JPS5920843A - 真空中試料加熱装置 - Google Patents
真空中試料加熱装置Info
- Publication number
- JPS5920843A JPS5920843A JP13165082A JP13165082A JPS5920843A JP S5920843 A JPS5920843 A JP S5920843A JP 13165082 A JP13165082 A JP 13165082A JP 13165082 A JP13165082 A JP 13165082A JP S5920843 A JPS5920843 A JP S5920843A
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- Japan
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- sample
- temperature
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
- G01N25/20—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity
- G01N25/48—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating the development of heat, i.e. calorimetry, e.g. by measuring specific heat, by measuring thermal conductivity on solution, sorption, or a chemical reaction not involving combustion or catalytic oxidation
- G01N25/4806—Details not adapted to a particular type of sample
- G01N25/4826—Details not adapted to a particular type of sample concerning the heating or cooling arrangements
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空中で試料の分析或は観察を行う場合におけ
る試料の加熱装置に関する。
る試料の加熱装置に関する。
従来の真空中における試料加熱装置は試料を８００℃〜
１０００℃程度まで加熱するのがやっとであシ、また室
温から高温まで連続的に温度制御をすることができなか
った。即ち、従来の真空中試料加熱装置は第１四人又は
Ｂに示すように試料ホルダ２を熱源によって加熱されて
いる加熱炉８によって加熱すると云う方式を採っていだ
ので、試料が到達できる温度は加熱炉８と試料ホルダ２
との間の熱の伝達効率によって制約され、真空中にあっ
ては加熱炉と試料ホルダとの間の熱の伝達は主として熱
輻射によって行われるため、加熱炉は試料よりかなシ高
温であることを要し、加熱炉の耐熱性が試料温度の上限
を押えていた。更に詳しく説明すると第１図で５はフイ
ラメン）・であり、加熱炉８とフィラメント５との間に
はフィラメント５から放出された電子を加速する電圧が
印加してあり、加熱炉８はフィラメント５からの輻射熱
とフィラメント５から放射される電子の衝撃によって加
熱されるようになっている。試料ホルダ２は加熱炉８に
嵌合されるが、交換可能とするため嵌合はゆるい嵌合で
あり試料ホルダ２と加熱炉Ｂとの間の接触面はわずかな
凹凸のため全面的に接触すると云うことは不可能で実際
には小数の点で接触しているに過ぎず、両者間には隙間
がある。
１０００℃程度まで加熱するのがやっとであシ、また室
温から高温まで連続的に温度制御をすることができなか
った。即ち、従来の真空中試料加熱装置は第１四人又は
Ｂに示すように試料ホルダ２を熱源によって加熱されて
いる加熱炉８によって加熱すると云う方式を採っていだ
ので、試料が到達できる温度は加熱炉８と試料ホルダ２
との間の熱の伝達効率によって制約され、真空中にあっ
ては加熱炉と試料ホルダとの間の熱の伝達は主として熱
輻射によって行われるため、加熱炉は試料よりかなシ高
温であることを要し、加熱炉の耐熱性が試料温度の上限
を押えていた。更に詳しく説明すると第１図で５はフイ
ラメン）・であり、加熱炉８とフィラメント５との間に
はフィラメント５から放出された電子を加速する電圧が
印加してあり、加熱炉８はフィラメント５からの輻射熱
とフィラメント５から放射される電子の衝撃によって加
熱されるようになっている。試料ホルダ２は加熱炉８に
嵌合されるが、交換可能とするため嵌合はゆるい嵌合で
あり試料ホルダ２と加熱炉Ｂとの間の接触面はわずかな
凹凸のため全面的に接触すると云うことは不可能で実際
には小数の点で接触しているに過ぎず、両者間には隙間
がある。
ｊ〜かも真空中であるから、この隙間における熱の伝達
は熱輻射による他なく、熱伝導による伝熱はわづかであ
る。試料ホルダの到達温度は自慰の熱輻射による放熱量
と上述しだ熱輻射による加熱炉からの伝熱量とのバラン
スによって定寸り、試料ホルダの全面積と加熱炉との間
の伝熱面積との比を１０：１程度と仮定し、ステファン
ボルツマンの法測によって計算してみると、試料ホルダ
２を１０００°Ｋに保つためには加熱炉８ば１５５００
に位にする必要があり、加熱炉８の耐熱度によって試料
の高温限界が決まり、その温度は加熱炉の耐熱限界温度
よりかなり低くなる。捷だ従来は加熱炉の温度制御はフ
ィラメント５と加熱炉８との間に印加している電子加速
電圧を変えることによって行っていた。このため電子加
速電圧をＯにしても、フィラメント５は通電された寸＼
であり、フィラメント５０発熱だけで試料ホルダ２ば１
００００以上に保たれるので、１００℃以下の温度での
分析、測定はできなかった。
は熱輻射による他なく、熱伝導による伝熱はわづかであ
る。試料ホルダの到達温度は自慰の熱輻射による放熱量
と上述しだ熱輻射による加熱炉からの伝熱量とのバラン
スによって定寸り、試料ホルダの全面積と加熱炉との間
の伝熱面積との比を１０：１程度と仮定し、ステファン
ボルツマンの法測によって計算してみると、試料ホルダ
２を１０００°Ｋに保つためには加熱炉８ば１５５００
に位にする必要があり、加熱炉８の耐熱度によって試料
の高温限界が決まり、その温度は加熱炉の耐熱限界温度
よりかなり低くなる。捷だ従来は加熱炉の温度制御はフ
ィラメント５と加熱炉８との間に印加している電子加速
電圧を変えることによって行っていた。このため電子加
速電圧をＯにしても、フィラメント５は通電された寸＼
であり、フィラメント５０発熱だけで試料ホルダ２ば１
００００以上に保たれるので、１００℃以下の温度での
分析、測定はできなかった。
本発明は上述したような従来例における２つの問題点即
ち高温限界が低い所で押えられている点と室温程度の領
域での分析、測定に用いることができないと云う点を解
消することを目的とするものである。
ち高温限界が低い所で押えられている点と室温程度の領
域での分析、測定に用いることができないと云う点を解
消することを目的とするものである。
本発明試料加熱装置は試料ホルダを直接フィラメントと
対向させ、フィラメントと試料ホルダとの間に電子加速
用電圧を印加すると共にフィラメント電流を調節するこ
とにより試料ホルダの温度を制御するようにしたことを
特徴とするもので、試料ホルダが直接加熱されるだめ、
試料ホルダを上述した従来の加熱炉の温度まで加熱でき
、またフィラメント電流が調節できるので、フィラメン
ト電流を下げれば熱電子放射は減少し、電子衝撃による
加熱が低下してフィラメントの温度低下との相加作用で
試料ホルダの温度が下り、温度調節の下方延長としてフ
ィラメント電流をＯにすれば電子放射がなくなるので、
電子加速電圧を印加したま＼であっても試料ホルダの加
熱は停止し、試料は最高温から室温まで連続的に試料温
度の制御７５１” を行うことができる。更に加熱炉ｘ−ｔ’を不要だから
構造簡単であり安価に試料加熱装置を提供することがで
きる。
対向させ、フィラメントと試料ホルダとの間に電子加速
用電圧を印加すると共にフィラメント電流を調節するこ
とにより試料ホルダの温度を制御するようにしたことを
特徴とするもので、試料ホルダが直接加熱されるだめ、
試料ホルダを上述した従来の加熱炉の温度まで加熱でき
、またフィラメント電流が調節できるので、フィラメン
ト電流を下げれば熱電子放射は減少し、電子衝撃による
加熱が低下してフィラメントの温度低下との相加作用で
試料ホルダの温度が下り、温度調節の下方延長としてフ
ィラメント電流をＯにすれば電子放射がなくなるので、
電子加速電圧を印加したま＼であっても試料ホルダの加
熱は停止し、試料は最高温から室温まで連続的に試料温
度の制御７５１” を行うことができる。更に加熱炉ｘ−ｔ’を不要だから
構造簡単であり安価に試料加熱装置を提供することがで
きる。
以下実施例によって本発明を説明する。第２図に本発明
の一実施例を示す。ｌは試料で試料ホルダ２上に載置さ
れる。試料ホルダ２は例えばステンレス鋼で作られてお
り、円柱形で中心部には下方から穴２２が穿っである。
の一実施例を示す。ｌは試料で試料ホルダ２上に載置さ
れる。試料ホルダ２は例えばステンレス鋼で作られてお
り、円柱形で中心部には下方から穴２２が穿っである。
４は試料支え台でステンレス鋼などで作られており、中
央の貫通孔にセラミックの筒３が嵌着固定しである。こ
の筒３の外径は試料ホルダ２の穴２２にゆるく嵌合でき
るようになっており、試料ホルダ２を台４に載置したと
きの試料ホルダ２の位置決めと、試料ホルダ２とフィラ
メント５との間の電気的絶縁を行うものである。フィラ
メント５は筒３の中に挿入されており、６はフィラメン
ト加熱用の電圧可変電する電圧の電圧源である。試料温
度は電源６を調節することによって制御される。
央の貫通孔にセラミックの筒３が嵌着固定しである。こ
の筒３の外径は試料ホルダ２の穴２２にゆるく嵌合でき
るようになっており、試料ホルダ２を台４に載置したと
きの試料ホルダ２の位置決めと、試料ホルダ２とフィラ
メント５との間の電気的絶縁を行うものである。フィラ
メント５は筒３の中に挿入されており、６はフィラメン
ト加熱用の電圧可変電する電圧の電圧源である。試料温
度は電源６を調節することによって制御される。
上述した試料加熱装置では試料温度の調節にフィラメン
ト電流の調節と共に電子加速電圧電源７の電圧を変えて
もよいが、変えなくても充分温度調節ができる。−１：
ず３゛００℃位までの低温域ではフィラメント電流が低
くフィラメントは比較的低温で熱電子の放出はきわめて
少く、電子加速電圧が印加された一ＩＮであっても電子
衝撃による試料ホルダ２の加熱は殆んど行われず、フィ
ラメント５からの輻射熱だけで試料ホルダの加熱が行わ
れる。高温域ではフィラメント電流の増加によりフィラ
メント温度が上って熱電子放出が盛になり電子衝撃によ
る加熱が旺盛となり更にフィラメントの熱輻射が加熱を
助け、非常に広い範囲で温度調節が可能である。
ト電流の調節と共に電子加速電圧電源７の電圧を変えて
もよいが、変えなくても充分温度調節ができる。−１：
ず３゛００℃位までの低温域ではフィラメント電流が低
くフィラメントは比較的低温で熱電子の放出はきわめて
少く、電子加速電圧が印加された一ＩＮであっても電子
衝撃による試料ホルダ２の加熱は殆んど行われず、フィ
ラメント５からの輻射熱だけで試料ホルダの加熱が行わ
れる。高温域ではフィラメント電流の増加によりフィラ
メント温度が上って熱電子放出が盛になり電子衝撃によ
る加熱が旺盛となり更にフィラメントの熱輻射が加熱を
助け、非常に広い範囲で温度調節が可能である。
第１図は従来例の縦断側面図、第２図は本発明の一実施
例装置の縦断側面図である。 ｌ・・・試料、２・・・試料ホルダ、４・・・試料支え
台、５・・・フィラメント、６・・・フィラメント加熱
用電源、７・・・電子加速用電圧電源。 代理人゛弁理士 縣 浩 介
例装置の縦断側面図である。 ｌ・・・試料、２・・・試料ホルダ、４・・・試料支え
台、５・・・フィラメント、６・・・フィラメント加熱
用電源、７・・・電子加速用電圧電源。 代理人゛弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料ホルダとフィラメントとを対向させ、フィラメント
にフィラメント電流用可変電源を接続し、試料ホルダと
フィラメントとの間にフィラメントから放出された電子
を加速する電子加速電圧用電源を接続し、フィラメント
電流を調節することにより温度調節を行うようにした真
空中試料加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13165082A JPS5920843A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 真空中試料加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13165082A JPS5920843A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 真空中試料加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920843A true JPS5920843A (ja) | 1984-02-02 |
| JPH0377455B2 JPH0377455B2 (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=15063012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13165082A Granted JPS5920843A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 真空中試料加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008053028A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱方法と装置 |
| US7586730B2 (en) * | 2003-05-09 | 2009-09-08 | Sukegawa Electric Co., Ltd. | Electron bombardment heating apparatus and temperature controlling apparatus |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP13165082A patent/JPS5920843A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7586730B2 (en) * | 2003-05-09 | 2009-09-08 | Sukegawa Electric Co., Ltd. | Electron bombardment heating apparatus and temperature controlling apparatus |
| JP2008053028A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Sukegawa Electric Co Ltd | 背面電子衝撃加熱方法と装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377455B2 (ja) | 1991-12-10 |
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