JPS5919991A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPS5919991A JPS5919991A JP13091282A JP13091282A JPS5919991A JP S5919991 A JPS5919991 A JP S5919991A JP 13091282 A JP13091282 A JP 13091282A JP 13091282 A JP13091282 A JP 13091282A JP S5919991 A JPS5919991 A JP S5919991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric
- drive circuit
- display device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
+a) 発明の技術分野
本発明は表示装置に係り1 さらに具体的には半導体基
板表面に左示素子ならびに、それら素子に対する駆動回
1/8を一体的に集積化した表示装置の構造の改良に関
する。
板表面に左示素子ならびに、それら素子に対する駆動回
1/8を一体的に集積化した表示装置の構造の改良に関
する。
(b) 技術の背景
近年、半導体基板表面に表示素子ならびにそれら素子に
幻する駆動回路を一体的に集積化したEL表示装置が(
υ[究開発されている。
幻する駆動回路を一体的に集積化したEL表示装置が(
υ[究開発されている。
特に最近はその動作を安定化するため、光および外部か
らの電磁誘導に対する遮蔽用のシールド電極を設りたち
のが出現している。
らの電磁誘導に対する遮蔽用のシールド電極を設りたち
のが出現している。
(C1従来の技術と問題点
第1図は従来のこの種EL表示装置1区画分の構成を概
念的に示した断面図で、これに従ってその製作工程を説
明する。
念的に示した断面図で、これに従ってその製作工程を説
明する。
まず半導体基板表面l上に駆動回路即ちMOSトランジ
スタなどよりなる能動素子群2と、コンデンサや抵抗な
どよりなる受動素子群3を集積化して設番〕、アルミニ
ウムなどの蒸着金属により配線した(多、酸化シリコン
(Si O,)などの絶縁層4で覆い、その上にマトリ
ックス配列の画素電極5とシールド電極6を形成する。
スタなどよりなる能動素子群2と、コンデンサや抵抗な
どよりなる受動素子群3を集積化して設番〕、アルミニ
ウムなどの蒸着金属により配線した(多、酸化シリコン
(Si O,)などの絶縁層4で覆い、その上にマトリ
ックス配列の画素電極5とシールド電極6を形成する。
しかる後、酸化シリコン(Si O,、lを再び蒸着し
て総ての上記諸素子を覆う1oooo〜20000人の
厚さの絶縁層7を形成して該諸素子を湿気から保護する
所謂パッシベーションとすると共に、!&の工程で形成
するE L発光層が発光領域以外で発光するのを阻止す
る。
て総ての上記諸素子を覆う1oooo〜20000人の
厚さの絶縁層7を形成して該諸素子を湿気から保護する
所謂パッシベーションとすると共に、!&の工程で形成
するE L発光層が発光領域以外で発光するのを阻止す
る。
次いでエツチングにより画素電極の直上の発光領域に窓
を穿ち表示領域を確定する。しかる後。
を穿ち表示領域を確定する。しかる後。
酸化イットリュウム(Y、0.)などの誘電体層8.8
aで、IEI、発光層(普通は硫化亜鉛−マンガンZn
S : Mn) 9を挾んで構成されたELl皆10
を形成する。
aで、IEI、発光層(普通は硫化亜鉛−マンガンZn
S : Mn) 9を挾んで構成されたELl皆10
を形成する。
さらその上に透明な前面電極11を、同一列内の各画素
電極に共通に形成して2両電極の対向領域即ち画素電極
対応に発光領域を構成する。
電極に共通に形成して2両電極の対向領域即ち画素電極
対応に発光領域を構成する。
以上の説明より判るように、駆動回路を配設後。
各種絶縁層やE L層の蒸着等、多数の工程を重ねてい
るので、その削減が強く望まれていた。
るので、その削減が強く望まれていた。
(dl 発明の1−1的
本発明4;JIiil述の点に鑑みなされたもので、E
L表示装置等の誘電体Ifの祠質を見直し、製造工程数
を減らずことが出来るように改良された構造を提供しよ
うとするものである。
L表示装置等の誘電体Ifの祠質を見直し、製造工程数
を減らずことが出来るように改良された構造を提供しよ
うとするものである。
tel 発明の構成
上記の本発明の目的は、共通の基板上に規則的に配列さ
れた複数個の画素電極を介して2層の誘電体層で挾んだ
EL発光層よりなる表示媒体を設け、且つ該画素電極に
対する駆動回路を一体的に集禎化してなる構成において
、前記EL発光層を挾む下側誘電体層と、前記駆動回路
の上に配設したシールド電極を被覆する絶縁層とを単一
の誘電体層で構成することより容易に達成される。
れた複数個の画素電極を介して2層の誘電体層で挾んだ
EL発光層よりなる表示媒体を設け、且つ該画素電極に
対する駆動回路を一体的に集禎化してなる構成において
、前記EL発光層を挾む下側誘電体層と、前記駆動回路
の上に配設したシールド電極を被覆する絶縁層とを単一
の誘電体層で構成することより容易に達成される。
(fl 発明の実施例
以下本発明の実施例について述べるに先立ら。
L層:L表示装置を例として、その一部を構成している
誘電体層材料について考察しよう。
誘電体層材料について考察しよう。
上記の絶縁層4,7は半導体基板表面l上の前記駆動回
路を湿気等より保護する表面安定化層と。
路を湿気等より保護する表面安定化層と。
該駆動回路の表示領域以外の部分の発光を阻止する電気
的絶縁層を兼ねているので、高い絶縁性と耐湿性を要求
されている・が、これには酸化シリコン(Si O,)
が最適で広く用いられている。
的絶縁層を兼ねているので、高い絶縁性と耐湿性を要求
されている・が、これには酸化シリコン(Si O,)
が最適で広く用いられている。
これに対し、前記EL層10を構成する誘電体層8,8
aの祠質は絶縁性と誘電体係数が高いことがffi+、
層とし′Cの信頼性と発光能率の点より必須条件である
。また同時に、該誘電体層8.8aはEL発光JM(I
jV通は硫化亜鉛−マンガンZnS :Mn) 9に対
する密着性もよくなくてはならない。
aの祠質は絶縁性と誘電体係数が高いことがffi+、
層とし′Cの信頼性と発光能率の点より必須条件である
。また同時に、該誘電体層8.8aはEL発光JM(I
jV通は硫化亜鉛−マンガンZnS :Mn) 9に対
する密着性もよくなくてはならない。
これに適ず・旧4石としては、酸化イントリュウム(Y
、0.)や窒化シリ:I7 (Si、 N 4 )が挙
げられる。これらの誘電体係数はそれぞれ約12および
8である。前述の酸化シリコン(Si O,)の誘電体
係数は約3.5でありELiilOの、誘電体層には適
していない。
、0.)や窒化シリ:I7 (Si、 N 4 )が挙
げられる。これらの誘電体係数はそれぞれ約12および
8である。前述の酸化シリコン(Si O,)の誘電体
係数は約3.5でありELiilOの、誘電体層には適
していない。
一方酸化イットリュウム(Y、02)は吸湿性があって
耐湿性の点で到底表面安定化層には使用できない。
耐湿性の点で到底表面安定化層には使用できない。
先に挙げた誘電体材料の中では窒化シリコン(Si、
N 4)が絶縁性と耐湿性の点で前記表面安定化層とし
てもj角当である。
N 4)が絶縁性と耐湿性の点で前記表面安定化層とし
てもj角当である。
以上の考察をよく検討してみるとEL表示装置に使用す
るBpJ電体として、耐湿性が高く、電気的絶縁性に優
れ、誘電体係数の大きい、且つEL発光層(普通は硫化
亜鉛−マンガンZnS : Mn) 9への密着性も良
好な材料があれば、EL表示装置の製作工程の内、前記
の酸化シリコン(Si O,)の絶縁層7とEL発光層
(普通は硫化亜鉛−マンガンZnS : Mn) 9を
挾む2層の誘電体層の内の最初の絶縁IN 8の材質を
共通にして蒸着工程を同時に行うことが出来る。
るBpJ電体として、耐湿性が高く、電気的絶縁性に優
れ、誘電体係数の大きい、且つEL発光層(普通は硫化
亜鉛−マンガンZnS : Mn) 9への密着性も良
好な材料があれば、EL表示装置の製作工程の内、前記
の酸化シリコン(Si O,)の絶縁層7とEL発光層
(普通は硫化亜鉛−マンガンZnS : Mn) 9を
挾む2層の誘電体層の内の最初の絶縁IN 8の材質を
共通にして蒸着工程を同時に行うことが出来る。
具体的には従来の絶縁層7とELLi2O下側の絶縁層
8の共通誘電体材料として窒化シリコン(Si、 N
、 )を採用し、上記の2つの層を1回の蒸着で同時に
形成する。
8の共通誘電体材料として窒化シリコン(Si、 N
、 )を採用し、上記の2つの層を1回の蒸着で同時に
形成する。
第2図はこの発明による新しいEL表示装置の一区画分
の構造を示す概念的な断面図である。図に示すように、
第1図に示す従来の構造の絶縁層7と誘電体IN 8の
代りに誘電体ff112が形成されている。
の構造を示す概念的な断面図である。図に示すように、
第1図に示す従来の構造の絶縁層7と誘電体IN 8の
代りに誘電体ff112が形成されている。
該誘電体層12は画素電極5以外の領域での発光を阻止
するためその厚さは前述のように10000〜2000
0人でなりればならないので1画素電極5に対向する部
分は、エツチング法により図示のように厚さ2000人
程度に薄い層に加工して窓13を形成する必要がある。
するためその厚さは前述のように10000〜2000
0人でなりればならないので1画素電極5に対向する部
分は、エツチング法により図示のように厚さ2000人
程度に薄い層に加工して窓13を形成する必要がある。
その外の構造は従来の構造と何等変る所は無い。
(gl 発明の効果
以上の説明から明らかなように2本発明による新しいE
L表示装置の構造を採用することにより。
L表示装置の構造を採用することにより。
該装置Hの誘電体ILiの蒸着工程を削減し、製造原価
の低減に効果がある。
の低減に効果がある。
第1閉l 4J、 1)(−)k(1)Iff+、表示
装置の1区画分の構成を概念的に示した断面図、第2図
は本発明によるEl、表示装置の新しい構成1区画分を
示した概念的な断面図である。 図においC,Iは半導体基板、2は能動素子群。 3は受動素子I11’、 4. 7は絶縁層、5は画
素電極。 6はシールド111JIJi、 8. 8 a、
] 2は誘電体層59はE L発光jす−1,10はE
LI晋、11は透明な前面電極、1;)は誘電体1響1
2に穿った発光領域の窓をそれぞ、jl、ボす。
装置の1区画分の構成を概念的に示した断面図、第2図
は本発明によるEl、表示装置の新しい構成1区画分を
示した概念的な断面図である。 図においC,Iは半導体基板、2は能動素子群。 3は受動素子I11’、 4. 7は絶縁層、5は画
素電極。 6はシールド111JIJi、 8. 8 a、
] 2は誘電体層59はE L発光jす−1,10はE
LI晋、11は透明な前面電極、1;)は誘電体1響1
2に穿った発光領域の窓をそれぞ、jl、ボす。
Claims (1)
- 共通の基JAi、I:に規則的に配列された複数個の画
素電極を介し62層の誘電体層で挾んだEL発光層より
なる表示媒体を設り、且つ該画素電極に対する駆動回路
を−・1ト的に集積化してなる構成において、前記E1
、発光層を挾む下側誘電体層と、前記駆動回路の−1−
に配設したシールド電極を被覆する絶縁層とをflol
−の誘電体層で構成することを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13091282A JPS5919991A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13091282A JPS5919991A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919991A true JPS5919991A (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=15045637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13091282A Pending JPS5919991A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919991A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63191525A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-09 | Inax Corp | 雄螺子用増し締め工具 |
| JPH02232384A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Kobe Steel Ltd | 銅基合金の酸化皮膜除去方法 |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP13091282A patent/JPS5919991A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63191525A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-09 | Inax Corp | 雄螺子用増し締め工具 |
| JPH02232384A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Kobe Steel Ltd | 銅基合金の酸化皮膜除去方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070188093A1 (en) | Organic electroluminescent display panel | |
| JP2000077192A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 | |
| JPH11329717A (ja) | カラーelパネル | |
| TWI241859B (en) | Display unit and its manufacturing method | |
| TW582186B (en) | Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure | |
| JPS5919991A (ja) | 表示装置 | |
| WO2025190045A1 (zh) | 显示面板及电子设备 | |
| KR20070069314A (ko) | Oled 소자 | |
| JPH05217673A (ja) | 薄膜el素子の製造方法 | |
| JPS5986194A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS5955484A (ja) | 表示装置 | |
| JPH05144809A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5986266A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| US7420325B2 (en) | Display device | |
| JPH03112088A (ja) | 薄膜el素子 | |
| JPH0883685A (ja) | 白色el素子 | |
| KR100324767B1 (ko) | 반도체 표시소자 및 그 제조방법 | |
| JPS5851382B2 (ja) | 螢光表示管 | |
| JPS6345797A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPS63241846A (ja) | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 | |
| CN116169154A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法 | |
| JPS6149397A (ja) | フルカラ−薄膜el素子 | |
| CN121712214A (zh) | 显示面板及显示终端 | |
| JP2004079372A (ja) | El素子及びその製造方法 | |
| JPS6326994A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |