JPS59201435A - エツチングパタ−ン検査方法 - Google Patents
エツチングパタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS59201435A JPS59201435A JP58075014A JP7501483A JPS59201435A JP S59201435 A JPS59201435 A JP S59201435A JP 58075014 A JP58075014 A JP 58075014A JP 7501483 A JP7501483 A JP 7501483A JP S59201435 A JPS59201435 A JP S59201435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pattern
- etching
- etching pattern
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置製造過程のフォトエツチング工
程において、例えば所定のエツチングパターンが形成さ
れたフォトマスクに対応してフォトエツチングされた半
導体ウェハのエツチングパターンを自動検査するだめの
エツチングパターン検査方法に関する。
程において、例えば所定のエツチングパターンが形成さ
れたフォトマスクに対応してフォトエツチングされた半
導体ウェハのエツチングパターンを自動検査するだめの
エツチングパターン検査方法に関する。
例えば、半導体装置製造過程のフォトエツチング工程に
おいて、ノソターン形成された半導体ウェハを検査する
には、ウエノＸ自動検査装置が使用される。この検査装
置は半導体ウエノ）の複数のチップそれぞれに、レーザ
光等の光エネルギーを照射し、その反射光の強弱を検出
して上記半導体チップの表面に存在するごみ、傷１の検
査を行なうもので、この検査装置はまた、フォトマスク
表面のごみ、傷等の検査を行なう場合にも同様にして使
用されるものである。
おいて、ノソターン形成された半導体ウェハを検査する
には、ウエノＸ自動検査装置が使用される。この検査装
置は半導体ウエノ）の複数のチップそれぞれに、レーザ
光等の光エネルギーを照射し、その反射光の強弱を検出
して上記半導体チップの表面に存在するごみ、傷１の検
査を行なうもので、この検査装置はまた、フォトマスク
表面のごみ、傷等の検査を行なう場合にも同様にして使
用されるものである。
ここで、この検査装置は、主として半導体ウェハ表面ま
たはフォトマスク表面のごみ、傷等を検査するものであ
り、ウェハまたはフォトマスク自体に形成されたエツチ
ング・々ターンを検査することはできない。すなわち、
フォトマスクまたは半導体ウニへの複数のチップそれぞ
れ〔背景技術の問題点〕 しかし、このように人間の目により半導体ウェハまたは
フォトマスクに形成されたエツチングパターンを検査し
たのでは、例えばフォトエツチング後の半導体ウェハを
検査する場合、次のような４つの項目について検査しな
ければならない。
たはフォトマスク表面のごみ、傷等を検査するものであ
り、ウェハまたはフォトマスク自体に形成されたエツチ
ング・々ターンを検査することはできない。すなわち、
フォトマスクまたは半導体ウニへの複数のチップそれぞ
れ〔背景技術の問題点〕 しかし、このように人間の目により半導体ウェハまたは
フォトマスクに形成されたエツチングパターンを検査し
たのでは、例えばフォトエツチング後の半導体ウェハを
検査する場合、次のような４つの項目について検査しな
ければならない。
（１）レジスト膜の剥れ具合。
（２）ウェハ表面の異物、傷等の存在の有無。
（３）エツチングノぐターンの解像度。
（４）ウニ八整理番号。
すなわち、このような多数の項目について、フォトエツ
チングされたクエへを一枚一枚検査したのでは、非常に
多くの検査時間を費やしてしまうと共に、特に上記項目
（３）の解像度検量においては、検査難度が高く目の疲
労が著しいため、しばしばパターン不良の生じたウェハ
を見逃してしまう等の不都合が発生するものである。
チングされたクエへを一枚一枚検査したのでは、非常に
多くの検査時間を費やしてしまうと共に、特に上記項目
（３）の解像度検量においては、検査難度が高く目の疲
労が著しいため、しばしばパターン不良の生じたウェハ
を見逃してしまう等の不都合が発生するものである。
〔発明の目的〕
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
例えば半導体ウェハの複数のチップそれぞれに形成され
たエツチングパターンの解像度を検査する際に、多くの
検査時間を費やすことなく、確実且つ簡単に検査するこ
とが可能となるエツチングパターン検査方法を提供する
ことを目的とする。
例えば半導体ウェハの複数のチップそれぞれに形成され
たエツチングパターンの解像度を検査する際に、多くの
検査時間を費やすことなく、確実且つ簡単に検査するこ
とが可能となるエツチングパターン検査方法を提供する
ことを目的とする。
すなわちこの発明に係るエツチングパターン検査方法は
、被検査チップにレーザ光等の光エネルギを照射し、そ
の反射信号により得られる上記被検査チップのエツチン
グ・ぐターンに対応した波形信号を、所定のエツチング
パターンに対応した波形信号と比較して、それぞれのパ
ターンの相違を認識するようにするものである。
、被検査チップにレーザ光等の光エネルギを照射し、そ
の反射信号により得られる上記被検査チップのエツチン
グ・ぐターンに対応した波形信号を、所定のエツチング
パターンに対応した波形信号と比較して、それぞれのパ
ターンの相違を認識するようにするものである。
以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
第１図はこの検査方法により、例えば半導体チップに形
成されたてツチングパターンを検査する場合の検量過程
を示すもので、はじめに同図（Ａ）に示すように所定の
エツチングパターン１１が形成された例えばフォトマス
ク内のマスクチップ１２に、破線矢印で示すようなレー
ザ光１３等の光エネルギーを照射し、斜線矢印ａで示す
ように平行走査する。次に、第１図ＣＢ）に示すように
上記マスクチップ１２の所定のパ９− ン１１に対応し
てフォトエツチングされパターン形成された半導体ウェ
ハ内の被検査テップ１４を、上記と同様にレーザ光１３
で平行走査する。
成されたてツチングパターンを検査する場合の検量過程
を示すもので、はじめに同図（Ａ）に示すように所定の
エツチングパターン１１が形成された例えばフォトマス
ク内のマスクチップ１２に、破線矢印で示すようなレー
ザ光１３等の光エネルギーを照射し、斜線矢印ａで示す
ように平行走査する。次に、第１図ＣＢ）に示すように
上記マスクチップ１２の所定のパ９− ン１１に対応し
てフォトエツチングされパターン形成された半導体ウェ
ハ内の被検査テップ１４を、上記と同様にレーザ光１３
で平行走査する。
そして、このようにレーザ光１３で平行走査したことに
より得られる上記マスクチップ１２および被検査ブーツ
ブ１４からの反射信号を、それぞれ第２図（Ａ）および
（Ｂ）に示すような、パルス波形信号に変換する。この
場合、その波形信号は、それぞれ上記２つのチップ１２
および１４に形成されたエツチングパターン１１および
１１ａに正確に対応したパルス波形となるもので、この
第２図におけるそれぞれの波形信号の形状を比較してそ
の相違を認識し、マスクテップ１２のエツチングパター
ン１１と被検査チップ１４に形成されたエツテングノや
ターンｌｌａとの違いを判断する。
より得られる上記マスクチップ１２および被検査ブーツ
ブ１４からの反射信号を、それぞれ第２図（Ａ）および
（Ｂ）に示すような、パルス波形信号に変換する。この
場合、その波形信号は、それぞれ上記２つのチップ１２
および１４に形成されたエツチングパターン１１および
１１ａに正確に対応したパルス波形となるもので、この
第２図におけるそれぞれの波形信号の形状を比較してそ
の相違を認識し、マスクテップ１２のエツチングパター
ン１１と被検査チップ１４に形成されたエツテングノや
ターンｌｌａとの違いを判断する。
すなわち、第２図ＣＡ１で示したマスクチップ１２の所
定のエツチングパターン１１に対応する波形信号に対し
て、同図ＦＢ）で示した被検査チップ１４のエツチング
パターンｌｌａに対応する波形信号が、それぞれ同一波
形であれば、その被検査チップ１４のパターンｌｌａは
正確にフォトエツチングされ形成されていると判断する
ことができ、また、同一波形でなければ被検査テップ１
４のパターンｌｌＨには異常が生じてしすると判断する
ことができる。したがってこの実施例においては、被検
査チップ１４にフォトエツチング形成された／セターン
ｌｌａを不良ノぞターンと判断することができるように
なる。
定のエツチングパターン１１に対応する波形信号に対し
て、同図ＦＢ）で示した被検査チップ１４のエツチング
パターンｌｌａに対応する波形信号が、それぞれ同一波
形であれば、その被検査チップ１４のパターンｌｌａは
正確にフォトエツチングされ形成されていると判断する
ことができ、また、同一波形でなければ被検査テップ１
４のパターンｌｌＨには異常が生じてしすると判断する
ことができる。したがってこの実施例においては、被検
査チップ１４にフォトエツチング形成された／セターン
ｌｌａを不良ノぞターンと判断することができるように
なる。
尚、上記実施例では所定のエツチングパターン１１が形
成されたモデルチップとしてマスクチップ１２を用いる
ようにしたが、このモデルテップには、良品・母ターン
と判断された半導体テップを用いるようにしてもよい。
成されたモデルチップとしてマスクチップ１２を用いる
ようにしたが、このモデルテップには、良品・母ターン
と判断された半導体テップを用いるようにしてもよい。
以上のようにこの発明によれば、例えば１０００枚もの
半導体ウェハの複数のチップそれぞれに形成されたエツ
チングパターンの解像度を、８時間という所定時間内で
検査するような場合でも、目視検査により多くの時間を
費やす必要なく、確芙且つ簡単に検査することが可能と
なり、検査ミスの発生を防止できるようになる。
半導体ウェハの複数のチップそれぞれに形成されたエツ
チングパターンの解像度を、８時間という所定時間内で
検査するような場合でも、目視検査により多くの時間を
費やす必要なく、確芙且つ簡単に検査することが可能と
なり、検査ミスの発生を防止できるようになる。
第１図はこの発明の一実施例に係るエツチング−やター
ンの検査過程を説明するもので（ＡＪはマスクチップ、
ｆＢ）は被検査チップを拡大して示す図、第２図（Ａ）
および（Ｂ）はそれぞれ上記マスクチップおよび被検量
チップに対応する波形信号を示す図である。 １１、ｌｌａ・・・エツチングパターン、１２・・・マ
スクチップ、１３山レーザ光、１４・・・被検査チップ
。
ンの検査過程を説明するもので（ＡＪはマスクチップ、
ｆＢ）は被検査チップを拡大して示す図、第２図（Ａ）
および（Ｂ）はそれぞれ上記マスクチップおよび被検量
チップに対応する波形信号を示す図である。 １１、ｌｌａ・・・エツチングパターン、１２・・・マ
スクチップ、１３山レーザ光、１４・・・被検査チップ
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置製造過程のフォトエツチング工程のマスクチ
ップまたは半導体チップに形成されたエッチ・フグ／４
’ターンの検査において、被検ＩＥチップに光エネルギ
ーを照射する手段と、この照射手段により反射される上
記被検査チップのエツチングパターンに対応した反射信
号を波形信号に変換する手段と、この手段により変換さ
れた上記被検査チップの波形悄七ンｂ〔定のエツチング
パターンに対応した波形信号と比較し認識する手段とを
具備したことを特徴とするエツチングパターン検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075014A JPS59201435A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エツチングパタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075014A JPS59201435A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エツチングパタ−ン検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201435A true JPS59201435A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13563897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075014A Pending JPS59201435A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エツチングパタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
| JPS642332A (en) * | 1987-05-15 | 1989-01-06 | Therma Wave Inc | Method and device for testing desired area of workpiece by designating the area |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075014A patent/JPS59201435A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
| JPS642332A (en) * | 1987-05-15 | 1989-01-06 | Therma Wave Inc | Method and device for testing desired area of workpiece by designating the area |
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