JPS592057B2 - エラ−訂正・検出方式 - Google Patents
エラ−訂正・検出方式Info
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- JPS592057B2 JPS592057B2 JP54012275A JP1227579A JPS592057B2 JP S592057 B2 JPS592057 B2 JP S592057B2 JP 54012275 A JP54012275 A JP 54012275A JP 1227579 A JP1227579 A JP 1227579A JP S592057 B2 JPS592057 B2 JP S592057B2
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- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1012—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error
- G06F11/1024—Identification of the type of error
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operations
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Detection And Correction Of Errors (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子計算機等に用いられる記憶装置のエラーの
訂正・検出方式に関する。
訂正・検出方式に関する。
さらに詳細には、1ビット(mビット)のエラーを検出
して訂正し、多ビット(m+1ビット以上)のエラーを
検出するエラー訂正・検出方式に関する。記憶装置の信
頼度を向上させる目的で、1ビットエラー訂正、2ビッ
トエラー検出可能なハミング符号(以下Singleb
itErrorCorrec一tioll−Doubl
ebitsErrorDetectionのの頭文字を
取つてSEC−DED符号と略すが、ErrorChe
ckandCorrectionの頭文字を取つてEC
C符号と称される場合もある。
して訂正し、多ビット(m+1ビット以上)のエラーを
検出するエラー訂正・検出方式に関する。記憶装置の信
頼度を向上させる目的で、1ビットエラー訂正、2ビッ
トエラー検出可能なハミング符号(以下Singleb
itErrorCorrec一tioll−Doubl
ebitsErrorDetectionのの頭文字を
取つてSEC−DED符号と略すが、ErrorChe
ckandCorrectionの頭文字を取つてEC
C符号と称される場合もある。
)を採用した装置が実用化されている。このSEC−D
ED符号の原理については周知のことであるが一応ここ
で紹介する。原情報(データ)nビット、これに誤り訂
正用冗長ビットに’ビットを加えてハミング符号を構成
すると、訂正を要する位置(n+に’のうちのいずれか
)および誤りの有無を識別す、る必要から2に−(nf
に′+1)20・・・・・・・・・・・・・・・(1)
を満足しなければならない。
ED符号の原理については周知のことであるが一応ここ
で紹介する。原情報(データ)nビット、これに誤り訂
正用冗長ビットに’ビットを加えてハミング符号を構成
すると、訂正を要する位置(n+に’のうちのいずれか
)および誤りの有無を識別す、る必要から2に−(nf
に′+1)20・・・・・・・・・・・・・・・(1)
を満足しなければならない。
また2ビット誤り検出のために、さらに1ビツトの冗長
ビツトを付加すると全冗長ビツト数kはk=k′+1と
なり(1)式は2k−1−(n+k)〉0・・・・・・
・・・・・・・・・・・・(2)となる。
ビツトを付加すると全冗長ビツト数kはk=k′+1と
なり(1)式は2k−1−(n+k)〉0・・・・・・
・・・・・・・・・・・・(2)となる。
例えばデータn=64ビツトならばkは8ビツト必要と
なることが(2)式から知れる。以上の原理を採用した
エラー訂正・検出方式の従来の構成例を第1図に示す。
この構成例での記憶装置へのデータ書き込みは次のよう
に行なわれる。すなわち記憶装置4への書き込みデータ
1はnビツトであり、まずSEC−DED符号発生回路
2へ送られる。ここでハミング符号の原理に従つてkビ
ツトの冗長ビツトが付加され、書き込みSEC−DED
符号3が発生される。この符号のビツト数はn+kビツ
トである。この書き込みデータを含む符号化情報が記憶
装置4へ書き込まれる。記憶装置4からのデータの読み
出しは次のように行なわれる。すなわち記憶装置4から
読み出される情報はデータを含む読み出しSEC−DE
D符号5である。この符号化された情報はSECDED
回路6に送られその回路名が示すようにシングルビツト
のエラーのコレクシヨン(訂正)とダブルビツトエラ一
のデ゛エテクシヨン(検出)を行う。つまり記憶装置4
内で1ビツトエラ一が発生した場合は、このことを検出
し1ビツトエラ一検出線81をオンにして外部に警告を
発するとともにそのエラービツトを正しい値に訂正する
。また2ビツト以上の多ビツトエラ一が発生した場合は
このことを検出し、多ピットエラー検出線82をオンす
ることにより外部に警告を発することができる。ここで
注意しなくてはならないことは2ビツトエラ一発生時は
完全な検出ができるが、3ビツト以上の多ビツトエラ一
が発生した場合は後に述べるように完全な検出率は期待
できないことである。このようにして読み出しデータ7
は記臆装置4内でノーエラ一時および1ビツトエラ一時
には正しいデータとして用いることができる。記憶装置
4内で2ビツト以上のエラーが生じた場合は読み出しデ
ータ7は誤つた情報であるが、そのかわりに2ビツトエ
ラ一の場合は100%確実な警告を、又3ビツト以上の
エラーの場合はある程度の警告を多ビツトエラ一検出線
82を通して外部に知らせることができる。以上述べた
だけの構成でも1ビツトエラ一の訂正と2ビツト以下の
エラーの検出は確実にできた。
なることが(2)式から知れる。以上の原理を採用した
エラー訂正・検出方式の従来の構成例を第1図に示す。
この構成例での記憶装置へのデータ書き込みは次のよう
に行なわれる。すなわち記憶装置4への書き込みデータ
1はnビツトであり、まずSEC−DED符号発生回路
2へ送られる。ここでハミング符号の原理に従つてkビ
ツトの冗長ビツトが付加され、書き込みSEC−DED
符号3が発生される。この符号のビツト数はn+kビツ
トである。この書き込みデータを含む符号化情報が記憶
装置4へ書き込まれる。記憶装置4からのデータの読み
出しは次のように行なわれる。すなわち記憶装置4から
読み出される情報はデータを含む読み出しSEC−DE
D符号5である。この符号化された情報はSECDED
回路6に送られその回路名が示すようにシングルビツト
のエラーのコレクシヨン(訂正)とダブルビツトエラ一
のデ゛エテクシヨン(検出)を行う。つまり記憶装置4
内で1ビツトエラ一が発生した場合は、このことを検出
し1ビツトエラ一検出線81をオンにして外部に警告を
発するとともにそのエラービツトを正しい値に訂正する
。また2ビツト以上の多ビツトエラ一が発生した場合は
このことを検出し、多ピットエラー検出線82をオンす
ることにより外部に警告を発することができる。ここで
注意しなくてはならないことは2ビツトエラ一発生時は
完全な検出ができるが、3ビツト以上の多ビツトエラ一
が発生した場合は後に述べるように完全な検出率は期待
できないことである。このようにして読み出しデータ7
は記臆装置4内でノーエラ一時および1ビツトエラ一時
には正しいデータとして用いることができる。記憶装置
4内で2ビツト以上のエラーが生じた場合は読み出しデ
ータ7は誤つた情報であるが、そのかわりに2ビツトエ
ラ一の場合は100%確実な警告を、又3ビツト以上の
エラーの場合はある程度の警告を多ビツトエラ一検出線
82を通して外部に知らせることができる。以上述べた
だけの構成でも1ビツトエラ一の訂正と2ビツト以下の
エラーの検出は確実にできた。
ところが3ビツト以上のエラーについては確実な検出が
望めない。この不確実性についてはいくつかの報告があ
るが、ほ(よ一致した結果を表1に示す。表1かられか
るように3ビツトエラ一をあたかも1ビツトエラ一が発
生しているかのように判定し、ここで判定したビツトを
訂正して正しいデータになつたつもりで処理を続行して
しまう割合が半分以上もあることである。
望めない。この不確実性についてはいくつかの報告があ
るが、ほ(よ一致した結果を表1に示す。表1かられか
るように3ビツトエラ一をあたかも1ビツトエラ一が発
生しているかのように判定し、ここで判定したビツトを
訂正して正しいデータになつたつもりで処理を続行して
しまう割合が半分以上もあることである。
このことはより高信頼性を要求される計算機で特に問題
となつている。そこで従来考えている方法として、特願
昭51一156535号が提案されているので、まずこ
の方法の概要を述べる。特願昭51−156535号に
よれば、 SEC−DED回路にて1ビツトエラ一として検出され
訂正された場合、訂正後のデータビツトを全て極性反転
し、この極性反転された訂正後のデータビツトから新た
に冗長ビツトを発生して再び記憶装置に書き込み、しか
る後概データビツトならびに冗長ビツトを読み出して、
SEC−DED回路に与え、再びエラーが検出された場
合は3ビツトエラ一と判定するエラー訂正・検出方式を
提案している。
となつている。そこで従来考えている方法として、特願
昭51一156535号が提案されているので、まずこ
の方法の概要を述べる。特願昭51−156535号に
よれば、 SEC−DED回路にて1ビツトエラ一として検出され
訂正された場合、訂正後のデータビツトを全て極性反転
し、この極性反転された訂正後のデータビツトから新た
に冗長ビツトを発生して再び記憶装置に書き込み、しか
る後概データビツトならびに冗長ビツトを読み出して、
SEC−DED回路に与え、再びエラーが検出された場
合は3ビツトエラ一と判定するエラー訂正・検出方式を
提案している。
そしてデータが3ビツトエラ一を起こした場合、それを
あたかも1ビツトエラ一のように処理してしまい、その
後の計算処理に混乱を起してしまう問題を完全に摘出す
ることができる。前記従来技術の方式は、冗長ビツトに
1ビツトエラ一が発生した場合には3ビツトエラ一に誤
つて検出される場合がある。なぜならば、再書き込み動
作で極性反転したデータビツトに付加する冗長ビツトは
新たにSEC−DED符号発生器にて作成されるため、
1ビツトエラ一が冗長ビツトに発生するとこのエラーと
なつた冗長ビツトが記憶装置内でエラーとなる極性に作
成される場合があつて、再び記憶装置から読み出した冗
長ビツトはエラーとなる極性で読み出され、SEC−D
ED回路は1ビツトエラ一を検出することになる。この
場合、上記従来方式では、3ビツトエラ一として処理す
ることになる。データnビツトに対して冗長ビツトkビ
ツトが付加された場合、1ビツトエラ一のうち冗長ビツ
トが1ビツトエラ一となる確率はk/(n+k)でさら
に再書き込みのとき記憶装置上でエラーとなる極性に冗
長ビツトが作成される場合の冗長ビ1kツトの1ビツト
エラ一の起こる確率は一・2n+k となる。
あたかも1ビツトエラ一のように処理してしまい、その
後の計算処理に混乱を起してしまう問題を完全に摘出す
ることができる。前記従来技術の方式は、冗長ビツトに
1ビツトエラ一が発生した場合には3ビツトエラ一に誤
つて検出される場合がある。なぜならば、再書き込み動
作で極性反転したデータビツトに付加する冗長ビツトは
新たにSEC−DED符号発生器にて作成されるため、
1ビツトエラ一が冗長ビツトに発生するとこのエラーと
なつた冗長ビツトが記憶装置内でエラーとなる極性に作
成される場合があつて、再び記憶装置から読み出した冗
長ビツトはエラーとなる極性で読み出され、SEC−D
ED回路は1ビツトエラ一を検出することになる。この
場合、上記従来方式では、3ビツトエラ一として処理す
ることになる。データnビツトに対して冗長ビツトkビ
ツトが付加された場合、1ビツトエラ一のうち冗長ビツ
トが1ビツトエラ一となる確率はk/(n+k)でさら
に再書き込みのとき記憶装置上でエラーとなる極性に冗
長ビツトが作成される場合の冗長ビ1kツトの1ビツト
エラ一の起こる確率は一・2n+k となる。
たとえば11二64ビツト、k二8ビツトとすると一・
?=−となる。264+818 すなわち、1ビツトエラ一が検出されて正常に訂正した
にもかかわらず、一の確率で3ビツトゝ 18エラーと
して報告されることになり、せつかくの1ビツトエラ一
訂正機能が役に立たない場合が生じる。
?=−となる。264+818 すなわち、1ビツトエラ一が検出されて正常に訂正した
にもかかわらず、一の確率で3ビツトゝ 18エラーと
して報告されることになり、せつかくの1ビツトエラ一
訂正機能が役に立たない場合が生じる。
このことは、信頼度を向上するために付加された上記従
来方式が、誤つたエラー検出を行ない、さらに1ビツト
エラ一の訂正機能を低下させることが大きな問題であつ
た。
来方式が、誤つたエラー検出を行ない、さらに1ビツト
エラ一の訂正機能を低下させることが大きな問題であつ
た。
この発明の目的は誤りの状態を正確に検出するエラー訂
正・検出方式を提係することにある。
正・検出方式を提係することにある。
本発明の他の目的は、1ビツトエラ一を3ビツトエラ一
と誤検出することなしに、3ビツト以上のエラーに対し
ても正確にエラー状態を報告してくれるエラー訂正・検
出方式を提供することにある。また多ビツトのエラーが
発生した場合でもある程度正しい情報に訂正してくれる
方式を提供することにある。
と誤検出することなしに、3ビツト以上のエラーに対し
ても正確にエラー状態を報告してくれるエラー訂正・検
出方式を提供することにある。また多ビツトのエラーが
発生した場合でもある程度正しい情報に訂正してくれる
方式を提供することにある。
記憶装置内であるビツトのエラーが生じた場合、そのビ
ツトはエラーを生じたのと逆の極性で情報を書いたり、
読んだりする分には正常である場合がほとんどである。
ツトはエラーを生じたのと逆の極性で情報を書いたり、
読んだりする分には正常である場合がほとんどである。
特に固定的な故障の場合にはこのことが顕著である。故
に1ビツトエラ一が検出され正常に訂正された場合、訂
正後のデータビツトを全て極性反転し、この極性反転さ
れた訂正後のデータビツトから新たに冗長ビツトを発生
して、記憶装置に書き込み、しかる後該データビツトな
らびに冗長ビツトを読み出して、再びエラー検出訂正回
路から得られたデータビツトを記憶装置に書き込む前の
極性反転された訂正後のデータビツトと比較すれば一致
することになる。一方、本当はデータビツトの3ビツト
エラ一が発生したにもかかわらず他の1ビツトがエラー
であつたとして判定し、これに従つて訂正するために1
ビツトの極性反転をした場合は、全データを反転すると
本当に誤つていた3ビツトは再び誤り易い極性で書き込
まれることになり、再びエラー検出訂正回路から得られ
たデータビツトを記憶装置に書き込む前の極性反転され
た誤訂正後のデータビツトと比較すれば不一致になる。
に1ビツトエラ一が検出され正常に訂正された場合、訂
正後のデータビツトを全て極性反転し、この極性反転さ
れた訂正後のデータビツトから新たに冗長ビツトを発生
して、記憶装置に書き込み、しかる後該データビツトな
らびに冗長ビツトを読み出して、再びエラー検出訂正回
路から得られたデータビツトを記憶装置に書き込む前の
極性反転された訂正後のデータビツトと比較すれば一致
することになる。一方、本当はデータビツトの3ビツト
エラ一が発生したにもかかわらず他の1ビツトがエラー
であつたとして判定し、これに従つて訂正するために1
ビツトの極性反転をした場合は、全データを反転すると
本当に誤つていた3ビツトは再び誤り易い極性で書き込
まれることになり、再びエラー検出訂正回路から得られ
たデータビツトを記憶装置に書き込む前の極性反転され
た誤訂正後のデータビツトと比較すれば不一致になる。
第2図は本発明の一実施例であるエラー訂正・検出方式
のプロツク図を示すものである。
のプロツク図を示すものである。
SEC−DED回路6の出力である1ビツトエラ一検出
線81は再試行制御回路13を活性化するための制御線
である。
線81は再試行制御回路13を活性化するための制御線
である。
またSEC−DED回路6の出力である読み出しデータ
7は極性反転器9と比較器23にそれぞれ入力されてい
る。極性反転器9の出力はデ゛一タレジスタ11に入力
され、データレジスタ11の出力は比較器23とSEC
−DED符号発生回路2へそれぞれ入力されている。
7は極性反転器9と比較器23にそれぞれ入力されてい
る。極性反転器9の出力はデ゛一タレジスタ11に入力
され、データレジスタ11の出力は比較器23とSEC
−DED符号発生回路2へそれぞれ入力されている。
再試行制御回路13は記憶制衝回路15、極性反転器9
および比較器23をそれぞれ制御している。記憶制御回
路15は記憶装置4の書き込み動作と読み出し動作を制
御している。比較器23ではデータレジスタ11から読
み出されたデータと、再度前記SEC−DED回路6か
ら出力されたデータが比較される。本実施例においては
、比較器23で比較されるデータの極性はもとのデータ
の極性に対して反転されたものどおしが比較される。勿
論、反転されないデータどおし、或いは異極性のデータ
どおしを比較する様に構成してもよいが、以下の説明で
は反転されたどうしが比較されるものとして説明する。
比較器23における比較の結果一致しなければ、不一致
検出線22がオンとなり誤訂正検出回路20を起動し、
誤訂正検出線21をオンとする。
および比較器23をそれぞれ制御している。記憶制御回
路15は記憶装置4の書き込み動作と読み出し動作を制
御している。比較器23ではデータレジスタ11から読
み出されたデータと、再度前記SEC−DED回路6か
ら出力されたデータが比較される。本実施例においては
、比較器23で比較されるデータの極性はもとのデータ
の極性に対して反転されたものどおしが比較される。勿
論、反転されないデータどおし、或いは異極性のデータ
どおしを比較する様に構成してもよいが、以下の説明で
は反転されたどうしが比較されるものとして説明する。
比較器23における比較の結果一致しなければ、不一致
検出線22がオンとなり誤訂正検出回路20を起動し、
誤訂正検出線21をオンとする。
これにより誤訂正が行なわれた旨検出される。本発明の
実施例動作概要を表2に示し、以下、本表に従つて動作
を説明する。表2において、ケース1は記憶装置4内で
冗長ビツト8ビツトは正常であるがデータ64ビツトの
内の1ビツトCが一方の極性であるCを書いても逆の極
性Cとして読まれるため1ビツトエラ一となる場合であ
る。
実施例動作概要を表2に示し、以下、本表に従つて動作
を説明する。表2において、ケース1は記憶装置4内で
冗長ビツト8ビツトは正常であるがデータ64ビツトの
内の1ビツトCが一方の極性であるCを書いても逆の極
性Cとして読まれるため1ビツトエラ一となる場合であ
る。
この場合SEC−DED符号発生回路2により付加され
た冗長ビツトD+Eにより、SEC−DED回路6は1
ビツトエラ一を検出し、1ビツトエラ一検出線81をオ
ンとする。また誤リビツト位置を知りそのビツトCを反
転して正常な値Cとする。本発明では第2図に示すよう
に、1ビツトエラ一検出線81により、これ以後再試行
制御回路13が活性化される。
た冗長ビツトD+Eにより、SEC−DED回路6は1
ビツトエラ一を検出し、1ビツトエラ一検出線81をオ
ンとする。また誤リビツト位置を知りそのビツトCを反
転して正常な値Cとする。本発明では第2図に示すよう
に、1ビツトエラ一検出線81により、これ以後再試行
制御回路13が活性化される。
これと同時に訂正後の読み出しデータ7は極性反転器9
に入力される。極性反転器9は再試行制御回路13の出
力である反転器制御線19により活性化されているから
SEC−DED回路6によつて訂正された後の読み出し
データ7は極性反転されてデータレジスタ1↑に入力さ
れ、しかる後再書き込みデータ12として再びSEC−
DED符号発生回路2へ入力される。
に入力される。極性反転器9は再試行制御回路13の出
力である反転器制御線19により活性化されているから
SEC−DED回路6によつて訂正された後の読み出し
データ7は極性反転されてデータレジスタ1↑に入力さ
れ、しかる後再書き込みデータ12として再びSEC−
DED符号発生回路2へ入力される。
この再試行書き込みデータ12は表2よりわかるように
A+B+Cとなる。SEC−DED符号発生回路2はこ
のデータに対応した冗長ビツトD′+E′を再び付加し
て書き込みSEC−DED符号3A+百+C−l−D′
+E′として出力する。この符号はビツトCが記憶装置
4内でエラーとならない極性Cとして再試j溝1御回路
13の出力である記憶装置制御線14の制御のもとで、
記憶制御回路15を,駆動し、読み出し書き込み1駆動
線16によつて記憶装置4に書き込まれ、読み出される
。ビツトC以外のA,B,D′,E′は両極性どちらで
もエラーとならないから、A+1+C+D′+E′の書
き込みSEC−DED符号は結局記憶装置4内でエラー
を起こさずに読み出され、SEC−DED符号5として
読み出されSEC−DED回路6に入力される。SEC
−DED回路では誤りを検出しないから1ビツトエラ一
検出線81、多ビツトエラ一検出線82は共にオフであ
り、誤りビツト位置指定情報(本発明の場合、この隋報
はSEC−DED回路から外部に出力される必要はない
がSEC−DED回路内部では当然生成されている。
A+B+Cとなる。SEC−DED符号発生回路2はこ
のデータに対応した冗長ビツトD′+E′を再び付加し
て書き込みSEC−DED符号3A+百+C−l−D′
+E′として出力する。この符号はビツトCが記憶装置
4内でエラーとならない極性Cとして再試j溝1御回路
13の出力である記憶装置制御線14の制御のもとで、
記憶制御回路15を,駆動し、読み出し書き込み1駆動
線16によつて記憶装置4に書き込まれ、読み出される
。ビツトC以外のA,B,D′,E′は両極性どちらで
もエラーとならないから、A+1+C+D′+E′の書
き込みSEC−DED符号は結局記憶装置4内でエラー
を起こさずに読み出され、SEC−DED符号5として
読み出されSEC−DED回路6に入力される。SEC
−DED回路では誤りを検出しないから1ビツトエラ一
検出線81、多ビツトエラ一検出線82は共にオフであ
り、誤りビツト位置指定情報(本発明の場合、この隋報
はSEC−DED回路から外部に出力される必要はない
がSEC−DED回路内部では当然生成されている。
)はどのビツト位置も指定しない。したがつてSEC−
DED回路6の出力である読み出しデータ7はA+B+
Cとなる。このデータは、再試行制御回路13の出力で
ある比較器制御線18によつて活性化された比較器23
において再書き込みデータ12を保持しているデータレ
ジスタ11の内容A+B+Cと比較される。この結果、
不一致であることを示すデータ不一致検出線22がオフ
になる。以上かられかるように本当に1ビツトしかエラ
ーのない場合、本発明のデータ反転による再試行動作後
の比較器23におけるデータ部の比較結果は必ず一致す
るためにデータ不一致検出線がオフになることがわかつ
た。
DED回路6の出力である読み出しデータ7はA+B+
Cとなる。このデータは、再試行制御回路13の出力で
ある比較器制御線18によつて活性化された比較器23
において再書き込みデータ12を保持しているデータレ
ジスタ11の内容A+B+Cと比較される。この結果、
不一致であることを示すデータ不一致検出線22がオフ
になる。以上かられかるように本当に1ビツトしかエラ
ーのない場合、本発明のデータ反転による再試行動作後
の比較器23におけるデータ部の比較結果は必ず一致す
るためにデータ不一致検出線がオフになることがわかつ
た。
ケース2は、記憶装置4内でデータビツトの64ビツト
は正常であるが、冗長ビツト8ビツトの内の1ビツトE
が一方の極性であるEを書いても逆の極性Eとして読ま
れるため、1ビツトエラ一となりさらに従来技術の方式
を用いると3ビツトエラ一と検出される場合である(S
EC−DED回路はデータだけの1ビツトエラ一を検出
するものではなく、冗長ビツトの1ビツトエラ一も検出
する)。
は正常であるが、冗長ビツト8ビツトの内の1ビツトE
が一方の極性であるEを書いても逆の極性Eとして読ま
れるため、1ビツトエラ一となりさらに従来技術の方式
を用いると3ビツトエラ一と検出される場合である(S
EC−DED回路はデータだけの1ビツトエラ一を検出
するものではなく、冗長ビツトの1ビツトエラ一も検出
する)。
この場合SEC−DED回路6は、1ビツトを検出し、
1ビツトエラ一検出線81をオンとする。また誤りビツ
ト位置を知り、冗長ビツトEを反転した値Eが正常な値
であると知るが、データビツトの訂正は行なわれないの
で(データに誤りはないので)読み出しデ゛一タ7はA
−F−B+Cとなる。本発明では、第2図に示すように
、この読み出しデータは極性反転器9により極性反転さ
れた後、データレジスタ11に入力され、さらにこの出
力が再試行書き込みデータ12として再びSEC−DE
D符号発生回路2へ入力される。この時、極性反転器9
および記憶装置4は再試膚庸1樹回路13の出力である
反転器制御線19および記憶装置制御線14により制御
されているのはケース1の場合と同様である。ここに得
られた再試行書き込みデータ12は表2かられかるよう
に〜十B+Cとなる。SEC−DED符号発生回路2は
このデータに対応した冗長ビツトを再び付加して書き込
み、SEC−DED符号として出力するbこの時、付加
される冗長ビツトの内ビツトEが、記憶装置4内でエラ
ーとなる極性Eとして付加されると、SEC−DED符
号3はA+百+C+D′+Eとなる。これが記憶装置4
に書き込まれ、読み出されると、冗長ビツトのEがEと
なるエラーが発生して読み出される以外は、A,B,C
,D′は両極性どちらでもエラーとならないから結局記
憶装置4から読み出されたSEC−DED符号5λ+『
+C+D′+rが、SEC−DED回路6へ入力される
。SEC−DED回路6では1ビツトエラ一を検出し、
誤リビツト位置情報は冗長ビツトEにエラーが発生した
ことを知らせる。従来技術では、1回目の1ビツト誤り
として訂正したものは、再試行動作の結果、エラーが検
出されたときには実際には1ビツト誤りでなく、3ビツ
ト誤りであつて誤訂正であつたことが外部に知らされる
ことになる。しかし本発明によれば、SEC−DED回
路にて再びエラーを検出してもSEC−DED回路から
得られる読み出しデータ7がA+B+Cであるから、こ
れを再書き込みデータ12を保持しているデータレジス
タ11の内容A+B+Cと比較器23にて比較すると完
全に一致がとれ、データ不一致検出線22がオフになる
。
1ビツトエラ一検出線81をオンとする。また誤りビツ
ト位置を知り、冗長ビツトEを反転した値Eが正常な値
であると知るが、データビツトの訂正は行なわれないの
で(データに誤りはないので)読み出しデ゛一タ7はA
−F−B+Cとなる。本発明では、第2図に示すように
、この読み出しデータは極性反転器9により極性反転さ
れた後、データレジスタ11に入力され、さらにこの出
力が再試行書き込みデータ12として再びSEC−DE
D符号発生回路2へ入力される。この時、極性反転器9
および記憶装置4は再試膚庸1樹回路13の出力である
反転器制御線19および記憶装置制御線14により制御
されているのはケース1の場合と同様である。ここに得
られた再試行書き込みデータ12は表2かられかるよう
に〜十B+Cとなる。SEC−DED符号発生回路2は
このデータに対応した冗長ビツトを再び付加して書き込
み、SEC−DED符号として出力するbこの時、付加
される冗長ビツトの内ビツトEが、記憶装置4内でエラ
ーとなる極性Eとして付加されると、SEC−DED符
号3はA+百+C+D′+Eとなる。これが記憶装置4
に書き込まれ、読み出されると、冗長ビツトのEがEと
なるエラーが発生して読み出される以外は、A,B,C
,D′は両極性どちらでもエラーとならないから結局記
憶装置4から読み出されたSEC−DED符号5λ+『
+C+D′+rが、SEC−DED回路6へ入力される
。SEC−DED回路6では1ビツトエラ一を検出し、
誤リビツト位置情報は冗長ビツトEにエラーが発生した
ことを知らせる。従来技術では、1回目の1ビツト誤り
として訂正したものは、再試行動作の結果、エラーが検
出されたときには実際には1ビツト誤りでなく、3ビツ
ト誤りであつて誤訂正であつたことが外部に知らされる
ことになる。しかし本発明によれば、SEC−DED回
路にて再びエラーを検出してもSEC−DED回路から
得られる読み出しデータ7がA+B+Cであるから、こ
れを再書き込みデータ12を保持しているデータレジス
タ11の内容A+B+Cと比較器23にて比較すると完
全に一致がとれ、データ不一致検出線22がオフになる
。
すなわち1ビツトエラ一と判定される。以上の説明によ
り、本発明のデータ反転による再試行動作後のデータ部
の比較結果は、冗長ビツトに1ビツトエラ一があつても
必ず一致がとれ、1ビツトエラ一を3ビツトエラ一とし
て判定されないことがわかつた。一方ケース3は記憶装
置4内でデータ64ビツトの内の3ビツトBが一方の極
性であるBを書いても逆の極性Bとして読まれ、本来3
ビツトエラ一の多ビツトエラ一として検出されるべきな
のにもかかわらず、誤つてビツトCの1ビツトのエラー
として処理してしまう場合である。
り、本発明のデータ反転による再試行動作後のデータ部
の比較結果は、冗長ビツトに1ビツトエラ一があつても
必ず一致がとれ、1ビツトエラ一を3ビツトエラ一とし
て判定されないことがわかつた。一方ケース3は記憶装
置4内でデータ64ビツトの内の3ビツトBが一方の極
性であるBを書いても逆の極性Bとして読まれ、本来3
ビツトエラ一の多ビツトエラ一として検出されるべきな
のにもかかわらず、誤つてビツトCの1ビツトのエラー
として処理してしまう場合である。
この場合SEC−DED符号発生回路2により付加され
た冗長ビツトにより、SEC−DED回路6は誤つて1
ビツトエラ一と検出してしまい1ビツトエラ一検出線8
1をオンとする。また誤つた誤りビツト位置Cを知りそ
のピットの極性を反転してCとする。この時本当に誤つ
た3ビツトBは誤つた極性Bのまま残る。本発明では第
2図に示すように、この訂正後の読み出しデータは極性
反転器9により極性反転されてデータレジスタに入力さ
れて、さらにこの出力が再試行書き込みデータ12とし
て再びSEC−DED符号発生回路2へ入力される。こ
の時極性反転器9及び記憶装置4は再試行制御回路13
の出力である反転器制御線19及び記憶装置制御線14
により制御されているのはケース1の場合と同様である
。ここに得られた再試行書き込みデータ12は表2から
れかるようにA+B+Cとなる。SEC−DED符号発
生回路2はこのデータに対応した冗長ビツHア+ビを再
び付加して書き込み、SEC−DED符号3A+B十C
+ぴ+ビとして出力する。この符号は、ビツトBが記憶
装置4内でエラーとなる極性Bとして書き込まれ、読み
出されることとなる。ビツトB以外のA,C,Yf,j
は両極性のどちらでもエラーとはならないから八+B+
C+V+ビという書き込みSEC−DED符号は結局記
憶装置内で1回目と同様にBがBとなる3ビツトエラ一
を起こしA+B+C+ぴ+ビとなる。この読み出しSE
C−DED符号5は3ビツトBだけがエラーを起こして
いるので、あいかわらず3ビツトエラ一を1ビツトエラ
一として検出されるものであるから、これを入力したS
EC−DED回路6では再びビツトCの1ビツトエラ一
として検出し、その極性Cを反転してCとする。したが
つて読み出しデ゛一タ7はA+B+Cとなる。この読み
出しデータ7とデータレジスタ11の内容A+B+Cを
比較器23にて比較すると不一致となり、データ不一致
検出線はオンとなるので、再試行制御回路の出力である
誤訂正検出回路制御線17によつて活性化されている誤
訂正検出回路20は第2図のゲート構成よりわかるよう
に誤訂正検出線21をオンとする。これにより1回目の
1ビツト誤りとして訂正したものは、実際には1ビツト
誤りではなく、3ビツト誤りであつて誤訂正であつたこ
とが外部に知らされることになる。以上の例では記憶装
置内のエラー現象が固定であつた場合について述べたが
、現実には1回目と2回目で異なつたエラー現象を起す
ことがある。
た冗長ビツトにより、SEC−DED回路6は誤つて1
ビツトエラ一と検出してしまい1ビツトエラ一検出線8
1をオンとする。また誤つた誤りビツト位置Cを知りそ
のピットの極性を反転してCとする。この時本当に誤つ
た3ビツトBは誤つた極性Bのまま残る。本発明では第
2図に示すように、この訂正後の読み出しデータは極性
反転器9により極性反転されてデータレジスタに入力さ
れて、さらにこの出力が再試行書き込みデータ12とし
て再びSEC−DED符号発生回路2へ入力される。こ
の時極性反転器9及び記憶装置4は再試行制御回路13
の出力である反転器制御線19及び記憶装置制御線14
により制御されているのはケース1の場合と同様である
。ここに得られた再試行書き込みデータ12は表2から
れかるようにA+B+Cとなる。SEC−DED符号発
生回路2はこのデータに対応した冗長ビツHア+ビを再
び付加して書き込み、SEC−DED符号3A+B十C
+ぴ+ビとして出力する。この符号は、ビツトBが記憶
装置4内でエラーとなる極性Bとして書き込まれ、読み
出されることとなる。ビツトB以外のA,C,Yf,j
は両極性のどちらでもエラーとはならないから八+B+
C+V+ビという書き込みSEC−DED符号は結局記
憶装置内で1回目と同様にBがBとなる3ビツトエラ一
を起こしA+B+C+ぴ+ビとなる。この読み出しSE
C−DED符号5は3ビツトBだけがエラーを起こして
いるので、あいかわらず3ビツトエラ一を1ビツトエラ
一として検出されるものであるから、これを入力したS
EC−DED回路6では再びビツトCの1ビツトエラ一
として検出し、その極性Cを反転してCとする。したが
つて読み出しデ゛一タ7はA+B+Cとなる。この読み
出しデータ7とデータレジスタ11の内容A+B+Cを
比較器23にて比較すると不一致となり、データ不一致
検出線はオンとなるので、再試行制御回路の出力である
誤訂正検出回路制御線17によつて活性化されている誤
訂正検出回路20は第2図のゲート構成よりわかるよう
に誤訂正検出線21をオンとする。これにより1回目の
1ビツト誤りとして訂正したものは、実際には1ビツト
誤りではなく、3ビツト誤りであつて誤訂正であつたこ
とが外部に知らされることになる。以上の例では記憶装
置内のエラー現象が固定であつた場合について述べたが
、現実には1回目と2回目で異なつたエラー現象を起す
ことがある。
たとえば誤りやすいビツトが3ビツトあつても1回目(
ま3ビ゛ツトエラ一となつても2回目では2ビツトしか
エラーにならない場合などである。このような場合でも
本方式は有効である。なぜならば誤訂正検出回路20は
再試行動作後の比較器23(こおける比較結果が、不一
致となればいつでも誤・訂正検出線21をオンとするか
らである。本方式のもつもう一つの特徴は、固定エラー
の場合はエラー検出のみならず、エラー訂正が行えるこ
とにある。
ま3ビ゛ツトエラ一となつても2回目では2ビツトしか
エラーにならない場合などである。このような場合でも
本方式は有効である。なぜならば誤訂正検出回路20は
再試行動作後の比較器23(こおける比較結果が、不一
致となればいつでも誤・訂正検出線21をオンとするか
らである。本方式のもつもう一つの特徴は、固定エラー
の場合はエラー検出のみならず、エラー訂正が行えるこ
とにある。
表2かられかるように、2回目の訂正後、SEC−DE
D符号はA+B+Cとなり全データを再び反転すれば3
ビツトの固定エラーは正常に訂正されていることになる
。なぜならばケース3の場合でもAは正しく読み出し、
反転して書き込み、読み出し、再ぴ反転するのであるか
らAそのものであり、Bは誤つて読み出し、反転して書
き込み、誤つて読み出し再び反転するのであるから正し
いBの極性に戻り、Cは正しく読み出し、誤つて訂正(
反転)され、反転して書き込み、正しく読み出し更に誤
つて訂正(反転)され再び反転されるのであるから正し
いCの極性に戻つていることによる。以上の説明により
、冗長ビツトに1ビツトエラ一が発生した場合、それを
あたかも3ビツトエラ一のように処理してしまう問題を
完全に解決できることがわかつた。
D符号はA+B+Cとなり全データを再び反転すれば3
ビツトの固定エラーは正常に訂正されていることになる
。なぜならばケース3の場合でもAは正しく読み出し、
反転して書き込み、読み出し、再ぴ反転するのであるか
らAそのものであり、Bは誤つて読み出し、反転して書
き込み、誤つて読み出し再び反転するのであるから正し
いBの極性に戻り、Cは正しく読み出し、誤つて訂正(
反転)され、反転して書き込み、正しく読み出し更に誤
つて訂正(反転)され再び反転されるのであるから正し
いCの極性に戻つていることによる。以上の説明により
、冗長ビツトに1ビツトエラ一が発生した場合、それを
あたかも3ビツトエラ一のように処理してしまう問題を
完全に解決できることがわかつた。
さらにデータが3ビツトエラ一を起した場合、それをあ
たかも1ビツトエラ一のように処理してしまい、その後
の計算機処理に混乱を起してしまう問題も完全に摘出で
きることがわかつた。
たかも1ビツトエラ一のように処理してしまい、その後
の計算機処理に混乱を起してしまう問題も完全に摘出で
きることがわかつた。
また記憶装置内のエラー現象が固定エラーと決まつてい
る場合には3ビツトエラ一の訂正さえもできることがわ
かつた。以上の例では3ビツトエラ一についての効果の
みについて記したが、5ビツト、7ビツトという奇数の
複数エラーを1ビツトエラ一とみなしてしまう場合もあ
り、これらの時にも本方式が効果あることは容易に類推
できる。
る場合には3ビツトエラ一の訂正さえもできることがわ
かつた。以上の例では3ビツトエラ一についての効果の
みについて記したが、5ビツト、7ビツトという奇数の
複数エラーを1ビツトエラ一とみなしてしまう場合もあ
り、これらの時にも本方式が効果あることは容易に類推
できる。
またここに述べたエラー検出訂正方式は記憶装置のみが
対象となるものではなく、信頼性が要求される装置なら
ばなににでも適用できることは明らかである。
対象となるものではなく、信頼性が要求される装置なら
ばなににでも適用できることは明らかである。
さらに、1ビツトエラ一訂正、2ビツトエラ一検出につ
いて具体例を述べたが、本発明はmビツトエラ一訂正(
mは1以上の正の整数)、m+1ビツトエラ一検出に拡
張してそのまま適用できる。
いて具体例を述べたが、本発明はmビツトエラ一訂正(
mは1以上の正の整数)、m+1ビツトエラ一検出に拡
張してそのまま適用できる。
この場合、mが大きくなるほど冗長ビツトのビツト数を
増すだけである。本方式により冗長ビツトの1ビツトエ
ラ一を3ビツトエラ一と誤つて検出する従来方式の問題
点を完全に解決し、さらに3ビツト以上の記憶装置内の
データエラーを誤つて1ビツトエラ一として処理する誤
訂正の検出が行なえるようになつた。
増すだけである。本方式により冗長ビツトの1ビツトエ
ラ一を3ビツトエラ一と誤つて検出する従来方式の問題
点を完全に解決し、さらに3ビツト以上の記憶装置内の
データエラーを誤つて1ビツトエラ一として処理する誤
訂正の検出が行なえるようになつた。
このため計算機の信頼度が大巾に向上した。一方第2図
に示すような回路が必要となつたが、これらと同等の動
作は計算機のマイクロプログラムで行うことが可能であ
り、特別なハードウエアの付加は不要な場合が多い。さ
らに本方式は符号化の方法により影響を受けないため、
どのような符号化の方法においても採用できる。
に示すような回路が必要となつたが、これらと同等の動
作は計算機のマイクロプログラムで行うことが可能であ
り、特別なハードウエアの付加は不要な場合が多い。さ
らに本方式は符号化の方法により影響を受けないため、
どのような符号化の方法においても採用できる。
また本方式により、記憶装置のエラー現象が固定である
場合は多ビツトエラ一でも検出のみならず訂正まで可能
となる。
場合は多ビツトエラ一でも検出のみならず訂正まで可能
となる。
このことは記憶装置の記憶素子に固定エラーしか起さな
いものを採用した場合はすこぶる顕著であるばかりでな
く、通常のICメモリを採用した記憶装置などでも多ビ
ツトエラ一発生後にその正しい値を得る上で効果がある
。
いものを採用した場合はすこぶる顕著であるばかりでな
く、通常のICメモリを採用した記憶装置などでも多ビ
ツトエラ一発生後にその正しい値を得る上で効果がある
。
第1図はSEC−DED符号を用いた装置のプロツク図
、第2図は本発明の一実施例を示すプロツク図である。 2・・・・・・SEC−DED符号発生器、4・・・・
・・記憶装置、6・・・・・・SEC−DED回路、9
・・・・・・極性反転器、11・・・・・・データレジ
スタ、13・・・・・・再試行制御回路、15・・・・
・・記憶制御回路、20・・・・・・誤訂正検出回路、
23・・・・・・比較器。
、第2図は本発明の一実施例を示すプロツク図である。 2・・・・・・SEC−DED符号発生器、4・・・・
・・記憶装置、6・・・・・・SEC−DED回路、9
・・・・・・極性反転器、11・・・・・・データレジ
スタ、13・・・・・・再試行制御回路、15・・・・
・・記憶制御回路、20・・・・・・誤訂正検出回路、
23・・・・・・比較器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 データビットに冗長ビットを付してmビットのエラ
ーを訂正し、m+1ビットのエラーを検出する方式にお
いて、上記データビットと冗長ビットが記憶された記憶
装置から両ビットを読み出してエラー検出訂正回路にて
mビットエラーとして検出され訂正された場合、訂正後
のデータビットを全て極性反転し、この訂正後の極性反
転されたデータビットから新たに冗長ビットを発生して
上記記憶装置に書き込み、しかる後該データビットなら
びに冗長ビットを読み出して上記エラー検出訂正回路に
与え、このエラー検出訂正回路から得られたデータビッ
トと上記エラー検出訂生回路から初回に得られたデータ
ビットとを比較し、この比較結果によりm+1ビット以
上のエラーであると判定することを特徴とするエラー訂
正・検出方式。 2 データビットを比較するために比較器を有し、該比
較器においては極性の同じデータビットどおしが比較さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエラ
ー訂正・検出方式。 3 比較器において、元のデータビットに対して反転さ
れたデータビットが比較され、その結果一致しない場合
のみm+1ビット以上のエラーと判定することを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載のエラー訂正・検出方式
。 4 m=1であつて、データビットnに対し、2^k^
−^1−(n+k)≧0を満足する冗長ビットkが付加
されて記憶装置に書き込まれることを特徴とする特許請
求の範囲第1項乃至3項のいずれかの項記載のエラー訂
正・検出方式。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54012275A JPS592057B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | エラ−訂正・検出方式 |
| US06/084,452 US4296494A (en) | 1979-02-07 | 1979-10-12 | Error correction and detection systems |
| DE2942998A DE2942998C2 (de) | 1979-02-07 | 1979-10-24 | Fehler-Korrektur- und Erkennungs-Anordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54012275A JPS592057B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | エラ−訂正・検出方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55105900A JPS55105900A (en) | 1980-08-13 |
| JPS592057B2 true JPS592057B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=11800807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54012275A Expired JPS592057B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | エラ−訂正・検出方式 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4296494A (ja) |
| JP (1) | JPS592057B2 (ja) |
| DE (1) | DE2942998C2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051749B2 (ja) * | 1979-08-31 | 1985-11-15 | 富士通株式会社 | エラ−訂正方式 |
| JPS5671154A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Nec Corp | Information processing device |
| US4365332A (en) * | 1980-11-03 | 1982-12-21 | Fairchild Camera And Instrument Corp. | Method and circuitry for correcting errors in recirculating memories |
| US4417339A (en) * | 1981-06-22 | 1983-11-22 | Burroughs Corporation | Fault tolerant error correction circuit |
| US4458349A (en) * | 1982-06-16 | 1984-07-03 | International Business Machines Corporation | Method for storing data words in fault tolerant memory to recover uncorrectable errors |
| US4535455A (en) * | 1983-03-11 | 1985-08-13 | At&T Bell Laboratories | Correction and monitoring of transient errors in a memory system |
| US4608687A (en) * | 1983-09-13 | 1986-08-26 | International Business Machines Corporation | Bit steering apparatus and method for correcting errors in stored data, storing the address of the corrected data and using the address to maintain a correct data condition |
| US4604751A (en) * | 1984-06-29 | 1986-08-05 | International Business Machines Corporation | Error logging memory system for avoiding miscorrection of triple errors |
| JPS61134988A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-23 | Toshiba Corp | 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能制御系 |
| DE3482509D1 (de) * | 1984-12-28 | 1990-07-19 | Ibm | Geraet zum korrigieren von fehlern in speichern. |
| US4780809A (en) * | 1986-08-08 | 1988-10-25 | Amdahl Corporation | Apparatus for storing data with deferred uncorrectable error reporting |
| JPH01183000A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 誤り訂正回路を有する半導体メモリ装置 |
| US5058115A (en) * | 1989-03-10 | 1991-10-15 | International Business Machines Corp. | Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with lock-up feature |
| US5418796A (en) * | 1991-03-26 | 1995-05-23 | International Business Machines Corporation | Synergistic multiple bit error correction for memory of array chips |
| US5267242A (en) * | 1991-09-05 | 1993-11-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for substituting spare memory chip for malfunctioning memory chip with scrubbing |
| US5644583A (en) * | 1992-09-22 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Soft error correction technique and system for odd weight row error correction codes |
| JP3328935B2 (ja) * | 1993-08-13 | 2002-09-30 | ケイディーディーアイ株式会社 | 並列多値ニューラルネットワーク |
| JP2731745B2 (ja) * | 1995-03-23 | 1998-03-25 | 甲府日本電気株式会社 | データ障害処理装置 |
| EP1125202B1 (de) * | 1998-10-30 | 2003-06-18 | Infineon Technologies AG | Speichereinrichtung zum speichern von daten und verfahren zum betreiben von speichereinrichtungen zum speichern von daten |
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| US7747936B2 (en) * | 2004-03-02 | 2010-06-29 | Stmicroelectronics Sa | Device for protection against error injection into an asynchronous logic block of an elementary logic module |
| FR2867326A1 (fr) * | 2004-03-02 | 2005-09-09 | St Microelectronics Sa | Dispositif de protection contre l'injection d'erreur dans une bascule synchrone d'un module logique elementaire |
| KR100571758B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반전된 패턴 데이터 비교부를 구비하는 반도체 메모리장치 및 이 장치의 병렬 비트 테스트 방법 |
| JP5059524B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-10-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | メモリ制御回路、半導体集積回路、不揮発性メモリのベリファイ方法 |
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| US20110099439A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Infineon Technologies Ag | Automatic diverse software generation for use in high integrity systems |
| US20110208948A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | Infineon Technologies Ag | Reading to and writing from peripherals with temporally separated redundant processor execution |
| US8516356B2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-08-20 | Infineon Technologies Ag | Real-time error detection by inverse processing |
| WO2012073071A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Error correcting device, method for monitoring an error correcting device and data processing system |
| CN104471602A (zh) * | 2012-05-16 | 2015-03-25 | 英特拉有限公司 | 发票和运费结算单的匹配和争议解决 |
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| WO2017030564A1 (en) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Post package repair for mapping to a memory failure pattern |
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