JPS59208917A - 光電変換増幅回路 - Google Patents
光電変換増幅回路Info
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- JPS59208917A JPS59208917A JP58084329A JP8432983A JPS59208917A JP S59208917 A JPS59208917 A JP S59208917A JP 58084329 A JP58084329 A JP 58084329A JP 8432983 A JP8432983 A JP 8432983A JP S59208917 A JPS59208917 A JP S59208917A
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- transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトダイオードの光発電電流(以下光電流
と略す)を増幅して出力電圧を得る光電変換増幅回路に
関する。
と略す)を増幅して出力電圧を得る光電変換増幅回路に
関する。
一般にフォトダイオードによって光電変換された光電流
は、周囲外光など定常光によるものは数十ピコアンペア
から数マイクロアンペアの範囲で変化するため、対数圧
縮用のダイオードを用いて出力グイナミンクレンジを狭
めるとともに光電流が小さい場合にも良好な感度をもた
せるようにするのが普通である。ところが、前記定常光
として光が入力されている中にパルス状の光信号が混在
している場合、前記対数圧縮ダイオードを用いると、パ
ルス状の光信号も定常光に重畳して入力されるため、パ
ルス状の光信号を検出することが困難になり、対数圧縮
用のダイオードを用いることができない。このように従
来技術では、前記定常光によるグイナミソクレンジとパ
ルス状の光信号を検出するための増幅度の関係が相互に
関与するため、第1図に示す回路を用いざるを得ない状
況にある。第1図において、SPDはフォトダイオード
を、R1は光電流を電圧に変換する負荷抵抗を、Elば
フォトダイオードSPDにバイアスするための電源を、
C1はパルス状の光信号を検出するカノプリングコンデ
ンザを、OPは演算増幅器を、R2は負帰還用抵抗を、
R2は演算増幅器OPにバイアス電圧を与えるための電
源を、VcCは電源端子を、0は出力端子を、Eは接地
をそれぞれ表わしている。
は、周囲外光など定常光によるものは数十ピコアンペア
から数マイクロアンペアの範囲で変化するため、対数圧
縮用のダイオードを用いて出力グイナミンクレンジを狭
めるとともに光電流が小さい場合にも良好な感度をもた
せるようにするのが普通である。ところが、前記定常光
として光が入力されている中にパルス状の光信号が混在
している場合、前記対数圧縮ダイオードを用いると、パ
ルス状の光信号も定常光に重畳して入力されるため、パ
ルス状の光信号を検出することが困難になり、対数圧縮
用のダイオードを用いることができない。このように従
来技術では、前記定常光によるグイナミソクレンジとパ
ルス状の光信号を検出するための増幅度の関係が相互に
関与するため、第1図に示す回路を用いざるを得ない状
況にある。第1図において、SPDはフォトダイオード
を、R1は光電流を電圧に変換する負荷抵抗を、Elば
フォトダイオードSPDにバイアスするための電源を、
C1はパルス状の光信号を検出するカノプリングコンデ
ンザを、OPは演算増幅器を、R2は負帰還用抵抗を、
R2は演算増幅器OPにバイアス電圧を与えるための電
源を、VcCは電源端子を、0は出力端子を、Eは接地
をそれぞれ表わしている。
第1図において、フォトダイオードSPDによって光電
変換された定常光に相当する光電流は、抵抗R1に流れ
て電圧変換され、電力消費される。
変換された定常光に相当する光電流は、抵抗R1に流れ
て電圧変換され、電力消費される。
一方パルス状の光信号に相当する光電流は、抵抗R1と
:IンデンザC1に分流して流れるため、演算増幅器0
1)の負帰還抵抗R2を通して演算増幅器01)の出力
Oに電圧増幅して得られる。
:IンデンザC1に分流して流れるため、演算増幅器0
1)の負帰還抵抗R2を通して演算増幅器01)の出力
Oに電圧増幅して得られる。
このように第1図の回路では、検出すべきパルス状の光
電流が抵抗R1とコンデンサC1および抵抗R2に分流
して流れるため、抵抗R1に流れて電力消費されるパル
ス状の光電流分がロスとなること、抵抗R1に流れてい
る定常光に相当する光電流が電力消費される時に発生す
る雑音によりS/N比が低下すること、演算増幅器OP
は高入力インピーダンスで、かつ周波数特性の良いもの
を必要とするため多素子となることなどの欠点があった
。
電流が抵抗R1とコンデンサC1および抵抗R2に分流
して流れるため、抵抗R1に流れて電力消費されるパル
ス状の光電流分がロスとなること、抵抗R1に流れてい
る定常光に相当する光電流が電力消費される時に発生す
る雑音によりS/N比が低下すること、演算増幅器OP
は高入力インピーダンスで、かつ周波数特性の良いもの
を必要とするため多素子となることなどの欠点があった
。
本発明は上記のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、2つのカレントミラーと1つの定電流源と
1つのトランジスタとを用いて回路を構成することによ
り、光電流をバイアス用の抵抗に流さないですむために
S/N比を改善でき、また従来回路に比し素子数が少な
くても済む等の多くの効果を有する光電変換増幅回路を
提供することを目的としている。
れたもので、2つのカレントミラーと1つの定電流源と
1つのトランジスタとを用いて回路を構成することによ
り、光電流をバイアス用の抵抗に流さないですむために
S/N比を改善でき、また従来回路に比し素子数が少な
くても済む等の多くの効果を有する光電変換増幅回路を
提供することを目的としている。
以下本発明の実施例を図を用いて説明する。
第2図は本出願の第1の発明の一実施例を示し、同図に
おいて、SPDはフォトダイオード、Ql。
おいて、SPDはフォトダイオード、Ql。
C2はカレントミラーを構成する第1.第2のPNP)
ランジスタであり、C2はベースとコレクタが接続され
、ダイオード機能を有している。Q3、C4はカレント
ミラーを構成する第3.第4のNPNトランジスタであ
り、C3はベースとコレクタが接続され、ダイオード機
能を有している。
ランジスタであり、C2はベースとコレクタが接続され
、ダイオード機能を有している。Q3、C4はカレント
ミラーを構成する第3.第4のNPNトランジスタであ
り、C3はベースとコレクタが接続され、ダイオード機
能を有している。
C5は負帰還増幅用の第5のNPN I−ランジスタ、
IOは定電流源、Vccは電源端子、Eは接地端子であ
る。
IOは定電流源、Vccは電源端子、Eは接地端子であ
る。
そして図中には出力端子を示していないが、この出力端
子は第1のカレントミラーを構成するトランジスタQl
、Q2と並列にトランジスタを接続してそのI・ランジ
スクから出力を取り出す、即ちトランジスタQl、Q2
とベース、エミッタを共通接続したトランジスタを設り
、このトランジスタのコレクタと接地間に抵抗を接続し
、該トランジスタのコレクタがら出力端子を取り出して
もよく、またトランジスタQ5のベースから直接出力を
取り出してもよく、さらに第3図に示すよ・うにトラン
ジスタQ5とベース、エミッタを共通接続したトランジ
スタQ6およびその出力負荷抵抗R5を設け、該トラン
ジスタQ6のコレクタがら出力を取り出してもよく、こ
の第3図に示すものが本出願の第2の発明(請求範囲第
2項)である。
子は第1のカレントミラーを構成するトランジスタQl
、Q2と並列にトランジスタを接続してそのI・ランジ
スクから出力を取り出す、即ちトランジスタQl、Q2
とベース、エミッタを共通接続したトランジスタを設り
、このトランジスタのコレクタと接地間に抵抗を接続し
、該トランジスタのコレクタがら出力端子を取り出して
もよく、またトランジスタQ5のベースから直接出力を
取り出してもよく、さらに第3図に示すよ・うにトラン
ジスタQ5とベース、エミッタを共通接続したトランジ
スタQ6およびその出力負荷抵抗R5を設け、該トラン
ジスタQ6のコレクタがら出力を取り出してもよく、こ
の第3図に示すものが本出願の第2の発明(請求範囲第
2項)である。
またこの第3図の抵抗R5は、第4図に示すようにこれ
を第2の定電流源■1で置き換えてもよく、これが本出
願の第3の発明(請求範囲第3項)でする場合、第3図
の回路のように出力負荷用に抵抗R5を用いると、電源
電圧変動による出力変動。
を第2の定電流源■1で置き換えてもよく、これが本出
願の第3の発明(請求範囲第3項)でする場合、第3図
の回路のように出力負荷用に抵抗R5を用いると、電源
電圧変動による出力変動。
消費電力の増大、ICの専有面積の増大という問題が生
じるため、これを避けるために定電流源11を用いたも
のであり、この場合第2の定電流源11からの電流とト
ランジスタQ6のコレクタ電流との差が出力電流として
得られる。
じるため、これを避けるために定電流源11を用いたも
のであり、この場合第2の定電流源11からの電流とト
ランジスタQ6のコレクタ電流との差が出力電流として
得られる。
このような本出願の第1ないし第3の発明では、宇宙光
による光電流を第1図の従来回路におりるバイアス用の
抵抗R1に流さないですむためS/N比を大きく改善す
ることができ、かつ第1図のような演算増幅器を使用し
ないですむため素子数を大きく減少させることができる
。
による光電流を第1図の従来回路におりるバイアス用の
抵抗R1に流さないですむためS/N比を大きく改善す
ることができ、かつ第1図のような演算増幅器を使用し
ないですむため素子数を大きく減少させることができる
。
次に第5図は本出願の第4の発明(請求範囲第4項)の
−実施料を示し、図において、Ql、C2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNPトランジスタであり
、C2はベースとコレクタが接続され、ダイオード機能
を有している。C3゜C4はカレントミラーを構成する
第3.第4のNPN)ランジスタであり、C3はベース
とコレクタが接続され、ダイオード機能を有している。
−実施料を示し、図において、Ql、C2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNPトランジスタであり
、C2はベースとコレクタが接続され、ダイオード機能
を有している。C3゜C4はカレントミラーを構成する
第3.第4のNPN)ランジスタであり、C3はベース
とコレクタが接続され、ダイオード機能を有している。
C5は負帰還増幅用の第5のNPN トランジスタ、R
3はトランジスタQ5のエミッタに接続された自己バイ
アス負荷用の第1の抵抗、C6は電流増幅用の第6のト
ランジスタ、R4はトランジスタQ6のエミッタに接続
された自己バイアス負荷用の第2の抵抗、C2はトラン
ジスタQ6のエミッタに接続されたバイパスコンデンサ
、R5は出力用負荷の第3の抵抗、R0は定電流源、V
ccは電源端子、0は出力端子、Eは接地端子である。
3はトランジスタQ5のエミッタに接続された自己バイ
アス負荷用の第1の抵抗、C6は電流増幅用の第6のト
ランジスタ、R4はトランジスタQ6のエミッタに接続
された自己バイアス負荷用の第2の抵抗、C2はトラン
ジスタQ6のエミッタに接続されたバイパスコンデンサ
、R5は出力用負荷の第3の抵抗、R0は定電流源、V
ccは電源端子、0は出力端子、Eは接地端子である。
ここで定電流源IOは前記宇宙光に相当する光電流と、
パルス状の光信号に相当する光電流を加算して、予想さ
れる最大加算値よりも少し大きめの電流値に設定する。
パルス状の光信号に相当する光電流を加算して、予想さ
れる最大加算値よりも少し大きめの電流値に設定する。
さらに抵抗R3とR4は説明を簡単にするため同一抵抗
値として、その値は前記定電流源の電流値■0とR3(
=R4)の掛算値が、電源電圧Vccからトランジスタ
Q2のベース・エミッタ電圧Vbe (C2)と、トラ
ンジスタQ5が能動領域にあるときのコレクタ・エミッ
タ間最小電圧Vce(C5)とを引き算した値の範囲内
になるようR3とR4の抵抗値を設定する。またR5の
抵抗値は前記定電流源の電流値IOにR4の値を掛けて
得られる電圧値と、トランジスタQ6が能動領域にある
ときのコレクタ・エミッタ間の最小電圧値Vc4(C6
)とを加算して得られる電圧値を、電源電圧Vccより
引き算し、その結果前られる電圧値の範囲内に前記IO
とR5を掛算して得られる電圧値が入るようにR5の抵
抗値を設定する。C2の値はパルス状の光信号の周波数
を考慮して十分バイパスできる値に設定する。
値として、その値は前記定電流源の電流値■0とR3(
=R4)の掛算値が、電源電圧Vccからトランジスタ
Q2のベース・エミッタ電圧Vbe (C2)と、トラ
ンジスタQ5が能動領域にあるときのコレクタ・エミッ
タ間最小電圧Vce(C5)とを引き算した値の範囲内
になるようR3とR4の抵抗値を設定する。またR5の
抵抗値は前記定電流源の電流値IOにR4の値を掛けて
得られる電圧値と、トランジスタQ6が能動領域にある
ときのコレクタ・エミッタ間の最小電圧値Vc4(C6
)とを加算して得られる電圧値を、電源電圧Vccより
引き算し、その結果前られる電圧値の範囲内に前記IO
とR5を掛算して得られる電圧値が入るようにR5の抵
抗値を設定する。C2の値はパルス状の光信号の周波数
を考慮して十分バイパスできる値に設定する。
次にこの回路の動作を発明する。
まず、フォトダイオードSPDに光入力がない場合につ
いては、前記定電流源の電流■0はトランジスクQ5お
よびQ6のヘ−スミ流となり、特にトランジスタQ5で
電流増幅され、トランジスタQl、Q2のカレントミラ
ーを介してトランジスタQ3とQ4のカレントミラーに
増幅電流が供給される。するとトランジスタQ4はその
コレクタ電圧が低くなり、トランジスタQ5およびQ6
のヘ−スミ流を抑制するように動作するため負帰還がか
かり、結果としてトランジスタQ5とQ6のコレクタ電
流は、はぼ前記定電流源の電流値と等しい■0なる値に
なり、安定する。そしてこの際I・ランジスタQ5とQ
6のエミッタにそれぞれ接続された抵抗R3とR4に電
圧が発生してトランジスタQ5.Q6の電流増幅率を低
下させる動作がなされている。
いては、前記定電流源の電流■0はトランジスクQ5お
よびQ6のヘ−スミ流となり、特にトランジスタQ5で
電流増幅され、トランジスタQl、Q2のカレントミラ
ーを介してトランジスタQ3とQ4のカレントミラーに
増幅電流が供給される。するとトランジスタQ4はその
コレクタ電圧が低くなり、トランジスタQ5およびQ6
のヘ−スミ流を抑制するように動作するため負帰還がか
かり、結果としてトランジスタQ5とQ6のコレクタ電
流は、はぼ前記定電流源の電流値と等しい■0なる値に
なり、安定する。そしてこの際I・ランジスタQ5とQ
6のエミッタにそれぞれ接続された抵抗R3とR4に電
圧が発生してトランジスタQ5.Q6の電流増幅率を低
下させる動作がなされている。
次にツメ1−ダイオードSPDに前記定常光に相当する
光電流1pが図示矢印の方向に流れると、その光電流!
pはトランジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に
流れると同時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流
およびトランジスタQ4のコレクタ電流への供給電流が
光電流分だけ減少されるように作用するので結果として
トランジスタQ5とQ6へのベース電流は2倍の光電流
分だけ減少する方向に作用する。即ちこの場合の回路各
部の電流は第5図fa)に示ず住ようになる。しかしト
ランジスタQ5とQ6のエミッタには自己バイアス用の
負荷抵抗が作用しており、トランジスタQ5とQ6の電
流増幅率を低下させた状況下にあるため、出力電圧に大
きな変化は生じない。
光電流1pが図示矢印の方向に流れると、その光電流!
pはトランジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に
流れると同時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流
およびトランジスタQ4のコレクタ電流への供給電流が
光電流分だけ減少されるように作用するので結果として
トランジスタQ5とQ6へのベース電流は2倍の光電流
分だけ減少する方向に作用する。即ちこの場合の回路各
部の電流は第5図fa)に示ず住ようになる。しかしト
ランジスタQ5とQ6のエミッタには自己バイアス用の
負荷抵抗が作用しており、トランジスタQ5とQ6の電
流増幅率を低下させた状況下にあるため、出力電圧に大
きな変化は生じない。
次にフォトダイオードSPDにパルス状の光信号に相当
する光電流tpが流れると、その光電流tp はトラン
ジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に流れると同
時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流およびトラ
ンジスタQ4のコレツれ 少電流への供給電流が光電流分だけ減少さ廿るように作
用するので結果としてトランジスタQ5とQ6へのベー
ス電流は2倍の光電流分だけ減少する方向に作用する。
する光電流tpが流れると、その光電流tp はトラン
ジスタQ3のコレクタ電流が増加する方向に流れると同
時に、トランジスタQ5とQ6のベース電流およびトラ
ンジスタQ4のコレツれ 少電流への供給電流が光電流分だけ減少さ廿るように作
用するので結果としてトランジスタQ5とQ6へのベー
ス電流は2倍の光電流分だけ減少する方向に作用する。
即ちこの場合の回路各部の交流分の電流は第5図(bl
に示すようになる。この時この光電流2ip はパルス
として与えられるためトランジスタQ6のベース電流と
してエミッタを介してバイパスコンデンサc2を通して
流れることができる。したがってトランジスタQ6は電
流増幅率が高い状態で動作するため、トランジスタなお
ここで重要なことは、抵抗R3とR4の抵抗値をできる
だり大きな値に設定して前記定電流源の電流10によっ
て十分な電圧降下をさせ、トランジスタQ5とQ6の各
エミッタ部の自己ハ゛イアス電圧を与えるようにしてl
・ランジスタQ5゜Q6の自己バイアス負帰還を十分与
えておくとともに、パルス状の光信号がフォトダイオー
ドsP[)に入力されたときにトランジスタQ3.Q4
のカレントミラーにより、フォトダイオードSPDに流
れるパルス的光電流の2倍の変化として得られるパルス
釣元電流変化が、トランジスタQ6のベース電流変化と
して十分流れるように、コンデンサC2の値を前記パル
ス釣元電流変化の周波数を考慮して設定することが必要
である。
に示すようになる。この時この光電流2ip はパルス
として与えられるためトランジスタQ6のベース電流と
してエミッタを介してバイパスコンデンサc2を通して
流れることができる。したがってトランジスタQ6は電
流増幅率が高い状態で動作するため、トランジスタなお
ここで重要なことは、抵抗R3とR4の抵抗値をできる
だり大きな値に設定して前記定電流源の電流10によっ
て十分な電圧降下をさせ、トランジスタQ5とQ6の各
エミッタ部の自己ハ゛イアス電圧を与えるようにしてl
・ランジスタQ5゜Q6の自己バイアス負帰還を十分与
えておくとともに、パルス状の光信号がフォトダイオー
ドsP[)に入力されたときにトランジスタQ3.Q4
のカレントミラーにより、フォトダイオードSPDに流
れるパルス的光電流の2倍の変化として得られるパルス
釣元電流変化が、トランジスタQ6のベース電流変化と
して十分流れるように、コンデンサC2の値を前記パル
ス釣元電流変化の周波数を考慮して設定することが必要
である。
このような本出願の第4の発明の光電変換増幅回路によ
れば、本出願の第1ないし第3の発明で得られたS/N
比の改善と、素子数の削減の2つの効果に加え、第1図
に示した従来のものと比較して検出すべきパルス状の光
電流を2倍の電流変化として直接取り出すこができるた
め、光電流分のロスを非常に少なくして後段の増幅回路
に送り込めるという効果が得られる。
れば、本出願の第1ないし第3の発明で得られたS/N
比の改善と、素子数の削減の2つの効果に加え、第1図
に示した従来のものと比較して検出すべきパルス状の光
電流を2倍の電流変化として直接取り出すこができるた
め、光電流分のロスを非常に少なくして後段の増幅回路
に送り込めるという効果が得られる。
なお以上は本出願の第4の発明について説明したが、第
5図に本出願の第5の発明(請求範囲第の抵抗R5の代
わりに第2の定電流源IIを用いたものであり、この第
5の発明の従来に対する効果は第4の発明の場合とほと
んど同様である。
5図に本出願の第5の発明(請求範囲第の抵抗R5の代
わりに第2の定電流源IIを用いたものであり、この第
5の発明の従来に対する効果は第4の発明の場合とほと
んど同様である。
以上のようにこの発明によれば、2つのカレントミラー
と1つの定電流源と1つのトランジスタとを用いて光電
変換増幅回路を構成したので、バむためにS/N比を改
善てき、さらに演算増幅器を使用していないため素子数
が少な(て済み、さらに第5図あるいは第6図に示すよ
うに、トランジスタQ5.Q6に自己バイアス負荷用の
抵抗R3、R4を接続し、さらにC6にコンデンサを接
続することにより、検出すべきパルス状の光電流を2倍
の電流変化として直接取り出すことができ、パルス状の
光電流分が抵抗に流れることによるロスを少なくするこ
とができる。
と1つの定電流源と1つのトランジスタとを用いて光電
変換増幅回路を構成したので、バむためにS/N比を改
善てき、さらに演算増幅器を使用していないため素子数
が少な(て済み、さらに第5図あるいは第6図に示すよ
うに、トランジスタQ5.Q6に自己バイアス負荷用の
抵抗R3、R4を接続し、さらにC6にコンデンサを接
続することにより、検出すべきパルス状の光電流を2倍
の電流変化として直接取り出すことができ、パルス状の
光電流分が抵抗に流れることによるロスを少なくするこ
とができる。
第2図(a)は定常光受光時の回路各部の定常電流の分
布を示す図、第2図fblはパルス状光受光時の回路各
部のパルス状電流の分布を示す図、第3図は本出願の第
2の発明の一実施例の回路図、第4図ば本出願の第3の
発明の一実施例の回路図、第5図は本出願の第4の発明
の一実施例の回路図、第6図は本出願の第5の発明の一
実施例の回路図である。 SPDはフォ1〜ダイオード、QlとC2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNP )ランジスタ、C
3とC4はカレントミラーを構成する第3.第4のNP
N )ランジスタ、■0は定電流源、C5は第5のNP
N )ランジスタ、C6は第6のNPN トランジスタ
、R3とR4は第1.第2の抵抗、C2はバイパスコン
デンザ、R5は第3の抵抗、rlは第2の定電流源であ
る。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図 第41g 第5図 (Q) (b) 第6図 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 特願昭58−84329号;3.
補正をする者 代表者片111仁八部 5、補正命令の日付 昭和58年8月10日 6、補正の対象 − 明細書の図面の簡単な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第19頁第10〜14行の「第2図・・・
・・・・・・分布を示す図、」を「第2図は本出願の第
1の発明の一実施例の回路図、」に訂正する。 以 −ヒ
布を示す図、第2図fblはパルス状光受光時の回路各
部のパルス状電流の分布を示す図、第3図は本出願の第
2の発明の一実施例の回路図、第4図ば本出願の第3の
発明の一実施例の回路図、第5図は本出願の第4の発明
の一実施例の回路図、第6図は本出願の第5の発明の一
実施例の回路図である。 SPDはフォ1〜ダイオード、QlとC2はカレントミ
ラーを構成する第1.第2のPNP )ランジスタ、C
3とC4はカレントミラーを構成する第3.第4のNP
N )ランジスタ、■0は定電流源、C5は第5のNP
N )ランジスタ、C6は第6のNPN トランジスタ
、R3とR4は第1.第2の抵抗、C2はバイパスコン
デンザ、R5は第3の抵抗、rlは第2の定電流源であ
る。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図 第41g 第5図 (Q) (b) 第6図 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 特願昭58−84329号;3.
補正をする者 代表者片111仁八部 5、補正命令の日付 昭和58年8月10日 6、補正の対象 − 明細書の図面の簡単な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第19頁第10〜14行の「第2図・・・
・・・・・・分布を示す図、」を「第2図は本出願の第
1の発明の一実施例の回路図、」に訂正する。 以 −ヒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1,1第1と第2のトランジスタでカレントミラーが
構成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタ
が接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を
異にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが
構成され、前記第3のトランジスタばベースとコレクタ
が接続され、前記第1のトランジスタのコレクタば第3
のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続
点にフォー・ダイオードのアノードが接続され、前記第
4のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよびRji記第1のトラと ンジスタと導電形を異にする第5のトランジスタのベー
スが接続され、前記定電流源の他端は前記第1と第2の
トランジスタの各エミッタと相互接続され、この接続点
は電力1端子に接続され、ざらに前記第5のトランジス
タのコレクタば前記第2のトランジスタのコレクタに接
続され、前記第3゜第4.第5のトランジスタのエミッ
タは共通接続されて接地端子に接続されている##を牽
参たことを特徴とする光電変換増幅回路。 (2)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3の
トランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続点
にフメI−ダイオードのアノードが接続され、前記第4
の1−ランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導
電形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され
、前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタ
の各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に
接続され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは
前記第2の)・ランジスクのコレクタに接続され、前記
第3゜第4.第5のトランジスタのエミッタは共通接続
されて接地端子に接続され、前記第5のトランジスタと
導電形を同じにする第6のトランジスタの・\−スが0
11記第5のl−ランジスタのベースに接続され、前記
第6のトランジスタのエミッタは接地端子に接続され、
前記第6のトランジスタのコレクタは第3の抵抗に接続
され、その接続点が出力端子に接続され、前記第3の抵
抗の他端が前記電源端子に接続されていることを特徴と
する光電変換増幅回路。 (3)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレン1−ミラーが
構成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタ
が接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3
のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続
点にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第4
のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダイ
オードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導電
形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され、
前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタの
各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に接
続され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは前
記第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記第3
゜第4.第5のトランジスタのエミッタは共通接続され
て接地端子に接続され、前記第5のトランジスタと導電
形を同じにする第6のトランジスタのベースが前記第5
のトランジスタのベースに接続され、前記第6のトラン
ジスタのエミッタは接地端子に接続され、前記第6のト
ランジスタのコレクタは第2の定電流源に接続され、そ
の接続点が出力端子に接続され、前記第2の定電流源の
他端が前記電源端子に接続されていることを特徴とする
光電変換増幅回路。 (4)第1と第2のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第2のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形を異
にする第3と第4のトランジスタでカレントミラーが構
成され、前記第3のトランジスタはベースとコレクタが
接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第3の
トランジスタのコレクタに接続され、さらにその接続点
にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第4の
トランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダイオ
ードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導電形
を異にする第5のトランジスタのベースが接続され、前
記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタの各
エミッタと相互接続され、この接続点は電#端子に接続
され、さらに前記第5のトランジスタのコレクタは前記
第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記第3゜
第4のトランジスタのエミッタは共通接続されて接地端
子に接続され、前記第5のトランジスタのエミッタに第
1の抵抗が接続され、該第1の抵抗の他端は接地端子に
接続され、前記第5のトランジスタと導電形を同しにす
る第6のトランジスタのベースが前記第5のトランジス
タのベースに接続され、前記第6のトランジスタのエミ
ッタは第2の抵抗と第1のコンデンサに接続され、前記
第2の抵抗と前記第1のコンデンサのそれぞれの他端は
前記接地端子に接続され、前記第6のトランジスタのコ
レクタは第3の抵抗に接続され、その接続点が出力端子
に接続され、前記第3の抵抗の他端は前記電源端子に接
続されていることを特徴とする光電変換増幅回路。 (5) 第1と第2のトランジスタでカレントミラー
が構成され、前記第2のトランジスタはベースとコレク
タが接続され、前記第1.第2のトランジスタと導電形
を異にする第3と第4のトランジスタでカレントミラー
が構成され、前記第3のトランジスタはベースとコレク
タが接続され、前記第1のトランジスタのコレクタは第
3のトランジスタのコレクタに接続され、さらにその接
続点にフォトダイオードのアノードが接続され、前記第
4のトランジスタのコレクタに定電流源と前記フォトダ
イオードのカソードおよび前記第1のトランジスタと導
電形を異にする第5のトランジスタのベースが接続され
、前記定電流源の他端は前記第1と第2のトランジスタ
の各エミッタと相互接続され、この接続点は電源端子に
接続され、さらに前記第5の1−ランジスタのコレクタ
は前記第2のトランジスタのコレクタに接続され、前記
第3゜第4のトランジスタのエミッタは共通接続されて
接地端子に接続され、前記第5のトランジスタのエミッ
タに第1の抵抗が接続され、該第1の抵抗の他端は接地
端子に接続され、前記第5のトランジスタと導電形を同
じにする第6のトランジスタのベースが前記第5のトラ
ンジスタIのベースに接続され、前記第6のトランジス
タのエミ・ツタは第2の抵抗と第1のコンデンサに接続
され、前記第2の抵抗と前記第1のコンデンサのそれぞ
れの他端は前記接地端子に接続され、前記第6のトラン
ジスタのコレクタは第2の定電流源に接続され、その接
続点が出力端子に接続され、前記第2の定電流源の他端
が前記電源端子に接続されていることを特徴とする光電
変換増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084329A JPS59208917A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光電変換増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084329A JPS59208917A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光電変換増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208917A true JPS59208917A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0151088B2 JPH0151088B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=13827471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084329A Granted JPS59208917A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 光電変換増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208917A (ja) |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58084329A patent/JPS59208917A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151088B2 (ja) | 1989-11-01 |
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