JPS628579A - 光導電性薄膜及びその製造方法 - Google Patents
光導電性薄膜及びその製造方法Info
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- JPS628579A JPS628579A JP60147942A JP14794285A JPS628579A JP S628579 A JPS628579 A JP S628579A JP 60147942 A JP60147942 A JP 60147942A JP 14794285 A JP14794285 A JP 14794285A JP S628579 A JPS628579 A JP S628579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＣｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅの固溶体を主体と
して成る光導電性薄膜及びその製造方法に関するもので
ある。
して成る光導電性薄膜及びその製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
従来より、ＣｄＳやＣｄＳｅあるいはそれらの固溶体等
に微量のＣｕ、Ａｇ、ハロゲン等を加えたものを蒸発源
として、ガラス基板上に真空蒸着して形成した薄膜を、
ＣｄＣ１１，を含む中性雰囲気もしくは空気中で加熱す
ることにより、光導電性を賦与せしめ、光゛導電体を製
造していた。
に微量のＣｕ、Ａｇ、ハロゲン等を加えたものを蒸発源
として、ガラス基板上に真空蒸着して形成した薄膜を、
ＣｄＣ１１，を含む中性雰囲気もしくは空気中で加熱す
ることにより、光導電性を賦与せしめ、光゛導電体を製
造していた。
このような光導電体を例えば−次元のライン状アレイに
形成し、更に電極を形成して光センサとし、ファクシミ
リ等の原稿読み取り用の、原稿と同一サイズにセンサを
並べた密着型イメージセンサとしての応用が進んでいる
。このような密着型イメージセンサとして薄膜を利用し
たものでは、ＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を使用したもの
が現在既に実用化されている。また、アモルファス５ｉ
（ａ−８ｉ）を使用したものでも開発が進められている
。
形成し、更に電極を形成して光センサとし、ファクシミ
リ等の原稿読み取り用の、原稿と同一サイズにセンサを
並べた密着型イメージセンサとしての応用が進んでいる
。このような密着型イメージセンサとして薄膜を利用し
たものでは、ＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を使用したもの
が現在既に実用化されている。また、アモルファス５ｉ
（ａ−８ｉ）を使用したものでも開発が進められている
。
一方単結晶Ｓｉプロセスを利用したものでは、ＣＯＤチ
ップを直線状に並べたものや、直線状に並べたＳｉチッ
プ上にバイポーラトランジスタを形成したものを用いた
ものが開発されている。ＣＯＤやバイポーラトランジス
タを使用したものでは、高速化、微細加工が可能なため
性能的に高いものが得られているが、プロセスが複雑で
そのコストが高いことや、コストダウンが可能な完全な
レンズレスタイプ（例えば「直接読取り密着型イメージ
センサ素子構成の検討」電子通信学会技術研究報告ＩＦ
！８ｌ−３５）が本質的に不可能であり、材料のコスト
を含め、全体としてコストが高いという欠点を有してい
る。またａ−８ｉを用いたものでは、同じプロセスで形
成できるａ−８ｉやポリ５ｉ（ｐｏｌｙ−８ｉ）のＴＰ
Ｔを用いての集積化も可能であるが、信号が微弱である
ためその処理回路が複雑になるという欠点を有し、また
ｐｏｌｙ−８ｉを用いる場合は高温でのプロセスが必要
なため基板のコストが高くなる等の欠点をも有している
。さてＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を用いたものでは、光
応答速度が遅いという欠点があるが、薄膜プロセスで形
成されるためレンズレス化も可能で、また光電流も大き
いため回路構成が簡単という特徴を持っている。
ップを直線状に並べたものや、直線状に並べたＳｉチッ
プ上にバイポーラトランジスタを形成したものを用いた
ものが開発されている。ＣＯＤやバイポーラトランジス
タを使用したものでは、高速化、微細加工が可能なため
性能的に高いものが得られているが、プロセスが複雑で
そのコストが高いことや、コストダウンが可能な完全な
レンズレスタイプ（例えば「直接読取り密着型イメージ
センサ素子構成の検討」電子通信学会技術研究報告ＩＦ
！８ｌ−３５）が本質的に不可能であり、材料のコスト
を含め、全体としてコストが高いという欠点を有してい
る。またａ−８ｉを用いたものでは、同じプロセスで形
成できるａ−８ｉやポリ５ｉ（ｐｏｌｙ−８ｉ）のＴＰ
Ｔを用いての集積化も可能であるが、信号が微弱である
ためその処理回路が複雑になるという欠点を有し、また
ｐｏｌｙ−８ｉを用いる場合は高温でのプロセスが必要
なため基板のコストが高くなる等の欠点をも有している
。さてＣｄＳとＣｄＳｅの固溶体を用いたものでは、光
応答速度が遅いという欠点があるが、薄膜プロセスで形
成されるためレンズレス化も可能で、また光電流も大き
いため回路構成が簡単という特徴を持っている。
現在ではこの光センサの高速化が大きな技術的課題とな
っているため、例えばＣｄＳとＣｄＳｅの組成比（モル
比）を２＝８として連続したバイアス光をあてることに
よって光応答速度を速くすることが試みられている（「
高速高感度薄膜イメージセンサ」画像電子学会第８３回
研究会８４−０５−８）。
っているため、例えばＣｄＳとＣｄＳｅの組成比（モル
比）を２＝８として連続したバイアス光をあてることに
よって光応答速度を速くすることが試みられている（「
高速高感度薄膜イメージセンサ」画像電子学会第８３回
研究会８４−０５−８）。
発明が解決しようとする問題点
しか°しながらＣｄＳとＣ−ｄｓｅの固溶体によるもの
では、光感度を与えるために、ＣｄＣ１１，蒸気を含む
雰囲気中で５００〜６００℃での熱処理が必要である。
では、光感度を与えるために、ＣｄＣ１１，蒸気を含む
雰囲気中で５００〜６００℃での熱処理が必要である。
しかし均一な濃度を持ったＣｄＣａ２の雰囲気中で処理
するためには、１枚の基板に対して１ケのアルミナボー
トが必要であり、１回に１枚しか熱処理ができないとい
う生産上の大きな欠点がある。
するためには、１枚の基板に対して１ケのアルミナボー
トが必要であり、１回に１枚しか熱処理ができないとい
う生産上の大きな欠点がある。
また、Ｃｄ５−ＣｄＳｅによる光センサはＣｄ Ｓ ｅ
の組成比を高くするとその光応答速度は速くなり。
の組成比を高くするとその光応答速度は速くなり。
特にバイアス光を加えながら使用する場合はその効果が
著しい、そのためＣｄＳとＣｄ５５の組成比を２：８と
したもので、バイアス光をあてながら使用して高速化が
図られている。しかしながら。
著しい、そのためＣｄＳとＣｄ５５の組成比を２：８と
したもので、バイアス光をあてながら使用して高速化が
図られている。しかしながら。
この系統の光センサの分光感度のピークは、ＣｄＳｅの
組成比を大きくすると長波長側に、また小さくすると短
波長側に移動し、ＣｄＳ、、、Ｓｅ、、、の場合では６
７０ｍ付近にあり、カラーセンサに必要とされる短波長
側４００〜４５０ｍｍ付近での感度が低いという欠点を
有している。また、光電流Ｊｐは周囲温度によって変化
し、Ｃｄ５ａの組成比が大きくなると著しい＠ Ｃｄ
Ｓ ６ 、 ｚ Ｓ ｅａ 、ｓの場合では一２０℃か
ら６０℃の範囲でＪｐは約１７６となる。このため、回
路的に補正が必要であり、コスト高の要因となるという
欠点を有している。これらの欠点をなくすためには、Ｃ
ｄ Ｓ ｅの組成比を小さくすると良いが、長波長側で
の感度の低下、光応答速度の低下等の問題が発生する。
組成比を大きくすると長波長側に、また小さくすると短
波長側に移動し、ＣｄＳ、、、Ｓｅ、、、の場合では６
７０ｍ付近にあり、カラーセンサに必要とされる短波長
側４００〜４５０ｍｍ付近での感度が低いという欠点を
有している。また、光電流Ｊｐは周囲温度によって変化
し、Ｃｄ５ａの組成比が大きくなると著しい＠ Ｃｄ
Ｓ ６ 、 ｚ Ｓ ｅａ 、ｓの場合では一２０℃か
ら６０℃の範囲でＪｐは約１７６となる。このため、回
路的に補正が必要であり、コスト高の要因となるという
欠点を有している。これらの欠点をなくすためには、Ｃ
ｄ Ｓ ｅの組成比を小さくすると良いが、長波長側で
の感度の低下、光応答速度の低下等の問題が発生する。
本発明は上記問題点を解決するもので、従来のものに比
べて製造方法が簡単であり、かつＪＰの温度変化が小さ
く、また、広い分光感度を持ち、応答速度も同等以上の
性能を持つ優れた光導電性薄膜及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
べて製造方法が簡単であり、かつＪＰの温度変化が小さ
く、また、広い分光感度を持ち、応答速度も同等以上の
性能を持つ優れた光導電性薄膜及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の光導電性薄膜は
、ＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄＴｅの固溶体を主体とし、前
記固溶体中にＣｄＴｅを組成比で２〜２０モル％含み、
これに不純物としてＣｕ、（ｊＬを含む構成にしたもの
である。
、ＣｄＳとＣｄＳｅとＣｄＴｅの固溶体を主体とし、前
記固溶体中にＣｄＴｅを組成比で２〜２０モル％含み、
これに不純物としてＣｕ、（ｊＬを含む構成にしたもの
である。
さらに、本−発明の光導電性薄膜は、ＣｄＳとＣｄ５５
とＣｄＴｅの固溶体を主体とし、前記固溶体中。
とＣｄＴｅの固溶体を主体とし、前記固溶体中。
にＣｄ Ｔ ｓを２〜２０モル％含み、これにＣｕ Ｃ
９，２を加えた蒸発源を、加熱蒸発させて基板上に薄膜
を蒸着形成し、この薄膜を中性雰囲気中もしくは空気中
で熱処理して得られるものである。
９，２を加えた蒸発源を、加熱蒸発させて基板上に薄膜
を蒸着形成し、この薄膜を中性雰囲気中もしくは空気中
で熱処理して得られるものである。
すなわち、蒸着により形成された、微量の不純物Ｃｕ、
Ｃａを含むＣｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅの固溶体薄膜を
中性雰囲気中もしくは空気中で熱処理することにより、
増感中心、再結合中心を形成して光電流ＪＰを大きくか
つ暗電流Ｊ、を小さくし、これにより光センサとしての
機能を持たせたものであり、製造方法が簡単であるとと
もに、従来にない広い波長範囲で実用的な感度を持ち、
しかも光電流ＪＰの温度変化が小さく、かつ光応答速度
の点で従来のものに比べて同等以上の性能をもつ光導電
性薄膜が得られるものである。
Ｃａを含むＣｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅの固溶体薄膜を
中性雰囲気中もしくは空気中で熱処理することにより、
増感中心、再結合中心を形成して光電流ＪＰを大きくか
つ暗電流Ｊ、を小さくし、これにより光センサとしての
機能を持たせたものであり、製造方法が簡単であるとと
もに、従来にない広い波長範囲で実用的な感度を持ち、
しかも光電流ＪＰの温度変化が小さく、かつ光応答速度
の点で従来のものに比べて同等以上の性能をもつ光導電
性薄膜が得られるものである。
作用
以上のように、Ｃｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅの系で温度
変化が問題にならない程度のモル比（２０モル％以下）
のＣｄ Ｔ ｅを添加したＣｄ５−Ｃｄ５ａ−ＣｄＴｅ
固溶体薄膜に熱処理を行なうことにより、ＪＰの温度変
化を大きくすることなく、長波長側の感度を増加し、か
つＪｐを充分大きく、Ｊ、を充分小さくした光導電性薄
膜が得られるものである。
変化が問題にならない程度のモル比（２０モル％以下）
のＣｄ Ｔ ｅを添加したＣｄ５−Ｃｄ５ａ−ＣｄＴｅ
固溶体薄膜に熱処理を行なうことにより、ＪＰの温度変
化を大きくすることなく、長波長側の感度を増加し、か
つＪｐを充分大きく、Ｊ、を充分小さくした光導電性薄
膜が得られるものである。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。本発
明による製造方法としては、Ｃｄ５ｏ、、Ｓｅｏ、４に
対するＣｄＴｅの組成比をＸとしてＸをＯ〜０．３の範
囲で変えたＣｄ５ｏ、、（、−２） ５ｅ（１，４（ｔ
−）ＯＴｅつを主成分とし、これに０．２モル％のＣｕ
Ｃａｚを含めて固溶体を作り、この固溶体を蒸発源とし
て、５０Ｘ２８０Ｘ１．２ｍ＋’のガラス基板（コーニ
ング７０５９）上に真空蒸着により、膜厚約４０００人
のＣｄ５−Ｃｄ５ ｅ −Ｃｄ Ｔ ｅ固溶体薄膜を形
成した。この試料を石英炉心管中でＯ，、３ｎ ／ ｆ
ｆ１ｉｎのＮ２を導入しながら５５０℃で１時間熱処理
した。これにメタルマスクを用いてＡＭによる対向電極
（幅１ｍｍ、長さ２ｍ）を形成した０以上の試料につ−
いて、光電流Ｊｐ、暗電流Ｊｄ、信号光による立ち上が
り応答速度τ１、立ち下がり応答速度τｄ、バイアス光
をあてた時の立上がり応答速度で、ｂ、立ち下がり応答
速度でｄｂ、分光感度、温度依存性を測定した。
明による製造方法としては、Ｃｄ５ｏ、、Ｓｅｏ、４に
対するＣｄＴｅの組成比をＸとしてＸをＯ〜０．３の範
囲で変えたＣｄ５ｏ、、（、−２） ５ｅ（１，４（ｔ
−）ＯＴｅつを主成分とし、これに０．２モル％のＣｕ
Ｃａｚを含めて固溶体を作り、この固溶体を蒸発源とし
て、５０Ｘ２８０Ｘ１．２ｍ＋’のガラス基板（コーニ
ング７０５９）上に真空蒸着により、膜厚約４０００人
のＣｄ５−Ｃｄ５ ｅ −Ｃｄ Ｔ ｅ固溶体薄膜を形
成した。この試料を石英炉心管中でＯ，、３ｎ ／ ｆ
ｆ１ｉｎのＮ２を導入しながら５５０℃で１時間熱処理
した。これにメタルマスクを用いてＡＭによる対向電極
（幅１ｍｍ、長さ２ｍ）を形成した０以上の試料につ−
いて、光電流Ｊｐ、暗電流Ｊｄ、信号光による立ち上が
り応答速度τ１、立ち下がり応答速度τｄ、バイアス光
をあてた時の立上がり応答速度で、ｂ、立ち下がり応答
速度でｄｂ、分光感度、温度依存性を測定した。
なお、τ、は信号光（１００１ｕｘ、ＩＨｚの点滅光）
の立上がりにより、ＪＰが０からその飽和値の１／２に
達するまでの時間を表わし、τ４は信号光の立ち下がり
により、ＪＰが飽和値からその１／２に下がるまでの時
間を表わしている。
の立上がりにより、ＪＰが０からその飽和値の１／２に
達するまでの時間を表わし、τ４は信号光の立ち下がり
により、ＪＰが飽和値からその１／２に下がるまでの時
間を表わしている。
また、τやｂは連続したバイアス光を加えた状態で、信
号光によるＪｐの増加分が０からその飽和値の１／２に
達するまでの時間を表わし、τｄｂは、信号光によるＪ
ｐの増加分が飽和値からその１／２に下がるまでの時間
を表わしている。
号光によるＪｐの増加分が０からその飽和値の１／２に
達するまでの時間を表わし、τｄｂは、信号光によるＪ
ｐの増加分が飽和値からその１／２に下がるまでの時間
を表わしている。
さらに、比較のために、従来の方法により試料を作製し
、同様の測定を行った。従来の製造方法としてＣｄＳと
ＣｄＳｅのモル比が２＝８、すなわちＣｄＳ、、、Ｓｅ
、、８を主成分とし、これに０．２モル％のＣｕＣ（Ｌ
２を含めた固溶体を蒸発源として、同じ＜ ５０ Ｘ
２８０ Ｘ １．２ａｎ”のガラス基板（コーニング７
０５９）上に真空蒸着により膜厚約４０００人のＣｄ５
−ＣｄＳｅ固溶体薄膜を形成した。この試料を底部にＣ
ｄ５−ＣｄＣ１１，粉末を配置したアルミナ製ボートの
中に入れ、５５０℃で１時間の熱処理を行った。
、同様の測定を行った。従来の製造方法としてＣｄＳと
ＣｄＳｅのモル比が２＝８、すなわちＣｄＳ、、、Ｓｅ
、、８を主成分とし、これに０．２モル％のＣｕＣ（Ｌ
２を含めた固溶体を蒸発源として、同じ＜ ５０ Ｘ
２８０ Ｘ １．２ａｎ”のガラス基板（コーニング７
０５９）上に真空蒸着により膜厚約４０００人のＣｄ５
−ＣｄＳｅ固溶体薄膜を形成した。この試料を底部にＣ
ｄ５−ＣｄＣ１１，粉末を配置したアルミナ製ボートの
中に入れ、５５０℃で１時間の熱処理を行った。
これにメタルマスクを用いてＡｕによる対向電極（幅１
１ＩＩ１１．長さ２ｍｍ）を蒸着で形成した。その試料
について同様の測定を行った。
１ＩＩ１１．長さ２ｍｍ）を蒸着で形成した。その試料
について同様の測定を行った。
分光感度および温度依存性は第１図および第２図に示す
通りであり、第１図の曲線（１）〜（５）および第２図
の曲線（１）〜（６）は本実施例のものを示し、第１図
の曲線（６）および第２図の曲線（７）は従来例のもの
を示す。
通りであり、第１図の曲線（１）〜（５）および第２図
の曲線（１）〜（６）は本実施例のものを示し、第１図
の曲線（６）および第２図の曲線（７）は従来例のもの
を示す。
第１図において、Ｃｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅ系光セン
サの分光感度領域はＣｄＳｅおよびＣｄＴｅの組成比に
より変化し、この変化の様子をＣｄ５ｏ、、Ｓｅｌ＋４
にＣｄＴｅを加えたＣｄ５ａ、５（ｔ−ｘ） ５ｅａ４
Ｃｘ−ｘ）Ｔｅｘの系でＸ＝Ｏ〜０．２のように変化さ
せた場合を示す、ここで１曲線（１）と（６）の比較よ
り。
サの分光感度領域はＣｄＳｅおよびＣｄＴｅの組成比に
より変化し、この変化の様子をＣｄ５ｏ、、Ｓｅｌ＋４
にＣｄＴｅを加えたＣｄ５ａ、５（ｔ−ｘ） ５ｅａ４
Ｃｘ−ｘ）Ｔｅｘの系でＸ＝Ｏ〜０．２のように変化さ
せた場合を示す、ここで１曲線（１）と（６）の比較よ
り。
ＣｄＴｅを含まない場合は、Ｃｄｇｅの増加により。
曲線（６）のように、同様の形を保ってピークが移動す
るのみで、長波長側における感度は増加するとともに、
短波長側の感度は減少する。しかし曲線（２）〜（５）
のように、ＣｄＴｅを含む場合は、短波長側の感度をあ
まり減少させずに、長波長側の感度を増すことができ、
Ｃｄ Ｔ ｅの増加量に従って長波長側の感度も増加す
る。
るのみで、長波長側における感度は増加するとともに、
短波長側の感度は減少する。しかし曲線（２）〜（５）
のように、ＣｄＴｅを含む場合は、短波長側の感度をあ
まり減少させずに、長波長側の感度を増すことができ、
Ｃｄ Ｔ ｅの増加量に従って長波長側の感度も増加す
る。
また、第２図において、Ｃｄ５−Ｃｄ５ｅ−ＣｄＴｅ系
光センサのＪＰの温度変化はＣｄＳｅおよびＣｄ Ｔ
ｅの組成比により変化する。ここで、曲線（１）〜（７
）の比較により、ＣｄＴｅを含まない場合はＣｄ Ｓｅ
の増加で温度変化は大きくなることがわかるが、Ｃｄ
Ｔ ｅの増加によっては、曲線（１）〜（５）に示すよ
うに、ＣｄＴｅが２０モル％までの温度変化はそれほど
大きくない。
光センサのＪＰの温度変化はＣｄＳｅおよびＣｄ Ｔ
ｅの組成比により変化する。ここで、曲線（１）〜（７
）の比較により、ＣｄＴｅを含まない場合はＣｄ Ｓｅ
の増加で温度変化は大きくなることがわかるが、Ｃｄ
Ｔ ｅの増加によっては、曲線（１）〜（５）に示すよ
うに、ＣｄＴｅが２０モル％までの温度変化はそれほど
大きくない。
また、本実施方法のものでは、２０ソにおいて、例えば
ｘ＝０．１の場合、ＤＣＩＯＶ印加した場合、Ｊ ｐ（
１００１ｕｘ）＝２．５Ｘ１０−’（Ａ）、Ｊ ｄ：５
Ｘ １０−”（Ａ）であった、また、光応答速度は、
同じ＜ｘ＝ｏ、ｉの場合、信号光強度が１００１ｕｘの
時はｔ、＝５．０ｍ５ｅｃ、ｃ ｄ＝１．９ｍ５ｅｃで
あり、 ４００１ｕｘの時はτＰ＝２．１ｍ５ｅｃ、
ｔ、１＝１．１ｍ５ｅｃであった。一方バイアス光をあ
てた場合の応答速度は、信号光強度が１００１ｕｘ、バ
イアス光強度が４０１ｕｘの場合でｆｒｂ＝０．４８ｍ
５ｅｃ、 ｔｄｌ、＝０．９２ｍ５ｅｃであった。
ｘ＝０．１の場合、ＤＣＩＯＶ印加した場合、Ｊ ｐ（
１００１ｕｘ）＝２．５Ｘ１０−’（Ａ）、Ｊ ｄ：５
Ｘ １０−”（Ａ）であった、また、光応答速度は、
同じ＜ｘ＝ｏ、ｉの場合、信号光強度が１００１ｕｘの
時はｔ、＝５．０ｍ５ｅｃ、ｃ ｄ＝１．９ｍ５ｅｃで
あり、 ４００１ｕｘの時はτＰ＝２．１ｍ５ｅｃ、
ｔ、１＝１．１ｍ５ｅｃであった。一方バイアス光をあ
てた場合の応答速度は、信号光強度が１００１ｕｘ、バ
イアス光強度が４０１ｕｘの場合でｆｒｂ＝０．４８ｍ
５ｅｃ、 ｔｄｌ、＝０．９２ｍ５ｅｃであった。
これに対し、従来方法のものでは、２０℃において、Ｄ
ＣＩＯＶを印加した場合、Ｊ ｐ（１００１ｕｘ） ＝
２．８ＸＩＯ−’（Ａ）、Ｊｄ＝３×１Ｏ−１ｏ（Ａ
）であった、また。
ＣＩＯＶを印加した場合、Ｊ ｐ（１００１ｕｘ） ＝
２．８ＸＩＯ−’（Ａ）、Ｊｄ＝３×１Ｏ−１ｏ（Ａ
）であった、また。
光応答速度は、信号光強度が１００１ｕｘの時はτや＝
５．０＋ｗｓｅｃ、ｔ 、１ ＝ １ 、２ｍ５ｅｃで
あり、４００１ｕｘの時はτ１＝１．５ｓｓｅｃ、
ｔ ｄ＝０．４＋＋ｓａｃであった。一方バイナス光を
あてた場合の応答速度は、信号光強度が１００１ｕｘ、
バイアス光強度が４０１ｕｘの場合でτＰｂ＝０．７５
ｍ５ｅｃ、 ？ ｄｌ、＝０．７４ｍ５ｅｃであった
。
５．０＋ｗｓｅｃ、ｔ 、１ ＝ １ 、２ｍ５ｅｃで
あり、４００１ｕｘの時はτ１＝１．５ｓｓｅｃ、
ｔ ｄ＝０．４＋＋ｓａｃであった。一方バイナス光を
あてた場合の応答速度は、信号光強度が１００１ｕｘ、
バイアス光強度が４０１ｕｘの場合でτＰｂ＝０．７５
ｍ５ｅｃ、 ？ ｄｌ、＝０．７４ｍ５ｅｃであった
。
また本実施方法におけるＸが０．０２〜０．２の範囲で
０．１以外の場合でも、光応答速度は従来のものに比べ
て同等以上の高速性を示すことが確認された。
０．１以外の場合でも、光応答速度は従来のものに比べ
て同等以上の高速性を示すことが確認された。
上記の如き製造方法において、Ｃｄ５−ＣｄＳｅ−Ｃｄ
Ｔ ｅの固溶体薄膜の熱処理は、中性雰囲気中もしく
は空気中で行われるものであればよく、その時の温度は
４８０〜６００℃であればよい、これは、４８０℃以下
では、ＪＰが小さくかつＪｄが大きいからであり、また
６００℃以上では膜の再蒸発が起って再びＪＰが小さく
なるためである。
Ｔ ｅの固溶体薄膜の熱処理は、中性雰囲気中もしく
は空気中で行われるものであればよく、その時の温度は
４８０〜６００℃であればよい、これは、４８０℃以下
では、ＪＰが小さくかつＪｄが大きいからであり、また
６００℃以上では膜の再蒸発が起って再びＪＰが小さく
なるためである。
更に、これは薄膜プロセスで形成されるために。
レンズを必要とないいわゆる完全密着型のイメージセン
サにおいても使用できることは明らかである。
サにおいても使用できることは明らかである。
発明の効果
以上本発明によれば、従来のものに比べて、製造方法が
簡単であり、かつＪＰの温度変化の点においては、変化
が小さく、また広い分光感度を持ち、光応答速度の点に
おいても同等以上の性能を持つという優れた光導電性薄
膜が得られるものであり、その価値は極めて大きい。
簡単であり、かつＪＰの温度変化の点においては、変化
が小さく、また広い分光感度を持ち、光応答速度の点に
おいても同等以上の性能を持つという優れた光導電性薄
膜が得られるものであり、その価値は極めて大きい。
第１図は本発明および従来例の光導電性薄膜の分光感度
を示す特性図、第２図は本発明および従来例の光導電性
薄膜のＪｐの温度依存性を示す特性図である。
を示す特性図、第２図は本発明および従来例の光導電性
薄膜のＪｐの温度依存性を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣｄＴｅを２〜２０モル％含むＣｄＳとＣｄＳｅと
ＣｄＴｅの固溶体を主体としてなり、これに不純物とし
てＣｕおよびＣｌを含む光導電性薄膜。 ２、ＣｄＴｅを２〜２０モル％含むＣｄＳとＣｄＳｅと
ＣｄＴｅの固溶体を主体とし、これにＣｕＣｌ＿２を加
えた蒸発源を、加熱蒸発させて基板上に固溶体薄膜を蒸
着形成し、この薄膜を中性雰囲気中もしくは空気中で熱
処理する光導電性薄膜の製造方法。 ３、熱処理の温度は、４８０〜６００℃であることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の光導電性薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147942A JPS628579A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 光導電性薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147942A JPS628579A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 光導電性薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628579A true JPS628579A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15441547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147942A Pending JPS628579A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 光導電性薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628579A (ja) |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147942A patent/JPS628579A/ja active Pending
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