JPS59198464A - 可視・近赤外域用光導電材料 - Google Patents
可視・近赤外域用光導電材料Info
- Publication number
- JPS59198464A JPS59198464A JP58073404A JP7340483A JPS59198464A JP S59198464 A JPS59198464 A JP S59198464A JP 58073404 A JP58073404 A JP 58073404A JP 7340483 A JP7340483 A JP 7340483A JP S59198464 A JPS59198464 A JP S59198464A
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光４電材料に関し、特に４００〜１１０００ｎ
の波長の可視域から近赤外域の光に対してすぐれた感度
を有する光導電性材料に関する。
の波長の可視域から近赤外域の光に対してすぐれた感度
を有する光導電性材料に関する。
従来、可視域から近赤外域（４００〜１０００ ｎｍ
）の光に対して感度を有する光導′亀材料は極めて少な
い。一方、半導体レーザー技術の発展にともない、フォ
トセンサー、光通信などに使用し得るこの近赤外域にす
ぐれた感度を有する光導電材料に対する要望がとみに高
まってきている。
）の光に対して感度を有する光導′亀材料は極めて少な
い。一方、半導体レーザー技術の発展にともない、フォ
トセンサー、光通信などに使用し得るこの近赤外域にす
ぐれた感度を有する光導電材料に対する要望がとみに高
まってきている。
ところで、現有の代表的な半導体レーザーとしての（Ｇ
ａ 、 ＡＩ）−Ａｓ系は、その遷移の関係から、レー
ザーダイオードとしての機能を満足するためにはＡＩの
含有割合が必然的に決定され、このため、発振波長の短
波化には限界がある。したがって、このような半導体レ
ーザーを光源とするフォトセンサーなどに適用し得る光
導電材料としては、可視域から近赤外域、特に７００
ｎｍ−１１０００ｎの波長域にすぐれた感度を有するも
のが必要となる。
ａ 、 ＡＩ）−Ａｓ系は、その遷移の関係から、レー
ザーダイオードとしての機能を満足するためにはＡＩの
含有割合が必然的に決定され、このため、発振波長の短
波化には限界がある。したがって、このような半導体レ
ーザーを光源とするフォトセンサーなどに適用し得る光
導電材料としては、可視域から近赤外域、特に７００
ｎｍ−１１０００ｎの波長域にすぐれた感度を有するも
のが必要となる。
しかし、現在のところこの領域に感度を有する材料は、
その種類が８１ 、 ＣｄＴｌなどごくわずかのものに
限られ、かつそれらは大面積状に成形して使用すること
が困難であるという問題がある。
その種類が８１ 、 ＣｄＴｌなどごくわずかのものに
限られ、かつそれらは大面積状に成形して使用すること
が困難であるという問題がある。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、可視域
から近赤外域、特に４００ ｎｍ 〜１０００ ｎ＋１
１の波長域の光に対してすぐれた光導電特性を有する光
導電材料を提供することを目的とする。
から近赤外域、特に４００ ｎｍ 〜１０００ ｎ＋１
１の波長域の光に対してすぐれた光導電特性を有する光
導電材料を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の可視・近赤外域用光
導電材料は、Ｃｄ５−８ｂ２Ｓ３・Ｓｂ２Ｓｅ３系化合
物を主成分として構成されており、このＣｄＳ・Ｓｂ２
Ｓ３・Ｓｂ２Ｓｅ３系化合物は、酒石酸アンチモニルカ
リウム、三塩化アンチモンおよびカドミウム塩を含有す
る酸性水溶液に硫化水素ガスおよびセレン化水素ガスを
通気させることにより調製される。
導電材料は、Ｃｄ５−８ｂ２Ｓ３・Ｓｂ２Ｓｅ３系化合
物を主成分として構成されており、このＣｄＳ・Ｓｂ２
Ｓ３・Ｓｂ２Ｓｅ３系化合物は、酒石酸アンチモニルカ
リウム、三塩化アンチモンおよびカドミウム塩を含有す
る酸性水溶液に硫化水素ガスおよびセレン化水素ガスを
通気させることにより調製される。
このようにして得られるＣｄ５−８ｂ２Ｓ３・Ｓｂ２Ｓ
ｅ３系化合物は粉末形態である。したがって、これを焼
結膜として厚膜の形で使用することも、またノ々イング
ーとともに用いて塗布することも、さらに−また加圧成
形して蒸着源あるいはスノξツタ用ターゲットとして用
いて薄膜形にすることもできる。
ｅ３系化合物は粉末形態である。したがって、これを焼
結膜として厚膜の形で使用することも、またノ々イング
ーとともに用いて塗布することも、さらに−また加圧成
形して蒸着源あるいはスノξツタ用ターゲットとして用
いて薄膜形にすることもできる。
また、光感Ｉｆをさらに高めるため、必要に応じて、Ｃ
ｕ、ＧａなどのＩｂ族元素、■ｂ族元素などの活性成分
を添加して熱拡散させることもできる。
ｕ、ＧａなどのＩｂ族元素、■ｂ族元素などの活性成分
を添加して熱拡散させることもできる。
ＣｄＳ’５ｂ２Ｓ３− Ｓｂ２Ｓｅ３系の光導′亀材料
は、ＣｄＳが主として６００ ｎｍ〜８００ｎｍの波長
域の光に対して感度を示し、さらにＳｂ２Ｓｅ３が８０
０〜１１０００ｎの波長域の光に対して感度を有するこ
とから、可視・近赤外領域の広範の光に対して感度を有
するのであろうと考えられる。
は、ＣｄＳが主として６００ ｎｍ〜８００ｎｍの波長
域の光に対して感度を示し、さらにＳｂ２Ｓｅ３が８０
０〜１１０００ｎの波長域の光に対して感度を有するこ
とから、可視・近赤外領域の広範の光に対して感度を有
するのであろうと考えられる。
以下本発明の光導電材料を、実施例に基づいて説明する
。
。
実施例１
酒石酸アンチモニルカリウムＫ〔５ｂ（Ｃ４Ｈ２０６）
（ＯＨ２） ］ ０．３ｍｏｌ、三塩化アンチモン５ｂ
Ｃ１３０，３ｍｏｌおよび塩化カドミウムＣｄ Ｃｌ
２０− Ｊ ｍ ｏ １を各々秤量し、これを２Ｎの硫
酸水溶液に溶解させたのち、これを５０°ＣＫ調温した
。
（ＯＨ２） ］ ０．３ｍｏｌ、三塩化アンチモン５ｂ
Ｃ１３０，３ｍｏｌおよび塩化カドミウムＣｄ Ｃｌ
２０− Ｊ ｍ ｏ １を各々秤量し、これを２Ｎの硫
酸水溶液に溶解させたのち、これを５０°ＣＫ調温した
。
との水溶液に、硫化水素０．６１／ｍｉｎおよびセレン
化水素０．３ ｌ〆ｍｌｎの割合で、硫化水素およびセ
レン化水素を各々３０分間通気し、（０，３ＣｄＳ）・
（０，３８ｂ２Ｓ３）・（０，３Ｓｂ２Ｓ８３）と推定
される沈殿物を得た。
化水素０．３ ｌ〆ｍｌｎの割合で、硫化水素およびセ
レン化水素を各々３０分間通気し、（０，３ＣｄＳ）・
（０，３８ｂ２Ｓ３）・（０，３Ｓｂ２Ｓ８３）と推定
される沈殿物を得た。
この沈殿物を純水でよく洗浄したのち、脱水し、５０℃
の温度下で４８時間乾燥させた。乾燥後、これをよく粉
砕し、次いで石英ルツボに充填し、Ｎ２雰囲気下４００
℃で６０分間熱処理を行った。熱処理後、これをよく洗
浄し、十分乾燥した。得られた粉体を、プレスによって
、直径５ｍｒｒ＋、厚さ１．０ｍｍの大きさに成形し、
これを蒸着源として表面清浄なガラス基板（２０ｍｍ
Ｘ ２０ ｍｍ Ｘ １ ｒｎｍ）上に膜厚２μｍの薄
膜ケ形ｆＥシた。この時の蒸着は、基板温度３２０°Ｃ
１酸素分圧５ Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒの真空条件下で行
い、膜厚モニターはエビワーズ社製ＦＴＭ−３を用いた
。
の温度下で４８時間乾燥させた。乾燥後、これをよく粉
砕し、次いで石英ルツボに充填し、Ｎ２雰囲気下４００
℃で６０分間熱処理を行った。熱処理後、これをよく洗
浄し、十分乾燥した。得られた粉体を、プレスによって
、直径５ｍｒｒ＋、厚さ１．０ｍｍの大きさに成形し、
これを蒸着源として表面清浄なガラス基板（２０ｍｍ
Ｘ ２０ ｍｍ Ｘ １ ｒｎｍ）上に膜厚２μｍの薄
膜ケ形ｆＥシた。この時の蒸着は、基板温度３２０°Ｃ
１酸素分圧５ Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒの真空条件下で行
い、膜厚モニターはエビワーズ社製ＦＴＭ−３を用いた
。
さらにこの蒸着ｊ模をＮ２′４囲気下、１５０℃の温度
で２０分＋ｔｌアニールを行ったのち、この薄膜上に、
マスク音用いて蒸着によりり／型状の金−俵を設け、分
光光電流５ｆ：測定した。
で２０分＋ｔｌアニールを行ったのち、この薄膜上に、
マスク音用いて蒸着によりり／型状の金−俵を設け、分
光光電流５ｆ：測定した。
測定は、ハロゲンランプを光源とし、ブレーズ波長７５
０ ｎｍのグレーティング（格子刻線６００本／ｍｍ）
をイイするモノクロメータにコンＧ−２５０型）を使用
した。波長による光エネルギーの変動を防止するため、
モノクロメータを通過した光を一部フオドマルチシライ
ヤー（光電増倍管）に受光させ、これを回転型連続ＮＤ
フィルターにフィートノ々ツクさせることにより、試料
に照射される光エネルギーが一定になるようにした。
０ ｎｍのグレーティング（格子刻線６００本／ｍｍ）
をイイするモノクロメータにコンＧ−２５０型）を使用
した。波長による光エネルギーの変動を防止するため、
モノクロメータを通過した光を一部フオドマルチシライ
ヤー（光電増倍管）に受光させ、これを回転型連続ＮＤ
フィルターにフィートノ々ツクさせることにより、試料
に照射される光エネルギーが一定になるようにした。
第１図に測定結果を示す。図中ａは本発明の光導電材料
の分光特性曲線、ｂは比較用の８１の分光特性曲線であ
る。この測定結果がら明らがなように、本発明で得られ
た光導電材料は、４０（）−１０００ｎｍの可視・近赤
外域用の光導電素子として使用するに十分な特性を有す
ることが確−ｅされた。
の分光特性曲線、ｂは比較用の８１の分光特性曲線であ
る。この測定結果がら明らがなように、本発明で得られ
た光導電材料は、４０（）−１０００ｎｍの可視・近赤
外域用の光導電素子として使用するに十分な特性を有す
ることが確−ｅされた。
実施例２
上記実施例１と同様にして、（０，３Ｃｄ５）・（０，
３Ｓｂ２Ｓ３）−（０，３Ｓｂ２Ｓｅ３）と推定される
沈殿物を洗浄乾燥したのち、この化１投物に対してＣｕ
３０ ｐｐｍ、 Ｇａ ６０ ｐｐｍを添加した。次い
でこ扛を石英ルツボ中に充填し、実施例１と同一条件で
熱処理して蒸着源用材料を作成した。さらに実施例１と
同様にして、試料を作成し、分光光′６流を測定した。
３Ｓｂ２Ｓ３）−（０，３Ｓｂ２Ｓｅ３）と推定される
沈殿物を洗浄乾燥したのち、この化１投物に対してＣｕ
３０ ｐｐｍ、 Ｇａ ６０ ｐｐｍを添加した。次い
でこ扛を石英ルツボ中に充填し、実施例１と同一条件で
熱処理して蒸着源用材料を作成した。さらに実施例１と
同様にして、試料を作成し、分光光′６流を測定した。
測定結果を第２図に示す。図中ａは本発明の光６１国材
料の分光特性曲線であり、ｂは実施例１と同様の比較用
の８１ の分光特性曲線である。第２図のから明らかな
ように、可視域４００〜６００ ｎｍにおいて光電流が
増加していることが認められる。
料の分光特性曲線であり、ｂは実施例１と同様の比較用
の８１ の分光特性曲線である。第２図のから明らかな
ように、可視域４００〜６００ ｎｍにおいて光電流が
増加していることが認められる。
これは、添加した不純物がＣｄＳに対して増感中心とし
て働いているためであると考えられるう〔効果〕 上記実施例から明らかなように、本発明の光導′ｉＬ利
料は、可視領域ならびに近赤外頭載の光に対してすぐれ
た感度を有し、さらに成形性にもすぐれている。したが
って、本冗明の光導電材料は、可視近赤外域用の受光素
子、フォトセンサー、レーデ−ダイオードの用いられる
プリンター、光通信などへの適用が’Ｔ能である。
て働いているためであると考えられるう〔効果〕 上記実施例から明らかなように、本発明の光導′ｉＬ利
料は、可視領域ならびに近赤外頭載の光に対してすぐれ
た感度を有し、さらに成形性にもすぐれている。したが
って、本冗明の光導電材料は、可視近赤外域用の受光素
子、フォトセンサー、レーデ−ダイオードの用いられる
プリンター、光通信などへの適用が’Ｔ能である。
第１図および第２図は本発明の光導亀拐料の分光特性曲
線すグラフである。 ａ・・・本発明の光４電材料の分光特性曲線。 ｂ・・・Ｓｔの分光特性曲線（比較）。
線すグラフである。 ａ・・・本発明の光４電材料の分光特性曲線。 ｂ・・・Ｓｔの分光特性曲線（比較）。
Claims (1)
- 酒石［１７ンテモニルカリウム、三塩化アンチモンおよ
びカドミウム塩を含有する酸性水溶液に硫化水素ガスお
よびセレン化水素ガスを通気することにより得られるＣ
ｄ５−８ｂ２Ｓ３・Ｓｂ２Ｓｅ３系化合物を主成分とす
ることを特徴とする、可視・近赤外域用光導電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073404A JPS59198464A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 可視・近赤外域用光導電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073404A JPS59198464A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 可視・近赤外域用光導電材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198464A true JPS59198464A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13517219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073404A Pending JPS59198464A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 可視・近赤外域用光導電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102583272A (zh) * | 2012-01-21 | 2012-07-18 | 哈尔滨工业大学 | 蠕虫状Sb2Se3储氢材料及其制备方法 |
| CN102583271A (zh) * | 2012-01-21 | 2012-07-18 | 哈尔滨工业大学 | 刺状Sb2Se3 半导体储氢材料及其制备方法 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073404A patent/JPS59198464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102583272A (zh) * | 2012-01-21 | 2012-07-18 | 哈尔滨工业大学 | 蠕虫状Sb2Se3储氢材料及其制备方法 |
| CN102583271A (zh) * | 2012-01-21 | 2012-07-18 | 哈尔滨工业大学 | 刺状Sb2Se3 半导体储氢材料及其制备方法 |
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