて実用的
でない。
比較的短時間でａ−８ｉ膜を形成するためには、即ち成
膜速度を上げて実用的な時間内で装置を稼働するために
は上述した事とは逆に流量、モル比を大きくシ、ＲＦ電
力値を上げ、圧力を高くすれば良いのであるが、従来装
置では後述するように膜質の低下が生じたり、あるいは
複数個のドラムを連続的に処理していく長時間の稼働が
できないといった実用的な問題点があった。上述した第
１図（ｂ）の如き膜質が良く且つ成膜速度が比較的高く
なるよう改良された電極構造をもつものにおいてさえ本
上記のような問題点は依然として残シ、１回のプラズマ
ＣＶＤは性能の良いａ−８’ｉ膜が必要膜厚で得られな
かったのである。
膜速度を上げて実用的な時間内で装置を稼働するために
は上述した事とは逆に流量、モル比を大きくシ、ＲＦ電
力値を上げ、圧力を高くすれば良いのであるが、従来装
置では後述するように膜質の低下が生じたり、あるいは
複数個のドラムを連続的に処理していく長時間の稼働が
できないといった実用的な問題点があった。上述した第
１図（ｂ）の如き膜質が良く且つ成膜速度が比較的高く
なるよう改良された電極構造をもつものにおいてさえ本
上記のような問題点は依然として残シ、１回のプラズマ
ＣＶＤは性能の良いａ−８’ｉ膜が必要膜厚で得られな
かったのである。
この従来のプラズマＣＶＤ装置において生成速度を上げ
たシ、長時間使用した場合ｊＣａ−８ｉ膜の性能を決定
的に低下させる第１の理由は次のようなものである。例
えばｂ ｒ Ｈ４ガスのグロー放電分解は概路次のよう
にして起こる。即ち、グロー放電が生じている領域にガ
スが入った段階で分解が始ｔ、ｂ、その領域を進む間に
分解が促進され次第にラジカル（ここでは活性化された
Ｓｉ原子、分解によって活性化された中間状態の５ｉ−
Ｈや５ｉ−Ｈ７などを総称している）が増加していく。
たシ、長時間使用した場合ｊＣａ−８ｉ膜の性能を決定
的に低下させる第１の理由は次のようなものである。例
えばｂ ｒ Ｈ４ガスのグロー放電分解は概路次のよう
にして起こる。即ち、グロー放電が生じている領域にガ
スが入った段階で分解が始ｔ、ｂ、その領域を進む間に
分解が促進され次第にラジカル（ここでは活性化された
Ｓｉ原子、分解によって活性化された中間状態の５ｉ−
Ｈや５ｉ−Ｈ７などを総称している）が増加していく。
このラジカルが増加すればお互いに気相中で衝突し凝集
することによってａ−８ｉの微粒子、その他の微粒子と
なシ、更に集合して微粉末と巨大粒子化していくのであ
る。基板上にａ−８ｉ膜が形成されるばかシでなくグロ
ー放電領域のあらゆる個所でこれらが発生していくから
、この結果対向電極７のガス噴出孔群６の近傍では固い
ａ−８ｉ及びその他の堆積物が電極面に比較的強固な状
態で付着し、噴出孔より遠い処では粉末状のものが堆積
し、その中間域ではその中間状態の形状のものが堆積す
るのである。これらの現象は当然の事ながらガス流量が
多い程、反応圧が高い程、またそのグロー放電領域が広
い程激しく且つ反応室の広い領域に亘っておきるのであ
る。この堆積現象は対向電極面上が一番激しい。
することによってａ−８ｉの微粒子、その他の微粒子と
なシ、更に集合して微粉末と巨大粒子化していくのであ
る。基板上にａ−８ｉ膜が形成されるばかシでなくグロ
ー放電領域のあらゆる個所でこれらが発生していくから
、この結果対向電極７のガス噴出孔群６の近傍では固い
ａ−８ｉ及びその他の堆積物が電極面に比較的強固な状
態で付着し、噴出孔より遠い処では粉末状のものが堆積
し、その中間域ではその中間状態の形状のものが堆積す
るのである。これらの現象は当然の事ながらガス流量が
多い程、反応圧が高い程、またそのグロー放電領域が広
い程激しく且つ反応室の広い領域に亘っておきるのであ
る。この堆積現象は対向電極面上が一番激しい。
かかる従来のプラズマＣＶＤ装置において生ずる電極面
への堆積物の付着及び剥離状態を模式的に示したものが
第２図である。判りやすくするために中空の対向電極７
のガス噴出孔６を１個にして図示されている。噴出孔６
に近い個所では固くて比較的厚いａ−８ｉを中心とする
堆積物２０ができ、噴出孔から離れるに従い薄い堆積物
２１と付着力の弱い粉末状の堆積物２２とが混在するよ
うになり、遠くでは粉末状堆積物２２が殆んどになる。
への堆積物の付着及び剥離状態を模式的に示したものが
第２図である。判りやすくするために中空の対向電極７
のガス噴出孔６を１個にして図示されている。噴出孔６
に近い個所では固くて比較的厚いａ−８ｉを中心とする
堆積物２０ができ、噴出孔から離れるに従い薄い堆積物
２１と付着力の弱い粉末状の堆積物２２とが混在するよ
うになり、遠くでは粉末状堆積物２２が殆んどになる。
そしてこれらが剥離し脱落して空間に飛散した状態を符
号２１’、２２’で示す。
号２１’、２２’で示す。
従って生成速度を増したり、長時間のプラズマＣＶＤ１
行えばこの不必要な堆積量は増大していくのであシ、そ
の堆積量が限界になった時点でこの堆積物は対向電極面
などから熱膨張の差による歪応力などで脱落、剥離しい
わゆるフレーク状（細い小片）となって飛散し、ドラム
に当たりその膜に損傷を与えたり、−緒にまき散らされ
た極めて小さい微粉など、あるいは気相中で発生したり
する微粉末などはドラム上に生成されるａ−８ｉ膜中に
とりこまれａ−８＋膜の性能を低下させていたのである
。これに加えて従来のプラズマＣＶＤ装置では基板であ
るドラム５を電極とし、これに対向囲繞するようにガス
噴出孔群６を設けた剛性のある金属電極７を設置し、し
かも通常の場合その外側を剛性をもつ金属板でシールド
している構造となっている。このシールド８は反応ガス
圧が低圧の時にはグロー放電が電極間以外にも大きく広
がることを防ぐためのものであるが、これの存在によっ
てグロー放電は電極間に比較的限られるものの放電が限
られた空間領域に閉じられて行われるので、ガスの滞溜
が起こりやすく上記したフレークの発生及びその助長が
避けられなかったのである。
行えばこの不必要な堆積量は増大していくのであシ、そ
の堆積量が限界になった時点でこの堆積物は対向電極面
などから熱膨張の差による歪応力などで脱落、剥離しい
わゆるフレーク状（細い小片）となって飛散し、ドラム
に当たりその膜に損傷を与えたり、−緒にまき散らされ
た極めて小さい微粉など、あるいは気相中で発生したり
する微粉末などはドラム上に生成されるａ−８ｉ膜中に
とりこまれａ−８＋膜の性能を低下させていたのである
。これに加えて従来のプラズマＣＶＤ装置では基板であ
るドラム５を電極とし、これに対向囲繞するようにガス
噴出孔群６を設けた剛性のある金属電極７を設置し、し
かも通常の場合その外側を剛性をもつ金属板でシールド
している構造となっている。このシールド８は反応ガス
圧が低圧の時にはグロー放電が電極間以外にも大きく広
がることを防ぐためのものであるが、これの存在によっ
てグロー放電は電極間に比較的限られるものの放電が限
られた空間領域に閉じられて行われるので、ガスの滞溜
が起こりやすく上記したフレークの発生及びその助長が
避けられなかったのである。
このように従来のプラズマＣＶＤ装置においては生成速
度を大きくしにくく、大きくしてもフレークある込は微
粉末の発生が生成膜の性能を低下させていた。また上記
フレークあるいは微粉末が発生することからプラズマＣ
ＶＤを長時間連続して行えないなどの問題点を有してい
たのである。
度を大きくしにくく、大きくしてもフレークある込は微
粉末の発生が生成膜の性能を低下させていた。また上記
フレークあるいは微粉末が発生することからプラズマＣ
ＶＤを長時間連続して行えないなどの問題点を有してい
たのである。
本発明の目的は斜上の諸欠点を除去し、成膜速度を大き
くでき且つ堆積物の飛散などによる生成膜の性能の低下
がなく、長時間連続して或いは繰シ返しプラズマＣＶＤ
が行なえる生産性の高いプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
くでき且つ堆積物の飛散などによる生成膜の性能の低下
がなく、長時間連続して或いは繰シ返しプラズマＣＶＤ
が行なえる生産性の高いプラズマＣＶＤ装置を提供する
ことにある。
以下、本発明をａ−８ｉ悪感光がドラムに形成される場
合を例にとって説明する。
合を例にとって説明する。
第３図はドラム状基板（第１図（ｂ）参照）に対向する
電極を本発明に従って構成した概略図であ択（ｊＬ）、
（ｂ）にそれぞれ斜視図及び断面図で示されている。
電極を本発明に従って構成した概略図であ択（ｊＬ）、
（ｂ）にそれぞれ斜視図及び断面図で示されている。
ここで、ガス噴出孔群６を有する中空円筒状電極７その
ものは第１図（ｂ）に示した従来の電極構造と本質的相
違はない。この対向電極７の内側面、すなわち噴出孔６
を有する面に沿って、この面に実質的に接しまたは近接
する位置に網１２が設は当たっては、ネジ止めなどのほ
か、本実施例で示されるようなフック１３によって引掛
けるなどの適宜の方法を用いて着脱可能に係止されるこ
とができる。
ものは第１図（ｂ）に示した従来の電極構造と本質的相
違はない。この対向電極７の内側面、すなわち噴出孔６
を有する面に沿って、この面に実質的に接しまたは近接
する位置に網１２が設は当たっては、ネジ止めなどのほ
か、本実施例で示されるようなフック１３によって引掛
けるなどの適宜の方法を用いて着脱可能に係止されるこ
とができる。
本発明で用いられる上記網１２は真空排気の際にガス吸
着が起こりにくいような材質が良く、金属、特にステン
レス鋼が良いのであるが、場合によってはグロー放電に
よって変質、損傷を受けないものであれば非金属製網で
もよい。またネット形状は短冊状、四角形、ハニカム状
などいずれでもよいが、網目を形成するための線径は０
．０５〜２ｍＩφ、好ましくは０．１〜０．５ 、φ程
度が良い。
着が起こりにくいような材質が良く、金属、特にステン
レス鋼が良いのであるが、場合によってはグロー放電に
よって変質、損傷を受けないものであれば非金属製網で
もよい。またネット形状は短冊状、四角形、ハニカム状
などいずれでもよいが、網目を形成するための線径は０
．０５〜２ｍＩφ、好ましくは０．１〜０．５ 、φ程
度が良い。
この線径は太すぎても好ましくないしまた細すぎれば機
械的強度が小さくなシ変形して電極内面に固定しにくく
なる。また網目の間隔は、フレーク飛散の防止上、０．
２〜５鴫程度、好ましくは０．５〜２■程度が良い。
械的強度が小さくなシ変形して電極内面に固定しにくく
なる。また網目の間隔は、フレーク飛散の防止上、０．
２〜５鴫程度、好ましくは０．５〜２■程度が良い。
網１２の全体形状は、第３図に示した実施例では円筒電
極７の内側全面に沿ってドラム５を囲繞するように円筒
形状で構成されている。しかしながら、噴出孔６を避け
るような構造にすることも、また付着堆積物が多く発生
するような電極個所の部分のみでもよく、任意の形状、
大きさのものが適宜選択使用されうる。
極７の内側全面に沿ってドラム５を囲繞するように円筒
形状で構成されている。しかしながら、噴出孔６を避け
るような構造にすることも、また付着堆積物が多く発生
するような電極個所の部分のみでもよく、任意の形状、
大きさのものが適宜選択使用されうる。
次に、対向電極面７を網１２で被覆した本発明の場合と
従来の被覆していない電極（第１図（ｂ）参照）とを比
較した場合、大きく見たグロー放電分解そのものは同一
であるので基板５へのａ−８１膜などの膜生成自体には
基本的には変化はない。しかしながら装置としての実用
性、効率などには以下に述べる理由で大きく異なってく
る。
従来の被覆していない電極（第１図（ｂ）参照）とを比
較した場合、大きく見たグロー放電分解そのものは同一
であるので基板５へのａ−８１膜などの膜生成自体には
基本的には変化はない。しかしながら装置としての実用
性、効率などには以下に述べる理由で大きく異なってく
る。
すなわち、網目が電極面に接するようにして置かれてい
るので、電極全面では均一なグロー放電をしても、微視
的には網による電極面の凹凸で不平等な電界が生じ、そ
のために噴出孔６よシ比較的離れた個所でも従来の電極
で発生したような付着力の弱い粉末状の堆積物２２（−
見するとぶわっとした綿状に付着しているかさらつとし
た粉末ようのもの）の発生が極めて少なく、付着力の強
い硬質的性質をもつ堆積物２０になるのである。
るので、電極全面では均一なグロー放電をしても、微視
的には網による電極面の凹凸で不平等な電界が生じ、そ
のために噴出孔６よシ比較的離れた個所でも従来の電極
で発生したような付着力の弱い粉末状の堆積物２２（−
見するとぶわっとした綿状に付着しているかさらつとし
た粉末ようのもの）の発生が極めて少なく、付着力の強
い硬質的性質をもつ堆積物２０になるのである。
この付着の様子を模式的に示したもめが第４図に図示さ
れている。
れている。
このように網で被覆することによって付着堆積物の性質
が異なり、剥離脱落が激減するのである。
が異なり、剥離脱落が激減するのである。
それに加えて付着生成物の層厚が増してきても細線で作
られた網の存在のため付着生成物によって惹き起こされ
る歪応力は分散化されて小さく、生成物の厚み増加に伴
なう歪応力の増加率も小さく抑制される。
られた網の存在のため付着生成物によって惹き起こされ
る歪応力は分散化されて小さく、生成物の厚み増加に伴
なう歪応力の増加率も小さく抑制される。
上記のことから、本発明によって反応室へのガス流量、
モル比も大きく、ＲＦ電力も大きくでき、また高いガス
圧にセットしても反応領域にある対向電極から脱落して
飛散する粉末やフレークの発生をなくすことができるの
で、大きな生成速度で長時間プラズマＣＶＤ装置を使用
することができる。
モル比も大きく、ＲＦ電力も大きくでき、また高いガス
圧にセットしても反応領域にある対向電極から脱落して
飛散する粉末やフレークの発生をなくすことができるの
で、大きな生成速度で長時間プラズマＣＶＤ装置を使用
することができる。
また従来法ではガス圧を低くセットしなければならなか
ったため、グロー放電領域の広がシが大きく前述したよ
うにシールド板を必要としたが、本発明ではガス圧を高
くできるためシールド板がなくともグロー放電領域を電
極間に安定して局在させることができる。このことは、
脱着の容易な網が軽量、安価であるためにプラズマＣＶ
Ｄの都度網を交換できるだけでｋく、中空円筒電極のガ
ス噴出孔をもつ内面電極部を比較的容易に取シ外して交
換清掃ができるといった利点も併せもつようになる。従
って基板の形状や大きさが変化してもこれらにすべて対
応できる汎用性の高いプラズマＣＶＤ装置を得ることが
できるものである。
ったため、グロー放電領域の広がシが大きく前述したよ
うにシールド板を必要としたが、本発明ではガス圧を高
くできるためシールド板がなくともグロー放電領域を電
極間に安定して局在させることができる。このことは、
脱着の容易な網が軽量、安価であるためにプラズマＣＶ
Ｄの都度網を交換できるだけでｋく、中空円筒電極のガ
ス噴出孔をもつ内面電極部を比較的容易に取シ外して交
換清掃ができるといった利点も併せもつようになる。従
って基板の形状や大きさが変化してもこれらにすべて対
応できる汎用性の高いプラズマＣＶＤ装置を得ることが
できるものである。
さらに、本発明では長時間運転できるプラズマＣＶＤ装
置が可能となるので、例えば対向電極を並行して設置し
、その間を基板を移動させながら処理するといった大量
生産用連続プラズマＣＶＤ装置も製作できる。
置が可能となるので、例えば対向電極を並行して設置し
、その間を基板を移動させながら処理するといった大量
生産用連続プラズマＣＶＤ装置も製作できる。
本発明を普遍化すれば対向電極面の表面に網を被覆する
のではなく対向電極面そのものを網目状の凹凸をもつよ
うに加工しても従来の電極に比しかなりの効果をもたら
すことができる。
のではなく対向電極面そのものを網目状の凹凸をもつよ
うに加工しても従来の電極に比しかなりの効果をもたら
すことができる。
以上述べた本発明の実施例においては円筒形基板を対象
としたので、対向する電極及び被覆する網も円筒形で、
基板を囲繞するような形状であったが、基板の形状、大
きさが変われば対向電極及び網は円筒形でなくともよい
し、また基板を必ずしも囲繞する必要はないことは明ら
かである。
としたので、対向する電極及び被覆する網も円筒形で、
基板を囲繞するような形状であったが、基板の形状、大
きさが変われば対向電極及び網は円筒形でなくともよい
し、また基板を必ずしも囲繞する必要はないことは明ら
かである。
本発明をＳｉｌ丸ガスを用いたａ−８ｉ膜の円筒基板へ
のプラズマＣＶＤによる生膜とそわに用いるべき装置に
限って述べたが、本発明はこれに限られるものではない
ことは勿論である。即ちいかなる物質のプラズマＣＶＤ
の場合の装置及び製品にも適用しうるものである。
のプラズマＣＶＤによる生膜とそわに用いるべき装置に
限って述べたが、本発明はこれに限られるものではない
ことは勿論である。即ちいかなる物質のプラズマＣＶＤ
の場合の装置及び製品にも適用しうるものである。
第１図はドラム状ａ−Ｓｉ感光体を製作する従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の概略図であり、（ａ）は誘導結合型、
（”）は容量結合型装置を示す。 第２図は第１図（ｂ）の装置を用いた場合の電極部に発
生する付着堆積物とその飛散の状態を模式的に示した概
略図。 第３図は本発明に係る容量結合型プラズマＣＶＤ装置に
おいて対向電極面を網で被覆した状態の部分的概略図で
あって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図。 第４図は本発明による装置の網を被覆しだ対向電極面に
発生する付着堆積物の状態を模式的に示した概略図であ
る。 １・・・反応室；５・・・基板（電極）−６・・・ガス
噴出孔；７・・・対向電極；１２・・・網； ２０．２
１．２１’。 ２２．２２’・・・堆積物。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海津保三 同 −弁理士 平 山 −幸 第＋ ［Ｑ （ａ） 第２図 第３回 （０）
（ｂ）第。１川 手続補正書（自発） 。 昭和５８年１２月２６日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第４０６３６号 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都目黒区中目黒２丁目９番１３号氏 名（
名称） （２３０）スタンレー電気株式会社４、代理人 １゛ ６、 補正により増加する発明の数 なし７、補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ８ 補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 別紙） ２、特許請求の範囲 （１）反応ガスを導入しグロー放電によって基板上に成
膜するプラズマＣＶＤ装置において、基板に対向する電
極面の少なくとも一部または全部が網によって覆われて
いることを特徴とする上記プラズマＣＶＤ装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板に対向する電極面の少なくとも一部
または全部が前記網によって覆われ且つ上記対向電極と
上記網とが上記基板を囲繞するように構成されているこ
とを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （３）特許請求の範囲第１項または第２項記載のプラズ
マＣＶＤ装置において、前記網がステンレス製金網であ
ることを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （４）特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載のプ
ラズマＣＶＤ装置において、前記網の線径が０．０５〜
２冒φであり、線間隔が０．２〜５１１Ｉ＋Ｉ＋である
ことを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （５）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板が円筒形基板であることを特徴とす
る、上記プラズマＣＶＤ装置。 （６）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板上に形成される薄膜がアモルファス
・シリコンであることを特徴とする、」二記プラズマＣ
ＶＤ装置。 ３５７一
ズマＣＶＤ装置の概略図であり、（ａ）は誘導結合型、
（”）は容量結合型装置を示す。 第２図は第１図（ｂ）の装置を用いた場合の電極部に発
生する付着堆積物とその飛散の状態を模式的に示した概
略図。 第３図は本発明に係る容量結合型プラズマＣＶＤ装置に
おいて対向電極面を網で被覆した状態の部分的概略図で
あって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図。 第４図は本発明による装置の網を被覆しだ対向電極面に
発生する付着堆積物の状態を模式的に示した概略図であ
る。 １・・・反応室；５・・・基板（電極）−６・・・ガス
噴出孔；７・・・対向電極；１２・・・網； ２０．２
１．２１’。 ２２．２２’・・・堆積物。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海津保三 同 −弁理士 平 山 −幸 第＋ ［Ｑ （ａ） 第２図 第３回 （０）
（ｂ）第。１川 手続補正書（自発） 。 昭和５８年１２月２６日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第４０６３６号 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都目黒区中目黒２丁目９番１３号氏 名（
名称） （２３０）スタンレー電気株式会社４、代理人 １゛ ６、 補正により増加する発明の数 なし７、補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ８ 補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 別紙） ２、特許請求の範囲 （１）反応ガスを導入しグロー放電によって基板上に成
膜するプラズマＣＶＤ装置において、基板に対向する電
極面の少なくとも一部または全部が網によって覆われて
いることを特徴とする上記プラズマＣＶＤ装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板に対向する電極面の少なくとも一部
または全部が前記網によって覆われ且つ上記対向電極と
上記網とが上記基板を囲繞するように構成されているこ
とを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （３）特許請求の範囲第１項または第２項記載のプラズ
マＣＶＤ装置において、前記網がステンレス製金網であ
ることを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （４）特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載のプ
ラズマＣＶＤ装置において、前記網の線径が０．０５〜
２冒φであり、線間隔が０．２〜５１１Ｉ＋Ｉ＋である
ことを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （５）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板が円筒形基板であることを特徴とす
る、上記プラズマＣＶＤ装置。 （６）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板上に形成される薄膜がアモルファス
・シリコンであることを特徴とする、」二記プラズマＣ
ＶＤ装置。 ３５７一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）反応ガスを導入しグロー放電によって基板上に生
膜するプラズマＣＶＤ装置において、基板に対向する電
極面の少なくとも一部または全部が網によって覆われて
いることを特徴とする上記プラズマＣＶＤ装置。 （２、特許請求の範囲第１項記載のプラズマ ＣＶＤ装
置において、前記基板に対向する電極面の少なくとも一
部または全部が前記網によって覆われ且つ上記対向電極
と上記網とが上記基板を囲繞するように構成されている
ことを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （３）特許請求の範囲第１項または第２項記載のプラズ
マ ＣＶＤ装置において、前記網がステンレス製金網で
あることを特徴とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （４）特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載のプ
ラズマＣＶＤ装置において、前記網の線径が０．０５〜
２調φであシ、線間隔が０．２〜５謔であることを特徴
とする、上記プラズマＣＶＤ装置。 （５）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板が円筒形基板であることを特徴とす
る、上記プラズマＣＶＤ装置。 （６）特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置
において、前記基板上に形成される薄膜がアモルファス
・シリコンであることを特徴とする、上記プラズマＣＶ
Ｄ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063683A JPS59193266A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063683A JPS59193266A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193266A true JPS59193266A (ja) | 1984-11-01 |
| JPS6151632B2 JPS6151632B2 (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=12586038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4063683A Granted JPS59193266A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193266A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116763U (ja) * | 1984-12-06 | 1986-07-23 | ||
| US4979467A (en) * | 1988-05-06 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7484231B2 (en) | 2001-05-14 | 2009-01-27 | Lg Electronics Inc. | High-density disk recording medium having an asymmetrically-shaped center hole and manufacturing method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3344055A (en) * | 1964-04-29 | 1967-09-26 | Texas Instruments Inc | Apparatus for polymerizing and forming thin continuous films using a glow discharge |
| JPS57160120A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Generating equipment for silicon film |
| JPS5858147A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Shimadzu Corp | プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP4063683A patent/JPS59193266A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3344055A (en) * | 1964-04-29 | 1967-09-26 | Texas Instruments Inc | Apparatus for polymerizing and forming thin continuous films using a glow discharge |
| JPS57160120A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Generating equipment for silicon film |
| JPS5858147A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Shimadzu Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116763U (ja) * | 1984-12-06 | 1986-07-23 | ||
| US4979467A (en) * | 1988-05-06 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6151632B2 (ja) | 1986-11-10 |
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