JPH0560304B2 - - Google Patents

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JPH0560304B2
JPH0560304B2 JP58113079A JP11307983A JPH0560304B2 JP H0560304 B2 JPH0560304 B2 JP H0560304B2 JP 58113079 A JP58113079 A JP 58113079A JP 11307983 A JP11307983 A JP 11307983A JP H0560304 B2 JPH0560304 B2 JP H0560304B2
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JP
Japan
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signal
vertical transfer
electrode
potential
vertical
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JP58113079A
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JPS604381A (ja
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Oomichi Tanaka
Yasumi Myagawa
Takafumi Manabe
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS604381A publication Critical patent/JPS604381A/ja
Publication of JPH0560304B2 publication Critical patent/JPH0560304B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、インターライン電荷結合素子型固体
撮像素子(以後IL−CCDと略す)を用いた固体
撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、新しい撮像デバイスとして固体撮像素子
の研究開発が活発に行われ、急速に実用化の域に
達しつつある。
固体撮像素子を用いたテレビカメラは従来の撮
像管方式のテレビカメラに比べて、長寿命、堅牢
性に富む、焼き付きがない、取扱いが容易である
等多くの特徴を有する。
固体撮像素子にはアレイ状に配置された光電変
換素子からの信号電荷を転送により得るCCD型、
垂直及び水平方向に配置されたシフトレジスタか
ら出力される走査パルスにより光電変換素子の位
置をアドレスして信号を読み出すMOS型等多く
の方式がある。その中でテレビカメラとしての固
体撮像素子は感度、疑似信中等の諸性能を考慮す
ると、インターラインCCD型固体撮像素子(IL
−CCD)が最も有利であると考えられる。
以下、IL−CCDの構成、動作を第1図〜第4
図を用いて説明する。
第1図において1は光電変換素子としてのフオ
トダイオード、2は垂直転送レジスタであり、こ
の垂直転送レジスタは、垂直転送ゲート3,4,
5,6により構成されている。7は信号読み出し
ゲートであり等価的に垂直転送ゲート3および5
と共通となつている。8は垂直転送パルスの供給
端子である。9は水平転送レジスタであり、この
水平転送レジスタは水平転送ゲート10,11に
より構成されている。12は水平転送パルスの供
給端子である。13は電荷検出部であり、転送さ
れてきた信号電荷を信号電圧に変換する。電荷検
出部13は通常フローテイングデイフイージヨン
アンプ(Floating Diffusion Amplifier)で構成
されている。14は信号出力端子である。以上の
如き構成のIL−CCDの動作を次に説明する。
フオトダイオード1は被写体よりの入射光を光
電変換し、信号電荷を得る。光電変換により得ら
れた信号電荷は、信号読み出しゲート7を介して
垂直転送レジスタ2を構成する垂直転送ゲートへ
読み込まれた後、垂直転送パルス供給端子8より
供給された垂直転送パルスにより、垂直方向すな
わち水平転送レジスタ9の方向へ順次転送され、
1水平ライン毎に水平転送レジスタ9に読み込ま
れる。水平転送レジスタへ読み込まれた信号電荷
は、水平転送パルス供給端子12から供給される
水平転送パルスにより、電荷検出部13へ順次転
送され、電荷検出部13により電圧に変換され、
信号出力端子14から点順次信号として得られ
る。前記の如き方法により得られた点順次信号を
電気回路により信号処理する事によりテレビジヨ
ン信号を得る。
第2図に前記のIL−CCDの受光部の平面図を
示す。第2図において、第1図と同一機能を有す
る部分には同一の番号を付している。第2図にお
いて、1はフオトダイオード、2は垂直転送レジ
スタ、3〜6は垂直転送ゲートであり、前記垂直
転送レジスタは4相CCD構成としている。3は
φV3、4はφV4、5はφV1、6はφV2である。7は信
号読み出しゲートであり、前記信号読み出しゲー
ト7はフオトダイオード1に対応して垂直転送ゲ
ート6,4すなわちφV2、φV4と一部共通して設け
られている。15は水平方向に画素を分離するた
めのチヤンネルストツパーである(実際は読み出
しゲート部以外のフオトダイオードの周辺にも設
置されている。)。
次に、垂直転送レジスタ、フオトダイオード、
信号読み出しゲート等の関係を第3図a,bを用
いて説明する。
第3図は第2図に示したA−A′部の断面図で
ある。
第3図aにおいて、第1図、第2図と同一の機
能を有する部分には同一の番号を付している。
第3図aにおいて、固体撮像素子はn型基板1
6上にp層17をエピタキシヤル成長させた上
に、n+層1を設けてPN接合によるフオトダイオ
ードを構成している。6は垂直転送ゲートであ
り、前記垂直転送ゲートはn-層18、p+層7の
上方に配置されている。7は信号読み出しゲート
であり、18のn-層と17のp層との接合部で
埋込みチヤンネル型CCD即ち垂直転送レジスタ
2が構成されている。19はフオトダイオード部
1以外の部分に被写体よりの入射光が照射されて
スメア等疑似信号が発生するのを防ぐための遮光
用アルミ配線である。ここで、基板16とエピタ
キシヤル層17の間には電源20により逆バイア
ス電圧が印加されている。また1,7,8,13
の各拡散層と転送電極6の間は酸化シリコン
(SiO2)21で絶縁されており、また素子の表面
はリンガラス(PSG)22で覆つて保護してい
る。第3図bは第3図aの各部のポテンシヤルの
概要を示す図である。第3図bにおいて実線のポ
テンシヤル図は垂直転送時のポテンシヤル図であ
る。チヤンネルストツパー領域15のポテンシヤ
ルは常に一定である。フオトダイオード部1のポ
テンシヤルはダーク状態のポテンシヤルVAから
入射光を受けて、信号電荷が満杯になつた時のポ
テンシヤルVBまでの間の値をとる。垂直転送段
18のポテンシヤルは、垂直転送ゲート6に垂直
転送パルスが印加されない時のポテンシヤルVC
と垂直転送パルスが印加された時のポテンシヤル
VDの間の値をとる。また信号読み出しゲート7
のポテンシヤルは、垂直転送パルスが垂直転送ゲ
ート6に印加されない時のポテンシヤルVEと印
加された時のポテンシヤルVFの間の値をとる。
垂直転送段18における信号電荷はポテンシヤル
VCとVDの間を転送される。
次にフオトダイオード1の信号電荷を垂直転送
段18に読み込む際のポテンシヤルを説明する。
信号電荷を垂直転送段18に読み込むには、垂
直帰線期間中に信号読み出しパルスを垂直転送ゲ
ート6に印加する。垂直転送パルスよりも十分大
きい信号読み出しパルスを垂直転送ゲート6に印
加すれば、信号読み出しゲート7及び垂直転送段
18のポテンシヤルは第3図bの破線で示した電
位となる。すなわち、信号読み出しゲートのポテ
ンシヤルはVG、垂直転送段18のポテンシヤル
はVHとなり、フオトダイオード1に蓄積された
信号電荷は信号読み出しパルスが印加されている
期間中のみ垂直転送段18へ読み出される。前記
の如き構成のIL−CCDに第4図に示す垂直転送
パルスφV1〜φVSを第1図に示す垂直転送パルス供
給端子8より供給すれば、第1フイールドにおい
ては、信号読み出しゲートとφV2が共通となつた
水平ラインのフオトダイオードの信号電荷を読み
出す、第2フイールドにおいては、信号読み出し
ゲートとφV4が共通となつた水平ラインのフオト
ダイオードの信号を読み出す。したがつて、信号
出力端子14から得られた信号電圧を電気回路で
信号処理を行えば2:インターレース走査の行わ
れたテレビジヨン信号を得る事ができる。ここで
第4図に示した垂直転送パルスのうち、φV2に示
したA、φV4に示したBの各パルスは信号読み出
しパルスである。
ところが、以上説明した垂直転送パルスの関係
を持たせて2:1インターレース走査を行つた場
合に2つの問題点が生じる。
第1の問題点は残像の発生である。前記残像の
発生原因は、第4図から明らかなようにフオトダ
イオードへの信号電荷の蓄積時間は、2フイール
ド期間であるが、信号電荷の読み出しは1水平ラ
インおきに1フイールド毎に行われるためであ
る。したがつて、撮像中にテレビカメラをパンし
た場合などには1フイールド後の信号電荷が読み
出される残像が発生し、画像のエツジ部が2重に
見える。
第2の問題点は、インターレースフリツカーの
発生である。ビジコン等一般的な撮像管において
は、その走査ビームのビームは、ほぼ円形であり
しかも、走査ビーム径が本来の走査線幅 (撮像管の有効画面の長さ/1フレームの走査線数)に
比べて大きい (広がつている)ため、第5図に示すように走査
ビーム30が両フイールド分にまたがつて走査す
る。なお、実際の走査ビームはもつと大きく電子
密度はビーム中心に対してガラス分布している。
したがつて走査線相互の境界はボケている。すな
わち、垂直方向のMTFは、垂直線数以下となつ
ている。
しかしながら、固体撮像素子の場合には第2図
に示したようにフオトダイオード1が完全に分散
して配置されているため撮像管のように走査線相
互の境界がボケる事はない。すなわち垂直方向の
MTFは垂直走査線数近くでも、ほとんど低下し
ない。したがつて垂直方向に輝度信号が大きく変
化した垂直相関の無い被写体像を撮像しモニター
TVで見ると前記、垂直相関の無い被写体部分で
はフイールド毎に信号が大きく変化するために、
垂直エツジ部では、見かけ上フリツカーとなつて
現われ、落ち着きのない画質となる。
したがつて、前記の欠点を解決する方法として
フオトダイオードへの信号電荷の蓄積期間を1フ
イールド期間とし、信号読み出しをフイールド毎
とする事により残像の発生を無くし、また垂直方
向に隣接する2つの水平ラインのフオトダイオー
ドの信号電荷を混合して読み出し、フイールド毎
に1ラインずらす事によりフオトダイオードの見
かけ上の開口率を大きくし、すなわち撮像管の走
査線と電子ビームの関係の如きにしてインターレ
スフリツカーも発生しないIL−CCDの駆動方法
が提案されている。
次に前記のIL−CCD駆動方法による固体撮像
装置の従来例を第6図、第7図を用いて説明す
る。
第6図は従来例におけるIL−CCDの垂直転送
パルスである。φV1,φV3は第4図に示したフレー
ム読み出しの垂直転送パルスと同一であるが、
φV2,φV4は第1、第2のフイールド共に信号読み
出しパルスを設けている。第6図に示す垂直転送
パルスを第1図に示すIL−CCDの垂直転送パル
ス供給端子8のφV1〜φV4供給端子に印加した時の
垂直転送段を構成する垂直転送ゲートφV123〜
φV426におけるポテンシヤルの概要を第7図に
示す。
第7図は第2図に示したB−B′断面のポテン
シヤルを示し、各ポテンシヤル図は第6図に示し
たt1〜t20の各時間におけるものである。ここで、
フオトダイオードから垂直転送段への信号読み込
みのメカニズムは第3図を用いて説明したので省
略する。またポテンシヤルの説明に不必要な遮光
用アルミ配線や表面保護膜(PSG)等は省略し
ている。
第7図において8は垂直転送パルス供給端子、
18は垂直転送段を構成するn-拡散層、23は
φV1電極24はφV2電極、25はφV3電極、26は
φV4電極、21は拡散層とφV1〜φV4電極を分離す
る絶縁層(SiO2)である。
次に垂直転送パルスφV1〜φV4を垂直駆動パルス
供給端子8に印加したときの動作を第7図にもと
づいて説明する。
まず、第6図における第1フイールドの垂直帰
線期間中のt1におけるポテンシヤルは第7図aの
t1に示す形となるがこの時には信号電荷は存在し
ない。第7図においてポテンシヤルを示す図の中
でバリアとして示したものは、固体撮像素子の製
造過程において、垂直転送電極等を形成する時に
マスク合せのズレやn-層の拡散過程等において
発生するものであり、本従来例ではφV1電極とφV2
電極の接合部で、バリアが発生したものとしてい
る。このポテンシヤルバリアはφV電極に電圧が
印加されポテンシヤルが高くなつている部分では
フリンジ効果等で無視できるため第7図における
ポテンシヤル図では、φV1,φV2電極の双方又は一
方に電圧が印加された場合では図示していない。
尚前記バリアは固体撮像素子の製造が完全に理想
的に行われれば発生しないが、現在の半導体IC
プロセス技術ではマスク合せ精度等に限界があり
殆んど発生する。次に時間t2におけるポテンシヤ
ルは第7図aのt2に示す形となる。すなわち信号
読み出しパルスを電極φV2に印加する事により第
2図に示したPD1,PD3の信号電荷Q1,Q3(こ
の場合の信号電荷は電子である)をφV2電極下の
パケツトに読み込む。(ここでフオトダイオード
からφV電極下のパケツトに読み込むメカニズム
は第3図で説明したので省略する)。次に時間t3
におけるポテンシヤルは第7図aのt3に示す形と
なる。この時φV2電極下の電荷はφV2,φV3電極下
に拡散され更にφV2電極下のポテンシヤルがt2
状態からt3の状態へ大きく変化するためt3に示し
た矢印イの方向のベクトルが電荷に与えられ、そ
の結果信号電荷Q1の一部はφV4電極下に押し込ま
れる。次に時間t4になるとφV3,φV4電極に電圧が
印加されるため、ポテンシヤルは第7図aのt4
示す形となる。すなわちt3のポテンシヤル状態か
ら電荷転送方向に1電極分だけ転送した状態とな
るため、信号電荷Q1はφV3,φV4電極下のパケツ
トに集まる。時間t5におけるポテンシヤルは第7
図aのt5に示す形となり、第2図に示したPD2,
PD4の信号電荷Q2,Q4がφV4電極下に読み込ま
れる。この時信号電荷Q1,Q2は混在するが説明
の便宜上図のように分離している。次に時間t6
おけるポテンシヤルは第7図aのt6に示す形とな
るがφV4電極下のポテンシヤルがt5の状態からt6
の状態へ大きく変化するためt6に示した矢印ロの
方向のベクトルが電荷に与えられ、その結果信号
電荷Q1,Q3の一部はφV2電極下に押し込まれる。
この時φV1,φV2電極接合面においてはバリアが存
在するため信号電荷はφV1電極下まで移動する事
はない。次に時間t7になるとφV2,φV3電極に電圧
が印加されるため、時間t6の状態から第7図bに
示すように電荷転送方向と逆の方向に1電極分だ
け転送した状態となり、信号電荷Q1,Q2はφV2
φV3電極下に集まる。この状態から時間t8〜t10
示すように電荷転送方向に向つて電極1個分づつ
転送する。
次に第2フイールドにおける動作を説明する。
第2フイールドにおける垂直帰線期間中のt11
t12におけるポテンシヤルは第7図cのt11、t12
なるその動作は第1フイールド同一であるので説
明は省略する。時間t13においてはφV4電極下のポ
テンシヤルはt12の状態からt13の状態へ大きく変
化するためt13に示した矢印イの方向のベクトル
が電荷に与えられるが、φV1,φV2接合部における
バリアが存在するため信号電荷がφV2電極下へ移
動する事は無い。時間t14では時間t13から進行方
向へ電極1個分の転送が行われる。次に時間t15
においてφV2電極下のパケツトへ信号電荷Q1,Q3
を読み込む。次に時間t16におけるポテンシヤル
は第7図cのt16に示す形となるが、φV2電極下の
ポテンシヤルがt15の状態からt18の状態へ大きく
変化するため矢印ロの方向のベクトルが信号電荷
に与えられ、その結果信号電荷の一部はφV4電極
下に押し込まれる。次に時間t17においては、φV2
電極下のポテンシヤルが下がり、φV4電極下のポ
テンシヤルが上るためハに示すベクトルが信号電
荷に与えられるため、t16においてφV4電極下にあ
つた信号電荷はt17では第7図dに示すようにφV3
電極下に移動する。次に時間t18になるとφV1
φV2電極に電圧が印加されt18に示すポテンシヤル
となるが、この時にはt17においてφV4,φV1電極
下に存在した信号電荷はt18ではφV1,φV2電極下
に転送されるがt17においてφV3電極下にあつた信
号電荷はt18においても移動せずにそのまま存在
する。次に時間t19になるとφV2,φV3電極に電圧
が印加されるため時間t18でφV3電極下に存在する
電荷とφV2電極下に存在する電荷が混合される。
以下時間t20から順次信号電荷転送方向に転送さ
れ信号電荷として読み出される。
ところが、第7図のt10、t20から明らかなよう
に信号電荷の混合は第1、第2フイールドとも殆
んど同一の信号成分となつている。
したがつて本従来例においては、フオトダイオ
ードへの信号電荷の蓄積時間は1フイールド期間
であり、信号電荷の読み出しは1フイールド毎で
あるため残像の発生は無い、がしかし、前述の如
く第1、第2フイールド共にほぼ同一のフオトダ
イオード信号を混合して読み出すために等価的に
垂直方向の画素数が1/2となつてしまう。更に第
1、第2フイールド共に殆んど同一の信号成分で
あるため、垂直方向に輝度信号が変化した被写体
を撮像しモニターTVで見ると、前記輝度信号が
垂直方向に変化した垂直エツジ部において、ジツ
ターとなつて現れ落ち着きのない画質となる。
それ故、前述のIL−CCDの駆動は初期の目的
を達していない。
発明の目的 本発明は上記従来の問題点を解決し、残像が無
く、インターレースフリツカーも無く、しかも垂
直方向の解像度の劣化も殆んど無い固体撮像装置
を提供するものである。
発明の構成 上記目的を達成するため本発明は、アレイ状に
配置した光電変換素子群と、4相CCDから成る
垂直転送レジスタと、2相CCDから成る水平転
送レジスタを備え、光電変換素子に対応して配置
された信号読み出しゲートと、前記垂直転送レジ
スタを構成する転送ゲートのうち所定の転送ゲー
トとを各々等価的に共通接続し、前記光電変換素
子から垂直転送レジスタへ信号電荷を読み込む際
に、各フイールド毎に垂直転送転送パルスをリセ
ツトして、信号読み出しパルスを印加して信号電
荷を読み出した時も常に電荷を転送方向に移動さ
せ、かつ、垂直方向に隣接する光電変換素子の信
号電荷を混合した後電荷転送により信号を時系列
に得、残像、インターレースフリツカーが無く、
垂直解像度も良好な固体撮像装置を得るものであ
る。
実施例の説明 以下、本発明による固体撮像装置の一実施例を
第8図、第9図を用いて説明する。
第8図は前記IL−CCDの本発明による垂直転
送パルスである。第1フイールドにおけるφV1
φV2,φV3,φV4の各パルスは第2フイールドにお
けるφV3,φV4,φV1,φV2と各々等しい。また第各
フイールド共、φV2,φV4に信号読み出しパルスを
設けている。第8図に示す垂直転送パルスを第1
図に示すIL−CCDの垂直転送パルス供給端子8
のφV1〜φV4端子に供給した時の垂直転送段を構成
する垂直転送ゲートφV123〜φV426におけるポ
テンシヤルの概要を第9図に示す。第9図におい
て各電極のポテンシヤルのバリヤーの存在等は従
来例第7図で説明したものと同一であるので説明
は省略する。
第8図に示した時間toでのポテンシヤル概要を
第9図toに対応させて示している。
まず時間t1では第9図aのようにφV2,φV3電極
下にパケツトが発生するが信号電荷は存在しな
い。時間t2ではフオトダイオードPD1,PD3の
信号電荷がφV2電極下に読み込まれる。時間t3
はφV3電極下の信号電荷Q1,Q3は電極φV2,φV3
極下に拡散され更にφV2電極下のポテンシヤルが
t2の状態からt3の状態へ大きく変化するためにt3
に示した矢印イの方向のベクトルが電荷に与えら
れるため、Q1,Q3の一部はφV4電極下に押し込ま
れる。時間t4ではパケツトがφV2〜φV4電極下まで
広がるために信号電荷Q1,Q3は全て再びパケツ
トの中に蓄積される。時間t5〜t7において電荷転
送方向に信号電荷を転送している。時間t5から時
間t7に変化した時点で転送電極1個分の転送を行
なつている。時間t8においてPD2,PD4,PD
4(図示せず)の信号電荷Q0,Q2,Q4がφV4電極
下に読み込まれる。次に時間t9においてはφV1
φV4電極下に信号電荷Q1とQ2,Q3とQ4が混合し
て存在する。ここでφV4電極下のポテンシヤルが
t8からt9へ大きく変化するためt9に示すロの方向
のベクトルが与えられるがφV1,φV4の間にバリア
が存在するため信号電荷はφV2電極下へ押し込ま
れる事はない。時間t10〜t13においては転送方向
へ転送電極2個分の電荷転送を行なう。以後転送
パルスにより、順次垂直方向、水平方向へ転送し
信号出力として得る。
次に第2フイールドにおける動作を説明する。
時間t14、t15におけるポテンシヤルは時間t1、t2
おける動作と同一である。時間t16ではφV4電極下
のポテンシヤルがt15の状態からt16の状態に大き
く変化するためt16に示した矢印イの方向のベク
トルが電荷に与えられるが、φV1,φV2接合部にお
けるバリアが存在するため信号電荷Q0,Q2がφV2
電極下へ移動することはない。次に時間t16〜t20
において信号電荷Q0,Q2,Q4を転送ゲート2個
分だけ転送方向へ電荷転送する。次にt21におい
て、フオトダイオードPD1,PD3の信号電荷
Q1,Q3をφV2電極下に読み込む、t22においては
φV2電極下のポテンシヤルが大きく変化するため
t22に示した矢印ロの方向のベクトルが信号電荷
に与えられ、その結果信号電荷の一部はφV4電極
下に押し込まれる。
次にt23においてはφV4電極に電圧が印加される
ため、信号電荷Q0Q1,Q2Q3は再びφV2〜φV4電極
下のパケツトに蓄積される。以下t24〜t25に転送
された後、転送パルスにより順次垂直方向、水平
方向へ転送し信号出力として得る。
ここで第9図のt13、t26から明らかなように、
第1フイールドにおいてはPD1とPD2,PD3
とPD4の信号電荷Q1とQ2,Q3とQ4を混合した信
号を読み出し、第2フイールドにおいては、
PDO(図示せず)とPDI,PD2とPD3の信号電
荷Q0とQ1,Q2とQ3の信号のみを混合して読み出
す。すなわち、垂直転送レジスタが4相CCDで
構成される時は、特に構造上、転送方向が決まつ
ていないため、駆動電圧のかけかたにより発生す
る電荷の移動ベクトルを、所定の電荷のみが混合
される様にせねばならない。
固体撮像装置においては前記混合して読み出し
た信号を電気回路により信号処理してテレビジヨ
ン信号を得ている。
以上説明したように本発明による垂直転送パル
スを用いれば、垂直方向に隣接する2水平ライン
の信号電荷を完全に混合した後読み出す事ができ
る。
以上の具体例では垂直レジスタに4相CCDを
使用したが、3相であつても同様である。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、フオトダイ
オードへの信号電荷の蓄積時間は1フイールド期
間であり、信号読み出しもフイールド毎であるた
め、従来例で述べた残像は全く発生しない。
また、垂直方向に隣接する2つの水平ラインの
フオトダイオードの信号電荷を混合して読み出す
ため、見かけ上のフオトダイオードの開口率が広
くなり、すなわち、撮像管の走査線と電子ビーム
の関係の如くなり、インターレースフリツカーの
発生も皆無となる。
更に、フオトダイオードの信号電荷を混合する
際、第1フイールドと第2フイールドとで、イン
ターレースするように信号電荷を混合するため、
等価的に撮像程度の垂直解像度が得られるため垂
直解像度は全く問題とならない。
【図面の簡単な説明】
第1図はIL−CCD等価回路、第2図はIL−
CCDの平面図、第3図aはIL−CCDの断面図、
bは第3図aの各部のポテンシヤルの概要を示す
図、第4図は従来のIL−CCDの垂直駆動パルス
を示す図、第5図は撮像管における走査線と電子
ビームの関係を示す図、第6図は従来例の垂直転
送パルスを示す図、第7図a,b,c,dは従来
例の垂直転送段のポテンシヤルを示す図、第8図
は本発明の固体撮像装置の一実施例における垂直
転送パルスを示す図、第9図a,b,c,dは本
発明の固体撮像装置の一実施例における垂直転送
段のポテンシヤルを示す図である。 1……フオトダイオード(光電変換素子)、2
……垂直転送レジスタ、3,4,5,6……垂直
転送ゲート、7……信号読み出しゲート、8……
垂直転送パルス入力端子、9……水平転送レジス
タ、10,11……水平転送ゲート、12……水
平転送パルス入力端子、13……電荷検出部、2
3……φV1電極、24……φV2電極、25……φV3
電極、26……φV4電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 アレイ状に配置した光電変換素子群と、4相
    CCDから成る垂直転送レジスタと、2相CCDか
    ら成る垂直転送レジスタを備え、前記光電変換素
    子に対応して配置された信号読み出しゲートと、
    前記垂直転送レジスタを構成する転送ゲートのう
    ち所定の転送ゲートとを各々等価的に共通接続
    し、前記光電変換素子から垂直転送レジスタへ信
    号電荷を読み込む際に、各フイールド毎にリセツ
    トされた垂直転送パルスを前記4相の垂直転送レ
    ジスタの配列順に印加し、かつ、信号電荷の読み
    出しパルスも、前記垂直転送パルスの1サイクル
    内の異なる期間に順次印加して垂直方向に隣接す
    る光電変換素子の信号を加算して、その後電荷転
    送により信号を時系列に取り出すことを特徴とす
    る固体撮像装置。
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