JPS59201507A - エミツタホロワ型sepp回路 - Google Patents
エミツタホロワ型sepp回路Info
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- JPS59201507A JPS59201507A JP58075943A JP7594383A JPS59201507A JP S59201507 A JPS59201507 A JP S59201507A JP 58075943 A JP58075943 A JP 58075943A JP 7594383 A JP7594383 A JP 7594383A JP S59201507 A JPS59201507 A JP S59201507A
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- 102100023843 Selenoprotein P Human genes 0.000 abstract 1
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3217—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in single ended push-pull amplifiers
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3069—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output
- H03F3/3076—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with symmetrical driving of the end stage
- H03F3/3077—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with symmetrical driving of the end stage using Darlington transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、無遮断B級のエミッタホロワ型シングル・エ
ンプツト・ブツシュ・プル(SEPP)回路に関するも
のである。
ンプツト・ブツシュ・プル(SEPP)回路に関するも
のである。
エミッタホロワ型の5EPP回路は一般に、効率の点か
らB級動作させられ、また上下の伝達特性をスムースに
継ぐためにアイドル電源を流すことが不可欠である。と
ころで、一般的なこのような回路では、一方のトランジ
スタがオンすると他方のトランジスタがカットオフとな
ってしま騒スイッチング歪が発生するが、この欠点を解
消するため最近では、サーボ回路によって常にカットオ
フさせず、常に一定のアイドル電流を流す無遮断B級回
路とするのが一般的である。このようにするとスイッチ
ング歪は確になくなるが、トランジスタ固有の電流伝達
特性の非直線性に起因する電流歪や指数的伝達特性に起
因する電圧歪については伺らの対策も施されていなかっ
た。
らB級動作させられ、また上下の伝達特性をスムースに
継ぐためにアイドル電源を流すことが不可欠である。と
ころで、一般的なこのような回路では、一方のトランジ
スタがオンすると他方のトランジスタがカットオフとな
ってしま騒スイッチング歪が発生するが、この欠点を解
消するため最近では、サーボ回路によって常にカットオ
フさせず、常に一定のアイドル電流を流す無遮断B級回
路とするのが一般的である。このようにするとスイッチ
ング歪は確になくなるが、トランジスタ固有の電流伝達
特性の非直線性に起因する電流歪や指数的伝達特性に起
因する電圧歪については伺らの対策も施されていなかっ
た。
更にアイドル電流はバイポーラトランジスタの場合温度
補償をしな−と熱暴走してしまう不都合がある。そして
従来は、アイドル電源に対して電気的なサーボをかける
ことが行われてしないため、当然のことながら信号の有
無や周囲温度によってアイドル電流値が変化してしまb
、信号の有無に関係なく長時間的、短時間的の5ずれに
おいても動作点が変化することになシ好ましくない。
補償をしな−と熱暴走してしまう不都合がある。そして
従来は、アイドル電源に対して電気的なサーボをかける
ことが行われてしないため、当然のことながら信号の有
無や周囲温度によってアイドル電流値が変化してしまb
、信号の有無に関係なく長時間的、短時間的の5ずれに
おいても動作点が変化することになシ好ましくない。
更にまた上述の温度補償が極めてシビアなものであるた
め、設計的に極めて難しい。特に従来の無遮断B級回路
では、正帰還をオU用しているため、アイドル電流の不
安定さが助長され、温度補償を回路的に100X行い切
れないことと相俟って設計の困難さを増大していた。
め、設計的に極めて難しい。特に従来の無遮断B級回路
では、正帰還をオU用しているため、アイドル電流の不
安定さが助長され、温度補償を回路的に100X行い切
れないことと相俟って設計の困難さを増大していた。
第1図は従来の無遮断BM8EPP回路の基本構成を示
し、図中符号A 1 mA 2は利得がl以下の誤差増
幅器% Bl s Btは電圧加算器でよい常圧発生回
路、Cは入力信号源、VBはトランジスタQs −Q2
のバイアス電源である。
し、図中符号A 1 mA 2は利得がl以下の誤差増
幅器% Bl s Btは電圧加算器でよい常圧発生回
路、Cは入力信号源、VBはトランジスタQs −Q2
のバイアス電源である。
第1図にお−で、入力INに信号がない無信号時のIE
4 # IE 2がマイドル電流■d である。
4 # IE 2がマイドル電流■d である。
■引s1.131!は電源vBから供給されている。今
、トランジスタのベース・エミッタ電圧をVB、、。
、トランジスタのベース・エミッタ電圧をVB、、。
エミッタ抵抗をRE とすると、
となる。入力信号電流i1 が流れるとiElが増大
し、トランジスタQ1の電流増幅率k hfe1とする
と、 IJCI ” hf el @’ i となる。この相□は抵抗RE の両端に電圧を発生し、
増幅器A80入力電圧Vi1は Vi X= (VBK −VB ) +ix s RE
==(VB、K VB)+hfe4i4R3となる。
し、トランジスタQ1の電流増幅率k hfe1とする
と、 IJCI ” hf el @’ i となる。この相□は抵抗RE の両端に電圧を発生し、
増幅器A80入力電圧Vi1は Vi X= (VBK −VB ) +ix s RE
==(VB、K VB)+hfe4i4R3となる。
この電圧/li増@器A□がないときにはトランジスタ
Q2のベースケ逆バイアスしてカットオフさせるが、増
幅器A1の利得を1とすると電圧Vilがそのままトラ
ンジスタQ、のベースに正帰還されそのt位をもち上げ
るため、トランジスタQtk逆バイアスさせず常シニ一
定のアイドリング電流Idを流すことができる。
Q2のベースケ逆バイアスしてカットオフさせるが、増
幅器A1の利得を1とすると電圧Vilがそのままトラ
ンジスタQ、のベースに正帰還されそのt位をもち上げ
るため、トランジスタQtk逆バイアスさせず常シニ一
定のアイドリング電流Idを流すことができる。
入力信号電流i1 が反転してトランジスタQ2をオン
する方向でも全く同様の動作が行われ、トランジスタQ
m?i=カットオフさせZ、ことがなく、無遮断の5級
5EPP回路となる。
する方向でも全く同様の動作が行われ、トランジスタQ
m?i=カットオフさせZ、ことがなく、無遮断の5級
5EPP回路となる。
第2図は第1図の回路における入力信号電流ii に
対する電流伝達特性を示す。一般にトランジスタはその
エミッタ電流が犬きくなるとhfe(を流増幅率)が急
に低下し、図示のように合成特性も可成シ非厘線的なも
のとなって大きな電流歪を発生する。また上述のように
増幅器A1、A、の利得を1とすると、正帰還率が10
0%となって抵抗Rgの挿入によるアイドル電流Iti
の安定作用が完全に失われ、上記式<1)中のREが零
になったのに等しくなシ、従って、アイト°ル電流Id
が定まらなくなって発振を起す。実際には増幅器A、
、 A2の利得を1以下とするが、それでも温度に対し
て極めて不安定なものとなる。
対する電流伝達特性を示す。一般にトランジスタはその
エミッタ電流が犬きくなるとhfe(を流増幅率)が急
に低下し、図示のように合成特性も可成シ非厘線的なも
のとなって大きな電流歪を発生する。また上述のように
増幅器A1、A、の利得を1とすると、正帰還率が10
0%となって抵抗Rgの挿入によるアイドル電流Iti
の安定作用が完全に失われ、上記式<1)中のREが零
になったのに等しくなシ、従って、アイト°ル電流Id
が定まらなくなって発振を起す。実際には増幅器A、
、 A2の利得を1以下とするが、それでも温度に対し
て極めて不安定なものとなる。
無遮断B級回路とせず、単に電流伝達特性に起因する歪
を消すため、第1図中のA□ 、A2を無くし入力信号
源Cを定電圧源にした場合に相補する定電圧ドライブと
したときには、伝達特性は第3図のようになるが、この
場合でもトランジスタの指数的伝達特性に起因する歪は
残存する。
を消すため、第1図中のA□ 、A2を無くし入力信号
源Cを定電圧源にした場合に相補する定電圧ドライブと
したときには、伝達特性は第3図のようになるが、この
場合でもトランジスタの指数的伝達特性に起因する歪は
残存する。
定電圧ドライブ法を適用した従来の3級5EPP回路で
は、(1)指数関数的な伝達特性に起因する歪や出力ト
ランジスタのオン番オフ動作によるスイッチング歪が発
生する。たとえ無遮断3級5EPP回路としても従来は
、(2)電流伝達特性による歪が発生する。またドライ
ブ法のbかんに拘らず、(3)アイドル電流の温度補償
が必要であり、たとえ行っても完全な補償は不可能であ
る。そして(4)@源をオンしてから了イドル電流が一
定になるまで数十分以上の長い時間を要し、また(5)
了イドル電流が信号の有無によって変動し、大信妥が入
った後のアイドル電流の大きさが設定値から大きくズし
てしまい、(6)上記(3)乃至(5)から動作点が不
安定で周囲zW8度、信号の有無などによって変化して
しまうなどの欠点があった。
は、(1)指数関数的な伝達特性に起因する歪や出力ト
ランジスタのオン番オフ動作によるスイッチング歪が発
生する。たとえ無遮断3級5EPP回路としても従来は
、(2)電流伝達特性による歪が発生する。またドライ
ブ法のbかんに拘らず、(3)アイドル電流の温度補償
が必要であり、たとえ行っても完全な補償は不可能であ
る。そして(4)@源をオンしてから了イドル電流が一
定になるまで数十分以上の長い時間を要し、また(5)
了イドル電流が信号の有無によって変動し、大信妥が入
った後のアイドル電流の大きさが設定値から大きくズし
てしまい、(6)上記(3)乃至(5)から動作点が不
安定で周囲zW8度、信号の有無などによって変化して
しまうなどの欠点があった。
本発明は土述した従来の欠Aを解消し、歪が極めて小さ
く、アイドル電流に対する温度補償が全く必要ない無遮
断B級のエミツタホロワ型5EPP回路を提供すること
を目的とするものである。
く、アイドル電流に対する温度補償が全く必要ない無遮
断B級のエミツタホロワ型5EPP回路を提供すること
を目的とするものである。
以下本発明を第4図以降を参照して説明するが、第1図
と回等の部分には同一の符丑を付しである。
と回等の部分には同一の符丑を付しである。
第4図tよ本発明による5EPP回銘の基本構成を示し
、誤差増幅器として3娼子入力a ”−ca”””=
c+ kそtぞれ有する増幅器A’ 1. t A’
t ’IC備える。出力トランジスタQ1及びQ2のエ
ミッタは抵抗R,f・それぞれ介して接続され、その接
続点が抵抗R,を介して出力端OUTに接続されてしる
。トランジスタQ、 及びQtのエミッタはアイドル電
流検出端子として誤差増幅器AI□、A12の入力端子
a 、 a + にそれぞれ接続されてbる。そして
入力端子C,e’には、バイアス源V13を介して入力
端INが接続されている。上記抵抗RsにはRsよシ十
分大きい抵抗R8及びR2の直列回路からなる信会出力
電流の検出のための抵抗分割回路が並列に接続されてい
て、抵抗R1及びR2の接続点が増幅器AI□、A’2
の残シの入力端子b 、 b’にバイアス源vBを介し
て接続されている。また増幅器A11、A1□の出力は
トランジスタQx−Q2の駆動電流源となる電流発生器
C□I02に加えられ、ここでトランジスタQx−Qz
の駆動電流を発生する。
、誤差増幅器として3娼子入力a ”−ca”””=
c+ kそtぞれ有する増幅器A’ 1. t A’
t ’IC備える。出力トランジスタQ1及びQ2のエ
ミッタは抵抗R,f・それぞれ介して接続され、その接
続点が抵抗R,を介して出力端OUTに接続されてしる
。トランジスタQ、 及びQtのエミッタはアイドル電
流検出端子として誤差増幅器AI□、A12の入力端子
a 、 a + にそれぞれ接続されてbる。そして
入力端子C,e’には、バイアス源V13を介して入力
端INが接続されている。上記抵抗RsにはRsよシ十
分大きい抵抗R8及びR2の直列回路からなる信会出力
電流の検出のための抵抗分割回路が並列に接続されてい
て、抵抗R1及びR2の接続点が増幅器AI□、A’2
の残シの入力端子b 、 b’にバイアス源vBを介し
て接続されている。また増幅器A11、A1□の出力は
トランジスタQx−Q2の駆動電流源となる電流発生器
C□I02に加えられ、ここでトランジスタQx−Qz
の駆動電流を発生する。
なお、増幅器A’ 1は、その入力端子a、eに対して
負の信号が加えられた場合入力端子すが開放となシ、入
力端子す、aに対して負の入力信号が加えられた場合入
力端子Cが開放とな久−1増幅器A12は入力端子al
、 c′に対して正の入力信号が加えられた場合端子
b′が開放、入力端子b+、 alに対して正の入力信
号が加えられた場合端子clが開放となるようになって
いる。
負の信号が加えられた場合入力端子すが開放となシ、入
力端子す、aに対して負の入力信号が加えられた場合入
力端子Cが開放とな久−1増幅器A12は入力端子al
、 c′に対して正の入力信号が加えられた場合端子
b′が開放、入力端子b+、 alに対して正の入力信
号が加えられた場合端子clが開放となるようになって
いる。
以上の構成により、増幅器A1□、A12の端子c 、
c’を信号入力端子、端子a 、 a’を帰還入力端子
とする帰還ループが形成されることになるので、無信号
時のアイドル電流Id は次式で決定される。
c’を信号入力端子、端子a 、 a’を帰還入力端子
とする帰還ループが形成されることになるので、無信号
時のアイドル電流Id は次式で決定される。
次に正の信号が入力された場合、入力端子すは端子a、
cに対して負の信号が強制的に加えられるので開放とな
シ、出力電圧ν。は信号分に対して V−o=211 is (RE+ R8) lfg
”・”’t3)式中?/−iけ入力電圧、18は信
号電流、hM端子a−8間の入力電圧で、増幅器A′□
と電流発生器C1の合成伝達コンダクタンスをgm、、
)ランジスタQ□の入力抵抗k hie、とするとベー
ス。
cに対して負の信号が強制的に加えられるので開放とな
シ、出力電圧ν。は信号分に対して V−o=211 is (RE+ R8) lfg
”・”’t3)式中?/−iけ入力電圧、18は信
号電流、hM端子a−8間の入力電圧で、増幅器A′□
と電流発生器C1の合成伝達コンダクタンスをgm、、
)ランジスタQ□の入力抵抗k hie、とするとベー
ス。
エミッター間電圧の変化分2/″BEは’17=Bn
= gm* e hiel ’7%g −・−
(Jであるので(3) 、 (41式よシ となる。式(5)中gm1・hie 1が大きければ、
指数関数的伝達特性(:起因する歪発生項であるVBE
が消えてしまう。従って、負荷が直線性負荷である場合
is も歪まないので% ViとV。は相似となり歪は
なくなる。この効果は、誤差増幅器が入出力間を比較増
幅してbるため生じるものである。
= gm* e hiel ’7%g −・−
(Jであるので(3) 、 (41式よシ となる。式(5)中gm1・hie 1が大きければ、
指数関数的伝達特性(:起因する歪発生項であるVBE
が消えてしまう。従って、負荷が直線性負荷である場合
is も歪まないので% ViとV。は相似となり歪は
なくなる。この効果は、誤差増幅器が入出力間を比較増
幅してbるため生じるものである。
−1増幅器A ’ 2の動作を考えてみると、入力端子
clは%はぼ(Rn’ 5 + Vg )だけ端子bl
、a1に対して正の信号が強制的に加えられるから開放
となる。従って、増幅器A’2は端子1.+、a+を入
力とする誤差増幅器とな、9、R1=Oのとき、Rtr
。
clは%はぼ(Rn’ 5 + Vg )だけ端子bl
、a1に対して正の信号が強制的に加えられるから開放
となる。従って、増幅器A’2は端子1.+、a+を入
力とする誤差増幅器とな、9、R1=Oのとき、Rtr
。
とな多、式(2)と同じ値に制御される。
実際には増幅器A’2の利得は無限大ではな−のでId
は上式よシ小さくなる。このため抵抗R,を挿入するこ
とによシL+ R2” iB 、RS)なるi1Jバイ
アスをvBに加算し、Idの不足分を補正する。
は上式よシ小さくなる。このため抵抗R,を挿入するこ
とによシL+ R2” iB 、RS)なるi1Jバイ
アスをvBに加算し、Idの不足分を補正する。
負の信号が入力端INに入力された場合にも、符号が入
れ替わるだけで全く同様の動作全する。
れ替わるだけで全く同様の動作全する。
第4図の回路は、伝達特性が第5図のようになシ、合成
特性が直線的である無遮断B級5EPP回路となってい
る。
特性が直線的である無遮断B級5EPP回路となってい
る。
第6図は第4図の回路の具体例を示し、誤差増幅器A
’ 1がトランジスタQ3〜Q、によシ構成され、これ
らのトランジスタQ3〜Q、のベースが入力端子a ”
−cとなって因る。−1誤差増幅器A ’ 2はトラン
ジスタQ6〜Q、によシ構成され、これらのトランジス
タQ6〜Qsのベースが入力端子a””−c’となって
込る。又電流発生器はトランジスタQ、、Q、。によシ
構成されている。■、及び工、は定電流源である。
’ 1がトランジスタQ3〜Q、によシ構成され、これ
らのトランジスタQ3〜Q、のベースが入力端子a ”
−cとなって因る。−1誤差増幅器A ’ 2はトラン
ジスタQ6〜Q、によシ構成され、これらのトランジス
タQ6〜Qsのベースが入力端子a””−c’となって
込る。又電流発生器はトランジスタQ、、Q、。によシ
構成されている。■、及び工、は定電流源である。
第6図にbvて、出力の抵抗回路’t=Y−、d変換す
ると第7図に示すような回路とな9、またこの抵抗回路
をブリッジ検出とすると第8図に示すような回路となる
。
ると第7図に示すような回路とな9、またこの抵抗回路
をブリッジ検出とすると第8図に示すような回路となる
。
なお%第8図1に示すブリッジ検出とした場合には、第
4図の誤差増幅器A11及びA’2の入力端子a 、
a’が信号成分に対して等測的にX点に接続されたのと
同等になシ、エミッタ抵抗REの上下のバラツキによる
不平衡に起因する歪が抹消される。この場合の出力V。
4図の誤差増幅器A11及びA’2の入力端子a 、
a’が信号成分に対して等測的にX点に接続されたのと
同等になシ、エミッタ抵抗REの上下のバラツキによる
不平衡に起因する歪が抹消される。この場合の出力V。
は上記式(5)の変形として、
gm@hie
とな)、gm*hieが十分大きければREが抹消され
ることが判る。
ることが判る。
第9図及び第10図は誤差増幅器を4端子入力型とした
具体例を示し、この例の場合誤差増幅部のバランスを取
って理想的な誤差増幅を行う。
具体例を示し、この例の場合誤差増幅部のバランスを取
って理想的な誤差増幅を行う。
上述したいずれの場合も、端子c −c’間やbl b
l或はd −d’間に加えられるバイアスは実際には所
定の了イト9ル電流が得られる任意の値に選ばれ、第4
図中のVBの値に拘束されるものではない。
l或はd −d’間に加えられるバイアスは実際には所
定の了イト9ル電流が得られる任意の値に選ばれ、第4
図中のVBの値に拘束されるものではない。
また第6図及び第9図ならびに第10図の回路における
入力端である定電圧駆動点をオープンにし、If を入
力信号源%すなわち定電流駆動回路に変換してもアイド
ルサーボによる安定化と無遮断B級動作を行すうる5E
PP回路が得られる。
入力端である定電圧駆動点をオープンにし、If を入
力信号源%すなわち定電流駆動回路に変換してもアイド
ルサーボによる安定化と無遮断B級動作を行すうる5E
PP回路が得られる。
本発明は上述したように、B級5EPP回路のアイドル
電流と歪成分を同時にリアルタイム検出して誤差増幅に
よシフイードバックしたものである。
電流と歪成分を同時にリアルタイム検出して誤差増幅に
よシフイードバックしたものである。
従って、5EPP出力端での歪を大巾に減少でき、かつ
了イドル獲流の温度補償を不要できる他、電源投入直後
にアイドル電流を安定に一定にできる。また、大信号の
入った後でも直ちにアイドル電流を設定[直に安定する
ことができる。更に、出力インピーダンスを激減すると
とができ、このことによ)%出力端に信号が逆流してき
ても吸収能力が高いため前段への影響を非常に小さくで
きる。更にまた。スイッチング歪の発生しない無蓮断B
a5EPP回路となって込るなど、歪が少なく、従来l
二なぐ安定性の高い高性能な5EPP回路が得られる。
了イドル獲流の温度補償を不要できる他、電源投入直後
にアイドル電流を安定に一定にできる。また、大信号の
入った後でも直ちにアイドル電流を設定[直に安定する
ことができる。更に、出力インピーダンスを激減すると
とができ、このことによ)%出力端に信号が逆流してき
ても吸収能力が高いため前段への影響を非常に小さくで
きる。更にまた。スイッチング歪の発生しない無蓮断B
a5EPP回路となって込るなど、歪が少なく、従来l
二なぐ安定性の高い高性能な5EPP回路が得られる。
職1図は従来の回路例を示す回路図、第2図は第1図の
回路の特性を示すグラフ%第3図は他の従来回路の箱性
例を示すグラフ、第4図は本発明の基本回路を示す図、
第5図は第4図の回路の特性を示すグラフ、第6因は第
4図の基本回路の具体的回路例を示す回路図、第7図及
び第81ンjは角6図の回路の一部分の変形例を示す回
路図、並びに第9図及び第1O図は本発明の他の実施例
を示す回路図である。 Ql・・・・・・第1の増幅素子(トランジスタ)Q2
・・・・・・第2の増幅素子(トランジスタ)AI、・
・・・・・第1の(誤差増幅器)A ’ 2・・・・・
・第:2の(誤差増幅器)B、・・・・・・第1の(電
流発生手段)B2・・・・・・第2の(りf流発生手段
)vB・・・・・・バイアス電流 RB 、R8,R1−Rt −”’抵抗特許出願人 パ
イオニア株式会社 第4図 第5図 第6図 第7図 イ 第8図
回路の特性を示すグラフ%第3図は他の従来回路の箱性
例を示すグラフ、第4図は本発明の基本回路を示す図、
第5図は第4図の回路の特性を示すグラフ、第6因は第
4図の基本回路の具体的回路例を示す回路図、第7図及
び第81ンjは角6図の回路の一部分の変形例を示す回
路図、並びに第9図及び第1O図は本発明の他の実施例
を示す回路図である。 Ql・・・・・・第1の増幅素子(トランジスタ)Q2
・・・・・・第2の増幅素子(トランジスタ)AI、・
・・・・・第1の(誤差増幅器)A ’ 2・・・・・
・第:2の(誤差増幅器)B、・・・・・・第1の(電
流発生手段)B2・・・・・・第2の(りf流発生手段
)vB・・・・・・バイアス電流 RB 、R8,R1−Rt −”’抵抗特許出願人 パ
イオニア株式会社 第4図 第5図 第6図 第7図 イ 第8図
Claims (1)
- エミッタホロワでかつ3級5EPP構成の第1及び第2
の増@素子と、この第1及び第2の増幅素子にそれぞれ
対応して設けられ、少なくとも3つ以上の入力端子を有
し、1つの非反転入力端子が直接又はレベルシフトされ
て回路入力端に接続される第1及び第2の誤差増幅器と
、前記誤差増幅器出力と前記第1及び第2の増幅素子の
入力電極との間にそれぞれ挿入され、対応する前記誤差
増幅器の出力によ)1!流を発生する第1及び第2の電
流発生手段と、前記第1及び第2の増幅素子の出力電極
と回路出力端との間に挿入され、前記第1及び第2の増
幅素子のアイドル電流をそれぞれ検出する第1及び第2
のアイドル検出端子と信号出力電流を検出する信号検出
端子と分有する抵抗回路網とを備え、前記第1の誤差増
幅器によシ、前記第1のアイドル検出端子の電圧と前記
回路入力端の電圧との所定値レベルシフトした2つの電
圧との間の誤差電圧を増幅し、前記第2の誤差増幅器に
よp1前記第2のアイドル検出端子の電圧と前記回路入
力端の電圧との所定値レベルシフトした2つの電圧との
間の誤差電圧を増幅するようにすると共に、前記第1及
び第2の誤差増幅器の少なくとも1つの入力端子を前記
抵抗回路網の信号検出端子に接続してなシ、前記第1の
誤差増幅器が第1の了イドル検出端子の電圧と前記回路
入力端のレベルシフトした電圧との間の誤差電圧につい
ての誤差増幅器として働いているとき、前記第2の誤差
増幅器を前記第2のアイドル検出端子の電圧と前記レベ
ルシフトした信号検出端子の電圧との誤差電圧につbて
の誤差増幅器として働かせ、かつ前記第2の誤差増幅器
が第2のアイドル検出端子の電圧と前記回路入力端のレ
ベルシフトした電圧との間の誤差電圧についての誤差増
幅器として働すているとき、前記第1の誤差増幅器を前
記第1のアイドル検出端子の室圧と前記レベルシフトし
た信号検出端子の電圧との間の誤差常圧についての誤差
増幅器として働かせるようにしたことを特徴とするエミ
ツタホロワ型5EPP回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075943A JPS59201507A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エミツタホロワ型sepp回路 |
| KR1019840000627A KR900003572B1 (ko) | 1983-04-28 | 1984-02-10 | 에미터 폴로워형 sepp 회로 |
| US06/599,024 US4558288A (en) | 1983-04-28 | 1984-04-11 | Emitter-follower type SEPP circuit |
| GB08409474A GB2139031B (en) | 1983-04-28 | 1984-04-12 | Emitter follower type sepp circuit |
| DE3414785A DE3414785C2 (de) | 1983-04-28 | 1984-04-18 | Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075943A JPS59201507A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エミツタホロワ型sepp回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201507A true JPS59201507A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13590812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075943A Pending JPS59201507A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | エミツタホロワ型sepp回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4558288A (ja) |
| JP (1) | JPS59201507A (ja) |
| KR (1) | KR900003572B1 (ja) |
| DE (1) | DE3414785C2 (ja) |
| GB (1) | GB2139031B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114389548A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-22 | 贵州振华风光半导体股份有限公司 | 一种低功耗大摆率低失真输出级电路 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3656758B2 (ja) * | 1991-05-08 | 2005-06-08 | 富士通株式会社 | 動作状態検出回路 |
| US5825247A (en) * | 1993-03-02 | 1998-10-20 | Mircea Naiu | Electric power amplifier and method for its operation |
| DE4308287C2 (de) * | 1993-03-02 | 1995-01-19 | Jochen Herrlinger | Elektrischer Leistungsverstärker und Verfahren zu dessen Betrieb |
| JP3431545B2 (ja) * | 1999-08-17 | 2003-07-28 | ローム株式会社 | パワードライブ回路 |
| US6765438B1 (en) | 2001-11-01 | 2004-07-20 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. | Transconductance power amplifier |
| CN121420471A (zh) * | 2023-06-30 | 2026-01-27 | 哈曼国际工业有限公司 | 具有输出级的放大器系统 |
Family Cites Families (4)
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| JPS5541025A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-22 | Nagasawa:Kk | Bias current automatic adjusting method and push pull amplifier circuit |
| JPS56160112A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-09 | Sony Corp | Biasing circuit of electric power amplifier |
| GB2115999B (en) * | 1982-02-20 | 1985-05-01 | Pioneer Electronic Corp | Bias current compensated amplifier |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075943A patent/JPS59201507A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-10 KR KR1019840000627A patent/KR900003572B1/ko not_active Expired
- 1984-04-11 US US06/599,024 patent/US4558288A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-04-12 GB GB08409474A patent/GB2139031B/en not_active Expired
- 1984-04-18 DE DE3414785A patent/DE3414785C2/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114389548A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-22 | 贵州振华风光半导体股份有限公司 | 一种低功耗大摆率低失真输出级电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2139031A (en) | 1984-10-31 |
| KR840008728A (ko) | 1984-12-17 |
| GB2139031B (en) | 1986-07-09 |
| US4558288A (en) | 1985-12-10 |
| DE3414785A1 (de) | 1985-03-07 |
| KR900003572B1 (ko) | 1990-05-21 |
| DE3414785C2 (de) | 1986-02-27 |
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