JPS59201345A - 撮像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、デフレフトロン型偏向電極を備えた電磁集束
静電偏向型の撮像管に関する。

従来例の構成とその問題点 一般に、デフレフトロン型偏向電極を備えた電磁集束静
電偏向型の撮像管は第１図に示すように電極構成され、
陰極１から放射された熱電子は制御電極２の細孔および
加速電極３の電子ビーム径制限用孔４を通じて引き出さ
れ、図外の集束コイルによる集束作用およびデフレクト
ロン型偏向電極６による偏向作用を受けて実線矢印で示
すような経路で進行する。そして、メツシュ電極６を透
過してターゲット電極７の光導電膜８を走査するのであ
るが、ターゲット電極７に射入し得なかった電子ビーム
は、いわゆる戻りビームとして加速電極３側へ戻る。

ところで、かかる電磁集束静電偏向型撮像管における戻
りビームは、静電集束電磁偏向型撮像管や電磁集束電磁
偏向型撮像管における戻りビームと異なり、破線矢印で
示すように管軸から離れる方向へ偏倚して加速電極側へ
戻る。そして、かかる戻りビームが加速電極等の電子銃
電極やその周囲の電極支持溝体９に射突するといわゆる
反射ビームを生じ、こ詐は一点鎖線で示すような経路を
とってターゲット電極７側へ向う。

前記反射ビームは低エネルギで、しかもある程３べ一゛ 度散乱しているので、これがたとえ光導電膜８の走査領
域に射入しても、入側光が、ハイライ１−でないかぎり
出力信号電流に悪影響することはない。

しかし、との反則ビームが光導電膜８の周囲領域たる非
走査領域に入射すると、これによる擬似信号が出力信号
電流に混入する。この理由は、光導電、膜８の中火矩形
状走査領域における裏面電位が、透明導電膜１０に印加
されるターゲット電圧（通常２０〜５０Ｖ　）よりも低
くなるのに対し、前記非走査領域における裏面電位はタ
ーゲット電圧に近く、シたがって低エネルギの反射ビー
ムといえども容易にランディングするからである。

前述のような擬似信号の発生を防ぐために、従来、電子
銃電極を径小化し、反射ビームのほとんどすべてが走査
領域内に戻るようにしたり、透明導電膜１０′！！、た
けメツシュ電極６をトリミングしてこれらの電極を走査
領域内にのみ設けたりする方法が採られている。しかし
、トリミングによるものでは、電極およびその組立に極
めて高い精度が必要となり量産に適さなくなる。また、
電子銃電極を径小化すると電子銃の機械的強度が低下す
るのみならず、とくに制御電極が高温となり熱膨張によ
る変形を生じやすくなる。１だ陰（至を小形化すると、
十分な大きさのビーム電流を得ることができなくなる。

加速電極電位が高い場合にも擬似信号を発生することが
ある。これは戻りビームが加速電極側へ引き寄せられて
加速電極の側壁付近からターゲット電極へ向う反則ビー
ムが生じるからである。この場合、偏向電極電位を］−
げるか加速電極電位を下げ肛ばよいのであるが、前者で
は集束と偏向とに要する電力が増し、後者ではビーム電
流が小さくなる。

発明の目的 本発明の目的とするととろけ、電子銃電極の径小化や厳
格なトリミングを要することなく反則ビームによる擬似
信号の発生を防Ｉにでき、しかも加速電極電位を偏向電
極電位よりも高く設定しつる撮像管を提供することにあ
る。

発明の構成 ５べ一゛ 本発明の撮像管においては、加速電極電位よりも低い電
位に保持されて加速電極の筒状部を包囲しかつ偏向電極
の一部分に向き合う筒状シールド電極ラミ子銃に付加す
るのであり、これを以下図面に示した実施例とともに詳
しく説明する。

実施例の説明 本発明を実施した撮像管の要部を示す第２図において、
ガラスパルプ１１内に封入されている電子銃は陰極１、
制御電極２および加速電極３からなる従来の電極構成に
加えて筒状シールド電極１２を有している。ガラスパル
プ１１の内周面には膜状のデフレフトロン型偏向電極５
が付設されており、加速電極３の前方には図示を省略し
たが従来と同様のメツシュ電極およびターゲット電極が
配置されている。

筒状シールド電極１２は加速電極３と同様に非磁性ステ
ンレス鋼またはニッケル・銅合金等がらなり、第３図に
示すようにフランジ部１２ａｉ有している。そして、フ
ランジ部１２２Ｌにおいて電極支持構体９に絶縁支持さ
れており、加速電極３の筒状部３ａの大部分を同軸的に
包囲し、偏向型（屓５の一部分に向き合っている。また
、シールド電極１２の端子は加速電極３の端子と無関係
に管外に引き出されているか、制御電極２脣たけ陰極１
に管内で接続されている。

かかる撮像管の作動にさいしては、たとえば加速電極３
に約２００Ｖ、偏向電極５に約１５０Ｖ（平均値）、シ
ールド電極１２に約１０Ｖの電位が！ｊ−えられるので
あり、加速電極電位は偏向電極の平均電位よりも高い。

一方、シールド電極１２と偏向電極６との相互対向部に
は、内側に比して外側で高い電位分布の電界が生じるの
で、加速電極３の周縁部付近に向って進行してきた戻り
ビーム１３２Ｌは外方へ曲げられてし捷い、その反則ビ
ームがグーゲット電極［１１＋へ向うことがなくなる。

また、加速電極３の筒状部３ａに創案した戻りビーム１
３ｂによる反射ビーム１４ｂ［ターゲット電極側へ向う
ものの、それは光導電膜の中央矩形状走査領域に射入す
るので、実用」−の支障はほとんどない。

７・　　′ したがって筒状シールド電極１２の筒状部外径は、それ
よりも内側の部分で反射した電子ビームがターゲラ１−
電極の走査領域内に戻りつる大きさに選ば扛なければな
らない。シールド電極電位は加速電極電位よりも低く、
○〜約１２０Ｖ好ましくは約３０Ｖ以下の範囲から選択
できるが、負電位であってもよい。シールド電極１２は
第４図に示すような漏斗状−！たは第５図に示すような
ホーン状であってもよく、また、フランジ部を有しない
円筒状等であってもよい。

さらに、メツシュ電極をトリミングしてもよい。

ただし、前述のように外方へ大きく偏倚した反則ビーム
や電極支持溝体からの反射ビームがターゲラ１−電極へ
再入射するのを妨げ得る枠状の縁どりであればよく、従
来のように走査領域に正確に対応した大きさの部面を残
してその周囲を縁どり１〜マスクする必要はない。つま
り、走査領域に対応した大きさの面積よりもいくぶん大
きい部面を残してその周囲をマスクす扛ばよいのである
から、これによりメツシュ電極や電極の組立にとくに高
い精度が要求されるということはなく、実用的な通常の
精度で十分である。

発明の効果 本発明の撮像管は前述のように（黄成されるので、電子
銃電極を径小化することなく反則ビームによる擬似信号
の発生を防１にすることができる。才だ、加速電極電位
を比較的高い値に設定して十分大きいビーム電流を通じ
ることができる。さらに、メツシュ電極等にトリミング
を要せず、１−リミングを行なう場合でも電極およびそ
の組立に特別高い精度が要求されず、容易に実施できる
という利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の撮像管の電極（精成と電子ビーム経路と
の関係を示す断面図、第２図は本発明を実施した撮像管
の要部の断面図、第３図は同撮像管の筒状シールド電極
の一部破断斜視図、第４図および第６図はそれぞれ本発
明の他の実施例の筒状シールド電極の一部破断斜視図で
ある。 ３・・・・・・加速′電極、５・・・・・偏向電極、１
１・・・・・・ガラスパルプ、１２・・・・・・シール
ド電極代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか′
１名第１図 ０ 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 内周面にデフレフトロン型偏向電極ヲ付設してなるガラ
   ヌバルプ内に封入された電子銃の加速電極が、電子ビー
   ム径制限用孔を通じた電子ビームを通過させる筒状部を
   有してなる電磁集束静電偏向型撮像管において、前記加
   速電極の電位よりも低い電位に保持され、前記筒状部を
   包囲して前記偏向電極の一部分に向き合う筒状シールド
   電ＦＭを前記電子銃に付加してなることを特徴とする撮
   像管。