JPS59206733A - 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置 - Google Patents
高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置Info
- Publication number
- JPS59206733A JPS59206733A JP6997883A JP6997883A JPS59206733A JP S59206733 A JPS59206733 A JP S59206733A JP 6997883 A JP6997883 A JP 6997883A JP 6997883 A JP6997883 A JP 6997883A JP S59206733 A JPS59206733 A JP S59206733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- light
- monitoring device
- shield
- high potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/668—Means for obtaining or monitoring the vacuum
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は真空遮断器、電力管等の高電位に接続して利
用する真空機器の真空監視装置に関する。
用する真空機器の真空監視装置に関する。
従来高電位に接続されている真空機器で真空監視装置を
備えているものけ大出力のマイクロ波管。
備えているものけ大出力のマイクロ波管。
例えばクライストロンが真空排気を兼ねたイオンポンプ
を取シ付けている。それは複雑で大型な真空監視装置で
あった。
を取シ付けている。それは複雑で大型な真空監視装置で
あった。
大部分の真空機器は、もっばら長年の経験と実績から、
機器製作時の圧力から、真空圧に関する耐用年数を評価
している。また、真空度によって電界強度が変化するこ
とを利用して、真空機器の近くにポッケルス素子、液晶
素子などを設けて真空度を監視する装置もあるが、信号
を得るために光源などが必要で、暗所では視覚的に監視
できなかった。− 〔発明の目的〕 この発明は上述のように真空監視装置の欠落を無し、高
電位に接続された状態でも明視して真空監視全すること
の出来る装置全提供するものである。
機器製作時の圧力から、真空圧に関する耐用年数を評価
している。また、真空度によって電界強度が変化するこ
とを利用して、真空機器の近くにポッケルス素子、液晶
素子などを設けて真空度を監視する装置もあるが、信号
を得るために光源などが必要で、暗所では視覚的に監視
できなかった。− 〔発明の目的〕 この発明は上述のように真空監視装置の欠落を無し、高
電位に接続された状態でも明視して真空監視全すること
の出来る装置全提供するものである。
本発明は、螢光物質からの光強度が、真空度に依存する
電界強度にょシ変化することを利用したものである。ま
た、たとえば真空遮断器の真空装量内部にあるシールド
と対接地との電界が、真空装置内部圧力の上昇にともな
い、増大することを利用して螢光物質からの光強度が増
大することで、圧力の監視し、ようとする高電位に接続
して利用する真空様器の真空監視装置である。
電界強度にょシ変化することを利用したものである。ま
た、たとえば真空遮断器の真空装量内部にあるシールド
と対接地との電界が、真空装置内部圧力の上昇にともな
い、増大することを利用して螢光物質からの光強度が増
大することで、圧力の監視し、ようとする高電位に接続
して利用する真空様器の真空監視装置である。
したがって真空監視装置と遮断器とは、空間的に離れて
おシ直接目で確認できる。また光ファイバーなどでその
発光を導びき遠隔的に視覚あるいは計器測定が可能であ
ることを特徴としている。
おシ直接目で確認できる。また光ファイバーなどでその
発光を導びき遠隔的に視覚あるいは計器測定が可能であ
ることを特徴としている。
本発明によ9次の効果が得られる。(1)真空遮断器が
高電位に接続された状態でも容易に接地電位で真空監視
可能である。(2)直接視覚的に確かめられる。測定容
゛易である。(3)遠隔測定可能で、集中監視可能であ
る。
高電位に接続された状態でも容易に接地電位で真空監視
可能である。(2)直接視覚的に確かめられる。測定容
゛易である。(3)遠隔測定可能で、集中監視可能であ
る。
第1図に本発明の一実施例を示す。
1対の電極1,2はそれぞれ取付フランジ8.4および
絶縁性外囲器5とベローズ6とによって真空容器内に封
じ込められている。また、1対の電極1.2の周囲にシ
ールド7が設置されている。シールド7は、電気的に絶
縁されている。また、絶縁性外囲器5の外部に真空監視
装置8が設置されている。
絶縁性外囲器5とベローズ6とによって真空容器内に封
じ込められている。また、1対の電極1.2の周囲にシ
ールド7が設置されている。シールド7は、電気的に絶
縁されている。また、絶縁性外囲器5の外部に真空監視
装置8が設置されている。
第2図に真空監視装置の構成図を示す。
螢光素子Sはガラス板10に螢光物質9を塗布して構成
している螢光物質としては、硫化亜鉛、磁化カドミウム
系などを使用する。ガラス板1oの螢光物質9の塗布面
と異なる面の一部に電極11を設け、電極11のすくな
くとも一対の端子を設置し、接地可能なスイッチング素
子12に接続する。また電極11は螢光物質9の発光を
透過させるために電極11の一部分を小穴を有するか、
あるいは光透過性の箪導膜をガラス板10(で捨布する
。また光をライトガイド13を通して、光電気変換素子
14へ導びく。そして抵抗15を介して、抵抗15の両
端の光強度に対応した電圧変化を検出器16で測定する
。
している螢光物質としては、硫化亜鉛、磁化カドミウム
系などを使用する。ガラス板1oの螢光物質9の塗布面
と異なる面の一部に電極11を設け、電極11のすくな
くとも一対の端子を設置し、接地可能なスイッチング素
子12に接続する。また電極11は螢光物質9の発光を
透過させるために電極11の一部分を小穴を有するか、
あるいは光透過性の箪導膜をガラス板10(で捨布する
。また光をライトガイド13を通して、光電気変換素子
14へ導びく。そして抵抗15を介して、抵抗15の両
端の光強度に対応した電圧変化を検出器16で測定する
。
第3図に、真空遮断器内部の真空度とシールド7および
電極11の電圧・電界の関係および螢光物質からの発光
強度の関係を示めす。
電極11の電圧・電界の関係および螢光物質からの発光
強度の関係を示めす。
第3図を用いて本発明の実施例の動作を説明する。真空
度が良好の場合、すなわち圧力が低い場合シールド9と
電極11の間の電圧は低いので螢光物質9にかかる電界
は低くほとんど発光しない。
度が良好の場合、すなわち圧力が低い場合シールド9と
電極11の間の電圧は低いので螢光物質9にかかる電界
は低くほとんど発光しない。
また、真空度が不良になシ、圧力が高くなるとシールド
9と゛電極11の間の電圧は高くなシ、螢光物質9にか
かる電界は高くしだがって発光が起こシ発光強度は、圧
力上昇とともに大きくなる。このようにして発光強度か
ら真空遮断器内部の真空装が知られる。本実施例におい
て、光の導入法、受光の電気的変換法など信号の処理法
について述べなかったが、本発明の目的を達する方法で
あればどのような方法でもよい。
9と゛電極11の間の電圧は高くなシ、螢光物質9にか
かる電界は高くしだがって発光が起こシ発光強度は、圧
力上昇とともに大きくなる。このようにして発光強度か
ら真空遮断器内部の真空装が知られる。本実施例におい
て、光の導入法、受光の電気的変換法など信号の処理法
について述べなかったが、本発明の目的を達する方法で
あればどのような方法でもよい。
またスイッチ素子12は設置しなくとも全く同様の効果
を得る。螢光物質9はセ、界(電圧)によシ発光する物
質であれは木発I!1′Uに含丑ねる。
を得る。螢光物質9はセ、界(電圧)によシ発光する物
質であれは木発I!1′Uに含丑ねる。
第4図に本発明の他の′J施例を示ゴ。
、!!!縁性外性外囲器5とえば光?過可能なガラスの
場合は、絶縁性外囲器5の内側に螢光物質9を原料して
も同様の効果が得らiする。
場合は、絶縁性外囲器5の内側に螢光物質9を原料して
も同様の効果が得らiする。
)1
第1図に$空遮断苔に真空監視可能を取シ付1′11
けたところの断面図、第2図〜螢光W−光の払出部す
と光電り変換装置の構成図、H3pq圧力と螢光物質に
かかる電圧・電界および発光の関係図、第4図N他の実
施例で、$空遮断器内壁に低光物質を塗付した場合の一
部断面しlである。 8・・・螢光検出部、9・・・螢光物質、10・ ガラ
ス板、11・・電極、13・・・ライトガイド。 14・・光電気変換素子。 第 1 図 第3図 第 4 図 手続補正書(自発) 昭和s?e、5s 日 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭58−69978号 2、発明の名称 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)株式会社 東芝 4、代理人 〒105 東京都港区芝浦−丁目1番1号 (1)明細書の特許請求の範囲の欄 (2)明細書の発明の詳細な説明の欄 (3)明細書の図面の簡単な説明の欄 6、補正の内容 (1)本願明細書記載の特許請求の範囲を別紙のとおシ
訂正する。 (2)本願明細書第5頁第12行目記載の「シールド9
」を1シールド7」と訂正する。 (3)同上同頁第14行目乃至第15行目記載の1シー
ルド9」を「シールド7」と訂正する。 (4)同上第6頁第3行目記載の「・スイッチ素子12
は」の後に「、この測定を行なわない場合に、螢光素子
Sを周囲の高電界雰囲気から保護するために、接地電位
から離せるように設けたもので、」を挿入する。 (5)同上同頁第10行目と第11行目との間K、[ま
、第5図に示すように、ガラス板10と電極11と間に
セレン膜のような光が照射されると電気抵が変化する光
電導層17を設けることにより、第3図中の一点鎖線の
ように、さらに高感度となる。 この光電導層17は、例えば、電界が低く螢光物質9が
発光せず光の入射がないと電気抵抗が高く、光物質9に
印加される電圧が小さくなり、よシ螢光物質9が発光さ
れにくくなる。そして螢光物質9が発光すると、との光
電導層17の電気抵抗が低くなり、螢光物質9に印加さ
れる電圧が大きくなり、それに対応した電圧発光を示す
。故K、この光電導層17を設けることにより発光増巾
作用が得られるのであり、真空度監視時に小さな発光変
化も見すごすことなく監視できるのである。 さらに螢光素子Sの感度を高めるために、螢光物質例に
、ライトガイド】8を介して導入される光源19からの
光を照射することにより、さらに光増巾され、高感度の
装置が構成できる。」を挿入する0 (6)同上同頁第17行目記載の「・・・・一部所面図
」の後に「、第5図は本発明の他の実施例を示す構成図
」を挿入する。 (7)本願図面の第3図を別層のとおり訂正する。 (8)同上図面に第5図を追加する。 以上 2、特許請求の範囲 (1)高電圧に接続して使用する真空機器の近くに電界
により光を発する螢光素子を配置してなることを特徴と
する高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置
。 (2)螢光素子を光透過可能な誘電体基板と、との基板
の一面に付着した螢光物質と、前記基板の他面に設けた
導電性電極とで構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の高電位に接続して利用する真空機器の真
空監視装置。 (3)螢光素子の基板面を真空機器内に設けられている
シールド面に平行対面配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の高電位に接続して利用する真空機
器の真空監視装置。 (4)螢光素子の発光する光をライトガイドで受光して
得られる信号の受信を実質的に接地電位で行なうよう構
成してなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置。 層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第2空監視
装置。 て利用する真空機器の真空監視装置。 第一8 図 第5図
かかる電圧・電界および発光の関係図、第4図N他の実
施例で、$空遮断器内壁に低光物質を塗付した場合の一
部断面しlである。 8・・・螢光検出部、9・・・螢光物質、10・ ガラ
ス板、11・・電極、13・・・ライトガイド。 14・・光電気変換素子。 第 1 図 第3図 第 4 図 手続補正書(自発) 昭和s?e、5s 日 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭58−69978号 2、発明の名称 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)株式会社 東芝 4、代理人 〒105 東京都港区芝浦−丁目1番1号 (1)明細書の特許請求の範囲の欄 (2)明細書の発明の詳細な説明の欄 (3)明細書の図面の簡単な説明の欄 6、補正の内容 (1)本願明細書記載の特許請求の範囲を別紙のとおシ
訂正する。 (2)本願明細書第5頁第12行目記載の「シールド9
」を1シールド7」と訂正する。 (3)同上同頁第14行目乃至第15行目記載の1シー
ルド9」を「シールド7」と訂正する。 (4)同上第6頁第3行目記載の「・スイッチ素子12
は」の後に「、この測定を行なわない場合に、螢光素子
Sを周囲の高電界雰囲気から保護するために、接地電位
から離せるように設けたもので、」を挿入する。 (5)同上同頁第10行目と第11行目との間K、[ま
、第5図に示すように、ガラス板10と電極11と間に
セレン膜のような光が照射されると電気抵が変化する光
電導層17を設けることにより、第3図中の一点鎖線の
ように、さらに高感度となる。 この光電導層17は、例えば、電界が低く螢光物質9が
発光せず光の入射がないと電気抵抗が高く、光物質9に
印加される電圧が小さくなり、よシ螢光物質9が発光さ
れにくくなる。そして螢光物質9が発光すると、との光
電導層17の電気抵抗が低くなり、螢光物質9に印加さ
れる電圧が大きくなり、それに対応した電圧発光を示す
。故K、この光電導層17を設けることにより発光増巾
作用が得られるのであり、真空度監視時に小さな発光変
化も見すごすことなく監視できるのである。 さらに螢光素子Sの感度を高めるために、螢光物質例に
、ライトガイド】8を介して導入される光源19からの
光を照射することにより、さらに光増巾され、高感度の
装置が構成できる。」を挿入する0 (6)同上同頁第17行目記載の「・・・・一部所面図
」の後に「、第5図は本発明の他の実施例を示す構成図
」を挿入する。 (7)本願図面の第3図を別層のとおり訂正する。 (8)同上図面に第5図を追加する。 以上 2、特許請求の範囲 (1)高電圧に接続して使用する真空機器の近くに電界
により光を発する螢光素子を配置してなることを特徴と
する高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置
。 (2)螢光素子を光透過可能な誘電体基板と、との基板
の一面に付着した螢光物質と、前記基板の他面に設けた
導電性電極とで構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の高電位に接続して利用する真空機器の真
空監視装置。 (3)螢光素子の基板面を真空機器内に設けられている
シールド面に平行対面配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の高電位に接続して利用する真空機
器の真空監視装置。 (4)螢光素子の発光する光をライトガイドで受光して
得られる信号の受信を実質的に接地電位で行なうよう構
成してなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置。 層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第2空監視
装置。 て利用する真空機器の真空監視装置。 第一8 図 第5図
Claims (4)
- (1)高電圧に接続して使用する真空機器の近くに電界
により光を発する螢光素子を配置してなることを特徴と
する高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置
。 - (2)螢光素子を光透過可能な誘電体基板と、この基板
の一面に付着した螢光物質と、前記基板の他面に設けた
導電性電極とで構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の高電位に接続して利用する真空機器の真
空監視装置。 - (3)螢光素子の基板面を真空機器内に設けられている
シールド面に平行対面配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の高電位に接続して利用する真空機
器の真空監視装置。 - (4)螢光素子の発光する光をライトガイドで受光して
得られる信号の受信を実質的に接地電信で行左うようホ
ζ成して浸ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6997883A JPS59206733A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6997883A JPS59206733A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59206733A true JPS59206733A (ja) | 1984-11-22 |
Family
ID=13418252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6997883A Pending JPS59206733A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 高電位に接続して利用する真空機器の真空監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59206733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158029A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-18 | Meidensha Corp | 真空インタラプタの真空度低下検出装置 |
| JPH02158028A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-18 | Meidensha Corp | 真空インタラプタの真空度低下検出装置 |
| CN102110544A (zh) * | 2009-12-25 | 2011-06-29 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种运动部件位置的真空信号引出装置 |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP6997883A patent/JPS59206733A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02158029A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-18 | Meidensha Corp | 真空インタラプタの真空度低下検出装置 |
| JPH02158028A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-18 | Meidensha Corp | 真空インタラプタの真空度低下検出装置 |
| CN102110544A (zh) * | 2009-12-25 | 2011-06-29 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种运动部件位置的真空信号引出装置 |
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