JPS59203716A - 高導電性炭素系熱処理物 - Google Patents
高導電性炭素系熱処理物Info
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- JPS59203716A JPS59203716A JP58074004A JP7400483A JPS59203716A JP S59203716 A JPS59203716 A JP S59203716A JP 58074004 A JP58074004 A JP 58074004A JP 7400483 A JP7400483 A JP 7400483A JP S59203716 A JPS59203716 A JP S59203716A
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い電導塵を有する熱分解炭素化物に関する。
さらに詳しくは、炭素−炭素二重結合に隣接する炭素に
ハロゲン原子を有する不飽和化合物を熱分解して得ら°
れる高導電性炭素系熱処理物を与えるものである。
ハロゲン原子を有する不飽和化合物を熱分解して得ら°
れる高導電性炭素系熱処理物を与えるものである。
従来、高導電性熱分解炭素の生成に関しては、炭化水素
化合物の熱分解炭素が多く知られている。例えばメタン
、プロパン、プロピレン、ベンゼンなどの比較的低沸点
炭化水素化合物を原料として、熱分解温度が12’00
℃〜2200℃で熱分解することにより炭化物の得られ
ることが知られている。この炭化水素イし合物の気相熱
分解のほかに、その他の有機化合物を原料に用いるもの
としてはノ\ロゲンを含有する化合物の気相熱分解も知
られている。既に、日本化学会誌494(1979)、
1690(1979)では、1.2−ジクロルエチレン
を700−1100℃の温度で熱分解をおこない、炭化
水素化合物に比較し、比較的低い温度で黒鉛基板上に熱
分解炭素が生成することが知られている。しかしこの方
法で得られた熱分解炭素は必ずしも高い電導塵を示すも
のではない。
化合物の熱分解炭素が多く知られている。例えばメタン
、プロパン、プロピレン、ベンゼンなどの比較的低沸点
炭化水素化合物を原料として、熱分解温度が12’00
℃〜2200℃で熱分解することにより炭化物の得られ
ることが知られている。この炭化水素イし合物の気相熱
分解のほかに、その他の有機化合物を原料に用いるもの
としてはノ\ロゲンを含有する化合物の気相熱分解も知
られている。既に、日本化学会誌494(1979)、
1690(1979)では、1.2−ジクロルエチレン
を700−1100℃の温度で熱分解をおこない、炭化
水素化合物に比較し、比較的低い温度で黒鉛基板上に熱
分解炭素が生成することが知られている。しかしこの方
法で得られた熱分解炭素は必ずしも高い電導塵を示すも
のではない。
本発明者らは、低温で容易に気相熱分解が起り、高い導
電性を有する生成物を得る方法について広く検討した結
果、これまでの技術よりさらに優れた方法を見出し本発
明に到った。すなわち、二重結合に隣接する炭素にノ1
0ゲン原子を有する不飽和化合物を用いると従来知られ
ている炭化水素化合物に比べ低温で熱分解生成物が得ら
れ、しかも基材上に均質な沈積物が得られやすいことを
見出し、さらに重要なことはより高い導電性を有するこ
とを見出したものである。
電性を有する生成物を得る方法について広く検討した結
果、これまでの技術よりさらに優れた方法を見出し本発
明に到った。すなわち、二重結合に隣接する炭素にノ1
0ゲン原子を有する不飽和化合物を用いると従来知られ
ている炭化水素化合物に比べ低温で熱分解生成物が得ら
れ、しかも基材上に均質な沈積物が得られやすいことを
見出し、さらに重要なことはより高い導電性を有するこ
とを見出したものである。
すなわち、本発明の目的は二重結合に隣接する炭素に少
なくとも1つ以上のノ10ゲン原子を有する不飽和化合
物を熱分解させて得られる高導電性炭素系熱処理物およ
びその製造方法を提供することにある。
なくとも1つ以上のノ10ゲン原子を有する不飽和化合
物を熱分解させて得られる高導電性炭素系熱処理物およ
びその製造方法を提供することにある。
本発明に使用する二重結合に隣接する炭素にハロゲン原
子を有する不飽和化合物は、少なくとも1つ以上のハロ
ゲン原子を有する有機化合物一般であり、脂肪族ではア
リル位に芳香族ではたとえばベンジル位にハロゲンを有
するものが好ましい。ここでハロゲン原子は塩素、臭素
、ヨウ素が好ましい。
子を有する不飽和化合物は、少なくとも1つ以上のハロ
ゲン原子を有する有機化合物一般であり、脂肪族ではア
リル位に芳香族ではたとえばベンジル位にハロゲンを有
するものが好ましい。ここでハロゲン原子は塩素、臭素
、ヨウ素が好ましい。
すなわち、芳香環に隣接する炭素に/’10ゲン原子が
置換された化合物類; 例えばベンジルクロリド、ベンジルプロミド、ベンジル
ヨーシト、ペンジリデンジブ ロミド、p−キシリレンジクロリド、 ロミド、α−クロロメチルナフタレン、二重結合に隣接
した炭素にハロゲン原子が置換された脂肪族化合物類; 例えはアリルクロリド、アリルプロミド、アリルヨーシ
ト、1,4−ジブロム−2 −ブテン、1,4−ジクロル−2−ブ テン、あるいは脂環族、ペテロ環化合 物であってもよ<、a、6−ジクロル −1−シクロヘキセン、l−クロロメ チルシクロペンテン、l−クロロメチルノルホルナジエ
ン等が例示される。
置換された化合物類; 例えばベンジルクロリド、ベンジルプロミド、ベンジル
ヨーシト、ペンジリデンジブ ロミド、p−キシリレンジクロリド、 ロミド、α−クロロメチルナフタレン、二重結合に隣接
した炭素にハロゲン原子が置換された脂肪族化合物類; 例えはアリルクロリド、アリルプロミド、アリルヨーシ
ト、1,4−ジブロム−2 −ブテン、1,4−ジクロル−2−ブ テン、あるいは脂環族、ペテロ環化合 物であってもよ<、a、6−ジクロル −1−シクロヘキセン、l−クロロメ チルシクロペンテン、l−クロロメチルノルホルナジエ
ン等が例示される。
熱分解は不活性雰囲気下500°C以上の温度でこれを
行うことができる。特に基材の上に沈積することは必要
ではないが、適当な基しの存在下では一般に均質な熱分
解生成物の沈積がみられる。
行うことができる。特に基材の上に沈積することは必要
ではないが、適当な基しの存在下では一般に均質な熱分
解生成物の沈積がみられる。
成形体基材としては粉状、球状、不定形状、カラス、ア
ルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、炭素材
等が好ましいが特に基材によって著しい影響を受けるわ
けではない。
ルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、炭素材
等が好ましいが特に基材によって著しい影響を受けるわ
けではない。
熱分解の温度は一般に500℃以上が用いられる。なか
でも600℃〜1000℃で容易に熱分解を行うことが
できるが、さらに高温たとえば2000℃〜2500℃
程度でこれを行ってもよい。熱分解生成物は主として炭
素より成り、従来の熱分解物よりも低温で容易に炭素主
体分解物が沈積することに特徴がある。このことはアリ
ル共鳴により容易にハロゲンもしくはハロゲン化水素が
脱離しやすいことが関係していると考えられるっ熱分解
に際しての加熱方法は直接加熱法と、基材の外周部より
間接的に基材表面を軸封加熱する外熱式間接加熱法がと
れる。
でも600℃〜1000℃で容易に熱分解を行うことが
できるが、さらに高温たとえば2000℃〜2500℃
程度でこれを行ってもよい。熱分解生成物は主として炭
素より成り、従来の熱分解物よりも低温で容易に炭素主
体分解物が沈積することに特徴がある。このことはアリ
ル共鳴により容易にハロゲンもしくはハロゲン化水素が
脱離しやすいことが関係していると考えられるっ熱分解
に際しての加熱方法は直接加熱法と、基材の外周部より
間接的に基材表面を軸封加熱する外熱式間接加熱法がと
れる。
基材に沈積する炭素系被覆物の均質性からは後者の外熱
式間接加熱法か好ましい。
式間接加熱法か好ましい。
原料の炉内への導入は任意の方法で行うことができるが
酸素等の反応性物質の不存在下でこれを行なうことが必
要である。ハロゲン置換化合物はそのまま、あるいは不
活性雰囲気ガス、例えばアルゴン、窒素、水素、等に同
伴させ加熱部へ導入してもよい。
酸素等の反応性物質の不存在下でこれを行なうことが必
要である。ハロゲン置換化合物はそのまま、あるいは不
活性雰囲気ガス、例えばアルゴン、窒素、水素、等に同
伴させ加熱部へ導入してもよい。
このようにして製造される熱分解生成物は一般に高導電
性で、特に500 S/υ以上の値を示すのが特徴的で
ある。
性で、特に500 S/υ以上の値を示すのが特徴的で
ある。
本発明における高導電性熱分解炭素はその高い導電性に
特徴があり、その特性を発揮する用途が考えられる。特
に絶縁性素材である石英ガラス、セラミック等に導電性
を賦与できることにその一つの効果を求めることができ
る。
特徴があり、その特性を発揮する用途が考えられる。特
に絶縁性素材である石英ガラス、セラミック等に導電性
を賦与できることにその一つの効果を求めることができ
る。
以下、実施例によって本発明を詳しく述べるが、本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
実施例1
抵抗線加熱式横型管状電気炉(450mmL)に石英ガ
ラス製炉芯管(80鰭OX700mmL)電気炉中央の
炉芯管内に石英板(2σ×5□□□)を基材として置い
た。p−キシリレンジクロリド2gr を原料とし、上
記ガラス製容器に入れ、窒素ガスを毎分I Q Q m
e流通させ、電気炉内を950°Cに昇温した。さらに
石英ガラス製炉芯管の電気炉より露出した部分に原料加
熱用のリボンヒーターを巻きつけ、その後、p−キシリ
レンジクロリドをリボンヒーターで150″Cに加熱し
、気相で炉芯管内に流し込み熱分解をおこなった。1時
間熱分解を継続した後、室温に冷却し、サンプルを取り
だした。石英板上に均質な銀白色の光沢ある熱分解炭素
の沈積物が生じていた。
ラス製炉芯管(80鰭OX700mmL)電気炉中央の
炉芯管内に石英板(2σ×5□□□)を基材として置い
た。p−キシリレンジクロリド2gr を原料とし、上
記ガラス製容器に入れ、窒素ガスを毎分I Q Q m
e流通させ、電気炉内を950°Cに昇温した。さらに
石英ガラス製炉芯管の電気炉より露出した部分に原料加
熱用のリボンヒーターを巻きつけ、その後、p−キシリ
レンジクロリドをリボンヒーターで150″Cに加熱し
、気相で炉芯管内に流し込み熱分解をおこなった。1時
間熱分解を継続した後、室温に冷却し、サンプルを取り
だした。石英板上に均質な銀白色の光沢ある熱分解炭素
の沈積物が生じていた。
この熱分解沈積物の電導度は1170S/am(室温)
を示した。同様にしてO−キシリレンジクロリド、p−
キシリレンジクロリド、アリルクロリドを950℃の炉
温で熱分解をおこなった。
を示した。同様にしてO−キシリレンジクロリド、p−
キシリレンジクロリド、アリルクロリドを950℃の炉
温で熱分解をおこなった。
いずれも石英板上に均質な銀白色の光沢物微量生ずるの
みで、均質な熱分解炭素の沈積物は得られなかった。各
々の電導度を測定したところ、前三省は4505/側、
420 S/礪、350S/LMといずれも本発明に比
し電導度は低いものであった。
みで、均質な熱分解炭素の沈積物は得られなかった。各
々の電導度を測定したところ、前三省は4505/側、
420 S/礪、350S/LMといずれも本発明に比
し電導度は低いものであった。
実施例2
実施例1と同じ装置で、p−キシリレンジクロリドにつ
いて、熱分解温度を950°C1700°C1600°
Cとかえ、基材に石英板を用い熱分解をおこなった。得
られた熱分解沈積物の電導度は各々950℃; 106
0s/側(0,7μ)、700 °C’、 8605
7am(0,5μ ) 、6 0 0 ℃ 151
087m (0,2μ)であった。括孤内は沈積物の膜
厚を示す。
いて、熱分解温度を950°C1700°C1600°
Cとかえ、基材に石英板を用い熱分解をおこなった。得
られた熱分解沈積物の電導度は各々950℃; 106
0s/側(0,7μ)、700 °C’、 8605
7am(0,5μ ) 、6 0 0 ℃ 151
087m (0,2μ)であった。括孤内は沈積物の膜
厚を示す。
同一条件で、600℃で1.2−ジクロルエチレンを熱
分解すると電導度は85 S/(1111であ□った。
分解すると電導度は85 S/(1111であ□った。
地側3
覆ができた。電導度の測定結果を表1に示す。
ここで膜厚は電顕写真により測定した。炭素繊維は40
05/cmの電導度を有する繊維を基(9) 材に用いた。被覆された繊維はいずれも同程度の電導度
を示し高導電性が賦与できた。
05/cmの電導度を有する繊維を基(9) 材に用いた。被覆された繊維はいずれも同程度の電導度
を示し高導電性が賦与できた。
表 1
(10完)
Claims (1)
- 炭素−炭素二重結合に隣接する炭素に少なくとも1ケの
ハロゲン原子を有する不飽和有機化合物を不活性雰囲気
下、少なくとも500℃以上の温度で熱分解することに
より得られる高導電性炭素系熱処理物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074004A JPS59203716A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074004A JPS59203716A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203716A true JPS59203716A (ja) | 1984-11-17 |
| JPH0147404B2 JPH0147404B2 (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13534491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58074004A Granted JPS59203716A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59203716A (ja) |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58074004A patent/JPS59203716A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147404B2 (ja) | 1989-10-13 |
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