JPS6326994A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPS6326994A JPS6326994A JP61171062A JP17106286A JPS6326994A JP S6326994 A JPS6326994 A JP S6326994A JP 61171062 A JP61171062 A JP 61171062A JP 17106286 A JP17106286 A JP 17106286A JP S6326994 A JPS6326994 A JP S6326994A
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- Japan
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高輝度で耐圧が高く、背面金属電極膜のホト
加工工程に耐性のある薄膜ニレクトロルミ庫センス素子
ｃ以下、薄膜ＥＬ素子と記述する）に関するものである
、 〔従来の技術〕 １４族化合物牛導体、例えば登化亜鉛（ＺｎＳ）を母体
とし、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ ）
、あるいは希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし
、この両側に戯化物、あるいは窒化物等の絶縁、＠（誘
電体／ｉｌ）薄膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄
１模構造体を、その一方が透明な一対の対向電極で挾持
した薄膜ＥＬ素子は固知であシ、対向′！！極間に交流
１三を印加することによって高輝度１：発光し、しかも
長寿命であることが知られている、 第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面溝造図を示”［ので
あシ、図において１はガラ２基板、２はＩｆｌＯ：５Ｉ
ＬＯ□ 靜からなる透明１極膜、３はＴＡ２０５、Ｙ２
Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３等からなる第１絶縁層膜、４はＭｎあ
るいは希土類化合物を添加したＺｎＳ あるいはＳｒ
Ｓ ＃のＩＷ族化合物半導体発光、９膜、５は３と同
様々第２．他級層嘆、６（はＡｔ等よシなる背面金属Ｍ
Ｌ電極膜ある。
加工工程に耐性のある薄膜ニレクトロルミ庫センス素子
ｃ以下、薄膜ＥＬ素子と記述する）に関するものである
、 〔従来の技術〕 １４族化合物牛導体、例えば登化亜鉛（ＺｎＳ）を母体
とし、これに発光中心を形成するマンガン（Ｍｎ ）
、あるいは希土類化合物等を添加した薄膜を発光層とし
、この両側に戯化物、あるいは窒化物等の絶縁、＠（誘
電体／ｉｌ）薄膜をサンドイッチ状に設け、更にこの薄
１模構造体を、その一方が透明な一対の対向電極で挾持
した薄膜ＥＬ素子は固知であシ、対向′！！極間に交流
１三を印加することによって高輝度１：発光し、しかも
長寿命であることが知られている、 第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面溝造図を示”［ので
あシ、図において１はガラ２基板、２はＩｆｌＯ：５Ｉ
ＬＯ□ 靜からなる透明１極膜、３はＴＡ２０５、Ｙ２
Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３等からなる第１絶縁層膜、４はＭｎあ
るいは希土類化合物を添加したＺｎＳ あるいはＳｒ
Ｓ ＃のＩＷ族化合物半導体発光、９膜、５は３と同
様々第２．他級層嘆、６（はＡｔ等よシなる背面金属Ｍ
Ｌ電極膜ある。
このような構造の薄膜ＥＬ素子に交流電圧を印加し発光
雰内部の電界強度が約１０’Ｖ／（７）程度；：なると
、絶朦層と発光１の界面等から生成され九電子が発光層
内を電界（＝よって加速されながら走行し、発光中心物
質を衝突励起することによってＥＬ発元７５に得られる
。
雰内部の電界強度が約１０’Ｖ／（７）程度；：なると
、絶朦層と発光１の界面等から生成され九電子が発光層
内を電界（＝よって加速されながら走行し、発光中心物
質を衝突励起することによってＥＬ発元７５に得られる
。
［発明が解決しようとする問題点〕
Ｋ４図に示し念よう々発光層膜を絶縁層、膜でサンドイ
ッチ状に挾んだ、通常２を絶縁構造と呼ばれている構成
の素子で社、素子を流れる電荷密度の最大’！！ （Ｑ
ｍａｘ ）はｅｅ 層ＭのＱｍａｘで決まっている。、
素子のＱｒｎｅ ｘが大きいということは、素子の動作
時のＩＩ王（ｖｏｐ）と素子が破壊する電圧（ｖＢＤ）
との差（ＶＢＤ−ｖｏｐ）カ大キイトイウことを意味し
ておシ、薄膜ＥＬ素子の信頼性を高めるという観点から
Ｑｍａｘの大きい絶縁層を使うことが望ましい。また、
Ｑｍａｘが大きければ、それだけ高輝１度が得られるこ
とに々る、しかしながら、薄膜ＥＬ素子に用いられてい
る絶縁層材料の中でもＱｍａｘの大きい材料は、通常、
ｉ％ｉ誘電率材料と呼ばれているものであシ、これらの
材料は発光層膜（一対する付着力が弱いものであつ九。
ッチ状に挾んだ、通常２を絶縁構造と呼ばれている構成
の素子で社、素子を流れる電荷密度の最大’！！ （Ｑ
ｍａｘ ）はｅｅ 層ＭのＱｍａｘで決まっている。、
素子のＱｒｎｅ ｘが大きいということは、素子の動作
時のＩＩ王（ｖｏｐ）と素子が破壊する電圧（ｖＢＤ）
との差（ＶＢＤ−ｖｏｐ）カ大キイトイウことを意味し
ておシ、薄膜ＥＬ素子の信頼性を高めるという観点から
Ｑｍａｘの大きい絶縁層を使うことが望ましい。また、
Ｑｍａｘが大きければ、それだけ高輝１度が得られるこ
とに々る、しかしながら、薄膜ＥＬ素子に用いられてい
る絶縁層材料の中でもＱｍａｘの大きい材料は、通常、
ｉ％ｉ誘電率材料と呼ばれているものであシ、これらの
材料は発光層膜（一対する付着力が弱いものであつ九。
従って、薄膜ＥＬ素子の絶縁層としてＱｍａｘの大きい
材料（例えばＴａ２０３）を用いることは発光特注の観
点からは好ましいが、その反面素子の背面金属電極膜を
ホト工程で加工する場合（二問題があった。例えば、背
面金属電極膜１ｍ、 Ａｔを用い、＋１４．Ｍのエツチ
ング液でバターニングすると、’ｒａ２ｏ５ と発光
層であるＺ ｎ Ｓ との付着力が弱いためにＴａ
２０５とＺｎＳとの界面にエツチング液が浸入し、’ｒ
ａ２ｏ５ 模が剥離してしまうという問題点かあつ九
。
材料（例えばＴａ２０３）を用いることは発光特注の観
点からは好ましいが、その反面素子の背面金属電極膜を
ホト工程で加工する場合（二問題があった。例えば、背
面金属電極膜１ｍ、 Ａｔを用い、＋１４．Ｍのエツチ
ング液でバターニングすると、’ｒａ２ｏ５ と発光
層であるＺ ｎ Ｓ との付着力が弱いためにＴａ
２０５とＺｎＳとの界面にエツチング液が浸入し、’ｒ
ａ２ｏ５ 模が剥離してしまうという問題点かあつ九
。
一方、発光層膜に対する付着力が強い絶縁層膜のみを絶
縁体層として用いた素子では、絶縁層膜自体のＱｍａｘ
が小ぢいため、耐圧、輝度共に低いものであった。
縁体層として用いた素子では、絶縁層膜自体のＱｍａｘ
が小ぢいため、耐圧、輝度共に低いものであった。
本発明はこの欠点を解決するために発明されたもので、
薄膜ＥＬの素子構造の内の発光層と背面金属電極膜との
間の７ｉ８縁／ｉ！を、２種類以上の絶縁層を積層した
複合構造とすることによって、高輝度で耐圧が高く、背
面金属電極膜のホト加エエ福ζ；耐注のある薄膜エレク
トロルずネセンス素子を提供することを目的とするもの
である、ｃ問題点を解決するための手段］ 本発明は、薄、＠構造体を一対の電極で挾持し、交流電
圧を当、収電極間に印加して発光せしめる薄膜エレクト
ロルミネセンス電子において、発光層膜と背面金属電極
膜との間の絶縁体層を２種類以上の絶縁７＃膜を積層し
之構成としたことを特徴とするものである。
薄膜ＥＬの素子構造の内の発光層と背面金属電極膜との
間の７ｉ８縁／ｉ！を、２種類以上の絶縁層を積層した
複合構造とすることによって、高輝度で耐圧が高く、背
面金属電極膜のホト加エエ福ζ；耐注のある薄膜エレク
トロルずネセンス素子を提供することを目的とするもの
である、ｃ問題点を解決するための手段］ 本発明は、薄、＠構造体を一対の電極で挾持し、交流電
圧を当、収電極間に印加して発光せしめる薄膜エレクト
ロルミネセンス電子において、発光層膜と背面金属電極
膜との間の絶縁体層を２種類以上の絶縁７＃膜を積層し
之構成としたことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。な
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、埋植の変更あるいは改良を行いうること
は゛「う゛までもない２第１図は本発明の薄、＠ＥＬ素
子の断面構成図の一例を示すものであって、図において
７はガラス基板、８は透明電極膜、９は絶縁層膜、１０
は発光Ｎｊ膜、１１は発光層膜に対する付着力の強い絶
縁＃膜、１２は発光層膜に対する付着力の弱い、絶縁ｊ
＃膜、１３は背面金属１！ｃ極膜である。
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、埋植の変更あるいは改良を行いうること
は゛「う゛までもない２第１図は本発明の薄、＠ＥＬ素
子の断面構成図の一例を示すものであって、図において
７はガラス基板、８は透明電極膜、９は絶縁層膜、１０
は発光Ｎｊ膜、１１は発光層膜に対する付着力の強い絶
縁＃膜、１２は発光層膜に対する付着力の弱い、絶縁ｊ
＃膜、１３は背面金属１！ｃ極膜である。
このような構造の素子を用いて背面金属１！ｃ極膜のホ
ト加工を行うと、発光層と発光層膜（二対する付着力の
弱い４１！Ｉｗｋ層膜との開に、発光層膜に対する付着
力の強い絶縁層膜がある九めエツチング哉の浸入を防ぐ
ことができ、倣膜構造体１：何等悪影響を及は丁ことな
（背面金属電極膜のホト加工を行うことができる。
ト加工を行うと、発光層と発光層膜（二対する付着力の
弱い４１！Ｉｗｋ層膜との開に、発光層膜に対する付着
力の強い絶縁層膜がある九めエツチング哉の浸入を防ぐ
ことができ、倣膜構造体１：何等悪影響を及は丁ことな
（背面金属電極膜のホト加工を行うことができる。
次（二、上記の実施例をよジ兵体的に説明する。
第１図の薄膜ＥＬ素子を作表するにあ次り、ガラス基板
７として商品名コーニング７０５９を用いた。このガラ
ス基板上にＩｎ２Ｏ３： ５ｎｏ２ 透明型ｆｔｊｌ
Ｊ ８ ヲ２００ ｎ ｍ％スパッタ蒸着法で形成した
１次に、絶縁１Ｍ膜９としてＴａ２０５ を高周波マ
グネトロン嗜スパッタ法にエク３００ｎｍ、Ｑ光層膜１
０としてＺｎＳ ： Ｍｎを電子ビーム蒸着法によ
り５００ ｎｍ 、 ｉｆ＆Ｍ、［１１としてＳｍ２Ｏ
３を電子ビーム蒸着法によ！ｌ ５０ ｎｍ％絶縁層膜
１２として９と同機にＴ８□０５ を３００ ｎｍ
、 、’ｍＲ１積、ｊａ形成した６そして、最後に背面
金属・道、■嗅１３としてＡｔを電子ビーム蒸着法によ
、９１００ｎｍ形成して薄膜ＥＬ、素子を作製し九やま
た、比較の丸めに上記構成から絶縁層膜１１のみを除い
た従来の構造の素子を同時に作興した、以下、絶縁層膜
１１を含む素子を素子Ａ、含まない素子を・素子Ｂと呼
ぶこととする、ま次、素子Ａと全く同じ構成で、背面金
属′ａ電極膜マスク蒸着でバターニングした素子も併せ
て作表した。この素子を素子Ｃとする、 これらの素子Ａ１及び素子Ｂの背面Ａｔ電極膜をリン酸
：硝酸：酢酸：水＝３５：１４ニア：３の組成のエツチ
ング液で加工したところ、素子Ａでは何≠問題なく背面
Ａｔ電極、喚を加工することができたのに対し、素子Ｂ
ではエツチング液に浸してから約３０秒程でＺｎＳ
発光層膜とＴ＾２０５絶縁層膜との間にエツチング液が
浸入し始め、１分後にはＴａ２（１５膜がほぼ全面に渡
って剥離するのが観測された。この状態を第２図に示す
、この時点で、素子Ｂは使用不可能な状態になっ九、以
上の結果から明らかなように、本実施例の素子は従来素
子に比べて、ホト加工工程Ｃ二対する耐性が格段に向上
しｆｃ７ 背面金属電極膜をホト加工でバターニングシタ素子Ａと
マスク蒸着でバターニングした素子Ｃの輝度−電圧特注
を比較して＠３図に示す。曲＆ｉ ａは素子Ａの％注、
曲？Ｒｃは素子Ｃの特注をそれぞれ表している。曲線ａ
、及び曲ｉｃかられかるように、画素子共全く同一の輝
度−電圧＃Ｐ注を示しておシ、背面金属電極膜のホト加
工工程が素子特注に何部悪影響を及ぼさ々かったことが
わかる、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜として
。
７として商品名コーニング７０５９を用いた。このガラ
ス基板上にＩｎ２Ｏ３： ５ｎｏ２ 透明型ｆｔｊｌ
Ｊ ８ ヲ２００ ｎ ｍ％スパッタ蒸着法で形成した
１次に、絶縁１Ｍ膜９としてＴａ２０５ を高周波マ
グネトロン嗜スパッタ法にエク３００ｎｍ、Ｑ光層膜１
０としてＺｎＳ ： Ｍｎを電子ビーム蒸着法によ
り５００ ｎｍ 、 ｉｆ＆Ｍ、［１１としてＳｍ２Ｏ
３を電子ビーム蒸着法によ！ｌ ５０ ｎｍ％絶縁層膜
１２として９と同機にＴ８□０５ を３００ ｎｍ
、 、’ｍＲ１積、ｊａ形成した６そして、最後に背面
金属・道、■嗅１３としてＡｔを電子ビーム蒸着法によ
、９１００ｎｍ形成して薄膜ＥＬ、素子を作製し九やま
た、比較の丸めに上記構成から絶縁層膜１１のみを除い
た従来の構造の素子を同時に作興した、以下、絶縁層膜
１１を含む素子を素子Ａ、含まない素子を・素子Ｂと呼
ぶこととする、ま次、素子Ａと全く同じ構成で、背面金
属′ａ電極膜マスク蒸着でバターニングした素子も併せ
て作表した。この素子を素子Ｃとする、 これらの素子Ａ１及び素子Ｂの背面Ａｔ電極膜をリン酸
：硝酸：酢酸：水＝３５：１４ニア：３の組成のエツチ
ング液で加工したところ、素子Ａでは何≠問題なく背面
Ａｔ電極、喚を加工することができたのに対し、素子Ｂ
ではエツチング液に浸してから約３０秒程でＺｎＳ
発光層膜とＴ＾２０５絶縁層膜との間にエツチング液が
浸入し始め、１分後にはＴａ２（１５膜がほぼ全面に渡
って剥離するのが観測された。この状態を第２図に示す
、この時点で、素子Ｂは使用不可能な状態になっ九、以
上の結果から明らかなように、本実施例の素子は従来素
子に比べて、ホト加工工程Ｃ二対する耐性が格段に向上
しｆｃ７ 背面金属電極膜をホト加工でバターニングシタ素子Ａと
マスク蒸着でバターニングした素子Ｃの輝度−電圧特注
を比較して＠３図に示す。曲＆ｉ ａは素子Ａの％注、
曲？Ｒｃは素子Ｃの特注をそれぞれ表している。曲線ａ
、及び曲ｉｃかられかるように、画素子共全く同一の輝
度−電圧＃Ｐ注を示しておシ、背面金属電極膜のホト加
工工程が素子特注に何部悪影響を及ぼさ々かったことが
わかる、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層膜として
。
Ｓｍ２Ｏ３の代わルにＳ１０□、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ
３、Ｙ２Ｏ３の薄膜を用いても、同様の効果が得られた
、また、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層の膜厚は
、駆動電圧の増加を最小限に抑えるという観点から、Ｉ
Ｑ−１５０ｎｍが適当である。
３、Ｙ２Ｏ３の薄膜を用いても、同様の効果が得られた
、また、発光層膜に対する付着力の強い絶縁層の膜厚は
、駆動電圧の増加を最小限に抑えるという観点から、Ｉ
Ｑ−１５０ｎｍが適当である。
なお、本発明、及びその効果は上記実施例中に −記述
し丸材料になんら限定されるものではな（、例えば発光
層としてはＴｈ％ Ｓｍ、Ｃｏ 等の希土類化合物を
添加したＺｎＳ、 Ｓｒ８％ ＣａＳ ＃の１−■
族化合物半導体薄膜、ｗｃ１図の４［！１Ｆｌｉ層１２
に用いるＱｍａｘの大きい絶縁層としては５ｒＴｉＯ％
ＢａＴｉ０ ％ ｐｂ’ｒｉｏ ％ Ｂａ
ＴａＯ３薄膜等を用いても同様の効果が期待できる、［
発明の効果〕 本発明によれば、発光層膜と背面金属電極膜との間の絶
縁体重を２１１類以上の、ｆ８縁層膜を積層した構成と
し九ので１発光Ｉ４膜に隣接する絶縁層膜を発光層膜（
：対する付着力の強い絶縁層膜とすることができ、この
ようにした場合にホト加工時のエツチング液の浸入を防
ぐことができ、薄膜構造体に何部悪影響を及ぼすことな
（ホト加工を行うことができる。したがって、本発明に
よれば、ホト加工工程に対する耐性を高くすることがで
きるから、高輝度で耐圧が高く、信頼性の高い高性能薄
膜ＫＬ表示パネルを製造できる。
し丸材料になんら限定されるものではな（、例えば発光
層としてはＴｈ％ Ｓｍ、Ｃｏ 等の希土類化合物を
添加したＺｎＳ、 Ｓｒ８％ ＣａＳ ＃の１−■
族化合物半導体薄膜、ｗｃ１図の４［！１Ｆｌｉ層１２
に用いるＱｍａｘの大きい絶縁層としては５ｒＴｉＯ％
ＢａＴｉ０ ％ ｐｂ’ｒｉｏ ％ Ｂａ
ＴａＯ３薄膜等を用いても同様の効果が期待できる、［
発明の効果〕 本発明によれば、発光層膜と背面金属電極膜との間の絶
縁体重を２１１類以上の、ｆ８縁層膜を積層した構成と
し九ので１発光Ｉ４膜に隣接する絶縁層膜を発光層膜（
：対する付着力の強い絶縁層膜とすることができ、この
ようにした場合にホト加工時のエツチング液の浸入を防
ぐことができ、薄膜構造体に何部悪影響を及ぼすことな
（ホト加工を行うことができる。したがって、本発明に
よれば、ホト加工工程に対する耐性を高くすることがで
きるから、高輝度で耐圧が高く、信頼性の高い高性能薄
膜ＫＬ表示パネルを製造できる。
８１！１図は本発明の一実施例として示した薄膜ＥＬ素
子の断面図、３ｇ２図は従来素子のホト加工工程後に！
８縁層膜が剥離した状態を示す図であって、発光層膜と
絶縁層膜との間の接合部の組織を示す写真、第３図は本
発明の素子の背面金属電極膜をホト加工工程、及びマス
ク蒸着でバターニングした素子のｎ度−電圧特注を１較
した図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面図である４
７・・・・・・ガラス基板、８・・・・・・透明電極膜
、９．１２・・・・・・発光層膜に対する付着力の弱い
絶縁層膜、１０・・・・・・発光／ｌｌｌ膜、１１・・
・・・・発光Ｉｊｌ膜に対する付着力の強い絶縁層膜、
１３・・・・・・背面金属′電極膜。
子の断面図、３ｇ２図は従来素子のホト加工工程後に！
８縁層膜が剥離した状態を示す図であって、発光層膜と
絶縁層膜との間の接合部の組織を示す写真、第３図は本
発明の素子の背面金属電極膜をホト加工工程、及びマス
ク蒸着でバターニングした素子のｎ度−電圧特注を１較
した図、第４図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面図である４
７・・・・・・ガラス基板、８・・・・・・透明電極膜
、９．１２・・・・・・発光層膜に対する付着力の弱い
絶縁層膜、１０・・・・・・発光／ｌｌｌ膜、１１・・
・・・・発光Ｉｊｌ膜に対する付着力の強い絶縁層膜、
１３・・・・・・背面金属′電極膜。
Claims (2)
- （１）薄膜構造体を一対の電極で挾持し、交流電圧を当
該電極間に印加して発光せしめる薄膜エレクトロルミネ
センス素子において、発光層膜と背面金属電極膜との間
の絶縁体層を２種類以上の絶縁層膜を積層した構成とし
たことを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。 - （２）発光層膜と背面金属電極膜との間の絶縁体層の内
の１種類をＴａ＿２Ｏ＿５とし、他をＳｉＯ＿２、Ａｌ
＿２Ｏ＿３、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、Ｓｍ＿２Ｏ＿３、Ｙ＿２
Ｏ＿３の内のいずれか、あるいはそれらの複数層を用い
、発光層膜に隣接する絶縁体層をＴａ＿２Ｏ＿５以外の
絶縁体層としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171062A JPS6326994A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171062A JPS6326994A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326994A true JPS6326994A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15916352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171062A Pending JPS6326994A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027390A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Nippon Soken Inc | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS60185395A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS622496A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-08 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61171062A patent/JPS6326994A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS60185395A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS622496A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-08 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH027390A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Nippon Soken Inc | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
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