JPS59201465A - 撮像素子 - Google Patents
撮像素子Info
- Publication number
- JPS59201465A JPS59201465A JP58075837A JP7583783A JPS59201465A JP S59201465 A JPS59201465 A JP S59201465A JP 58075837 A JP58075837 A JP 58075837A JP 7583783 A JP7583783 A JP 7583783A JP S59201465 A JPS59201465 A JP S59201465A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- blooming
- split
- light
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
\
(技術分野)
本発明は、撮像素子特に改良され友過東電荷除却構造を
有する撮像素子に関するものである。
有する撮像素子に関するものである。
(従来技術)
00D等の電荷転送型の固体撮像素子に於ては、一部の
画素に強い光が照射さt]ると、そこで発生した電荷の
過剰分が周囲の画素Kまであふれ出し゛、画面上の広い
領域にわたり画像を破壊してしまう所謂ブルーミングと
呼ばわる現象がある。従来、このようなプIレーミング
抑制のために、例えばフレーム転送型00Dにおいては
、あふれ出した1電荷を吸収するためにアンチブルーミ
ングゲート及びアンチブルーミングl−’ V ’lノ
から成るアンチブルーミング部を設ける方法が用いられ
ていた、 第1図は、水平方向の各画素の境界にアンチブルーミン
グ部を設けた従来のCODの撮像部の構造の一例及びそ
のポテンシャルウェルの状態の例を示したものである。
画素に強い光が照射さt]ると、そこで発生した電荷の
過剰分が周囲の画素Kまであふれ出し゛、画面上の広い
領域にわたり画像を破壊してしまう所謂ブルーミングと
呼ばわる現象がある。従来、このようなプIレーミング
抑制のために、例えばフレーム転送型00Dにおいては
、あふれ出した1電荷を吸収するためにアンチブルーミ
ングゲート及びアンチブルーミングl−’ V ’lノ
から成るアンチブルーミング部を設ける方法が用いられ
ていた、 第1図は、水平方向の各画素の境界にアンチブルーミン
グ部を設けた従来のCODの撮像部の構造の一例及びそ
のポテンシャルウェルの状態の例を示したものである。
図中、画素1a、1b、IC,1aの間には、アンチブ
ルーミングバリア2a、2b、2.c及びアンチブルー
ミングドレイン3a、3b150から成るアンチプル
一ミング部が設けられている。第1図(1))に於て斜
線の部分は各画素の蓄積電荷をあられしでいる。強い光
が画素1a〜1d に入射し、電荷が大tK発生した場
合には、その際の過剰分の電荷はアンチプルーミングバ
リア2a〜2Cを越えてアンチプルーミングドレイン3
a〜3cに流入し、この結果プルーミングによる画像の
乱れは最小になる。
ルーミングバリア2a、2b、2.c及びアンチブルー
ミングドレイン3a、3b150から成るアンチプル
一ミング部が設けられている。第1図(1))に於て斜
線の部分は各画素の蓄積電荷をあられしでいる。強い光
が画素1a〜1d に入射し、電荷が大tK発生した場
合には、その際の過剰分の電荷はアンチプルーミングバ
リア2a〜2Cを越えてアンチプルーミングドレイン3
a〜3cに流入し、この結果プルーミングによる画像の
乱れは最小になる。
しかし、第1図示の従来例では5画面の大きさを同一と
して水平画素数を増した場合に、アンチプルーミング部
(2,5)の占める面積がこれに伴って増加することか
ら画素数が制限されてしまうという欠点を有している。
して水平画素数を増した場合に、アンチプルーミング部
(2,5)の占める面積がこれに伴って増加することか
ら画素数が制限されてしまうという欠点を有している。
また、アンチプルーミング部に入射した光#−i:有効
な出力とならガいため、光の利用効率が低下し、感度が
低下してしまうという欠点も有していた、以上のような
欠点を改善した従来例を第2図及第3図に示す。
な出力とならガいため、光の利用効率が低下し、感度が
低下してしまうという欠点も有していた、以上のような
欠点を改善した従来例を第2図及第3図に示す。
第2図は、例えば特開昭54−24550号公報に記載
されている方法であるが、画素1a〜1eの境界にチャ
ンネルストッパ4a、40と、アンチプルーミング部2
b−3b 、 2d、−1とが交互に設けられている。
されている方法であるが、画素1a〜1eの境界にチャ
ンネルストッパ4a、40と、アンチプルーミング部2
b−3b 、 2d、−1とが交互に設けられている。
しかし木従来f11では、第1図の従来例で存在してい
た欠点は若干軽減さl]ている反面、新たな欠点も生じ
るものである。
た欠点は若干軽減さl]ている反面、新たな欠点も生じ
るものである。
その1つは、画素のサンプリング位置が不等間隔となる
ため、得られる輝度信号にモアレ現象(画像の高域成分
の低域への折返し現象)が生じることである。即ちフレ
ーム転送型CODと組合せて良好なカラー画像検出が行
えるとされているR(赤)−G(緑)−B(青)あるい
はR(赤)−(11)−0y(シアン)のストライプフ
ィルターを用いたときに、水平方向の周期構造が6画素
になシ、非常に低い周波数成分の画像歪が生じてしまう
ことである。との6画素の周期構造は非常に低い周波数
であるため、あ貫り細かい構造を持たない被写体に対し
てもモアレを生じ、その結果、得られる画像の画質が低
下してしまう。
ため、得られる輝度信号にモアレ現象(画像の高域成分
の低域への折返し現象)が生じることである。即ちフレ
ーム転送型CODと組合せて良好なカラー画像検出が行
えるとされているR(赤)−G(緑)−B(青)あるい
はR(赤)−(11)−0y(シアン)のストライプフ
ィルターを用いたときに、水平方向の周期構造が6画素
になシ、非常に低い周波数成分の画像歪が生じてしまう
ことである。との6画素の周期構造は非常に低い周波数
であるため、あ貫り細かい構造を持たない被写体に対し
てもモアレを生じ、その結果、得られる画像の画質が低
下してしまう。
第3図に示したCCDは、特開昭55−F16789号
公報に示された従来例である。図中、2け前述同様アン
チプルーミングバリア% 5はアンチプルーミングドレ
イン、4′はバリアで、一対のアンチブルーミング部(
2,3)の間で、一対のバリア4′に分割された6つの
画素IR,IB及び1Gが形成され、斯かる構造が水平
方向に周期的に繰り返される。画素(IR,IB及びI
G)は何れもサイズ(水平方向の幅W)に於て等しく、
画素1RにはR(赤)、画素1BてはB(青)、画素1
GにはG(緑)のフィルターが夫々配される。
公報に示された従来例である。図中、2け前述同様アン
チプルーミングバリア% 5はアンチプルーミングドレ
イン、4′はバリアで、一対のアンチブルーミング部(
2,3)の間で、一対のバリア4′に分割された6つの
画素IR,IB及び1Gが形成され、斯かる構造が水平
方向に周期的に繰り返される。画素(IR,IB及びI
G)は何れもサイズ(水平方向の幅W)に於て等しく、
画素1RにはR(赤)、画素1BてはB(青)、画素1
GにはG(緑)のフィルターが夫々配される。
本従来例では、例えば、E−G−Bの三色のストライプ
フィルターを用いた場合には良好なカラー画像を得るこ
とが可能となる。しかし、本従来例にも、以下に示すよ
うな欠点が存在している。即ち、輝北(Y)信号の面域
成分を前記固体撮像素・子からの出力を合成して祷る際
、複雑外信号処理回路を必要とすることである。前記公
報中に示されているように、輝度信号の高域成分を合成
するためには、 (1)各色フィルターに対応した出力を分離してサンプ
リングする手段。
フィルターを用いた場合には良好なカラー画像を得るこ
とが可能となる。しかし、本従来例にも、以下に示すよ
うな欠点が存在している。即ち、輝北(Y)信号の面域
成分を前記固体撮像素・子からの出力を合成して祷る際
、複雑外信号処理回路を必要とすることである。前記公
報中に示されているように、輝度信号の高域成分を合成
するためには、 (1)各色フィルターに対応した出力を分離してサンプ
リングする手段。
(2) 分離された出力を必要な信号レベルまで増幅
する手段。
する手段。
(3)夫々の色信号を必要な位相ずれfr4えて再度サ
ンプリングする手段。
ンプリングする手段。
を必要とし、その結果、信号処理回路が複雑になる。ま
た、この構造では画素のサンプリング位置が不等間隔に
なり、最も大きい間隔により解像力が決まってしまうた
め、解像力の低下を来すことになる、これに対し、第1
図に示した固体撮像素子のようにサンプリング間隔が等
間隔の場合にはR−G−Hのストライプフィルターを組
合せ、白色(無彩色)物体に対して各画素からの出力信
号が等しく読み出されるよう設定されている場合に袖、
テレビジョン学会誌第33巻7号516〜522ページ
にも記載されているように、単K、固体撮像素子から得
られる信号を、高域通過フィルターに入力するだけで輝
度信号の高域成分を得ることが可能となることが知られ
ている。
た、この構造では画素のサンプリング位置が不等間隔に
なり、最も大きい間隔により解像力が決まってしまうた
め、解像力の低下を来すことになる、これに対し、第1
図に示した固体撮像素子のようにサンプリング間隔が等
間隔の場合にはR−G−Hのストライプフィルターを組
合せ、白色(無彩色)物体に対して各画素からの出力信
号が等しく読み出されるよう設定されている場合に袖、
テレビジョン学会誌第33巻7号516〜522ページ
にも記載されているように、単K、固体撮像素子から得
られる信号を、高域通過フィルターに入力するだけで輝
度信号の高域成分を得ることが可能となることが知られ
ている。
(目的)
本発明は以上に述べ友様な事情に鑑みて為されたもので
、簡単な構成で、高解像度、且つ、高品位な画工象を得
ることのできる改良された撮像素子を提供することをそ
の主たる目的とするものである。
、簡単な構成で、高解像度、且つ、高品位な画工象を得
ることのできる改良された撮像素子を提供することをそ
の主たる目的とするものである。
更に又、本発明の他の目的は色再現性のダイナミックレ
ンジの広い撮像素子を提供する事にある。
ンジの広い撮像素子を提供する事にある。
(実施例)
以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第4図(a)〜(C)は本発明の撮像素子の構成例を示
す図で、ここではフレームトランスファー型00Dの例
につき説明する。
す図で、ここではフレームトランスファー型00Dの例
につき説明する。
第4図(a)に示されるm造はフレーム、トランスファ
ー型CODの受光部の構造で、図中1a、1b、1c。
ー型CODの受光部の構造で、図中1a、1b、1c。
1c’、1d、1e、1f、1f’、1g ・、、は夫
々受光領域であり、この内1a、1b、IJ1e、1g
は夫々光電変換要素としての画素を形成している。又、
1c、1c’並びに1f、1f’も夫々一対で画素を形
成している。aSはチャネルストップであシ受元領域間
の電荷の移動を禁止してい石。第4図(b)は第4図(
a)の断面のポテンシャルプロフィールである。B、は
電位障壁(バリア)であり、受光領域をオーバーフロー
した電荷はこのバリアを介して隣接する受光領域に移動
可能である。又DFiアンチブルーミン! )” vイ
ンであり、上記アンチブルーミングドレインと、このド
レインを囲むように設けられたバリアB2とにより過剰
電荷除去手段としてのアンチブルーミング部が形成され
ている。
々受光領域であり、この内1a、1b、IJ1e、1g
は夫々光電変換要素としての画素を形成している。又、
1c、1c’並びに1f、1f’も夫々一対で画素を形
成している。aSはチャネルストップであシ受元領域間
の電荷の移動を禁止してい石。第4図(b)は第4図(
a)の断面のポテンシャルプロフィールである。B、は
電位障壁(バリア)であり、受光領域をオーバーフロー
した電荷はこのバリアを介して隣接する受光領域に移動
可能である。又DFiアンチブルーミン! )” vイ
ンであり、上記アンチブルーミングドレインと、このド
レインを囲むように設けられたバリアB2とにより過剰
電荷除去手段としてのアンチブルーミング部が形成され
ている。
父、OFはとの撮像素子の受光部前面に貼合わせ又は撮
像素子の製造工稈で形成されるカラーフィルターの例を
示す図で図で¥−j JG、Bのカラース)ライブフィ
ルター5を受光部のチャネルストップaSとバリアB1
のピッチに合わせて配置する。
像素子の製造工稈で形成されるカラーフィルターの例を
示す図で図で¥−j JG、Bのカラース)ライブフィ
ルター5を受光部のチャネルストップaSとバリアB1
のピッチに合わせて配置する。
尚、本実施例では3画素毎にアンチプルーミング部を設
けているが、これはストライプフィルターを用いた場合
に開口率を向上させる為であり、モザイクフィルターを
用いる場合には2画素毎にアンチブルーミング部を設け
る事が望ましい。
けているが、これはストライプフィルターを用いた場合
に開口率を向上させる為であり、モザイクフィルターを
用いる場合には2画素毎にアンチブルーミング部を設け
る事が望ましい。
本実施例に示される如く1本発明では受光領域1a、1
c、’から成る画素は過剰電荷除去手段としてのアンチ
プルーミング部により分割されている。
c、’から成る画素は過剰電荷除去手段としてのアンチ
プルーミング部により分割されている。
従って各画素の境界であるチャネルストップaS及びバ
リアB、のピッチを等間隔にすふ事が容易と力る。これ
により第4図fb>に示す如く各画素の感度重心を夫々
画素の中心にもって来る車力;でき、プンプリングを行
なってもモアレ等が生じる牢がない。
リアB、のピッチを等間隔にすふ事が容易と力る。これ
により第4図fb>に示す如く各画素の感度重心を夫々
画素の中心にもって来る車力;でき、プンプリングを行
なってもモアレ等が生じる牢がない。
又、アンチブルーミング部の受光部全体に占める割合を
減らす事ができるので開口率をアップする事ができ、又
水平解像度を向上させる事ができる。
減らす事ができるので開口率をアップする事ができ、又
水平解像度を向上させる事ができる。
又、第4図tc)に示す如く、赤い分光成分の強い光が
入射した場合にはカラーフィルターRIC対応する画素
の電荷が飽和し、更にオーバーフローするとこの電荷は
Gに対応する画素の領域1c、1fに侵入する。更にR
に対応する電荷がオーバーフローすると領域1c、1f
の電荷もオーバーフローしてドレインDに流れ込み電荷
は除去される。
入射した場合にはカラーフィルターRIC対応する画素
の電荷が飽和し、更にオーバーフローするとこの電荷は
Gに対応する画素の領域1c、1fに侵入する。更にR
に対応する電荷がオーバーフローすると領域1c、1f
の電荷もオーバーフローしてドレインDに流れ込み電荷
は除去される。
この場合、只の分光成分はこれ以上いくら強(でもすべ
て除去手段により排出されてしオうのでブルーミングは
防止される。
て除去手段により排出されてしオうのでブルーミングは
防止される。
ヌ、Pのみが強く、G、Bの分光成分がそれ程ない場合
にはGK対応する画素のlA域I C’、 1 f’及
びBに対応する画素1a、1a、1gの信号成分は飽和
しないのでG、Bの色信号を有効な信号として得る事が
でき結果的FCRO色信号のみが強いという情報が残る
。
にはGK対応する画素のlA域I C’、 1 f’及
びBに対応する画素1a、1a、1gの信号成分は飽和
しないのでG、Bの色信号を有効な信号として得る事が
でき結果的FCRO色信号のみが強いという情報が残る
。
即ち全体の輝度レベルがそれ桿高(ガい場合には色彩程
度の高い被写体の情報を成る程度忠実に再現し得る効果
を有する、尚、このような効果はアンチブルーミング部
を設けた各画素に対し同じ色分光特性のフィルターを配
置した場合K特に大きい。
度の高い被写体の情報を成る程度忠実に再現し得る効果
を有する、尚、このような効果はアンチブルーミング部
を設けた各画素に対し同じ色分光特性のフィルターを配
置した場合K特に大きい。
次に第5図はこのような撮像素子の′rFL極配置を示
す平面図である。
す平面図である。
図では1相駆動方式によるKL極配置例を示しているが
、これに限定されるものでけ方い。
、これに限定されるものでけ方い。
図中φxBフレー牟トシトランスファー型Dの受光部の
転送電極であり共通に接続されている。
転送電極であり共通に接続されている。
又、φ8はフレーム・トランスファー型CCDの蓄積部
の転送m極であってやはり共通に接続されている。
の転送m極であってやはり共通に接続されている。
又、VKは仮想電極部であってイオン注入等により予め
所定のレベルのポテンシャルが固定的に形成されている
。
所定のレベルのポテンシャルが固定的に形成されている
。
又、各転送電極及び各仮想電極部の下には図中下方向に
傾斜した階段状のポテンシャルが形成されてお秒、転送
電極下の階段上ポテンシャルは電極に印加する電圧レベ
ルに応じて上下する為転送電極下のポテンシャルを上げ
た場合には転送電極下の電荷は図中下方に隣接する仮想
電極下のポテンシャルウェルに移動し1、又、転送電極
下のポテンシャルを下げると仮想電極下にあった電荷は
図中下方に隣接する転送電極下のポテンシャルウェルに
移動する。
傾斜した階段状のポテンシャルが形成されてお秒、転送
電極下の階段上ポテンシャルは電極に印加する電圧レベ
ルに応じて上下する為転送電極下のポテンシャルを上げ
た場合には転送電極下の電荷は図中下方に隣接する仮想
電極下のポテンシャルウェルに移動し1、又、転送電極
下のポテンシャルを下げると仮想電極下にあった電荷は
図中下方に隣接する転送電極下のポテンシャルウェルに
移動する。
従って転゛送電葎に対し所定レベルの交番パルスを印加
する事によゆ最初に受光部の転送電極下又は仮想電極下
にあった電wLは順次図中下方向に移動していく。尚、
このよりな−相駆動方式のCODについては例えばIT
EtP 4.229.752等に詳しく述べられている
。
する事によゆ最初に受光部の転送電極下又は仮想電極下
にあった電wLは順次図中下方向に移動していく。尚、
このよりな−相駆動方式のCODについては例えばIT
EtP 4.229.752等に詳しく述べられている
。
本実施例のアンチプルーミング部岐受光部内の所定の画
素内に列方向に延長[7て設けられてお炒、その終端は
受光部と蓄積部の境界近傍圧達している。
素内に列方向に延長[7て設けられてお炒、その終端は
受光部と蓄積部の境界近傍圧達している。
従って例えば仮想電極領域A7.A、下の電極は転送電
極φ工、φ8に同じ交番電圧を印加すると受光部の最下
行の仮想電極下のVl域A、 + A4に夫々移動し、
その後1例えば基板がP型半導体の場合には転送電極φ
8に比較的高いレベルの信号を印加する事により領域へ
3 + A4の雷、荷は転送電極φ6下の領域S1に於
て加算される。尚、この場合蓄積部の第1行目の転送電
極下で加算が行なわれ、この第1行目の転送電極が本発
明に係る加W手段として機能しているがこれはアンチブ
ルーミング部の終端をどこオで延長するかによって変わ
るものである事は言うまでもない。
極φ工、φ8に同じ交番電圧を印加すると受光部の最下
行の仮想電極下のVl域A、 + A4に夫々移動し、
その後1例えば基板がP型半導体の場合には転送電極φ
8に比較的高いレベルの信号を印加する事により領域へ
3 + A4の雷、荷は転送電極φ6下の領域S1に於
て加算される。尚、この場合蓄積部の第1行目の転送電
極下で加算が行なわれ、この第1行目の転送電極が本発
明に係る加W手段として機能しているがこれはアンチブ
ルーミング部の終端をどこオで延長するかによって変わ
るものである事は言うまでもない。
従って加算手段は受光部内の下方の行の転送電極又は仮
想電極であっても良い。
想電極であっても良い。
即ち本発明の加算手段はフレームトランスファー型CO
Dに於ては受光部と蓄積部の境界近傍の電極であれば良
い。
Dに於ては受光部と蓄積部の境界近傍の電極であれば良
い。
(効果)
以上説明した如く、本発明によれば各画素のサンプリン
グピッチを等間隔にする事ができ、解像度が向上する。
グピッチを等間隔にする事ができ、解像度が向上する。
又除去手段により分割された画素の一方の受光領域に他
の画素の電荷がオーバーフローしてきても他方の受光領
域の電荷情報が失なわれる事が少ないので色再現性に優
れている。
の画素の電荷がオーバーフローしてきても他方の受光領
域の電荷情報が失なわれる事が少ないので色再現性に優
れている。
第1図fa) (b)は従来の撮像素子の第1の例を示
す図で、(a)は平面模式図、(1))はポテンシャル
図、第2図(a)(t→け従来の撮像素子の第2の例を
示す図で、(a)は平面図、(b)はポテンシャル図、
第3図(al (t))け従来の撮像素子の第3の例を
示す図で、(a)は平面図、(b)はポテンシャル図、
第4図(!L) (b)(c)は本発明に係る撮像素子
の実施例を示す図で、(a) H平面図、(b)はポテ
ンシャル図、(c)は色再現性につき説明する図、@5
図は第4図示素子の電極構成例を示す図である。 1 a、1b(1c、1cす、1d11e、(1f、1
f’l、1g−、画素B、、D・、・アンチブルーミン
グ部を構成するアンチブルーミ ングバリア及びアンチブ ルーミングドレイン O8・・・チャネルストップ B、、、、バリア である。
す図で、(a)は平面模式図、(1))はポテンシャル
図、第2図(a)(t→け従来の撮像素子の第2の例を
示す図で、(a)は平面図、(b)はポテンシャル図、
第3図(al (t))け従来の撮像素子の第3の例を
示す図で、(a)は平面図、(b)はポテンシャル図、
第4図(!L) (b)(c)は本発明に係る撮像素子
の実施例を示す図で、(a) H平面図、(b)はポテ
ンシャル図、(c)は色再現性につき説明する図、@5
図は第4図示素子の電極構成例を示す図である。 1 a、1b(1c、1cす、1d11e、(1f、1
f’l、1g−、画素B、、D・、・アンチブルーミン
グ部を構成するアンチブルーミ ングバリア及びアンチブ ルーミングドレイン O8・・・チャネルストップ B、、、、バリア である。
Claims (2)
- (1) 夫々受光領域を有してマトリクス状に配置さ
れた複数の光′IIi変換要素と、所定の光%f換要素
の受光領域内に設けられ該受光領域を分割するよう配置
された過剰電荷を除去する為の除去手段と、該除去手段
により分割された前記受光領域内の各領域に於て夫々形
成された電気情報を加算する加算手段とを有する撮像素
子。 - (2) 前記除去手段が設けられた光電変換要素に同
一の分光特性の光を入射するカラーフィルターを有する
事を特徴とする特許請求の範囲@(1)項記載のhシ像
累子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075837A JPS59201465A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075837A JPS59201465A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201465A true JPS59201465A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13587704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075837A Pending JPS59201465A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180021A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 放射熱遮断形温度検出器 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075837A patent/JPS59201465A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180021A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 放射熱遮断形温度検出器 |
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